JPH0229269B2 - - Google Patents
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- JPH0229269B2 JPH0229269B2 JP56026220A JP2622081A JPH0229269B2 JP H0229269 B2 JPH0229269 B2 JP H0229269B2 JP 56026220 A JP56026220 A JP 56026220A JP 2622081 A JP2622081 A JP 2622081A JP H0229269 B2 JPH0229269 B2 JP H0229269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- scanning device
- electrodes
- electrode
- individual elements
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/02418—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick up and reproduction
- H04N1/02463—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick up and reproduction using heads mounted on the same support or substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1931—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays with scanning elements electrically interconnected in groups
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Optical Systems Of Projection Type Copiers (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電極を備えた支持層で一方の面を、
また信号電極と透明板を備えた光導電層で対向す
る面を仕切つた放電室を有する多数の個別要素か
ら成る複写器、フアクシミリ等の原稿に対する走
査面を線状に走査する走査装置、及びこの装置の
一定部分を作製する方法に関する。
また信号電極と透明板を備えた光導電層で対向す
る面を仕切つた放電室を有する多数の個別要素か
ら成る複写器、フアクシミリ等の原稿に対する走
査面を線状に走査する走査装置、及びこの装置の
一定部分を作製する方法に関する。
1728個の個別センサを有するシフトレジスタ配
列の線型画像CCDを利用して点状に電子走査す
る方法は公知である。
列の線型画像CCDを利用して点状に電子走査す
る方法は公知である。
幅210mmのDIN（ドイツ工業規格）A4面を走査
する場合、この方法では約８点／mmの解像度にな
る。CCDの長さは約25mmであるから、DIN A4走
査板を走査するためには、光学的に縮小する必要
がある。しかしながら、この縮小を行うには、比
較的大きなスペースを要するので、CCDの本質
的利点、即ち幾何学的な寸法が小さいことが効果
を発揮しない。
する場合、この方法では約８点／mmの解像度にな
る。CCDの長さは約25mmであるから、DIN A4走
査板を走査するためには、光学的に縮小する必要
がある。しかしながら、この縮小を行うには、比
較的大きなスペースを要するので、CCDの本質
的利点、即ち幾何学的な寸法が小さいことが効果
を発揮しない。
個々の点に分解した画像を順次線状に複写する
には、機械、光学、電気及び熱的方法が公知であ
る。しかし、これ等全ての方法は、製造及び構成
上撮像に使用されるCCDと非常に異つているの
で、撮像及び複写に対して完全に異なる技術が要
求される。
には、機械、光学、電気及び熱的方法が公知であ
る。しかし、これ等全ての方法は、製造及び構成
上撮像に使用されるCCDと非常に異つているの
で、撮像及び複写に対して完全に異なる技術が要
求される。
本発明の課題は、撮像及び複写に両立性のある
技術を用い、更に光学結像なしに10点／mm以上の
解像度を有する直接１：１走査を可能にする装置
を提供することにある。
技術を用い、更に光学結像なしに10点／mm以上の
解像度を有する直接１：１走査を可能にする装置
を提供することにある。
上記の課題は、一枚の信号電極が全ての個別要
素に共通であり、個々の放電空間は、少なくとも
１個のガス室を介して光導電層の表面に接続し、
光導電層を充電する走査線である各個別要素の電
極をシフトレジスタの原理で三相にして走査する
巻頭に述べた様式の装置で解決されている。この
発明による装置の他の有利な構成は、特許請求の
範囲第２〜９項に説明してある。特許請求の範囲
第１０〜１３項には、上記の装置の構成要素を製
造する方法が記載してある。
素に共通であり、個々の放電空間は、少なくとも
１個のガス室を介して光導電層の表面に接続し、
光導電層を充電する走査線である各個別要素の電
極をシフトレジスタの原理で三相にして走査する
巻頭に述べた様式の装置で解決されている。この
発明による装置の他の有利な構成は、特許請求の
範囲第２〜９項に説明してある。特許請求の範囲
第１０〜１３項には、上記の装置の構成要素を製
造する方法が記載してある。
走査面を走査し、再生する本発明による装置
は、原理上２つのユニツトから成る。即ち、 １ 走査面を線状に走査することができ、走査面
から来る中間信号をアナログ電気信号に変換す
る受光要素を点列に並べた装置。
は、原理上２つのユニツトから成る。即ち、 １ 走査面を線状に走査することができ、走査面
から来る中間信号をアナログ電気信号に変換す
る受光要素を点列に並べた装置。
２ 前述のセンサ要素に対して平行に制御され、
これ等の要素の増幅信号でガス放電により電荷
量を、例えば誘電層に伝送する金属突起又は金
属線の点列に並べた装置。この場合、公知のエ
レクトログラフイ法で現像でき、センサ要素に
より走査された走査面の複写を表わす電荷像が
生じる。
これ等の要素の増幅信号でガス放電により電荷
量を、例えば誘電層に伝送する金属突起又は金
属線の点列に並べた装置。この場合、公知のエ
レクトログラフイ法で現像でき、センサ要素に
より走査された走査面の複写を表わす電荷像が
生じる。
次に本発明を添付した図面に基づき詳しく説明
する。
する。
第１図に示すアレイは、ｎ個の個別センサから
成る。これ等の個別センサの各々は、受光素子Ｅ
（２電極間の光通路）、コンデンサＣ及び開閉器Ｓ
より成る。受光素子Ｅの上側電極は、透明で、平
行に接続されている。これ等の電極は、直列抵抗
Rvを介して直流電圧Ｕに接続してある。
成る。これ等の個別センサの各々は、受光素子Ｅ
（２電極間の光通路）、コンデンサＣ及び開閉器Ｓ
より成る。受光素子Ｅの上側電極は、透明で、平
行に接続されている。これ等の電極は、直列抵抗
Rvを介して直流電圧Ｕに接続してある。
開閉器Ｓを瞬間的に閉じると、受光素子Ｅの容
量は充電されて、電圧Ｕになる。コンデンサＣ
は、放電する。その後、開閉器Ｓは再び開にされ
る。今、受光素子Ｅを経由して入射光量に比例す
る光電流が流れると、この電流によりＣは充電さ
れる。かくして、受光素子Ｅに印加している電圧
が減少する。所定の時間後、開閉器Ｓは再び瞬間
的に閉じ、コンデンサＣは放電し、受光素子Ｅの
容量は再び充電されて、電圧Ｕになる。その際、
直列抵抗器Rvを介して流入した電荷は、所定時
間中に入射した光量の積分値に比例する（ビジコ
ンの原理）。
量は充電されて、電圧Ｕになる。コンデンサＣ
は、放電する。その後、開閉器Ｓは再び開にされ
る。今、受光素子Ｅを経由して入射光量に比例す
る光電流が流れると、この電流によりＣは充電さ
れる。かくして、受光素子Ｅに印加している電圧
が減少する。所定の時間後、開閉器Ｓは再び瞬間
的に閉じ、コンデンサＣは放電し、受光素子Ｅの
容量は再び充電されて、電圧Ｕになる。その際、
直列抵抗器Rvを介して流入した電荷は、所定時
間中に入射した光量の積分値に比例する（ビジコ
ンの原理）。
この装置の特異性は、開閉器Ｓの機能にある。
これ等の開閉器は、一方でコンデンサＣを放電す
ること、また他方で第１図に示した３相制御を実
現するため、直前に直ぐ隣りの開閉器が接続され
たときのみ、付属する制御導線Ph1〜Ph3を介し
て開閉器Ｓが接続する役目を持つている。所定の
パルスプログラムにより、開閉器S0〜Soは順次瞬
間的に閉になる。最後の開閉器Soが閉になると、
補助開閉器S0が新たに閉じて、新しいサイクルが
始まる。かくして、画像センサE1…Eoの容量は、
順次電圧Ｕまで充電されるので、出力端には、信
号列が現れ、この信号列の個々の信号は１周期中
個別センサに入射した光量に比例している。この
方法により、走査面を線状に走査できる。その場
合、一本の画像走査線の情報はｎ個の個々の点に
分解される。走査線の送りは、例えば走査面を機
械的に移動させて行われる。
これ等の開閉器は、一方でコンデンサＣを放電す
ること、また他方で第１図に示した３相制御を実
現するため、直前に直ぐ隣りの開閉器が接続され
たときのみ、付属する制御導線Ph1〜Ph3を介し
て開閉器Ｓが接続する役目を持つている。所定の
パルスプログラムにより、開閉器S0〜Soは順次瞬
間的に閉になる。最後の開閉器Soが閉になると、
補助開閉器S0が新たに閉じて、新しいサイクルが
始まる。かくして、画像センサE1…Eoの容量は、
順次電圧Ｕまで充電されるので、出力端には、信
号列が現れ、この信号列の個々の信号は１周期中
個別センサに入射した光量に比例している。この
方法により、走査面を線状に走査できる。その場
合、一本の画像走査線の情報はｎ個の個々の点に
分解される。走査線の送りは、例えば走査面を機
械的に移動させて行われる。
第２図には、本発明の好適実施例による個別セ
ンサの構造が模式的に示してある。透明板１上に
は、全てのセンサに共通する透明な信号電極２及
び光導電層３が載つている。次いで、回路構成と
して同時に受光素子Ｅの下側コンデンサ板、Ｃの
右コンデンサ板及び開閉器Ｓの右の端子となる浮
動電極４が続く。更に、例えばSiO2から成る絶
縁層５、及びアース電位にしてあり、浮動電極４
でコンデンサＣを形成してある全センサに共通な
電極６が続く。絶縁層５及び電極６は、電極４の
中心でこの電極までエツチングされ、導通状態の
とき開閉器Ｓの機能を受持つガス室７が生じる。
導電性の制御は、放電室８で発生するガス放電を
介して行われる。このガス放電は、３相導線の１
つに結合しあり、支持板１０上に載せた電極９を
介して制御される。放電室８の横の仕切りは、エ
ツチングした溝１２を介して隣接する放電室につ
ながつている金属製の穿孔板１１により形成され
る。層１３は、穿孔板１１を電極９に対し絶縁し
ている。
ンサの構造が模式的に示してある。透明板１上に
は、全てのセンサに共通する透明な信号電極２及
び光導電層３が載つている。次いで、回路構成と
して同時に受光素子Ｅの下側コンデンサ板、Ｃの
右コンデンサ板及び開閉器Ｓの右の端子となる浮
動電極４が続く。更に、例えばSiO2から成る絶
縁層５、及びアース電位にしてあり、浮動電極４
でコンデンサＣを形成してある全センサに共通な
電極６が続く。絶縁層５及び電極６は、電極４の
中心でこの電極までエツチングされ、導通状態の
とき開閉器Ｓの機能を受持つガス室７が生じる。
導電性の制御は、放電室８で発生するガス放電を
介して行われる。このガス放電は、３相導線の１
つに結合しあり、支持板１０上に載せた電極９を
介して制御される。放電室８の横の仕切りは、エ
ツチングした溝１２を介して隣接する放電室につ
ながつている金属製の穿孔板１１により形成され
る。層１３は、穿孔板１１を電極９に対し絶縁し
ている。
ガス放電は、陰極である電極９と陽極である電
極６又は穿孔板１１との間で点弧する。浮動電極
４に対する陰極９の逆増幅率は非常に僅かで、単
に1/1000の程度である。かくして、ガス室７は実
際上放電室８の動作から分離している。しかし、
電極４と６との間に電位差があると、電極６の縁
から漏洩電界がガス室７の電極４まで作用する。
このことは、電極４と６との間の電位差が平衡を
保つまで、放電室８のガス放電で生じた電荷が電
極４に移行する。この作用により、同じ量の電荷
が低抗Rvを経由して電極２に流入する。この電
流は、抵抗Rvで電圧降下を与え、この電圧降下
は結合コンデンサCKを経由して増幅器に導入さ
れる。
極６又は穿孔板１１との間で点弧する。浮動電極
４に対する陰極９の逆増幅率は非常に僅かで、単
に1/1000の程度である。かくして、ガス室７は実
際上放電室８の動作から分離している。しかし、
電極４と６との間に電位差があると、電極６の縁
から漏洩電界がガス室７の電極４まで作用する。
このことは、電極４と６との間の電位差が平衡を
保つまで、放電室８のガス放電で生じた電荷が電
極４に移行する。この作用により、同じ量の電荷
が低抗Rvを経由して電極２に流入する。この電
流は、抵抗Rvで電圧降下を与え、この電圧降下
は結合コンデンサCKを経由して増幅器に導入さ
れる。
測定信号は入射した光量に比例するので、連続
的な階調度を再生できる。
的な階調度を再生できる。
電極４と６との間の電位差の平衡するのに必要
な時間は、数100nsであるので、パルス幅USt＜
1μsにできる。アース電位の電極６に対して、ガ
ス放電後浮動電極４に残る電位の統計的変動は＜
10ｍＶである。正味の信号は略10Vであるから、
このことは約100：１のＳ／Ｎ比＝60dBを意味す
る。
な時間は、数100nsであるので、パルス幅USt＜
1μsにできる。アース電位の電極６に対して、ガ
ス放電後浮動電極４に残る電位の統計的変動は＜
10ｍＶである。正味の信号は略10Vであるから、
このことは約100：１のＳ／Ｎ比＝60dBを意味す
る。
電極６の代りにスペーサで光導電層３に対して
絶縁してある網を設けることもできる。この場
合、上記のスペーサを穿孔板１１の主要部上に位
置するように取付する必要がある。
絶縁してある網を設けることもできる。この場
合、上記のスペーサを穿孔板１１の主要部上に位
置するように取付する必要がある。
第３図には、第２図に示した装置が互に分離し
て再現してある。個々の画像センサに属する構造
要素も同様に示してある。個々のセンサの放電室
８は、溝１２を介して互に連絡している。前記の
開閉器S1…Soの機能は、「セルフスキヤンプラズ
マパネル（Self Scan Plasma Panels）」の原理
により、センサからセンサにガス放電を移動させ
て行われる。この原理は、電圧を印加していると
き、放電室の電荷が多ければ多い程、ガス放電を
点弧するのに必要な電圧が、低くなると云う事実
に基づいている。上昇した上記の電荷量は、拡散
により絶えず、丁度点弧した要素に隣接している
センサ要素のところに達する。かくして、これ等
の隣接要素を低電圧で点弧できる。
て再現してある。個々の画像センサに属する構造
要素も同様に示してある。個々のセンサの放電室
８は、溝１２を介して互に連絡している。前記の
開閉器S1…Soの機能は、「セルフスキヤンプラズ
マパネル（Self Scan Plasma Panels）」の原理
により、センサからセンサにガス放電を移動させ
て行われる。この原理は、電圧を印加していると
き、放電室の電荷が多ければ多い程、ガス放電を
点弧するのに必要な電圧が、低くなると云う事実
に基づいている。上昇した上記の電荷量は、拡散
により絶えず、丁度点弧した要素に隣接している
センサ要素のところに達する。かくして、これ等
の隣接要素を低電圧で点弧できる。
「シフトレジスタ駆動」は、次のように進行す
る。
る。
センサ列の初めには、センサ機能を持たない開
閉器S0があるが、その放電室には点弧電圧UZを
印加することにより最初のガス放電が発生する
（第１図の相Ph0）。この放電を殆んど遅延なく導
入するは、陰極のところで僅かな電子を電界放射
にさらすことにより生じる。このようにして始動
したガス放電の形成は、数100ns後に終了する。
溝１２を経由する拡散により、隣接する第１セル
の放電室に電荷輸送が行われる。1μs以内の後、
Ph0の電圧が遮断され、Ph1の電圧USt＜UZが印加
される。第１要素の放電室に存在する電荷のため
そこでは、放電を導入するのに電圧UStで十分で
ある。第４、７、10等の要素の並列接続してある
陰極には、同様に電圧UStが加わる。しかし、そ
れ等の要素の放電室には第１要素に存在する電荷
がないので、電圧UStは点弧を誘起させることは
ない。第１要素の放電室の放電により、その要素
の浮動電極４はアース電位になり、同時に第２要
素の放電室に電荷が拡散する。1μs以内の後、電
圧UStがPh1から遮断され、Ph2に接続される。か
くして、第１要素の放電室の放電が消え、以下同
様に動作する。
閉器S0があるが、その放電室には点弧電圧UZを
印加することにより最初のガス放電が発生する
（第１図の相Ph0）。この放電を殆んど遅延なく導
入するは、陰極のところで僅かな電子を電界放射
にさらすことにより生じる。このようにして始動
したガス放電の形成は、数100ns後に終了する。
溝１２を経由する拡散により、隣接する第１セル
の放電室に電荷輸送が行われる。1μs以内の後、
Ph0の電圧が遮断され、Ph1の電圧USt＜UZが印加
される。第１要素の放電室に存在する電荷のため
そこでは、放電を導入するのに電圧UStで十分で
ある。第４、７、10等の要素の並列接続してある
陰極には、同様に電圧UStが加わる。しかし、そ
れ等の要素の放電室には第１要素に存在する電荷
がないので、電圧UStは点弧を誘起させることは
ない。第１要素の放電室の放電により、その要素
の浮動電極４はアース電位になり、同時に第２要
素の放電室に電荷が拡散する。1μs以内の後、電
圧UStがPh1から遮断され、Ph2に接続される。か
くして、第１要素の放電室の放電が消え、以下同
様に動作する。
第３要素が点弧した後、第４要素が、前に第１
要素を駆動した導線Ph1を介して制御される。そ
のとき第１要素がまた点弧するのを阻止するた
め、消滅後に未だ残つている電荷を除去する必要
があるが、これは主に壁での中和により行われ
る。上記の過程は、放電室の寸法が小さいため非
常に早く進行する。従つて、ガス放電の切換えは
たゞ３相だけで実現できる。
要素を駆動した導線Ph1を介して制御される。そ
のとき第１要素がまた点弧するのを阻止するた
め、消滅後に未だ残つている電荷を除去する必要
があるが、これは主に壁での中和により行われ
る。上記の過程は、放電室の寸法が小さいため非
常に早く進行する。従つて、ガス放電の切換えは
たゞ３相だけで実現できる。
シフト周波数は約1MHzである。個々のセンサ
点の中心間隔は、＜100μｍであるから、解像度は
＞10点／mmである。DIN A4面を再生するには、
センサ走査線は21cmの表上になる。
点の中心間隔は、＜100μｍであるから、解像度は
＞10点／mmである。DIN A4面を再生するには、
センサ走査線は21cmの表上になる。
対物レンズで走査面を光学的に結像するは、複
写装置内で相当な容積が必要になる。第４図に示
す装置は安価に製造でき、集積した照射装置を有
し、場所を節約し、画像の縁まで無歪１：１複写
ができる。この装置は、二つのガラス基板１と１
０とから成り、それ等の間には個々のセンサセル
の放電室８を規定する穿孔板１１が配設してあ
る。各センサセルには、基板１を通り抜ける光通
路１７が配設してある。これにより、基板１の上
に直接ある走査面の点１８から出射する光が、直
接付属するセンサに導入される。走査面の照明
は、透明電極２０及び鏡面金属電極２１を有し、
センサアレイに平行に延びる２本のガス放電区間
２２により行われる。基板１の表面上にある光吸
収層１９により、前記放電区間から出射された光
のうち第４図に点線で示した部分だけが、光通路
の貫通点に現れ、走査面を照明する。出射した光
の残りは、層１９に吸収される。走査面上の照明
強度は、光源の間隔が短かい（約３mm）ため比較
的強い。
写装置内で相当な容積が必要になる。第４図に示
す装置は安価に製造でき、集積した照射装置を有
し、場所を節約し、画像の縁まで無歪１：１複写
ができる。この装置は、二つのガラス基板１と１
０とから成り、それ等の間には個々のセンサセル
の放電室８を規定する穿孔板１１が配設してあ
る。各センサセルには、基板１を通り抜ける光通
路１７が配設してある。これにより、基板１の上
に直接ある走査面の点１８から出射する光が、直
接付属するセンサに導入される。走査面の照明
は、透明電極２０及び鏡面金属電極２１を有し、
センサアレイに平行に延びる２本のガス放電区間
２２により行われる。基板１の表面上にある光吸
収層１９により、前記放電区間から出射された光
のうち第４図に点線で示した部分だけが、光通路
の貫通点に現れ、走査面を照明する。出射した光
の残りは、層１９に吸収される。走査面上の照明
強度は、光源の間隔が短かい（約３mm）ため比較
的強い。
アレイを製造し、調整した後、基板１と１０を
エポキシ樹脂２５により縁部のところで互に貼付
け、第５図に示す通気口２７から排気され、ネオ
ン＋0.1％アルゴンの点弧ガスで約１バールに充
填される。次いで、通気口は溶融封上される。基
板１と１０上に薄膜の形で載せた電流導入部２６
は、エポキシ樹脂層の下を貫通し、外部接続端子
を形成する。
エポキシ樹脂２５により縁部のところで互に貼付
け、第５図に示す通気口２７から排気され、ネオ
ン＋0.1％アルゴンの点弧ガスで約１バールに充
填される。次いで、通気口は溶融封上される。基
板１と１０上に薄膜の形で載せた電流導入部２６
は、エポキシ樹脂層の下を貫通し、外部接続端子
を形成する。
複写アレーの原理は公知である（Y.
Terezawa、T.Ihkubo、IEEE Transactions on
Electron Devices、VoL.ED.21、No.９、593頁
（1974）。第６図に示してあるように、この複写ア
レーはセンサアレイと同じ方法で陰極１５を３相
制御して、選択される直線状に配列した金属ピン
１４で作製されている。ガス放電を介して、制御
される金属ピンはそれぞれ全てのピンに共通な陽
極１６の電位に接続される。金属ピン１４に対し
狭い間隔にして誘電層２８及び背面電極２９があ
る。この電極には、走査した各センサ要素から供
給され、増幅された信号が印加される。一本の金
属ピンとこの背面電極２９との間の電位差Ｕが、
両者の間にあるガス層（通常の空気）の点弧電圧
UZよりも大きいと、誘電層２８の表面に電荷の
移行が生じる。この電荷量は、Ｕ−UZに比例す
るので、全体として走査面の明暗階調度に比例す
る電荷像が発生する。この電荷像は、公知のエレ
クトログラフイー技術により現像できる。
Terezawa、T.Ihkubo、IEEE Transactions on
Electron Devices、VoL.ED.21、No.９、593頁
（1974）。第６図に示してあるように、この複写ア
レーはセンサアレイと同じ方法で陰極１５を３相
制御して、選択される直線状に配列した金属ピン
１４で作製されている。ガス放電を介して、制御
される金属ピンはそれぞれ全てのピンに共通な陽
極１６の電位に接続される。金属ピン１４に対し
狭い間隔にして誘電層２８及び背面電極２９があ
る。この電極には、走査した各センサ要素から供
給され、増幅された信号が印加される。一本の金
属ピンとこの背面電極２９との間の電位差Ｕが、
両者の間にあるガス層（通常の空気）の点弧電圧
UZよりも大きいと、誘電層２８の表面に電荷の
移行が生じる。この電荷量は、Ｕ−UZに比例す
るので、全体として走査面の明暗階調度に比例す
る電荷像が発生する。この電荷像は、公知のエレ
クトログラフイー技術により現像できる。
第７図には、複写アレイの個別要素が示してあ
る。要素の下部は、構造上及び寸法上正確にセン
サセル（放電室８、陰極９、ガラス基板１０、穿
孔板１１、溝１２、SiO2層１３）に一致する。
上部は、金属ピン１４が埋込んだガラス板１でで
きている。
る。要素の下部は、構造上及び寸法上正確にセン
サセル（放電室８、陰極９、ガラス基板１０、穿
孔板１１、溝１２、SiO2層１３）に一致する。
上部は、金属ピン１４が埋込んだガラス板１でで
きている。
第８ａ図は、第４図の光通路又は第７図の金属
ピンを通する有利な製造方法を示す。厚さ約５mm
のガラス板１，２，３及び４の表上Ｌは、複写す
る走査面の幅よりも約10mm大きい（即ち、DIN
A4の場合には、210＋10＝220mm）値になる。幅
Ｂも、ほぼ同じ大きさである。前記のガラス板に
は、光リソグラフイー法で表面に溝が付てある。
この溝の深さは、使用する光フアイバー又は金属
線の半径より浅く、その幅はこのフアイバー又は
金属線の直径にほゞ一致する。溝の中心間隔は、
要求される点解像度、即ち10本の溝／mmに相当す
る。半円筒状の受容部５及び６により、ガラス板
２及び３はこの板の溝付き表面を外に向けて固定
してある。受容部５及び６の半径は、使用する光
フアイバーの最小許容曲率半径より大きくする必
要がある。次いで、溝にはエポキシ樹脂を充填
し、一本の光フアイバー又は一本の金属線が各溝
にはまるように巻付けてある。その後、ガラス板
１及び４の溝もエポキシ樹脂で充填し、それ等の
溝が巻線の位置に来るように巻付けしてある板２
及び３の上に押圧される。余分なエポキシ樹脂及
び加圧空気を収容するために、ガラス板１及び４
には約１mm幅で0.5mm深さの平行に横断する溝７
が設けてある。
ピンを通する有利な製造方法を示す。厚さ約５mm
のガラス板１，２，３及び４の表上Ｌは、複写す
る走査面の幅よりも約10mm大きい（即ち、DIN
A4の場合には、210＋10＝220mm）値になる。幅
Ｂも、ほぼ同じ大きさである。前記のガラス板に
は、光リソグラフイー法で表面に溝が付てある。
この溝の深さは、使用する光フアイバー又は金属
線の半径より浅く、その幅はこのフアイバー又は
金属線の直径にほゞ一致する。溝の中心間隔は、
要求される点解像度、即ち10本の溝／mmに相当す
る。半円筒状の受容部５及び６により、ガラス板
２及び３はこの板の溝付き表面を外に向けて固定
してある。受容部５及び６の半径は、使用する光
フアイバーの最小許容曲率半径より大きくする必
要がある。次いで、溝にはエポキシ樹脂を充填
し、一本の光フアイバー又は一本の金属線が各溝
にはまるように巻付けてある。その後、ガラス板
１及び４の溝もエポキシ樹脂で充填し、それ等の
溝が巻線の位置に来るように巻付けしてある板２
及び３の上に押圧される。余分なエポキシ樹脂及
び加圧空気を収容するために、ガラス板１及び４
には約１mm幅で0.5mm深さの平行に横断する溝７
が設けてある。
エポキシ樹脂を硬化させ、受容部５及び６上の
光フアイバー又は金属線の巻線を分離した後、ガ
ラス板１及び４の横断溝に沿つて鋸で切断した２
組の同一ガラス板対１−２及び３−４が得られ
る。切断した表面を研磨した後、光導体又は金属
線が、溝で正確に定まる周期性にしてある第８ｂ
図の断面図に示すガラス線条が100以上得られる。
光フアイバー又は金属線の巻線を分離した後、ガ
ラス板１及び４の横断溝に沿つて鋸で切断した２
組の同一ガラス板対１−２及び３−４が得られ
る。切断した表面を研磨した後、光導体又は金属
線が、溝で正確に定まる周期性にしてある第８ｂ
図の断面図に示すガラス線条が100以上得られる。
残りの構造を製造するには、薄膜技術及びリゾ
グラフの公知の方法により行われる。
グラフの公知の方法により行われる。
本発明の特に有利な実施例を第９図に模式的に
示す。
示す。
読取り及び書込み装置の下部の構造は、完全に
同一に構成されているので、合理的な方法で基板
１０の両面上に作製される。一方の表面は、光通
路アレイ１７で、また他方の表面は線状ピンアレ
イ１４で組立てられる。１の上側で走査面を読取
り、その情報を下側１４で電荷像の形にして書込
むことができる。走査面の読取りは、左右を逆に
して行えるので、読取り及び書込み装置を逆向に
操作し、画像は左右を正しくして書込める。ガス
放電の走行方向は、アレイの両端に補助セルを設
けることにより簡単に制御することができる。ガ
ス放電が前記のように左から右へでなく、右から
左へ走させる必要があれば、最初の時点でその都
度右側の補助セルを点弧し、位相の順序はPh1−
Ph2−Ph3からPh3−Ph2−Ph1に逆転する。
同一に構成されているので、合理的な方法で基板
１０の両面上に作製される。一方の表面は、光通
路アレイ１７で、また他方の表面は線状ピンアレ
イ１４で組立てられる。１の上側で走査面を読取
り、その情報を下側１４で電荷像の形にして書込
むことができる。走査面の読取りは、左右を逆に
して行えるので、読取り及び書込み装置を逆向に
操作し、画像は左右を正しくして書込める。ガス
放電の走行方向は、アレイの両端に補助セルを設
けることにより簡単に制御することができる。ガ
ス放電が前記のように左から右へでなく、右から
左へ走させる必要があれば、最初の時点でその都
度右側の補助セルを点弧し、位相の順序はPh1−
Ph2−Ph3からPh3−Ph2−Ph1に逆転する。
以上説明した装置は、その幾何形状が小さいの
で小型複写器の構造に適している。同時に、この
装置は画像の遠距離伝送（フアクシミリ）にも導
入できる。
で小型複写器の構造に適している。同時に、この
装置は画像の遠距離伝送（フアクシミリ）にも導
入できる。
第１図は、本発明によるセンサアレイの原理的
な幾能を示す配置図、第２図は、一個の個別要素
の構成造を示す断面図、第３図は、第２図に示し
た構造をセンサアレイにした場合の互に引離した
展開図、第４図は、走査装置に対する好適実施形
状の模式断面図、第５図は、第４図に示した装置
の支持板を重ねた断面図、第６図は、複写アレイ
の機能を示す結線図、第７図は、複写アレイの個
別要素の断面図、第８図ａ及び第８ｂ図は、光フ
アイバー又は金属ピンを通す本発明による方法、
第９図は、複写装置と組み合わせた本発明による
走査装置の好適実施形体を示す。 １……透明板、２……信号電極、３……光導電
層、４……浮動電極、５……絶縁層、６，９……
電極、７……ガス室、８……放電室、１０……支
持板。
な幾能を示す配置図、第２図は、一個の個別要素
の構成造を示す断面図、第３図は、第２図に示し
た構造をセンサアレイにした場合の互に引離した
展開図、第４図は、走査装置に対する好適実施形
状の模式断面図、第５図は、第４図に示した装置
の支持板を重ねた断面図、第６図は、複写アレイ
の機能を示す結線図、第７図は、複写アレイの個
別要素の断面図、第８図ａ及び第８ｂ図は、光フ
アイバー又は金属ピンを通す本発明による方法、
第９図は、複写装置と組み合わせた本発明による
走査装置の好適実施形体を示す。 １……透明板、２……信号電極、３……光導電
層、４……浮動電極、５……絶縁層、６，９……
電極、７……ガス室、８……放電室、１０……支
持板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極を備えた支持層で一方の面を、また信号
電極と透明板を備えた光導電層で対向する面を仕
切つた放電室を有する多数の個別要素から成る走
査面を線状に走査する走査装置において、信号電
極２は全ての個別要素に共通で、個々の放電室８
は少くとも１つの別なガス室７を経由して光導電
層３の表面に結合し、１つの走査線の各個別要素
の電極９は光導電層３を充電するため、シフトレ
ジスタ原理による３相制御ができることを特徴と
する走査装置。 ２ 光導電層３は、放電室８を向いている表面上
で電極６を支える絶縁層５を備え、絶縁層５又は
電極６にはガス室７を形成する少くとも１つの貫
通部があることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の走査装置。 ３ 電極６は網として形成してあり、光導電層３
に対してスペーサで絶縁され、スペーサは、網電
極６の放電室８を仕切る面を連通していることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の走査装置。 ４ 光導電層３上には、放電室８と同じ直径を有
する浮動電極４が配設してあることを特徴とする
特許請求の範囲第１〜３項いずれか１項に記載の
走査装置。 ５ 透明板１の表面は、走査面に載り、この透明
板１には、各画像点に対して光通路１７が配設し
てあり、この光通路により走査面から漏れる散乱
光を走査線の付属する個別要素に集中させること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれ
か１項に記載の走査装置。 ６ 透明板１には、２つの透明電極２０が、また
浮動電極４には２つの金属電極２１が配設してあ
り、両電極２０，２１は画像走査線に対し平行に
走り、それぞれ走査面を照らす光源として使用さ
れるガス放電の直線状区間を形成することを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載の走査装置。 ７ 透明板１は、光通路１７である貫通点を開け
た光吸収性層９で被覆されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第５項又は第６項記載の走査装
置。 ８ 走査装置は、点配列した個別要素の増幅信号
を点配列した金属線を介して電荷の形で誘電性表
面に移す記録装置に連結してあることを特徴とす
る特許請求の範囲第１〜７項のいずれか１項に記
載の走査装置。 ９ 個別要素から成る走査線が金属線の配列に平
行に走るように、共通の支持板１０を介して記録
装置に連結していることを特徴とする特許請求の
範囲第８項記載の走査装置。 １０ 信号電極は全ての個別要素に共通で、個々
の放電室は少なくとも１つの別なガス室を経由し
て光導電層の表面に結合し、一つの走査線の各個
別要素の電極は光導電層を充電するため、シフト
レジスタ原理による３相制御ができ、透明板の表
面は走査面に載り、この透明板には、各画像共に
対して光通路が配設してあり、この光通路により
走査面から漏れる散乱光を走査線の付属する個別
要素に集中させ、電極を備えた支持層で一方の面
を、また信号電極と透明板を備えた光導電層で対
向面を仕切つた放電室を有する多数の個別要素か
ら成る走査面を線状に走査する走査装置で光フア
イバー又は金属線を通す製造方法において、透明
板又は支持板１〜１０を形成する少くとも２枚の
板にリゾグラフ法で光フアイバー又は金属線の直
径に相当する溝を付け、一枚の板の溝に粘着剤を
用いて光導体又は金属線を巻付け、前記板を圧着
後、寸法取りしたセグメントを切り出すことを特
徴とする製造方法。 １１ 巻付けてない板に、過剰の接着剤を収容す
る横断溝が配設してあることを特徴とする特許請
求の範囲第１０項記載の製造方法。 １２ ４枚の板を使用し、光フアイバー又は金属
線が半円筒状の受容体により固定してある２枚の
板に巻付けてあることを特徴とする特許請求の範
囲第１０項又は第１１項記載の製造方法。 １３ 板はガラス製で光フアイバーを通すため、
粘着剤の代りにガラスハンダを使用することを特
徴とする特許請求の範囲第１０〜１２項のいずれ
か１項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803007439 DE3007439C2 (de) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | Anordnung zum zeilenweisen Abtasten einer Bildvorlage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158572A JPS56158572A (en) | 1981-12-07 |
| JPH0229269B2 true JPH0229269B2 (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=6095731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2622081A Granted JPS56158572A (en) | 1980-02-28 | 1981-02-26 | Picture original linear scanning device and method of manufacturing same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56158572A (ja) |
| DE (1) | DE3007439C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585263U (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-19 | 株式会社シマノ | 釣り用リール |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3212302C1 (de) * | 1982-04-02 | 1983-10-13 | Triumph-Adler Aktiengesellschaft für Büro- und Informationstechnik, 8500 Nürnberg | Anordnung zum zeilenweisen Abtasten einer Bildvorlage |
| DE3221519A1 (de) * | 1982-06-08 | 1984-03-08 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Anordnung zur uebertragung von information mittels elektrischer signale |
| DE3339256A1 (de) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildeingabevorrichtung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3750190A (en) * | 1970-11-20 | 1973-07-31 | Nippon Electric Co | Electrostatic recording device utilizing the electric potential in a discharge space |
| US4177487A (en) * | 1977-04-11 | 1979-12-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Facsimile scanner |
-
1980
- 1980-02-28 DE DE19803007439 patent/DE3007439C2/de not_active Expired
-
1981
- 1981-02-26 JP JP2622081A patent/JPS56158572A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585263U (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-19 | 株式会社シマノ | 釣り用リール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3007439A1 (de) | 1981-09-03 |
| JPS56158572A (en) | 1981-12-07 |
| DE3007439C2 (de) | 1984-04-19 |
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