JPH0229530U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による第１の実施例を示す断面
図、第２図は本考案による第２の実施例を示す断
面図、第３図は従来における平形半導体装置の一
例を示す断面図である。 １……半導体素子、２，７……金属円形電極、
３……高絶縁性環状体、４，５，８……金属薄板
フランジ、６……容器、９……蓋、１０，１０′
……Ｏリング、１１，１２……貫通孔、１３，１
３′……ビス、１４，１４′……ナツト。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 絶縁性環状体の一方の開口部に第１の金属環状
   導板フランジがろう接され、他方には中央に第１
   の金属円形電極がろう接された第２の金属環状板
   フランジが前記絶縁性環状体にろう接密閉され、
   前記第１の金属円形電極上に半導体素子が配置さ
   れ、更に中央部に第２の金属円形電極がろう接さ
   れた第３の金属環状板フランジが前記絶縁性環状
   体の一方の開口部のろう接された前記第１の金属
   環状薄板フランジにＯリングを介して重ねられ外
   周同一部に配置せられた孔を通してビス及びナツ
   トで接続されたことを特徴とする平形半導体装置
   。