JPH02295221A - 電界効果トランジスタの浮動駆動回路装置 - Google Patents

電界効果トランジスタの浮動駆動回路装置

Info

Publication number
JPH02295221A
JPH02295221A JP2096157A JP9615790A JPH02295221A JP H02295221 A JPH02295221 A JP H02295221A JP 2096157 A JP2096157 A JP 2096157A JP 9615790 A JP9615790 A JP 9615790A JP H02295221 A JPH02295221 A JP H02295221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
photocoupler
effect transistor
circuit device
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2096157A
Other languages
English (en)
Inventor
Erich Kaifler
エーリツヒ、カイフラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH02295221A publication Critical patent/JPH02295221A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/085—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light using opto-couplers between stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K2017/6875—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using self-conductive, depletion FETs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の浮動駆動回
路装置に関する。
〔従来の技術〕
多くの目的のために電界効果トランジスタを浮動的に駆
動することが望まれている。これはＦＥＴのソース端子
とドレイン端子とが制御回路から電気的に分離されなけ
ればならないという意味である．このことは複数のＦＥ
Ｔが直列に接続されなければならないほど接続すべき電
圧が特に高いという場合に特に重要である。この場合、
種々異なったソース電位にある全てのＦＥＴを単一の制
御電圧源によって駆動することが必要である。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は電界効果トランジスタを浮動的に駆動するため
の簡単な回路装置を提供することを課題とする． 〔課題を解決するための手段〕 このような課題を解決するために、本発明は、デブレッ
シッン形電界効果トランジスタのソース端子とソース電
圧端子との間にホトカプラの受信器回路が接続され、デ
プレッシッン形電界効果トランジスタのゲート端子はソ
ース電圧端子に接続されることを特徴とする． 本発明の存利な構成は請求項２以下に記載されている． 〔実施例］ 次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
． 第１図の回路装置はドレイン端子Ｄが負荷２を介して供
給電圧■。に接続されているデブレツション形ＦＥＴＩ
を含んでいる，ＦＥＴＩのソース端子Ｓはホトカプラ３
の受信器回路を介してソース電圧端子８に接続されてい
る。ホトカプラ３の受信器回路は簡単化するために図示
されていないが、出力端子４、５に接続されている．ホ
トカプラ３の送信器回路は同様に図示されていないが、
入力端子６、７に接続されている。デブレッション形Ｆ
ＥＴＩのゲート端子Ｇはソース電圧端子８とホトカプラ
３の出力端子５とに接続されている。
ソース電圧端子８は例えばアース電位に置かれている。
ホトカプラ３の入力端子６、７に電圧が印加されていな
いと、出力端子４、５間の受信器回路は高抵抗を有して
いる。電圧■。が正である場合には、ｎチャネルタイプ
のデプレッション形ＦＥＴが使用される。ソース電位は
ゲート電位よりも高く、従ってＦＥＴＩは阻止されてい
る。
ホトカプラ３が入力端子６、７に電圧を印加されること
によって動作すると、出力端子４、５間の受信器回路は
低抵抗になる。デプレッシッン形ＦＥＴＩのゲート・ソ
ース電位は従って約零に等しくなり、ＦＥＴＩはオンに
なる。
第１図の回路装置は第２図に概略的に図示されているよ
うに有利な方法で高電圧スイッチに拡張することができ
る．この第２図においては第１図に図示された回路装置
が２個直列に接続されている．ソース電圧端子８に第２
のデプレッシ町ン形ＦＥＴＩＩのドレイン端子が接続さ
れている．そのソース端子Ｓはホトカプラ１３の受信器
回路を介してソース電圧端子１８に接続されている．こ
のソース電圧端子１日は例えばアース電位に置かれてい
る．ホトカプラ１３の受信器回路は出力端子１４、１５
間に位置している．ホトカプラ１３はホトカプラ３の入
力端子６、７と両ホトカプラに共通の入力端子１９、２
０とに接続されている入力端子１６、１７を有している
。ホトカプラ３、１３の送信器回路に電圧が存在してい
ない場合には、ＦＥＴＩ、ｌ１は阻止されている．制御
電圧が端子１９、２０に印加されると、両ＦＥＴは導通
制御される。
第２図の回路装置は第１図に基づく別の回路装置を直列
接続することによって高電圧用に拡張す？ことができる
。
２個以上のＦＥＴ−ｔ−備えた回路装置に対しては耐ア
バランシエ性デブレッシロン形ＦＥＴを使用することが
推奨される。このことはＦＥＴのスイッチング時間が厳
密に等しくないゆえにｔＩ奨される．耐アバランシェ性
ＦＥＴはいまや全ドレイン・ソース電圧が印加された際
短時間の間に全負荷電流を受入れることができる。遅く
ともこの時間の経過後、ＦＥＴが導通制御されることが
保証されなければならない。上述した耐アバランシエ性
ＦＥＴは市場にて購入することができ、従って特別に説
明するのは省略する。
ホトカプラ３、ｌ３は第３図に図示されている如く通常
のようにホトトランジスタ２１と発光ダイオード（ＬＥ
ＤＩ）２２とによって構成することができる。ホトトラ
ンジスタの代わりに、交流電圧適用に対してはホトサイ
リスクも使用され得る。
ホトトランジスタ２１とＬＥＤ２２との間の絶縁距離は
運転電圧■■に対して設計されなければならない。通常
のホトカプラの絶縁距離では高い運転電圧に対して充分
ではない場合には、第４図に図示されているホトカプラ
を使用することができる。この場合にはホトトランジス
タ２１は光導体または光導波路２３を介して光源、例え
ばＬＥＤ２２に結合されている．絶縁距離はこの場合基
本的には光導体２３の長さによって決定される．
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例を示す回路図、第２図は本
発明の第２実施例を示す回路図、第３図は本発明の実施
例において使用されるホトカプラの第１の例を示す概略
図、第４図は本発明の実施例において使用されるホトカ
プラの第２の例を示す概略図である． ｌ１１１・・・デプレッシッン形ＦＥＴ３、ｌ３・・・
ホトカプラ ８、１８・・・ソース電圧端子 ２１・・・ホトトランジスタ ２２・・・発光ダイオード ２３・・・光導体 ＦＩＧ　１ ＦＩＧ３ ＦＩＧ　２ ＦＩＧ　４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）デプレッション形電界効果トランジスタ（１）のソ
    ース端子（Ｓ）とソース電圧端子（８）との間にホトカ
    プラ（３）の受信器回路が接続され、前記デプレッショ
    ン形電界効果トランジスタ（１）のゲート端子（Ｇ）は
    前記ソース電圧端子（８）に接続されることを特徴とす
    る電界効果トランジスタの浮動駆動回路装置。 ２）請求項１記載の回路装置が複数個直列に接続される
    ことを特徴とする回路装置。 ３）ホトカプラ（３）はホトトランジスタ（２１）と少
    なくとも１個の発光ダイオード（２２）とから成ること
    を特徴とする請求項１または２記載の回路装置。 ４）ホトカプラ（３）はホトトランジスタ（２１）と光
    導体（２３）と光源（２２）とから成ることを特徴とす
    る請求項２記載の回路装置。 ５）デプレッション形電界効果トランジスタ（１、１１
    ）は耐アバランシェ性を有することを特徴とする請求項
    １ないし４の１つに記載の回路装置。
JP2096157A 1989-04-14 1990-04-11 電界効果トランジスタの浮動駆動回路装置 Pending JPH02295221A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3912347.2 1989-04-14
DE3912347 1989-04-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02295221A true JPH02295221A (ja) 1990-12-06

Family

ID=6378715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2096157A Pending JPH02295221A (ja) 1989-04-14 1990-04-11 電界効果トランジスタの浮動駆動回路装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5095220A (ja)
EP (1) EP0392373A3 (ja)
JP (1) JPH02295221A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1195886A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-10 ABB Schweiz AG Rückwärtsleitender Gate Commutated Thyristor sowie dessen Anwendung
EP3255795A1 (en) * 2016-06-10 2017-12-13 Goodrich Control Systems Power switch
DE102017007683B4 (de) * 2017-08-16 2020-05-07 Azur Space Solar Power Gmbh Empfängerbaustein

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1024239A (en) * 1972-04-17 1978-01-10 Rca Limited Low noise detector amplifier
DE2715846C3 (de) * 1977-04-06 1982-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtkoppelndes Bauelement für gedruckte Schaltungen
CA1123064A (en) * 1978-03-23 1982-05-04 William C. King Optically coupled field effect transistor switch
DE3307263A1 (de) * 1983-03-02 1984-09-13 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Anordnung zur uebertragung elektrischer signale
US4568834A (en) * 1983-09-02 1986-02-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High voltage solid state multiplexer
US4647794A (en) * 1985-05-22 1987-03-03 Teledyne Industries, Inc. Solid state relay having non overlapping switch closures
FR2595007B1 (fr) * 1986-02-25 1988-05-13 Thomson Csf Tete de detection optique realisee en optique integree et procede de realisation
JPS6351681A (ja) * 1986-08-20 1988-03-04 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5095220A (en) 1992-03-10
EP0392373A2 (de) 1990-10-17
EP0392373A3 (de) 1992-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4419586A (en) Solid-state relay and regulator
US4477742A (en) Three terminal bidirectional drain to drain FET circuit
EP2706664A2 (en) Level shift device
CA1147404A (en) Optically triggered linear bilateral switch
KR900015460A (ko) 반도체 릴레이 회로
KR970067335A (ko) 반도체 출력 회로
US9954519B2 (en) Electronic switch, and corresponding device and method
KR840004835A (ko) 집적가능 반도체계 전기용 회로
KR950010340A (ko) 정 전류 발생 장치
JPS5915216B2 (ja) 電圧レベルシフタ
KR910010723A (ko) 소메모리셀 면적에서 고안정성을 갖는 반도체기억장치
KR880001109A (ko) 집적논리회로
SE9303073D0 (sv) Anordning i en likströmskrets för överflyttning av en ström från en strömbana till en annan samt för styrning av spänning i strömkretsen
KR970067329A (ko) 전원 전환 회로
US6005415A (en) Switching circuit for large voltages
JPH02295221A (ja) 電界効果トランジスタの浮動駆動回路装置
US6426857B1 (en) Protective circuit for a power field-effect transistor
KR940012851A (ko) 차동 전류원 회로
JPS6077520A (ja) ドライバ回路の制御回路
KR920003703A (ko) 저 동적 임피던스를 갖는 단일-구동 레벨이동기
JPH0758899B2 (ja) 電子スイツチ
DE59710304D1 (de) Elektronisches Schaltnetzteil
KR880003483A (ko) 반도체 스위칭 회로
JPH07191065A (ja) 集積コンパレータ回路
KR100530933B1 (ko) 레벨 변환 회로