JPH02295211A - エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 - Google Patents
エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子Info
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- JPH02295211A JPH02295211A JP11713289A JP11713289A JPH02295211A JP H02295211 A JPH02295211 A JP H02295211A JP 11713289 A JP11713289 A JP 11713289A JP 11713289 A JP11713289 A JP 11713289A JP H02295211 A JPH02295211 A JP H02295211A
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- drive electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子の構造に関し、
弾性表面波素子の表面波駆動電極上に形成される誘電体
膜の膜厚と、反射電極の上に形成される誘電体膜の膜厚
を変えて、表面波駆動電極下部の圧電性基板の表面に表
面波エネルギーを閉じ込め、共振特性を向上させること
を目的とし、弾性表面波が励振．伝播される圧電性基板
の上に、櫛型駆動電極と前記櫛型駆動電極の両側に所要
の間隔をあけて２つの反射電極を配設し、前記櫛型駆動
電極と２つの反射電極を覆い、かつ、前記櫛型駆動電極
と両反射電極の上の膜厚が互いに異なる誘電体膜を被着
形成して、前記櫛型駆動電極下部の圧電性基板の表面に
弾性表面波エネルギーを閉じ込めるようにエネルギー閉
じ込め型弾性表面波素子を構成する。
膜の膜厚と、反射電極の上に形成される誘電体膜の膜厚
を変えて、表面波駆動電極下部の圧電性基板の表面に表
面波エネルギーを閉じ込め、共振特性を向上させること
を目的とし、弾性表面波が励振．伝播される圧電性基板
の上に、櫛型駆動電極と前記櫛型駆動電極の両側に所要
の間隔をあけて２つの反射電極を配設し、前記櫛型駆動
電極と２つの反射電極を覆い、かつ、前記櫛型駆動電極
と両反射電極の上の膜厚が互いに異なる誘電体膜を被着
形成して、前記櫛型駆動電極下部の圧電性基板の表面に
弾性表面波エネルギーを閉じ込めるようにエネルギー閉
じ込め型弾性表面波素子を構成する。
本発明は弾性表面波素子、とくに、エネルギー閉じ込め
型弾性表面波素子の構成に関する。
型弾性表面波素子の構成に関する。
近年、情報処理機器や通信機器の高速化にともなって、
搬送波や信号波の周波数帯は益々高周波域にシフトして
きており、それに対応して高周波における安定度の高い
基準信号の発生や，位相同期用の素子などが必要となり
、最近はこれらの用途に弾性表面波素子、たとえば、弾
性表面波共振子が使用されるようになってきた。
搬送波や信号波の周波数帯は益々高周波域にシフトして
きており、それに対応して高周波における安定度の高い
基準信号の発生や，位相同期用の素子などが必要となり
、最近はこれらの用途に弾性表面波素子、たとえば、弾
性表面波共振子が使用されるようになってきた。
弾性表面波共振子は、一般的に素子構成が単純であると
いう特徴があるが、その一方、素子性能の作り込みが難
しいという一面があり、スプリアスの少ない共振特性の
優れた弾性表面波素子の開発が求められていた。
いう特徴があるが、その一方、素子性能の作り込みが難
しいという一面があり、スプリアスの少ない共振特性の
優れた弾性表面波素子の開発が求められていた。
弾性表面波素子，たとえば、弾性表面波共振子は、電気
一機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が比
較的小さい基板、たとえば、３６゜回転ＹカットーＸ伝
播ＬｉＴａＯ：＋ （３６°Ｙ Ｘ ＬｉＴａＯ３）
単結晶基板の上に、櫛型駆動電極を設け、その両側に反
射電極，たとえば、複数のストリップ状導体パターンを
並列に形成し、それら導体パターンの両端部を連結導体
パターンで接続した、いわゆるショートストリップ型の
反射電極を配設した２端子型素子である。
一機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が比
較的小さい基板、たとえば、３６゜回転ＹカットーＸ伝
播ＬｉＴａＯ：＋ （３６°Ｙ Ｘ ＬｉＴａＯ３）
単結晶基板の上に、櫛型駆動電極を設け、その両側に反
射電極，たとえば、複数のストリップ状導体パターンを
並列に形成し、それら導体パターンの両端部を連結導体
パターンで接続した、いわゆるショートストリップ型の
反射電極を配設した２端子型素子である。
櫛型駆動電極と反射電極との間隔は、基板表面を伝播す
る表面波の波長をλとすると、（ａ）従来多く用いられ
てきた通常構造は７／８λであり、（ｂ）最近提案され
ているエネルギー閉じ込め構造のものではλ／２，すな
わち、櫛型駆動電極と連続等ピッチに配置されている。
る表面波の波長をλとすると、（ａ）従来多く用いられ
てきた通常構造は７／８λであり、（ｂ）最近提案され
ているエネルギー閉じ込め構造のものではλ／２，すな
わち、櫛型駆動電極と連続等ピッチに配置されている。
電極材料としては、伝播損失が小さいアルミニウム（Ａ
ｆ）や、それに若干のＣｕを混入して電界印加時の電極
のマイグレーションを抑えるようにしたＡｆ合金を使用
している。
ｆ）や、それに若干のＣｕを混入して電界印加時の電極
のマイグレーションを抑えるようにしたＡｆ合金を使用
している。
従来、圧電性基板の両面に、板の輪郭寸法よりも小さい
電極を設けたり、１枚の圧電性基板の表面に複数の電極
対を近接して配列して共振子を構成すると、電極部分に
弾性波エネルギーが閉じ込められた、いわゆる、工禾ル
ギー閉じ込め型圧電共振子あるいはエネルギー閉じ込め
型多重モード圧電フィルタ（モノリシック圧電フィルタ
）が形成され、スプリアス共振のない安定した共振特性
が得られることが知られている。これは電極下部では電
極の質量や圧電反作用の影響で若干の周波数低下を生じ
、無電極部への弾性波の伝播ができなくなるためである
（電子情報通信学会編：電子情報通信ハンドブック，第
１分冊． Ｐ ５７５， １９８８参照）。
電極を設けたり、１枚の圧電性基板の表面に複数の電極
対を近接して配列して共振子を構成すると、電極部分に
弾性波エネルギーが閉じ込められた、いわゆる、工禾ル
ギー閉じ込め型圧電共振子あるいはエネルギー閉じ込め
型多重モード圧電フィルタ（モノリシック圧電フィルタ
）が形成され、スプリアス共振のない安定した共振特性
が得られることが知られている。これは電極下部では電
極の質量や圧電反作用の影響で若干の周波数低下を生じ
、無電極部への弾性波の伝播ができなくなるためである
（電子情報通信学会編：電子情報通信ハンドブック，第
１分冊． Ｐ ５７５， １９８８参照）。
弾性表面波素子においても、共振特性の向上を目指した
努力が続けられており、たとえば、樽型駆動電極と反射
電極との膜厚を変えて、弾性表面波エネルギーを櫛型駆
動電極の下部に閉じ込めようという試みがなされている
（清水，鈴木：“格段に小型・広帯域な弾性表面波共振
子“，第１６回ＥＭシンポジウム発表論文（１９８７．
３．１１）参照）。
努力が続けられており、たとえば、樽型駆動電極と反射
電極との膜厚を変えて、弾性表面波エネルギーを櫛型駆
動電極の下部に閉じ込めようという試みがなされている
（清水，鈴木：“格段に小型・広帯域な弾性表面波共振
子“，第１６回ＥＭシンポジウム発表論文（１９８７．
３．１１）参照）。
第６図はエネルギー閉じ込め型弾性表面波共振子の従来
例を示す図である。図中、１は圧電性基板、２”ａ，
２’ ｂはＡＩ１．製の櫛型電極で交互に電極を差し挟
んで櫛型駆動電極を形成している。３゛および４゛は前
記櫛型駆動電極の両側に、複数のストリップ状Ａ２パタ
ーンを並列に形成し、それらＡ／２パターンの両端部を
連結／ｌパターンで接続した、いわゆる、ショートスト
リップ型の反射電極である。櫛型駆動電極と反射電極と
の間隔および各電極ピッチは、基板表面を伝播する表面
波の波長をλとするとλ／２，すなわち、櫛型駆動電極
と反射電極はλ／２の連続等ピッチに配置されている。
例を示す図である。図中、１は圧電性基板、２”ａ，
２’ ｂはＡＩ１．製の櫛型電極で交互に電極を差し挟
んで櫛型駆動電極を形成している。３゛および４゛は前
記櫛型駆動電極の両側に、複数のストリップ状Ａ２パタ
ーンを並列に形成し、それらＡ／２パターンの両端部を
連結／ｌパターンで接続した、いわゆる、ショートスト
リップ型の反射電極である。櫛型駆動電極と反射電極と
の間隔および各電極ピッチは、基板表面を伝播する表面
波の波長をλとするとλ／２，すなわち、櫛型駆動電極
と反射電極はλ／２の連続等ピッチに配置されている。
電極巾および電極間隔は通常いずれもλ／４として設計
されることが多い。
されることが多い。
Ａｆ電極パターンの厚さは数１００ｎｍから１μｍ程度
の範囲で真空蒸着法などで形成される。
の範囲で真空蒸着法などで形成される。
同図（イ）は周波数上昇型のエネルギー閉じ込め構造を
示したもので、櫛型電極２’ａ，２’ｂの厚さが反射電
極３゜および４゛に比較して半分以下と薄く形成されて
おり、したがって、櫛型駆動電極部での電極の質量効果
は反射電極部よりも小さく、表面波の速度は大きい、す
なわち、櫛型駆動電極部では周波数が上昇し表面波エネ
ルギーは櫛型駆動電極下部に閉じ込められることになる
。
示したもので、櫛型電極２’ａ，２’ｂの厚さが反射電
極３゜および４゛に比較して半分以下と薄く形成されて
おり、したがって、櫛型駆動電極部での電極の質量効果
は反射電極部よりも小さく、表面波の速度は大きい、す
なわち、櫛型駆動電極部では周波数が上昇し表面波エネ
ルギーは櫛型駆動電極下部に閉じ込められることになる
。
一方、同図（口）は周波数低下型エネルギー閉じ込め構
造を示したもので、同図（イ）の場合とは逆に櫛型電極
２ ’ ａ ＋ ２ ’ ｂの厚さが反射電極３゛およ
び４゛に比較して２倍以上と厚く形成されており、した
がって、櫛型駆動電極部での電極の質量効果は反射電極
部よりも大きく、表面波の速度は小さい、すなわち、櫛
型駆動電極部では周波数が低下し、同様に表面波エネル
ギーは櫛型駆動電極下部に閉じ込められることになる。
造を示したもので、同図（イ）の場合とは逆に櫛型電極
２ ’ ａ ＋ ２ ’ ｂの厚さが反射電極３゛およ
び４゛に比較して２倍以上と厚く形成されており、した
がって、櫛型駆動電極部での電極の質量効果は反射電極
部よりも大きく、表面波の速度は小さい、すなわち、櫛
型駆動電極部では周波数が低下し、同様に表面波エネル
ギーは櫛型駆動電極下部に閉じ込められることになる。
しかし、上記従来例では、Ａｆｆｉ電極の厚さは１μｍ
以下と薄く、櫛型駆動電極と反射電極との膜厚差を安定
に製造するのは難しく、また、Ａｊ２電極の膜厚差によ
る弾性表面波速度の変化は極めて僅かで、エネルギーの
閉じ込め効果は充分でなく目的とする共振特性が得られ
ないという問題があり、その解決が必要であった。
以下と薄く、櫛型駆動電極と反射電極との膜厚差を安定
に製造するのは難しく、また、Ａｊ２電極の膜厚差によ
る弾性表面波速度の変化は極めて僅かで、エネルギーの
閉じ込め効果は充分でなく目的とする共振特性が得られ
ないという問題があり、その解決が必要であった。
上記の課題は、弾性表面波が励振．伝播される圧電性基
板１の上に、櫛型駆動電極２と前記櫛型駆動電極２の両
側に所要の間隔をあけて反射電極３．４を配設し、前記
樽型駆動電極２と反射電極３，４を覆い、かつ、前記櫛
型駆動電極２と反射電極３．４の上の膜厚が互いに異な
る誘電体膜５を被着形成して、前記櫛型駆動電極２下部
の圧電性基板の表面に弾性表面波エネルギーを閉じ込め
ることを特徴としたエネルギー閉じ込め型弾性表面波素
子によって解決することができる。
板１の上に、櫛型駆動電極２と前記櫛型駆動電極２の両
側に所要の間隔をあけて反射電極３．４を配設し、前記
樽型駆動電極２と反射電極３，４を覆い、かつ、前記櫛
型駆動電極２と反射電極３．４の上の膜厚が互いに異な
る誘電体膜５を被着形成して、前記櫛型駆動電極２下部
の圧電性基板の表面に弾性表面波エネルギーを閉じ込め
ることを特徴としたエネルギー閉じ込め型弾性表面波素
子によって解決することができる。
本発明のエネルギー閉じ込め型弾性表面波素子は、質量
効果の小さいＡ！電極の厚さを変えるのではなく、櫛型
駆動電極と反射電極の上に形成した厚い誘電体膜の膜厚
を変えて、櫛型駆動電極部分の表面波の伝播速度と、反
射電極部分の表面波の伝播速度とを変えるので、そのエ
ネルギー閉じ込め効果が大きい。さらに、誘電体中の表
面波の伝播速度は誘電体の性質で異なるので、その種類
や厚さの組み合わせにより、エネルギー閉じ込め効果の
選択巾が大きく各種の弾性表面波素子に適用可能である
。
効果の小さいＡ！電極の厚さを変えるのではなく、櫛型
駆動電極と反射電極の上に形成した厚い誘電体膜の膜厚
を変えて、櫛型駆動電極部分の表面波の伝播速度と、反
射電極部分の表面波の伝播速度とを変えるので、そのエ
ネルギー閉じ込め効果が大きい。さらに、誘電体中の表
面波の伝播速度は誘電体の性質で異なるので、その種類
や厚さの組み合わせにより、エネルギー閉じ込め効果の
選択巾が大きく各種の弾性表面波素子に適用可能である
。
第１図は本発明の実施例を説明する斜視図である。図中
、１は圧電性基板で、たとえば、３６゜ＹカットのＬｉ
ＴａＯ，単結晶基板で、寸法は厚さ０．３５ｍｍ，巾２
ｍｍ，長さ６ｍｍ，表面は平滑に研磨してある。表面波
はＸ方向に伝播するように電極を配置した。２は櫛型駆
動電極で、それぞれ５０本の櫛歯を有する一対の櫛型電
極２ａと２ｂとが互いに櫛歯を差し挟んで配置されてい
る。３．４は反射電極で、それぞれ１００本のストリッ
プ状導体パターンを並列に形成し、それら導体パターン
の両端部を連結導体パターンで接続した、いわゆるショ
ートストリップ型のものである。これら電極パターンの
形成は、具体的には前記基板１上に約１μｍの一定膜厚
のＡ２膜を真空蒸着し、通常のホトリソグラフィ法で前
記櫛型駆動電極２と反射電極３および４を同時形成した
。
、１は圧電性基板で、たとえば、３６゜ＹカットのＬｉ
ＴａＯ，単結晶基板で、寸法は厚さ０．３５ｍｍ，巾２
ｍｍ，長さ６ｍｍ，表面は平滑に研磨してある。表面波
はＸ方向に伝播するように電極を配置した。２は櫛型駆
動電極で、それぞれ５０本の櫛歯を有する一対の櫛型電
極２ａと２ｂとが互いに櫛歯を差し挟んで配置されてい
る。３．４は反射電極で、それぞれ１００本のストリッ
プ状導体パターンを並列に形成し、それら導体パターン
の両端部を連結導体パターンで接続した、いわゆるショ
ートストリップ型のものである。これら電極パターンの
形成は、具体的には前記基板１上に約１μｍの一定膜厚
のＡ２膜を真空蒸着し、通常のホトリソグラフィ法で前
記櫛型駆動電極２と反射電極３および４を同時形成した
。
電極間隔は櫛型駆動電極と両反射電極の間も含めて全て
λ／２，すなわち、連続等ピッチ配置になるよう形成し
た。
λ／２，すなわち、連続等ピッチ配置になるよう形成し
た。
？お、共振周波数１８１ＭＨｚを得るために、前記基板
１のＸ伝播表面波の音速４０９０ ｍ ／ ｓからλ＝
２２．７μｍを算出し、電極ピッチをλ／２，電極巾お
よび電極間隔をλ／４として設計した。
１のＸ伝播表面波の音速４０９０ ｍ ／ ｓからλ＝
２２．７μｍを算出し、電極ピッチをλ／２，電極巾お
よび電極間隔をλ／４として設計した。
５は誘電体膜で、たとえば、此の実施例では表面伝播速
度の温度係数がＬｉＴａＯ＝の温度係数と逆符号であり
、周波数温度特性の改善にも有効な二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ■）膜を用い（特願昭５５−１５９６１２および特
願昭６３−１８７７０５参照）、５μｍの厚さにＲＦス
パッタリング法で生成した。
度の温度係数がＬｉＴａＯ＝の温度係数と逆符号であり
、周波数温度特性の改善にも有効な二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ■）膜を用い（特願昭５５−１５９６１２および特
願昭６３−１８７７０５参照）、５μｍの厚さにＲＦス
パッタリング法で生成した。
６ａ，６ｂは櫛型駆動電極２を駆動する電源を接続する
ための外部リード導出部で、第１図には示してない一対
の櫛型電極のそれぞれの接続部の一部に設けた電極露出
部である。すなわち、それらの上の二酸化シリコン膜を
、たとえば、ＣＦ．の中でイオンエッチングにより除去
して孔部として形成した。
ための外部リード導出部で、第１図には示してない一対
の櫛型電極のそれぞれの接続部の一部に設けた電極露出
部である。すなわち、それらの上の二酸化シリコン膜を
、たとえば、ＣＦ．の中でイオンエッチングにより除去
して孔部として形成した。
７は駆動電極上の凹部で、櫛型駆動電極２の上の二酸化
シリコン膜の厚さの半分を、同じ＜ＣＦ．の中でイオン
エッチングにより除去して形成したもので、したがって
、その部分の二酸化シリコン膜の厚さは約２．５μｍに
なっている。
シリコン膜の厚さの半分を、同じ＜ＣＦ．の中でイオン
エッチングにより除去して形成したもので、したがって
、その部分の二酸化シリコン膜の厚さは約２．５μｍに
なっている。
第２図は本発明による実施例の弾性表面波素子の構成図
である。同図（イ）は平面図、同図（口）はＡ−Ａ’断
面図で、第１図の斜視図を補足してよりわかりやすく示
したものである。図中、２ａ＋２ｂは櫛型電極で互いに
櫛歯を差し挟んで、櫛型駆動電極２を形成している。６
ａ，６ｂの斜線部はＡｆｆｉ電極面が露出して外部リー
ド導出部を形成していることを示している。
である。同図（イ）は平面図、同図（口）はＡ−Ａ’断
面図で、第１図の斜視図を補足してよりわかりやすく示
したものである。図中、２ａ＋２ｂは櫛型電極で互いに
櫛歯を差し挟んで、櫛型駆動電極２を形成している。６
ａ，６ｂの斜線部はＡｆｆｉ電極面が露出して外部リー
ド導出部を形成していることを示している。
第３図は本発明のエネルギー閉じ込め状態を説明する概
念図である。■は櫛型駆動電極の上に凹部７を形成する
前のエネルギー分布を示したもので、反射電極上にもほ
＼′全面的に表面波エネルギーが伝播している。これに
対して、■は櫛型駆動電極の上に凹部７を形成した後の
ネルギー分布を示したもので、反射電極上には表面波エ
ネルギーの伝播が殆ど見られず、櫛型駆動電極下部に表
面波エネルギーが効果的に閉じ込められている状態を示
したものである。
念図である。■は櫛型駆動電極の上に凹部７を形成する
前のエネルギー分布を示したもので、反射電極上にもほ
＼′全面的に表面波エネルギーが伝播している。これに
対して、■は櫛型駆動電極の上に凹部７を形成した後の
ネルギー分布を示したもので、反射電極上には表面波エ
ネルギーの伝播が殆ど見られず、櫛型駆動電極下部に表
面波エネルギーが効果的に閉じ込められている状態を示
したものである。
第４図は本発明実施例のインピーダンス特性を示す図で
ある。図中、■は上記と同じく櫛型駆動電極の上の二酸
化シリコン膜に凹部７を形成する前の共振特性を、■は
櫛型駆動電極上の二酸化シリコン膜に凹部７を形成した
後の共振特性を示したものである。なお、測定にはネッ
トワークアナライザーを使用する通常法に従って行なっ
た。
ある。図中、■は上記と同じく櫛型駆動電極の上の二酸
化シリコン膜に凹部７を形成する前の共振特性を、■は
櫛型駆動電極上の二酸化シリコン膜に凹部７を形成した
後の共振特性を示したものである。なお、測定にはネッ
トワークアナライザーを使用する通常法に従って行なっ
た。
櫛型駆動電極の上の二酸化シリコン膜に凹部７を形成す
る前は、共振点近傍で多数のスプリアス共振が発生して
いるが（■）、櫛型駆動電極の上の二酸化シリコン膜に
凹部７を形成した後のものは、スプリアスがなく単一モ
ード共振が実現できていることがわかる（■）。
る前は、共振点近傍で多数のスプリアス共振が発生して
いるが（■）、櫛型駆動電極の上の二酸化シリコン膜に
凹部７を形成した後のものは、スプリアスがなく単一モ
ード共振が実現できていることがわかる（■）。
さらに、図からわかるように、二酸化シリコン膜の一部
を除去して膜厚を薄くすると、共振周波数が若干上昇す
る。これは二酸化シリコン膜中の表面波の伝播速度が基
板のＬｉＴａＯ，，中のそれよりも小さく、したがって
凹部７を形成した場合の伝播速度が、凹部７を形成しな
い場合のそれよりも相対的に大きくなるために共振周波
数が上昇するのである。すなわち、この例は周波数上昇
型のエネルギー閉じ込め構造となっている。
を除去して膜厚を薄くすると、共振周波数が若干上昇す
る。これは二酸化シリコン膜中の表面波の伝播速度が基
板のＬｉＴａＯ，，中のそれよりも小さく、したがって
凹部７を形成した場合の伝播速度が、凹部７を形成しな
い場合のそれよりも相対的に大きくなるために共振周波
数が上昇するのである。すなわち、この例は周波数上昇
型のエネルギー閉じ込め構造となっている。
一方、第５図は本発明の他の実施例を説明する図である
。図中、７゛は駆動電極上の台部で、櫛型駆動電極の上
の二酸化シリコン膜の膜厚を他の部分よりも厚くしてい
る。この場合は前記第４図の実施例とは逆に、台部７”
を形成しない場合に比較して共振周波数が低下する。す
なわち、周波数低下型のエネルギー閉じ込め構造となる
。
。図中、７゛は駆動電極上の台部で、櫛型駆動電極の上
の二酸化シリコン膜の膜厚を他の部分よりも厚くしてい
る。この場合は前記第４図の実施例とは逆に、台部７”
を形成しない場合に比較して共振周波数が低下する。す
なわち、周波数低下型のエネルギー閉じ込め構造となる
。
なお、上記実施例では櫛型駆動電極と反射電極の上の二
酸化シリコン膜の厚さを変えたが、その何れか一方だけ
に所要の厚さの二酸化シリコン膜を形成しても同様の効
果が得られる。
酸化シリコン膜の厚さを変えたが、その何れか一方だけ
に所要の厚さの二酸化シリコン膜を形成しても同様の効
果が得られる。
また、誘電体層５としては二酸化シリコン膜に限定せず
、五酸化タンタル（ｒａ．ｏｓ），五酸化ニオブ（Ｎｂ
ＺＯＳ） ，酸化タングステン（ＷＯ３） ，窒化シリ
コン（ＳｉＪ４）など他の誘電体を適宜使用して、所要
の性能のエネルギー閉じ込め型弾性表面波素子を実現し
てもよいことは言うまでもない。
、五酸化タンタル（ｒａ．ｏｓ），五酸化ニオブ（Ｎｂ
ＺＯＳ） ，酸化タングステン（ＷＯ３） ，窒化シリ
コン（ＳｉＪ４）など他の誘電体を適宜使用して、所要
の性能のエネルギー閉じ込め型弾性表面波素子を実現し
てもよいことは言うまでもない。
以上詳しく述べたように、本発明によれば櫛型駆動電極
と反射電極の上に形成した誘電体膜の膜厚を変えて、櫛
型駆動電極部分の表面波の伝播速度と、反射電極部分の
表面波の伝播速度とを変えるので、そのエネルギー閉じ
込め効果が大きい。
と反射電極の上に形成した誘電体膜の膜厚を変えて、櫛
型駆動電極部分の表面波の伝播速度と、反射電極部分の
表面波の伝播速度とを変えるので、そのエネルギー閉じ
込め効果が大きい。
その結果、スプリアス共振のない優れた共振特性が得ら
れるので、弾性表面波共振子の性能および品質向上に寄
与するところが極めて大きい。
れるので、弾性表面波共振子の性能および品質向上に寄
与するところが極めて大きい。
第１図は本発明の実施例を説明する斜視図、第２図は本
発明による実施例の弾性表面波素子の構成図、 第′３図は本発明のエネルギー閉じ込め状態を説明する
概念図、 第４図は本発明実施例のインピーダンス特性を示す図、 第５図は本発明の他の実施例を説明する図、第６図はエ
ネルギー閉じ込め型弾性表面波共振子の従来例を示す図
、 図において、 １は圧電性基板、 ２は櫛型駆動電極、 ３および４は反射電極、 ５は誘電体膜、 ６ａ，６ｂは外部リード導出部、 ７は駆動電極上の凹部、 ７゛は駆動電極上の台部である。 ？浪数 ■ 沿硫明火矩ダ１／）インσ−ダ／ス唇・菰乞示１旧第
斗 記 矛兇ａ８１Ｚよる疋枢例θ弾ｌ卜表面ｆ蒼子ｎ損八図１
２ 口 ラｔζ≧≠〉日月グ２イゼｒ（）寅メ到．＋Ｉ冫し８λ
Ａ”’Ｆづ〉図第 ５ ロ （イ）痩し痰廼（丘屑｛Ｌ （口）因禦ＦかＡ臥下翌 エネＩレギ′一閏υ込とシＬ禅・控じ艮顔ス択振了−の
彼〔７例名分ｖｆ図箒 ６ 記
発明による実施例の弾性表面波素子の構成図、 第′３図は本発明のエネルギー閉じ込め状態を説明する
概念図、 第４図は本発明実施例のインピーダンス特性を示す図、 第５図は本発明の他の実施例を説明する図、第６図はエ
ネルギー閉じ込め型弾性表面波共振子の従来例を示す図
、 図において、 １は圧電性基板、 ２は櫛型駆動電極、 ３および４は反射電極、 ５は誘電体膜、 ６ａ，６ｂは外部リード導出部、 ７は駆動電極上の凹部、 ７゛は駆動電極上の台部である。 ？浪数 ■ 沿硫明火矩ダ１／）インσ−ダ／ス唇・菰乞示１旧第
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Claims (1)
- 弾性表面波が励振，伝播される圧電性基板（１）の上に
、櫛型駆動電極（２）と前記櫛型駆動電極（２）の両側
に所要の間隔をあけて反射電極（３，４）を配設し、前
記櫛型駆動電極（２）と反射電極（３，４）を覆い、か
つ、前記櫛型駆動電極（２）と反射電極（３，４）の上
の膜厚が互いに異なる誘電体膜（５）を被着形成して、
前記櫛型駆動電極（２）下部の圧電性基板の表面に弾性
表面波エネルギーを閉じ込めることを特徴としたエネル
ギー閉じ込め型弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11713289A JPH02295211A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11713289A JPH02295211A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295211A true JPH02295211A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14704239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11713289A Pending JPH02295211A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295211A (ja) |
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- 1989-05-09 JP JP11713289A patent/JPH02295211A/ja active Pending
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