JPS6313348B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6313348B2 JPS6313348B2 JP55173227A JP17322780A JPS6313348B2 JP S6313348 B2 JPS6313348 B2 JP S6313348B2 JP 55173227 A JP55173227 A JP 55173227A JP 17322780 A JP17322780 A JP 17322780A JP S6313348 B2 JPS6313348 B2 JP S6313348B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving element
- light receiving
- electrode
- capacitance
- divided
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、原稿読取用の撮像装置に関するもの
である。従来、フアクシミリ等に使用されていた
原稿読取装置の撮像素子としては、MOSフオト
ダイオードアレイ、あるいはCCD等があつた。
である。従来、フアクシミリ等に使用されていた
原稿読取装置の撮像素子としては、MOSフオト
ダイオードアレイ、あるいはCCD等があつた。
これらの撮像素子はICにより作られるため、
それ自体の大きさは小さくできるが、原稿等を読
取る場合には、レンズ等を用いて像を縮小する必
要が生じた。その結果、撮像素子と光学系の位置
合わせに高精度が要求され、また装置の小型化も
困難であつた。
それ自体の大きさは小さくできるが、原稿等を読
取る場合には、レンズ等を用いて像を縮小する必
要が生じた。その結果、撮像素子と光学系の位置
合わせに高精度が要求され、また装置の小型化も
困難であつた。
一方、撮像素子の大きさを原稿幅とし、光学系
としてオプチカルフアイバアレイまたはレンズア
レイを用いて一対一の結像を行ない、原稿を読取
る装置が有つたが、この形式の撮像素子の受光部
は、光導電半導体をガラス等の絶縁基板に、例え
ばマスク蒸着として作製されるものであつた。
としてオプチカルフアイバアレイまたはレンズア
レイを用いて一対一の結像を行ない、原稿を読取
る装置が有つたが、この形式の撮像素子の受光部
は、光導電半導体をガラス等の絶縁基板に、例え
ばマスク蒸着として作製されるものであつた。
前記のような装置によれば結像光路長が短くて
済むため、装置の小型化が可能であつた。しか
し、このような装置においては、撮像素子を走査
駆動するためのスイツチング素子を同一基板上に
形成することは困難であるため、受光部が形成さ
れている絶縁基板と、スイツチング素子が集積さ
れている基板とを配線接続する必要があつた。
済むため、装置の小型化が可能であつた。しか
し、このような装置においては、撮像素子を走査
駆動するためのスイツチング素子を同一基板上に
形成することは困難であるため、受光部が形成さ
れている絶縁基板と、スイツチング素子が集積さ
れている基板とを配線接続する必要があつた。
以下、原稿読取装置に使用される従来の撮像装
置の構造を、第１，２図を参照して説明する。第
１図は前記撮像装置の概略図、第２図はその−
線切断断面図である。
置の構造を、第１，２図を参照して説明する。第
１図は前記撮像装置の概略図、第２図はその−
線切断断面図である。
図において、１は撮像素子、２はスイツチング
素子、３Ａ，３Ｂは絶縁基板、４は分割電極、５
は前記絶縁基板３Ｂの上面に設けられ、かつその
一部分が前記分割電極４上に重なるようにされた
光導電半導体層、６は前記絶縁基板３Ｂの上面に
形成され、かつその一部分が前記光導電半導体層
５と重なるようにされた透明電極である。
素子、３Ａ，３Ｂは絶縁基板、４は分割電極、５
は前記絶縁基板３Ｂの上面に設けられ、かつその
一部分が前記分割電極４上に重なるようにされた
光導電半導体層、６は前記絶縁基板３Ｂの上面に
形成され、かつその一部分が前記光導電半導体層
５と重なるようにされた透明電極である。
また、７は絶縁基板３Ａの上面に形成されたス
イツチング用IC、８は前記分割電極４と前記ス
イツチング用IC７とを接続する接続電極である。
イツチング用IC、８は前記分割電極４と前記ス
イツチング用IC７とを接続する接続電極である。
前記従来例において、分割電極４は、例えばガ
ラス等の絶縁基板３Ｂの上面に、金あるいはクロ
ム等の金属を、約500〜1000Åの厚さで、かつそ
のピツチが解像度に対応するように、例えば６〜
10本／mmで並べて形成される。
ラス等の絶縁基板３Ｂの上面に、金あるいはクロ
ム等の金属を、約500〜1000Åの厚さで、かつそ
のピツチが解像度に対応するように、例えば６〜
10本／mmで並べて形成される。
また、光導電半導体層５は、前記分割電極４の
上面に、0.5〜5μmの厚さで蒸着等により、Se、
Se−TeあるいはCdS、CdSe等で非晶質または多
結晶として形成される。
上面に、0.5〜5μmの厚さで蒸着等により、Se、
Se−TeあるいはCdS、CdSe等で非晶質または多
結晶として形成される。
透明電極６は、前記光導電半導体層５の上面
に、500〜3000Åの厚さでスパツタ等により形成
される。
に、500〜3000Åの厚さでスパツタ等により形成
される。
分割電極４と透明電極６との間には光導電半導
体層５が挟まれ、前記両電極は画素単位に対応し
た重なり面積を有しており、受光素子Ｐを形成し
ている。前記分割電極４と透明電極６との間に適
当な電圧を印加しておくと、受光素子に照射され
る光量に応じた光電流を得ることができる。
体層５が挟まれ、前記両電極は画素単位に対応し
た重なり面積を有しており、受光素子Ｐを形成し
ている。前記分割電極４と透明電極６との間に適
当な電圧を印加しておくと、受光素子に照射され
る光量に応じた光電流を得ることができる。
スイツチング素子２は基板上にスイツチング用
IC（例えばMOS−FET等）７を集積したもので、
図示しない各々のスイツチから引き出され、かつ
分割電極４と同一ピツチで配列された接続電極８
を有している。接続電極８は、その端部におい
て、分割電極４と圧着等の方法により接続されて
いる。
IC（例えばMOS−FET等）７を集積したもので、
図示しない各々のスイツチから引き出され、かつ
分割電極４と同一ピツチで配列された接続電極８
を有している。接続電極８は、その端部におい
て、分割電極４と圧着等の方法により接続されて
いる。
第３図は、前記撮像素子１の駆動方式を説明す
るための、撮像装置の等価回路図である。図にお
いて、第１図と同一の符号は、同一部分または同
等部分をあらわしている。Cp1〜CP5は受光素子
Ｐで形成される容量、Ｄは前記受光素子Ｐで形成
されるフオトダイオード、Cl1〜Cl4は線間容量、
S1〜S5はスイツチ、Cs1〜Cs5はスイツチ入力容
量、ｔは出力端子、Ｒは負荷低抗である。
るための、撮像装置の等価回路図である。図にお
いて、第１図と同一の符号は、同一部分または同
等部分をあらわしている。Cp1〜CP5は受光素子
Ｐで形成される容量、Ｄは前記受光素子Ｐで形成
されるフオトダイオード、Cl1〜Cl4は線間容量、
S1〜S5はスイツチ、Cs1〜Cs5はスイツチ入力容
量、ｔは出力端子、Ｒは負荷低抗である。
接続電極８は、基板３Ａ，３Ｂが別体であるた
めに、その長さが数cm程度にもなり、配線密度が
高い場合には、線間容量Cl1〜Cl4を生じる。この
場合、受光素子容量Cpと線間容量Clおよびスイ
ツチ入力容量Csの間には、Cp＜ClCsの関係が
一般に成り立つ。
めに、その長さが数cm程度にもなり、配線密度が
高い場合には、線間容量Cl1〜Cl4を生じる。この
場合、受光素子容量Cpと線間容量Clおよびスイ
ツチ入力容量Csの間には、Cp＜ClCsの関係が
一般に成り立つ。
第４図は、前記のような構成の撮像素子１の受
光素子P1〜P5の出力を読み取る場合の動作を説
明するための撮像装置の等価回路図である。図に
おいて、第３図と同一の符号は、同一部分をあら
わしている。
光素子P1〜P5の出力を読み取る場合の動作を説
明するための撮像装置の等価回路図である。図に
おいて、第３図と同一の符号は、同一部分をあら
わしている。
前記のような構成の撮像装置を用いて原稿読取
りをする場合は、次のようにして行なう。
りをする場合は、次のようにして行なう。
まず始めにスイツチS1〜S5を閉じて受光素子
P1〜P5の容量Cp1〜Cp5を電圧V0で充電した後、
スイツチS1〜S5を開いた状態で受光素子P1〜P5
に光照射を行なう。
P1〜P5の容量Cp1〜Cp5を電圧V0で充電した後、
スイツチS1〜S5を開いた状態で受光素子P1〜P5
に光照射を行なう。
ここで、受光素子P1の出力を得る場合につい
て考えると、光照射に従つてフオトダイオードＤ
によつて電荷が発生し、この電荷はスイツチ容量
Cs1に流れ、蓄えられる。それ故に、時間の経過
に従つてＡ点の電位は上昇する。ここで、スイツ
チS1を閉じるとスイツチ容量Cs1は放電し、受光
素子容量Cp1は充電され、同時にＡ点の電位は接
地レベルとなる。
て考えると、光照射に従つてフオトダイオードＤ
によつて電荷が発生し、この電荷はスイツチ容量
Cs1に流れ、蓄えられる。それ故に、時間の経過
に従つてＡ点の電位は上昇する。ここで、スイツ
チS1を閉じるとスイツチ容量Cs1は放電し、受光
素子容量Cp1は充電され、同時にＡ点の電位は接
地レベルとなる。
その際の電流i1を、出力端子ｔにおいて読み取
ることによつて、出力が得られる。この場合、Ａ
点の電位が変化するために、受光素子P1による
信号電流i1に加え、線間容量Cl1〜Cl4を通して、
電流i2〜i5が、図示のように流れ込む、このた
め、いわゆるクロストークを生じ、受光素子P1
の出力を正しく読むことができない。
ることによつて、出力が得られる。この場合、Ａ
点の電位が変化するために、受光素子P1による
信号電流i1に加え、線間容量Cl1〜Cl4を通して、
電流i2〜i5が、図示のように流れ込む、このた
め、いわゆるクロストークを生じ、受光素子P1
の出力を正しく読むことができない。
本発明の目的は、撮像装置の構造を改良するこ
とにより前記のような欠点を除去し、クロストー
クを生ずることなしに、受光素子の出力を正しく
読み取ることを可能にした撮像装置を提供するこ
とにある。
とにより前記のような欠点を除去し、クロストー
クを生ずることなしに、受光素子の出力を正しく
読み取ることを可能にした撮像装置を提供するこ
とにある。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例に
ついて説明する。第５図は本発明の一実施例の概
略図、第６図はその−線切断断面図である。
図において、第１図と同一の符号は、同一または
同等部分をあらわしている。
ついて説明する。第５図は本発明の一実施例の概
略図、第６図はその−線切断断面図である。
図において、第１図と同一の符号は、同一または
同等部分をあらわしている。
９，１０は絶縁層、１１，１２は導体層であ
る。分割電極４とスイツチング用IC７とを接続
するための接続電極８は、絶縁層９，１０および
導体層１１，１２によりサンドイツチ状にはさま
れている。また、導体層１１，１２は電気的に接
地されている。すなわち、接続電極８は導体層１
１および１２によつてシールドされた状態となつ
ている。
る。分割電極４とスイツチング用IC７とを接続
するための接続電極８は、絶縁層９，１０および
導体層１１，１２によりサンドイツチ状にはさま
れている。また、導体層１１，１２は電気的に接
地されている。すなわち、接続電極８は導体層１
１および１２によつてシールドされた状態となつ
ている。
第７図は、前記撮像素子１の受光素子P1〜P5
の出力を読み取る場合について説明するための撮
像装置の等価回路図である。
の出力を読み取る場合について説明するための撮
像装置の等価回路図である。
図において、第３図と同一の符号は、同一また
は同等部分をあらわしている。
は同等部分をあらわしている。
明らかなように、第７図では、第３図に示した
等価回路に対して、更に接続電極８と導体層１
１，１２とによつて形成される容量がスイツチ容
量Csに付加されるため、両者の合成された容量
（シールド容量と呼ぶ）Cs′が形成される。
等価回路に対して、更に接続電極８と導体層１
１，１２とによつて形成される容量がスイツチ容
量Csに付加されるため、両者の合成された容量
（シールド容量と呼ぶ）Cs′が形成される。
この場合、受光素子容量Cpと線間容量Clおよ
びシールド容量Cs′の間に、Cp＜Cl≪Cs′の関係
が成り立つように前記の接続電極８、絶縁層９，
１０および導体層１１，１２が構成されている。
びシールド容量Cs′の間に、Cp＜Cl≪Cs′の関係
が成り立つように前記の接続電極８、絶縁層９，
１０および導体層１１，１２が構成されている。
そのため、光照射により、フオトダイオードＤ
で発生した電荷はシールド容量Cs′1に蓄えられる
が、Cp≪Cs′であるため、Ａ点の電位上昇は、第
４図の場合に比べて非常に小さくなる。
で発生した電荷はシールド容量Cs′1に蓄えられる
が、Cp≪Cs′であるため、Ａ点の電位上昇は、第
４図の場合に比べて非常に小さくなる。
従つて、スイツチS1を閉じてシールド容量
Cs′1を放電させ、受光素子容量Cp1を充電した場
合でも、Ａ点の電位変化は小さく、そのため線間
容量Cl1〜Cl4を通して流れ込む電流も小さくな
る。その結果、クロストークの発生が抑止され、
受光素子P1〜P5の出力を正しく読み取ることが
可能になる。
Cs′1を放電させ、受光素子容量Cp1を充電した場
合でも、Ａ点の電位変化は小さく、そのため線間
容量Cl1〜Cl4を通して流れ込む電流も小さくな
る。その結果、クロストークの発生が抑止され、
受光素子P1〜P5の出力を正しく読み取ることが
可能になる。
なお、本実施例に示すような構成は、例えば接
続電極８および導体層１１，１２を10〜100μm程
度の厚さの銅箔とし、絶縁層９，１０を10〜
100μm程度の厚さのポリイミドフイルムとしたい
わゆるフレキシブルケーブルを用いることによ
り、容易に実現することが可能である。
続電極８および導体層１１，１２を10〜100μm程
度の厚さの銅箔とし、絶縁層９，１０を10〜
100μm程度の厚さのポリイミドフイルムとしたい
わゆるフレキシブルケーブルを用いることによ
り、容易に実現することが可能である。
また、本実施例においては、接続電極の両面
を、絶縁層を介して、接地された導体層ではさむ
ようにしたが、接続電極の一方の面だけを、絶縁
層を介して、接地された導体層ではさむようにし
てもよいことは明らかである。
を、絶縁層を介して、接地された導体層ではさむ
ようにしたが、接続電極の一方の面だけを、絶縁
層を介して、接地された導体層ではさむようにし
てもよいことは明らかである。
本発明は、前記のように、絶縁層および導体層
によつて、接続電極をはさむようにしたので、接
続電極部に充分大きなシールド容量が形成され、
その結果、クロストークを生じることなしに、受
光素子の出力を正しく読み取ることができるとい
う大きな利点を有する。
によつて、接続電極をはさむようにしたので、接
続電極部に充分大きなシールド容量が形成され、
その結果、クロストークを生じることなしに、受
光素子の出力を正しく読み取ることができるとい
う大きな利点を有する。
更に、接続電極が電気的にシールドされること
によつて、外部雑音の混入を防止することができ
るため、接続電極の長さを長くすることが可能で
あり、結果として、装置の実装が容易になるとい
う利点も持つている。
によつて、外部雑音の混入を防止することができ
るため、接続電極の長さを長くすることが可能で
あり、結果として、装置の実装が容易になるとい
う利点も持つている。
第１図は従来の撮像装置の概略図、第２図は第
１図の−線断面図、第３図は第１図の駆動方
式を説明するため撮像装置の等価回路、第４図は
第１図の受光素子の出力を読み取る場合について
説明するための撮像装置の等価回路図、第５図は
本発明の一実施例の概略図、第６図は第５図の
−線断面図、第７図は第５図の受光素子の出力
を読み取る場合について説明するための撮像装置
の等価回路図である。 １……撮像素子、２……スイツチング素子、４
……分割電極、５……光導電半導体層、６……透
明電極、８……接続電極、９，１０……絶縁層、
１１，１２……導体層。
１図の−線断面図、第３図は第１図の駆動方
式を説明するため撮像装置の等価回路、第４図は
第１図の受光素子の出力を読み取る場合について
説明するための撮像装置の等価回路図、第５図は
本発明の一実施例の概略図、第６図は第５図の
−線断面図、第７図は第５図の受光素子の出力
を読み取る場合について説明するための撮像装置
の等価回路図である。 １……撮像素子、２……スイツチング素子、４
……分割電極、５……光導電半導体層、６……透
明電極、８……接続電極、９，１０……絶縁層、
１１，１２……導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電層の一面に配置された多数の分割電極
と、前記光導電層の他面に配置され、前記各分割
電極の一端部と重なつて、それらとの間にそれぞ
れ受光素子を形成するように配置された共通電極
と、各受光素子と読み出し出力端子との間にそれ
ぞれ直列接続された読み出し用スイツチとを具備
し、前記分割電極および前記共通電極のいずれか
一方を透明電極として、受光素子に光像を投影
し、前記読み出し用スイツチを順次にン、オフ制
御することにより、受光素子において得られる信
号電荷を一定時間蓄積した後、時系列電気信号と
して読み出すようにした原稿読取用撮像装置にお
いて、 前記受光素子および読み出し用スイツチをそれ
ぞれ搭載する別個の基板と、 前記分割電極と読み出し用のスイツチとを接続
する接続電極の少なくとも一方の面に、絶縁層を
はさんで、対向配置された導体層とを具備し、 前記接続電極と前記導体層との間に形成される
容量を、前記受光素子の容量、および前記接続電
極の隣り合つたものの間に形成される線間容量に
比べて充分大きい値としたことを特徴とする原稿
読取用撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55173227A JPS5797776A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Image pickup device for reading original |
| US06/279,873 US4413188A (en) | 1980-12-10 | 1981-07-02 | Camera tube apparatus for reading documents |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55173227A JPS5797776A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Image pickup device for reading original |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5797776A JPS5797776A (en) | 1982-06-17 |
| JPS6313348B2 true JPS6313348B2 (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=15956493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55173227A Granted JPS5797776A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Image pickup device for reading original |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4413188A (ja) |
| JP (1) | JPS5797776A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221562A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS6051274B2 (ja) * | 1982-09-29 | 1985-11-13 | 株式会社東芝 | イメ−ジセンサ |
| US4673821A (en) * | 1983-09-27 | 1987-06-16 | Kyocera Corporation | Photoelectric converter device having reduced output noise |
| JPS60248063A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS614272A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6126365A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS6126363A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS6229162A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| US4797561A (en) * | 1985-08-31 | 1989-01-10 | Kyocera Corporation | Reading apparatus with improved performance |
| JPS6267865A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPH0625018Y2 (ja) * | 1988-07-20 | 1994-06-29 | 株式会社東芝 | 密着型イメージセンサ |
| JPH0785568B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1995-09-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 密着型イメージセンサ装置 |
| JP2591346B2 (ja) * | 1992-02-14 | 1997-03-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
| US7038259B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-05-02 | Micron Technology, Inc. | Dual capacitor structure for imagers and method of formation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3676590A (en) * | 1970-09-25 | 1972-07-11 | Rca Corp | Decoders and coupling circuits for solid state video pickup |
| FR2469805A1 (fr) * | 1979-11-09 | 1981-05-22 | Thomson Csf | Matrice de detection d'un rayonnement electromagnetique et intensificateur d'images radiologiques comportant une telle matrice |
| JPS56138359A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1980
- 1980-12-10 JP JP55173227A patent/JPS5797776A/ja active Granted
-
1981
- 1981-07-02 US US06/279,873 patent/US4413188A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5797776A (en) | 1982-06-17 |
| US4413188A (en) | 1983-11-01 |
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