JPH02291992A - 放射線測定装置の製造方法 - Google Patents
放射線測定装置の製造方法Info
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- JPH02291992A JPH02291992A JP1112559A JP11255989A JPH02291992A JP H02291992 A JPH02291992 A JP H02291992A JP 1112559 A JP1112559 A JP 1112559A JP 11255989 A JP11255989 A JP 11255989A JP H02291992 A JPH02291992 A JP H02291992A
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- G01T1/04—Chemical dosimeters
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
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- C08G59/5033—Amines aromatic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分Ｗコ
本発明は放射線の測定に関し、特に容易に精度よく照射
放射線量を測定することのできる放射線測定装置の製造
方法に関する． 各種の放射線照射施設、原子炉、核融合炉、その他放射
線を発する全ての施設において、放射線に照射された製
品、材料等に関し照射線量を測定することが非常に重要
である． ［従来の技術］ 従来、数多くの線量計が開発され、利用に供されてきた
．ＨＬ近よく利用されている線量計としては、アラニン
線量計、ＣＴＡ線量計、ラジオクローミヅク線量計等が
ある． アラニン線量計はアラニンに放射線を照射することによ
って生ずる不対電子を電子スピン共口，１（ＥＳＲ）で
測定するものである．高価で大掛かりなＥＳＲ装置が必
要であり、しかも正確な線量測定をするにはコントロー
ルされた密度等を有する均一な試料が必要である．また
測定用のＥＳＲ装置自身が一様な磁場を持つことが必要
であり、通常同一のＥＳＲ装置を用いないと精度が出な
い．アラニン線量計を用いて高精度の線量測定を行う事
は難しく、非常に大きな努力を必要とする．ＣＴＡ線量
計は酢酸セルロースに放射線を照射し、紫外領域に発生
する光吸収を測定するものである．紫外領域の分光器が
必要であるのみでなく、紫外領域の吸収であるため、油
脂等の汚れに敏感であり試料や測定器の取扱いに格段の
注意を要する．しかも、測定波長におけるスペクトルが
明確な形になっていないので、読みが不正確になりやす
い．また、測定可能な線量範囲は、最大１５０ｋＧｙま
でである． ラジオクローミック線量計は、色素を３０％程度加えた
ナイロンに放射線を照射し、６ ０ ０ ｎｌ１、５１
０ｒ＋ｎ付近に発生する吸収帯を測定するものである．
しかし、このラジオクローミック線量計は光にも反応す
るので、遮光の度合いによって読取値が大きく変化する
．さらに、湿度によっても読み取り値か変化する．この
ようにいろいろな面て取扱いが不便であった．また、測
定可能な線量範囲が最大３ ０ ｋＧｙまでである．但
し、十分な注意を払えば比較的良い精度で測定できる．
ＣＴＡおよびラジオクローミックでは、照射後最低１日
待たないと正確な線量を測定することができない．また
、放射線照射後、試料を取出し、別の装置によって測定
しないと照射線量を知ることはできない． ［発明が解決しようとする課題コ 以上述べたように、従来の技術によれば、簡便に高い精
度で放射線線量を測定することは難しかった．特に迅速
な測定や広い視野範囲での測定は龍しかった． 本発明の目的は、簡便に高い精度で放射線を測定するこ
とのできる放射線測定技術を提供することである． 本発明の他の目的は、迅速に、かつ広い線量範囲で照射
した放射線量を測定することのできる放射線測定技術を
提洪することである． 本発明の池の目的は、簡便に高い精度で放射線を測定す
ることのできる放射線測定装置の製造方法を提供するこ
とである． ［課題を解決するための手Ｐｌｉ］ 本発明によれば、１部のジグリシジルエーテルオブビス
フェノールＡ （ＤＧＥＢＡ）と金属塩を含まない約１
部のジアミノジフエニルメタン（ＤＤＭ）を混合する工
程と、混合物を８０〜１２０℃の温度で１レキュアリン
グして２成分を配列し、予備架橋を行う工程と、プレキ
ュアリングした混合物を１４０〜１８０℃の温度で本キ
ュアリングして十分な架橋を行わせ純度９９％以上のエ
ボキシ樹脂を生成する工程とを含む放射線測定装置の！
ｉ！遣方法が堤供される． ［作用］ エボキシ樹脂は耐放射線性を有し、放射線検出機能を有
する事が期待される．但し、通常入手できるエポシキ樹
脂では明確な吸収帯が！！！！察できない．これは、架
橋（硬化》促進のため通常架橋促進剤を含有させている
が、架橋促進剤の成分である金属塩が光吸収帯を発生さ
せ、以下に述べるような光吸収による放射線測定を困難
にしている事が判明した．また、金属塩は放射線検出体
の長期保存を困難にする作用もある． 架橋促進剤などの不純物としての金属塩を排除し、高純
度なエボキシ樹脂を形成するため、は材としてのＤＧＥ
ＢＡと硬化剤としてのＤＤＭのみを用いて高純度エボシ
キ樹脂を生成することを試みた．硬化促進剤を用いない
ため硬化が進みにくい．そこで１レキュアリングと本キ
ュアリンクの２段階キュアリングを採用した．グレキュ
アリ〉・グは８０〜１２０℃とし、本キュアリングは１
４０〜１８０゜Ｃとしてキュアリングをすることに成功
した． また、硬化促進剤を用いないと、グレキュアリング後も
表面がベトついてキュアリング後平滑な表面を得ること
が難しい．ポリエチレンテレクタレートまたはポリエチ
レンナフタレート製の泊具を用いる事によって、研磨等
を行うことなく平滑な表面を得ることに成功した． 放射線照射によって波長約６３０ｒ＋ｎ＋付近に単独光
吸収ピークが現れる．この吸収ピークの面積ないしは高
さは、照射した放射線の線量によって変化する。従って
、波長６３０ｎＩＩｌ付近の光吸収を測定することによ
り、照射した放射線量が測定できる． ［実施例］ まず、エボキシとしてジグリシジルエーテルオブビスフ
ェノールＡ （ＤＧＥＢＡ）を母材として用い、これに
硬化剤として試薬特級グレードのジアミノジフエニルメ
タン（ＤＤＭ）を１＝１に加え、よく混合する．例えば
、ミキサ等で約３０分程度撹拌し、適度な粘性流体とす
る． この混合物をポリエチレンテフタレート（商晶名マイラ
）またはポリエチレンナフタレート（商品名Ｑ）からな
る治具に収容する．例えば、自立して形状を保持できる
１対の厚さ１２０μｍ以上のマイラシ一ト間に挾む． この混合物を泊具ごと８０℃〜１２０℃の間の温度でプ
レキュアリングする．好ましくは１１０℃±５ ’Ｃの
温度で１時間程度、真空雰囲気でホットプレスする．こ
のプレキュアリングによって２成分が配列し、予備架僑
が行われる． 次に、プレキュアリングした材料を治具ごと、１４０℃
〜１８０℃の間の温度で本キュアリングする．好ましく
は１５０℃±５゜Ｃの温度で１時間程度、真空雰囲気で
ホットプレスする．キュアリングしたエボキシ樹脂を泊
具から外し、フィルム状ないしは厚板状のエボシキ樹脂
体を得る． 上述の治其の作用により、ほぼ光学的にも平坦な表面が
得られる． 泊具を用いなかった場合は表面が荒れるが、研？して光
学的に平坦な面を得ることもできる．ここで、用いる原
材料としては、高純度の材料を選ぶ．また、通常用いる
架橋促進剤は使用しない．！＆終生成物のエボキシ樹脂
として通常含まれている数％以上の架橋促進剤を排除し
、純度９９％以上のエボシキ樹脂を作成する．特に中性
子検出用の場合は、金属が含まれていると放射化するの
で金属は極力排除するのが好ましい．少なくとも金属不
純物の含有量はＤ． ！）． ｌ．以下にする．このよ
うに作成したエボキシ樹脂は、放射線照射によって波長
６３０ｎｌ付近に吸収帯を示す．この吸収帯の形を第１
図に示す．横軸は波長をｎｌ１で示し、縦軸は光学的密
度（オプティ力ルデンシテ｛１００ ［Ｉ■／ＩＩ）
を示す，約５００ｎｍ以下に強い吸収が見られ、その裾
が７ ０ ０ ｎｍ付近まで及んでいるが、約６３０ｎ
ｉを中心としてほぼ対称的な形状の単独光吸収ピークが
現れている．なお、第１図に示した吸収ピークは上述の
ように、ＤＧＥＢＡにＤＤＭを混合して作成した高純度
エボキシｖ！４ｎにコバルト６０から発するガンマ線を
照射した時に発生したものである．なお、ガンマ線に限
らず種々の放射線に対して同様に約６３０ｎｎを中心と
した吸収ピークが表れる． 吸収がない時の透過光の強度Ｉ。と吸収がある時の透過
光の強度Ｉとの比の対数を取ることにより光学的密度を
得ることもできる．試料の厚さから単位厚さ当りの吸収
強度を求めることができる．光学的密度と線量の関係に
ついて標準曲線を求めておけば、光学的密度の測定によ
って、ただちに線量を求める事ができる． 第２図は、上記同様に準備したエボキシ樹脂体にコバル
ト６０からのガンマ線を照射した時の、照射したコバル
ト６０ガンマ線の線量に対するエボキシ樹脂の波長６３
０ｎｌｌにおける光吸収強度（光学的密度）を示すグラ
フである． 約８ ０ ０ ｋＧｙまでの測定領域内ではほぼ直線的
に光学密度が増加している． 第３図は上記同様に準備したエボキシ樹脂体にプロトン
を照射した時の、照射プロトン線量に対する厚さ２０μ
ｍのエボキシｖ４詣の波長６３０ｒ＋ｌにおける光吸収
強度（光学的密度）を示すグラフである． 約６ ＭＧｙまで照射量に対し光学密度かほぼリニアに
増加している。
放射線量を測定することのできる放射線測定装置の製造
方法に関する． 各種の放射線照射施設、原子炉、核融合炉、その他放射
線を発する全ての施設において、放射線に照射された製
品、材料等に関し照射線量を測定することが非常に重要
である． ［従来の技術］ 従来、数多くの線量計が開発され、利用に供されてきた
．ＨＬ近よく利用されている線量計としては、アラニン
線量計、ＣＴＡ線量計、ラジオクローミヅク線量計等が
ある． アラニン線量計はアラニンに放射線を照射することによ
って生ずる不対電子を電子スピン共口，１（ＥＳＲ）で
測定するものである．高価で大掛かりなＥＳＲ装置が必
要であり、しかも正確な線量測定をするにはコントロー
ルされた密度等を有する均一な試料が必要である．また
測定用のＥＳＲ装置自身が一様な磁場を持つことが必要
であり、通常同一のＥＳＲ装置を用いないと精度が出な
い．アラニン線量計を用いて高精度の線量測定を行う事
は難しく、非常に大きな努力を必要とする．ＣＴＡ線量
計は酢酸セルロースに放射線を照射し、紫外領域に発生
する光吸収を測定するものである．紫外領域の分光器が
必要であるのみでなく、紫外領域の吸収であるため、油
脂等の汚れに敏感であり試料や測定器の取扱いに格段の
注意を要する．しかも、測定波長におけるスペクトルが
明確な形になっていないので、読みが不正確になりやす
い．また、測定可能な線量範囲は、最大１５０ｋＧｙま
でである． ラジオクローミック線量計は、色素を３０％程度加えた
ナイロンに放射線を照射し、６ ０ ０ ｎｌ１、５１
０ｒ＋ｎ付近に発生する吸収帯を測定するものである．
しかし、このラジオクローミック線量計は光にも反応す
るので、遮光の度合いによって読取値が大きく変化する
．さらに、湿度によっても読み取り値か変化する．この
ようにいろいろな面て取扱いが不便であった．また、測
定可能な線量範囲が最大３ ０ ｋＧｙまでである．但
し、十分な注意を払えば比較的良い精度で測定できる．
ＣＴＡおよびラジオクローミックでは、照射後最低１日
待たないと正確な線量を測定することができない．また
、放射線照射後、試料を取出し、別の装置によって測定
しないと照射線量を知ることはできない． ［発明が解決しようとする課題コ 以上述べたように、従来の技術によれば、簡便に高い精
度で放射線線量を測定することは難しかった．特に迅速
な測定や広い視野範囲での測定は龍しかった． 本発明の目的は、簡便に高い精度で放射線を測定するこ
とのできる放射線測定技術を提供することである． 本発明の他の目的は、迅速に、かつ広い線量範囲で照射
した放射線量を測定することのできる放射線測定技術を
提洪することである． 本発明の池の目的は、簡便に高い精度で放射線を測定す
ることのできる放射線測定装置の製造方法を提供するこ
とである． ［課題を解決するための手Ｐｌｉ］ 本発明によれば、１部のジグリシジルエーテルオブビス
フェノールＡ （ＤＧＥＢＡ）と金属塩を含まない約１
部のジアミノジフエニルメタン（ＤＤＭ）を混合する工
程と、混合物を８０〜１２０℃の温度で１レキュアリン
グして２成分を配列し、予備架橋を行う工程と、プレキ
ュアリングした混合物を１４０〜１８０℃の温度で本キ
ュアリングして十分な架橋を行わせ純度９９％以上のエ
ボキシ樹脂を生成する工程とを含む放射線測定装置の！
ｉ！遣方法が堤供される． ［作用］ エボキシ樹脂は耐放射線性を有し、放射線検出機能を有
する事が期待される．但し、通常入手できるエポシキ樹
脂では明確な吸収帯が！！！！察できない．これは、架
橋（硬化》促進のため通常架橋促進剤を含有させている
が、架橋促進剤の成分である金属塩が光吸収帯を発生さ
せ、以下に述べるような光吸収による放射線測定を困難
にしている事が判明した．また、金属塩は放射線検出体
の長期保存を困難にする作用もある． 架橋促進剤などの不純物としての金属塩を排除し、高純
度なエボキシ樹脂を形成するため、は材としてのＤＧＥ
ＢＡと硬化剤としてのＤＤＭのみを用いて高純度エボシ
キ樹脂を生成することを試みた．硬化促進剤を用いない
ため硬化が進みにくい．そこで１レキュアリングと本キ
ュアリンクの２段階キュアリングを採用した．グレキュ
アリ〉・グは８０〜１２０℃とし、本キュアリングは１
４０〜１８０゜Ｃとしてキュアリングをすることに成功
した． また、硬化促進剤を用いないと、グレキュアリング後も
表面がベトついてキュアリング後平滑な表面を得ること
が難しい．ポリエチレンテレクタレートまたはポリエチ
レンナフタレート製の泊具を用いる事によって、研磨等
を行うことなく平滑な表面を得ることに成功した． 放射線照射によって波長約６３０ｒ＋ｎ＋付近に単独光
吸収ピークが現れる．この吸収ピークの面積ないしは高
さは、照射した放射線の線量によって変化する。従って
、波長６３０ｎＩＩｌ付近の光吸収を測定することによ
り、照射した放射線量が測定できる． ［実施例］ まず、エボキシとしてジグリシジルエーテルオブビスフ
ェノールＡ （ＤＧＥＢＡ）を母材として用い、これに
硬化剤として試薬特級グレードのジアミノジフエニルメ
タン（ＤＤＭ）を１＝１に加え、よく混合する．例えば
、ミキサ等で約３０分程度撹拌し、適度な粘性流体とす
る． この混合物をポリエチレンテフタレート（商晶名マイラ
）またはポリエチレンナフタレート（商品名Ｑ）からな
る治具に収容する．例えば、自立して形状を保持できる
１対の厚さ１２０μｍ以上のマイラシ一ト間に挾む． この混合物を泊具ごと８０℃〜１２０℃の間の温度でプ
レキュアリングする．好ましくは１１０℃±５ ’Ｃの
温度で１時間程度、真空雰囲気でホットプレスする．こ
のプレキュアリングによって２成分が配列し、予備架僑
が行われる． 次に、プレキュアリングした材料を治具ごと、１４０℃
〜１８０℃の間の温度で本キュアリングする．好ましく
は１５０℃±５゜Ｃの温度で１時間程度、真空雰囲気で
ホットプレスする．キュアリングしたエボキシ樹脂を泊
具から外し、フィルム状ないしは厚板状のエボシキ樹脂
体を得る． 上述の治其の作用により、ほぼ光学的にも平坦な表面が
得られる． 泊具を用いなかった場合は表面が荒れるが、研？して光
学的に平坦な面を得ることもできる．ここで、用いる原
材料としては、高純度の材料を選ぶ．また、通常用いる
架橋促進剤は使用しない．！＆終生成物のエボキシ樹脂
として通常含まれている数％以上の架橋促進剤を排除し
、純度９９％以上のエボシキ樹脂を作成する．特に中性
子検出用の場合は、金属が含まれていると放射化するの
で金属は極力排除するのが好ましい．少なくとも金属不
純物の含有量はＤ． ！）． ｌ．以下にする．このよ
うに作成したエボキシ樹脂は、放射線照射によって波長
６３０ｎｌ付近に吸収帯を示す．この吸収帯の形を第１
図に示す．横軸は波長をｎｌ１で示し、縦軸は光学的密
度（オプティ力ルデンシテ｛１００ ［Ｉ■／ＩＩ）
を示す，約５００ｎｍ以下に強い吸収が見られ、その裾
が７ ０ ０ ｎｍ付近まで及んでいるが、約６３０ｎ
ｉを中心としてほぼ対称的な形状の単独光吸収ピークが
現れている．なお、第１図に示した吸収ピークは上述の
ように、ＤＧＥＢＡにＤＤＭを混合して作成した高純度
エボキシｖ！４ｎにコバルト６０から発するガンマ線を
照射した時に発生したものである．なお、ガンマ線に限
らず種々の放射線に対して同様に約６３０ｎｎを中心と
した吸収ピークが表れる． 吸収がない時の透過光の強度Ｉ。と吸収がある時の透過
光の強度Ｉとの比の対数を取ることにより光学的密度を
得ることもできる．試料の厚さから単位厚さ当りの吸収
強度を求めることができる．光学的密度と線量の関係に
ついて標準曲線を求めておけば、光学的密度の測定によ
って、ただちに線量を求める事ができる． 第２図は、上記同様に準備したエボキシ樹脂体にコバル
ト６０からのガンマ線を照射した時の、照射したコバル
ト６０ガンマ線の線量に対するエボキシ樹脂の波長６３
０ｎｌｌにおける光吸収強度（光学的密度）を示すグラ
フである． 約８ ０ ０ ｋＧｙまでの測定領域内ではほぼ直線的
に光学密度が増加している． 第３図は上記同様に準備したエボキシ樹脂体にプロトン
を照射した時の、照射プロトン線量に対する厚さ２０μ
ｍのエボキシｖ４詣の波長６３０ｒ＋ｌにおける光吸収
強度（光学的密度）を示すグラフである． 約６ ＭＧｙまで照射量に対し光学密度かほぼリニアに
増加している。
第４図に示すように吸収特性は、時間依存性を持つ．放
射線照射後ほぼ５〜６分で急激に低下し、そのｔｌｔＭ
やかに低下して、約１０時間程度で落ち着く．その後は
１週間程度経過しても低下分は高々１０％程度である．
時間以外の要素ではあまり変化しない．従って、放射線
照射後、約１０時間以上経過すれば、高精度の測定を容
易に行える．勿論、照射直後の特性を測定しておき、放
射線照射領域内で、時間を管理しつつ、その場（オンラ
イン）ｔｌ！京をすることもできる． 第５図は放射線測定装置の概略図である．放射線照射領
域において、放射線５は物質１０を照射している．例え
ば、この物質１０が照射された線量を測定する必要があ
る場合を考え、この物質１０を通して放射線を受ける場
所に放射線検出体であるエボキシ樹脂測定体１を配置す
る．エボキシ樹脂測定体１は放射線に照射され、次第に
変化して６ ３ ０ ｎｌ付近の光を吸収するようにな
る．放射線がエボキシ樹脂測定体１を照射することによ
り、エポキシ樹脂測定体ｌは６３０ｎｒｎを中心とした
光吸収帯の強度を増加させる．光吸１■帯の増加により
透過光の強度は減少する．この変化はほぼ不可逆変化で
あり、光吸収帯の面積ないしは高さ（振動子強度）が照
射した放射線の積分値に対応する． 吸収帯の波長は可視赤色領域であり、油詣等にあまり影
響されない．また照射後の時間を管理するか、照射後、
約１０時間以上経過させることにより、容易に高精度の
測定が行える．エポキシ樹脂測定体の変化は、高い積分
照射量まで飽和しないので、広い線量範囲、長期間にお
ける放射線測定を可能にする． 測定をする時には、エボキシ樹脂測定体１を放射線照射
領域外に移動させ、同一の材料で作成され、放射線を照
射されていない参考用エボキシ樹脂体２と併置し、例え
ば、Ｈｅ−Ｍｅレーザや＾ＩＧａＡｓの発光ダイオード
である同一赤色光光源からの光を照射し、それぞれの透
過光を光測定器３で測定する．演算器４で、放射線を照
射されたエボキシ樹脂体１の透過光と放射線を照射され
ていないエボキシ樹脂木２の透過光の比を取り、さらに
その対数を取ることにより光学的密度が算出される．引
き続き測定を続ける場合は、エボキシ樹脂測定体１を再
び、放射線測定箇所に戻す．［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば、放射線測定に適し
たエボシキ樹脂を得ることができ、この特別に作成した
高純度エボキシ樹脂を用いることにより、簡単に高精度
の放射線量測定を行うことができる． また、放射線照射環境内でその場観察をすることらでき
る．
射線照射後ほぼ５〜６分で急激に低下し、そのｔｌｔＭ
やかに低下して、約１０時間程度で落ち着く．その後は
１週間程度経過しても低下分は高々１０％程度である．
時間以外の要素ではあまり変化しない．従って、放射線
照射後、約１０時間以上経過すれば、高精度の測定を容
易に行える．勿論、照射直後の特性を測定しておき、放
射線照射領域内で、時間を管理しつつ、その場（オンラ
イン）ｔｌ！京をすることもできる． 第５図は放射線測定装置の概略図である．放射線照射領
域において、放射線５は物質１０を照射している．例え
ば、この物質１０が照射された線量を測定する必要があ
る場合を考え、この物質１０を通して放射線を受ける場
所に放射線検出体であるエボキシ樹脂測定体１を配置す
る．エボキシ樹脂測定体１は放射線に照射され、次第に
変化して６ ３ ０ ｎｌ付近の光を吸収するようにな
る．放射線がエボキシ樹脂測定体１を照射することによ
り、エポキシ樹脂測定体ｌは６３０ｎｒｎを中心とした
光吸収帯の強度を増加させる．光吸１■帯の増加により
透過光の強度は減少する．この変化はほぼ不可逆変化で
あり、光吸収帯の面積ないしは高さ（振動子強度）が照
射した放射線の積分値に対応する． 吸収帯の波長は可視赤色領域であり、油詣等にあまり影
響されない．また照射後の時間を管理するか、照射後、
約１０時間以上経過させることにより、容易に高精度の
測定が行える．エポキシ樹脂測定体の変化は、高い積分
照射量まで飽和しないので、広い線量範囲、長期間にお
ける放射線測定を可能にする． 測定をする時には、エボキシ樹脂測定体１を放射線照射
領域外に移動させ、同一の材料で作成され、放射線を照
射されていない参考用エボキシ樹脂体２と併置し、例え
ば、Ｈｅ−Ｍｅレーザや＾ＩＧａＡｓの発光ダイオード
である同一赤色光光源からの光を照射し、それぞれの透
過光を光測定器３で測定する．演算器４で、放射線を照
射されたエボキシ樹脂体１の透過光と放射線を照射され
ていないエボキシ樹脂木２の透過光の比を取り、さらに
その対数を取ることにより光学的密度が算出される．引
き続き測定を続ける場合は、エボキシ樹脂測定体１を再
び、放射線測定箇所に戻す．［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば、放射線測定に適し
たエボシキ樹脂を得ることができ、この特別に作成した
高純度エボキシ樹脂を用いることにより、簡単に高精度
の放射線量測定を行うことができる． また、放射線照射環境内でその場観察をすることらでき
る．
第１図は放射線を照射したエボキシ樹脂の吸収スペクト
ルを示すグラフ、 第２図はコバルト６０ガンマ線の照射線量に対するエボ
キシ樹脂の６３０ｎｎにおける光学的密度を示すグラフ
、 第３図はプロトン照射線量に対するエボキシ樹脂の６３
０ｎｍにおける光学的密度を示すグラフ、第４図は、放
射線照射後のエボシキ樹Ｗ：！測定体の時間に対する光
吸収特性の変化を示すグラフ、第５図は放射線量測定装
置を概略的に示す線図である． エボキシ樹脂測定体 参照用エボキシＶＩ１詣体 光測定器 演算器 放射線 物質 復代理人 弁理士 高橋敬四郎 第１図 光学的密度対プロトン線量 第２図 時間（ｈｒ）
ルを示すグラフ、 第２図はコバルト６０ガンマ線の照射線量に対するエボ
キシ樹脂の６３０ｎｎにおける光学的密度を示すグラフ
、 第３図はプロトン照射線量に対するエボキシ樹脂の６３
０ｎｍにおける光学的密度を示すグラフ、第４図は、放
射線照射後のエボシキ樹Ｗ：！測定体の時間に対する光
吸収特性の変化を示すグラフ、第５図は放射線量測定装
置を概略的に示す線図である． エボキシ樹脂測定体 参照用エボキシＶＩ１詣体 光測定器 演算器 放射線 物質 復代理人 弁理士 高橋敬四郎 第１図 光学的密度対プロトン線量 第２図 時間（ｈｒ）
Claims (2)
- （１）、１部のジグリシジルエーテルオブビスフェノー
ルＡと金属塩を含まない約１部のジアミノジフェニルメ
タンを混合する工程と、 混合物を８０〜１２０℃の温度でプレキュアリングして
２成分を配列し予備架橋を行う工程と、 プレキュアリングした混合物を１４０〜１８０℃の温度
で本キュアリングして十分な架橋を行わせ純度９９％以
上のエポキシ樹脂を生成する工程と を含む放射線測定装置の製造方法。 - （２）、前記プレキュアリング工程前に混合物をポリエ
チレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレート
の治具に収容する工程をさらに含み、前記プレキュアリ
ング工程および本キュアリング工程は治具に収容したま
まの混合物に対して行う請求項１記載の放射線測定装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112559A JPH02291992A (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 放射線測定装置の製造方法 |
| US07/517,030 US5151486A (en) | 1989-05-01 | 1990-05-01 | Method of manufacturing radioactive ray measuring device using pure DGEBA and DDM in 1:1 molar ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112559A JPH02291992A (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 放射線測定装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291992A true JPH02291992A (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=14589706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1112559A Pending JPH02291992A (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 放射線測定装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5151486A (ja) |
| JP (1) | JPH02291992A (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| US5576362A (en) * | 1992-04-20 | 1996-11-19 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Insulating material and a circuit substrate in use thereof |
| US5418313A (en) * | 1994-05-25 | 1995-05-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for reducing cure time in epoxy resins cured with methylenedianiline and derivatives |
| US6979829B2 (en) * | 2003-04-23 | 2005-12-27 | Clearant Inc. | Devices and methods for determining the amount of energy absorbed during irradiation |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| NL219578A (ja) * | 1956-08-03 | 1900-01-01 | ||
| US3714120A (en) * | 1971-04-13 | 1973-01-30 | Ford Motor Co | Composition and method of increasing the reaction rate between an epoxy resin and an aromatic amine |
| DE3409499A1 (de) * | 1984-03-15 | 1985-11-07 | Rütgerswerke AG, 6000 Frankfurt | Lagerstabile, waermehaertbare mischungen auf epoxidharzbasis und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4593056A (en) * | 1985-06-21 | 1986-06-03 | Union Carbide Corporation | Epoxy/aromatic amine resin systems containing aromatic trihydroxy compounds as cure accelerators |
-
1989
- 1989-05-01 JP JP1112559A patent/JPH02291992A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-01 US US07/517,030 patent/US5151486A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5151486A (en) | 1992-09-29 |
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