JPH02292848A - リードフレームのポリイミド被膜形成方法 - Google Patents
リードフレームのポリイミド被膜形成方法Info
- Publication number
- JPH02292848A JPH02292848A JP11391089A JP11391089A JPH02292848A JP H02292848 A JPH02292848 A JP H02292848A JP 11391089 A JP11391089 A JP 11391089A JP 11391089 A JP11391089 A JP 11391089A JP H02292848 A JPH02292848 A JP H02292848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- film
- lead frame
- die pad
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止型パッケージで用いられるリードフ
レームのポリイミド被膜形成方法に関する． 従来の技術 樹脂封止型パッケージに使用するリードフレームは、鉄
とニッケルの合金，銅系の合金などが用いられている．
そしてリードフレームは、半導体チップを固着するダイ
パッドと、半導体チップの電気信号入出力端子を金属細
線で接続するインナーリードと、パッケージ実装部分と
電気的接続を行う，インナーリードの延長部であるアウ
ターリードとから構成される。インナーリードの先端部
とダイバッドの表面は、金属細線でワイヤーをボンディ
ングしたり，半導体チップを固着したりするために、金
もしくは銀の１〜５μｍ程度のメッキがほどこされてい
るが、ダイパッド裏面は，何もほどこされていないか、
ポリイミド樹脂をボツティングして硬化されていたり、
ポリイミド樹脂シートをダイパッド裏面にシリコーン接
着剤で接着されていたりする。
レームのポリイミド被膜形成方法に関する． 従来の技術 樹脂封止型パッケージに使用するリードフレームは、鉄
とニッケルの合金，銅系の合金などが用いられている．
そしてリードフレームは、半導体チップを固着するダイ
パッドと、半導体チップの電気信号入出力端子を金属細
線で接続するインナーリードと、パッケージ実装部分と
電気的接続を行う，インナーリードの延長部であるアウ
ターリードとから構成される。インナーリードの先端部
とダイバッドの表面は、金属細線でワイヤーをボンディ
ングしたり，半導体チップを固着したりするために、金
もしくは銀の１〜５μｍ程度のメッキがほどこされてい
るが、ダイパッド裏面は，何もほどこされていないか、
ポリイミド樹脂をボツティングして硬化されていたり、
ポリイミド樹脂シートをダイパッド裏面にシリコーン接
着剤で接着されていたりする。
このような構造をしたリードフレームが封止樹脂中に半
導体チップや金属細線と一緒に封じ込まれる． 発明が解決しようとする課題 従来の構造のダイ．パッドを有するリードフレームで樹
脂封止型パッケージを形成した場合において， ダイパッド裏面に何もほどこさないものは、線膨張係数
の違い（鉄ニッケル合金”−５Ｘ１０−’／℃封止樹脂
’−２Ｘ１０−’／’Ｃ）から、熱衝撃によりダイパッ
ド裏面と封止樹脂界面の剥離を誘発し、高温多湿、吸湿
後熱衝撃の環境で不良発生の原因となる． ダイパッド裏面にポリイミド樹脂をポッティングして硬
化させたものは、被膜の膜厚が不均一になるため、残留
応力分布も不均一になり、ダイパッド裏面とポリイミド
被膜との界面で剥離を誘発し、高温多湿、吸湿後熱衝撃
の環境で不良発生の原因となる． さらに、ポリイミド樹脂シートをダイバッド裏面にシリ
コーン接着剤で接着したものは、高温多湿環境でダイパ
ッドとポリイミド樹脂間のシリコーン接着剤が吸湿し、
不良発生の原因となる。
導体チップや金属細線と一緒に封じ込まれる． 発明が解決しようとする課題 従来の構造のダイ．パッドを有するリードフレームで樹
脂封止型パッケージを形成した場合において， ダイパッド裏面に何もほどこさないものは、線膨張係数
の違い（鉄ニッケル合金”−５Ｘ１０−’／℃封止樹脂
’−２Ｘ１０−’／’Ｃ）から、熱衝撃によりダイパッ
ド裏面と封止樹脂界面の剥離を誘発し、高温多湿、吸湿
後熱衝撃の環境で不良発生の原因となる． ダイパッド裏面にポリイミド樹脂をポッティングして硬
化させたものは、被膜の膜厚が不均一になるため、残留
応力分布も不均一になり、ダイパッド裏面とポリイミド
被膜との界面で剥離を誘発し、高温多湿、吸湿後熱衝撃
の環境で不良発生の原因となる． さらに、ポリイミド樹脂シートをダイバッド裏面にシリ
コーン接着剤で接着したものは、高温多湿環境でダイパ
ッドとポリイミド樹脂間のシリコーン接着剤が吸湿し、
不良発生の原因となる。
以上のようにいずれの場合も樹脂封止型パッケージにお
いて不良発生のおそれがある。
いて不良発生のおそれがある。
本発明は上記問題を解決するもので、吸湿による不良発
生のおそれがない樹脂封止型パッケージを得ることので
きるリードフレームのポリイミド被膜形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
生のおそれがない樹脂封止型パッケージを得ることので
きるリードフレームのポリイミド被膜形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
課厘を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明は、被膜形成型のキャ
ビティに液状のポリイミド樹脂を流し込み，その上にリ
ードフレームを、ダイパッド裏面が上記ポリイミド樹脂
上に接触するようにセットし，加熱により上記ポリイミ
ド樹脂を硬化させてポリイミド被膜を形成するものであ
る。
ビティに液状のポリイミド樹脂を流し込み，その上にリ
ードフレームを、ダイパッド裏面が上記ポリイミド樹脂
上に接触するようにセットし，加熱により上記ポリイミ
ド樹脂を硬化させてポリイミド被膜を形成するものであ
る。
作用
上記構成により、ダイバソド裏面に均一な膜厚のポリイ
ミド被膜を形成できて被膜中の残留応力が小さくなると
ともに，ポリイミド被膜を介してダイバッド裏面と封止
樹脂とが密着してダイバッドと封止樹脂との間に生ずる
、剪断、圧縮、引張り応力の分散と緩和を実現できて剥
離が防止される． 実施例 以下に本発明の一実施例に係るリードフレームのポリイ
ミド被膜形成法について第１図、第２図を参照して説明
する． 第１図（ａ）〜（ｄ）は、ポリイミド樹脂を用いてダイ
パッドの裏面に，被膜形成型で被膜を形成する手順を記
す。
ミド被膜を形成できて被膜中の残留応力が小さくなると
ともに，ポリイミド被膜を介してダイバッド裏面と封止
樹脂とが密着してダイバッドと封止樹脂との間に生ずる
、剪断、圧縮、引張り応力の分散と緩和を実現できて剥
離が防止される． 実施例 以下に本発明の一実施例に係るリードフレームのポリイ
ミド被膜形成法について第１図、第２図を参照して説明
する． 第１図（ａ）〜（ｄ）は、ポリイミド樹脂を用いてダイ
パッドの裏面に，被膜形成型で被膜を形成する手順を記
す。
（１）先ず被膜形成型４のキャビティ６に液状のポリイ
ミド樹脂３を流し込む．このとき、ポリイミド樹脂３の
流し込み量は、リードフレーム１のダイパッド２の面積
に応じて定め、その厚みは、完成時に５０〜３００μｍ
になる量に定める。
ミド樹脂３を流し込む．このとき、ポリイミド樹脂３の
流し込み量は、リードフレーム１のダイパッド２の面積
に応じて定め、その厚みは、完成時に５０〜３００μｍ
になる量に定める。
（２）次に，ダイパッド２真面にポリイミド樹脂３の被
膜を形成するべく，リードフレーム１を被膜形成型４に
セットする。このとき、ダイパッド２裏面はポリイミド
樹脂３液面に接触する高さにセットする。
膜を形成するべく，リードフレーム１を被膜形成型４に
セットする。このとき、ダイパッド２裏面はポリイミド
樹脂３液面に接触する高さにセットする。
（３） このリードフレーム１を被膜形成型４にセッ
トした状態で，２００〜４００℃の温度でポリイミド樹
脂３を約１〜２時間の間硬化させる． （４）最後に，ポリイミド樹脂３がダイパッド２真面に
密着したリードフレーム１を被膜形成型４から外し、本
発明のダイパッド２裏面へのポリイミド樹脂３の被膜の
形成が完了する． 本発明で用いられる被膜形成型４の材質は、ポリイミド
樹脂３との離型を阻止しないために、発水性の４弗化樹
脂を使用する。
トした状態で，２００〜４００℃の温度でポリイミド樹
脂３を約１〜２時間の間硬化させる． （４）最後に，ポリイミド樹脂３がダイパッド２真面に
密着したリードフレーム１を被膜形成型４から外し、本
発明のダイパッド２裏面へのポリイミド樹脂３の被膜の
形成が完了する． 本発明で用いられる被膜形成型４の材質は、ポリイミド
樹脂３との離型を阻止しないために、発水性の４弗化樹
脂を使用する。
第２図は，本発明のリードフレーム１を用いて半導体チ
ップ７を搭載した封止樹脂８によるパッケージの断面図
を示した。
ップ７を搭載した封止樹脂８によるパッケージの断面図
を示した。
第１図（ａ）〜（ｄ）および第２図に示すように、上記
方法により，ダイパッド２の裏面に均一な膜厚のポリイ
ミド樹脂３の被膜を形成できて被膜中の残留応力が小さ
くなるとともに，ダイバッド２の裏面と封止樹脂８とが
ポリイミド樹脂３の被膜を介して密着されてダイパッド
２と封止樹脂８との間に生ずる剪断，圧縮、引張り応力
の分散と緩和がなされ、ダイバッド２裏面と封止樹脂８
との剥離は防止される。
方法により，ダイパッド２の裏面に均一な膜厚のポリイ
ミド樹脂３の被膜を形成できて被膜中の残留応力が小さ
くなるとともに，ダイバッド２の裏面と封止樹脂８とが
ポリイミド樹脂３の被膜を介して密着されてダイパッド
２と封止樹脂８との間に生ずる剪断，圧縮、引張り応力
の分散と緩和がなされ、ダイバッド２裏面と封止樹脂８
との剥離は防止される。
なお、ダイバッド２の裏面は平坦な構成に限るものでは
なく、複数の窪みを有するように構成してもよい。
なく、複数の窪みを有するように構成してもよい。
発明の効果
以上のように、樹脂封止型パッケージに本発明によりポ
リイミド被膜を形成したリードフレームを用いることで
、耐湿性、耐吸湿半田熱性の信頼性の改善が図れる。
リイミド被膜を形成したリードフレームを用いることで
、耐湿性、耐吸湿半田熱性の信頼性の改善が図れる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の一実施例に
係るリードフレームにポリイミド被膜を形成する手順を
示す断面図、第２図は上記リードフレームを用いた樹脂
型パッケージの断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・ポリイミド樹脂、４・・・被膜形成型、６・・・キャ
ビティ、７・・・半導体チップ、８・・・封止樹脂。 代理人 森 本 義 弘
係るリードフレームにポリイミド被膜を形成する手順を
示す断面図、第２図は上記リードフレームを用いた樹脂
型パッケージの断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・ポリイミド樹脂、４・・・被膜形成型、６・・・キャ
ビティ、７・・・半導体チップ、８・・・封止樹脂。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- １、被膜形成型のキャビティに液状のポリイミド樹脂を
流し込み、その上にリードフレームを、ダイパッド裏面
が上記ポリイミド樹脂上に接触するようにセットし、加
熱により上記ポリイミド樹脂を硬化させてポリイミド被
膜を形成するリードフレームのポリイミド被膜形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11391089A JPH02292848A (ja) | 1989-05-06 | 1989-05-06 | リードフレームのポリイミド被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11391089A JPH02292848A (ja) | 1989-05-06 | 1989-05-06 | リードフレームのポリイミド被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02292848A true JPH02292848A (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14624249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11391089A Pending JPH02292848A (ja) | 1989-05-06 | 1989-05-06 | リードフレームのポリイミド被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02292848A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020138187A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 大日本印刷株式会社 | 製膜用容器および膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-06 JP JP11391089A patent/JPH02292848A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020138187A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 大日本印刷株式会社 | 製膜用容器および膜の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4942454A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| JP3207738B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1154658A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにフレーム構造体 | |
| US5633206A (en) | Process for manufacturing lead frame for semiconductor package | |
| JP2677632B2 (ja) | 超薄型表面実装樹脂封止半導体装置 | |
| JPH04158556A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| EP0430204A1 (en) | Plastic mould type semiconductor device | |
| JPH03149865A (ja) | リードフレーム | |
| JPS5848442A (ja) | 電子部品の封止方法 | |
| JPH02292848A (ja) | リードフレームのポリイミド被膜形成方法 | |
| JPS6077446A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JPH03149864A (ja) | リードフレーム | |
| JPH05291459A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2555428B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2873009B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6124261A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH01278757A (ja) | リードフレーム | |
| JPH0345542B2 (ja) | ||
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63293963A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0237752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1117082A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09134978A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0897334A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2755719B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |