JPH02296102A - 集積化レーザ測長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、測長装置、詳しくは光波の干渉を利用して被
測定物の変位量を測定する、レーザｆｆ１１１長装置に
関する。

〔発明の概要〕

変位量を測定において、ヘテロダイン干渉計を組み、そ
の殆どの部分を光集積化し、特に２つの狭帯域周波数フ
ィルタを設けることで、小型、軽量で、組立調整が簡単
で、量産性のある、又、安定していて、信号検出感度に
優れた、集積化レーザ測長装置を提供する。

〔従来の技術〕

従来、ヘテロダイン干渉レーザ測長装置は第４図に示す
ように、ミラー、ビームスプリッタなどの光学部品を使
用する構成であった。

第４図において、（１）はレーザ光源でその基本周波数
をｆ。とする。（ＰＢＳＩ）は２つの偏光を２光路に分
離する偏光ビームスプリッタ１である。

（２１）と（２２）は、夫々、周波数シフタｌ、周波数
シフタ２であり、（２１Ａ）と（２２Ａ）の周波数発生
器によりＬの基本周波数［。をシフトさせて周波数ｒ１
　とｆ２を発生させる装置である。

（ＭＳ）と（〜１４）は、共にミラー、（ＢＳ）は周波
数のシフトした２つの光を合成してビートを取るための
ビームスプリッタ、（ＰＢＳ２）は偏光で２光路に分岐
し、又２光路の偏光を合成する、偏光ビームスプリッタ
２、（ＱＷＩ’）と（ＱＷ２）は、その光学軸の方位を
光軸の回りに基準面から　４５°（π／４）回転させた
４分の１波長板ｌ及び４分の１波長板２である。

（ＭＳ）は４分の１波長板１（ＱＷＩ）からの光を垂直
に反射し外部の変位量に応じて光軸に沿って変位する変
位ミラー、（ＭＲ）は４分の１波長板２　（ＱＷ２）か
らの光を垂直に反射する固定した参照ミラー（ＡＩ＞と
（Ａ２）は、検光子ｌと検光子２である。

（旧）は光検出器１で、（Ｄｌａ）は光検出器１（旧）
の出力である変位ビート信号、（Ｄ２）も光検出器２で
、（Ｄ２ａ）は光検出器２（Ｄ２）の出力である参照ビ
ート信号、（６）は、変位ビート信号（Ｄｌａ）と参照
ビート信号（Ｄ２ａ）との差動を取り、変位ミラー（Ｍ
Ｓ）と参照ミラー（ＭＲ）との光路差に対応した位相差
を出力とする信号処理回路である。

第４図を使ってヘテロダイン干渉レーザ測長装置の従来
例の動作を説明する。

光源（１）からの出射光は、偏光ビームスプリッタ１　
（ＰＢＳＩ）によって、ｐ偏光（入射面に平行な偏向光
）とＳ偏光（入射面に垂直な偏向光）に分離され、ｐ偏
光は透過して周波数シフタ１　（２１）に進み、Ｓ偏光
は反射して周波数シフタ２（２２）に進む。

周波数シフタ１　（２１）を通ったｐ偏光は周波数がｆ
ｌにシフトし、周波数シフタ２　（２２）を通ったＳ偏
光は周波数がｆ２にシフトする。この場合のｐ偏光とＳ
偏光の電界成分Ｅ１とＥ２はそれぞれ：Ｅ　１＝Ａ＋　
ｅＸｐ［１（２７ｒ　Ｌｔ＋φ１））　、Ｅ２　＝Ａｚ
　ｅｘｐ　［ｊ（２πｆ２ｔ　＋φ２））　　、で示さ
れる。ここで、Ａ１、Ａ２はそれぞれの光の振幅を、φ
１、φ２はそれぞれの光の初期位相を示している。

周波数シフタ１　（２１）からのｐ偏光はビームスプリ
ンク（ＢＳ）に入射して、その一部は透過して偏光ビー
ムスプリッタ２　（ＰＨ１０）に進み、残りは反射して
、偏光板２（Ａ２）を介して光検出器２（Ｄ２）に進む
。

一方、周波数シフタ２（２２）からのＳ偏光はミラー３
　（ＭＳ）及びミラー４（Ｍ４）で反射したあと、やは
りビームスプリッタ（ＢＳ）に入射するが、その一部は
反射して偏光ビームスプリッタ２　（ＰＢＳ２）に進み
、残りは透過して、やはり偏光板２　（Ａ２）を介して
光検出器２　（Ｄ２）に進む。

従って、周波数がｒｌのｐ偏光と周波数が［２のＳ偏光
とが、偏光板２　（Ａ２）により合成され、参照ビート
（Δｆ　＝ｆ＋　　ｆ２）が発生し、光検出器２（Ｄ２
）上で観測される。この場合の、光電変換された、参照
ビート信号（Ｄ２ａ）　Ｉ　Ｄ２は：Ｉ　ｏｔ＝　（Ｅ
ｔ　＋　Ｅ２）２ ＝　Ａ、”＋　Ａｚ”＋２Ａ＋Ａ２ｃｏｓ（２πΔｆｔ
＋φビφ２）で示される。

ビームスプリッタ（ＢＳ）から偏光ビームスプリッタ２
　（ＰＨ１０）に進む光のうち、周波数がｆｌのｐ偏光
は、偏光ビームスプリッタ２　（ＰＢＳ２）を透過して
４分の１波長板１　（ＱＷＩ）を通って円偏光となり、
変位ミラー（ＭＳ）に到達する。該変位ミラー（ＭＳ）
からの反射光は逆回りの円偏光となり、４分の１波長板
１（ＱＷＩ）を再び通るとＳ偏光になる。そして偏光ビ
ームスプリッタ２　（ＰＨ１０）では反射し、偏光板１
　（Ａｌ）を介して光検出器１　（ＤＩ）に進む。一方
、ビームスプリッタ（ＢＳ）から偏光ビームスプリッタ
２　（ＰＢＳ２）に進む光のうち、周波数がｆ２のＳ偏
光は、偏光ビームスプリッタ２　（ＰＨ１０）を反射し
て４分の１波長板２（ＱＷ２）を通って円偏光となり、
参照ミラー（ＭＲ）に到達する。該参照ミラー（ＭＲ）
からの反射光は逆回りの円偏光となり、４分の１波長板
２（ＱＷ２＞を再び通るとｐ偏光になる。そして偏光ビ
ームスプリッタ２　（ＰＨ１０）では透過し、Ｓ偏光と
同様に偏光板１　（Ａｔ）を介して光検出器１　（Ｄｉ
）に進む。

従って、周波数がｆｌのＳ偏光と周波数がｆ２のｐ偏光
とが該偏光板１　（Ａｌ）により合成され、すなわち変
位ミラー（ＭＳ’）と参照ミラー（ＭＲ）との光路差を
位相差に置き換えて持っている変位ビート（Δｆ　＝ｆ
ｔ　　ｆｚ）が発生し、光検出器１．（Ｄｉ）上で観測
される。この場合、変位ミラー（ＭＳ）が参照ミラー（
ＭＲ）に対して変化したドツプラ周波数シフト量を位相
変化分Δφとして示すと、光電変換された光検出器（Ｄ
ｉ）の変位ビート信号（Ｄｌａ）　Ｉ　ｏ＋は：１ｏ＋
＝　（Ｅ＋　＋Ｅｔ）２ ＝　Ａ、！＋　Ａ、！ ＋　２Ａ＋Ｃｃｏｓ（２πΔｆｔ＋φ、−φ２−Δφ）
で示される。

こうして、変位ビート信号（Ｄｌａ）と参照ビート信号
（Ｄ２ａ）の位相変化分Δφから、変位ミラー（ＭＳ　
）と参照ミラー（ＭＲ）との光路差を換算した。

こうして作られた、２つの偏光のビート（Δｆ＝ｆ＋　
　ｆｔ）、すなわち変位ビート信号（Ｄｌａ）と参照ビ
ート信号（Ｄ２ａ）は、更にそれらの差動を取ることに
より、位相変化分Δφが求まり、言い換えれば、変位ミ
ラー（ＭＳ）と参照ミラー（ＭＳ）との光路差に換算で
きる。

尚、２つのビートの更に差動を取ることにより、光学系
の中の光路長が多少違っていても、或いは、光学系の中
の光路にゆらぎ等があっても、それらによらず、変位ミ
ラーＯＪＳ　）の変位量を正しく信号処理回路（６）か
ら出力できていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上に説明したような、ヘテロゲイン干渉レーザ
測長装置では、光学系内に、偏光ビームスプリッタ等の
プリズム、４分の１波長板、ミラー、偏光板、光検出器
、信号処理回路等が独立に設置されているので、装置が
大変大きくなり、又、装置の作製時の光学系の組立調整
が大変面倒であった。

これに対し、光部品の光回路素子化は着々と進んでおり
、周波数シフタ、ビームスプリッタ、光検出器、信号処
理回路等は、光回路素子として作製できるようになった
。

しかし、ヘテロゲイン干渉レーザ測長装置の光部品の中
で、偏光ビームスプリッタだけは光回路素子化したもの
の性能が悪く、ヘテロダイン干渉レーザ測長装置として
の特徴を発揮できないため、結局装置全体を一基板化す
なわち光集積化することができなかった。

本発明は、上記のような課題を鑑みてなされたもので、
小型、軽量で、組立調整が簡単で、量産性のある、又、
安定していて、信号検出感度に優れた、集積化レーザ測
長装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決する為の手段〕

１つのレーザ光源（１）と、１つのレーザ光源から２つ
の周波数の光を作る周波数シフタ１　（２１）と周波数
シフタ２（２２）と、２つの周波数の光から参照ビート
光を作る光結合器（３２）と、２つの周波数の光のうち
の一方を参照信号光とし、その他方を、変位ミラー（Ｍ
Ｓ）の変位量に依存した変位信号光とし、変位信号光用
の狭帯域周波数フィルタｌ　（４１）と、参照信号充用
の狭帯域周波数フィルタ２　（４２）と、それらの２つ
の周波数の光から変位ビート光を作る光結合器（３４）
と、２つのビート光を検出する光検出器１　（ＤＩ）と
光検出器２　（Ｄ２）と、２つの光検出出力間の位相差
を測定する信号処理回路（６）と、光源（１）と参照ミ
ラー（ＭＲ）と変位ミラー（ＭＳ）とからなる、ヘテロ
ダイン干渉レーザ測長装置において、 光源（１）と参照ミラー（ＭＲ）と変位ミラー（ＭＳ）
以外を１つの基板（８）上に構成した。

〔作　　用〕

本発明によれば、一基板化しにくい偏光ビームスプリッ
タ２　（ＰＢＳ２）を使用せずに、狭帯域周波数フィル
タＩ　（４１）と、別の狭帯域周波数フィルタ２（４２
）を採用することにより、装置全体を一基板化すること
が可能になる。

そして、本発明により、変位量の測定をする場合、外乱
の影響に強く、精度が高く、装置が超小型で軽量になり
、生産が量産性に優れていて、安価になる。

又、ＡＯＭとしては、Ｓｉの基板の上の５ｉＣ）、層の
中のＴａ、Ｏ９で出来たシングルモードの導波路を使っ
ているので、ＡＯＭの性能が比較的高い。

又、各光導波路層を伝搬する光波を有効に、且つ、信号
検出感度に優れた、すなわち、変位測定装置としての特
性の高いものを得ることができる。

〔実　施　例〕

第１図は本発明の実施例による集積化レーザ測長装置の
構造を示す構成図、第２図は第１図の集積化レーザ測長
装置の中の周波数シフタ１　（２１）或いは周波数シフ
タ２（２２）の構成図、第３図は前記周波数シフタ１　
（２１）或いは周波数シフタ２（２２）の構造を示す断
面図を表している。

第１図に於いて、第４図と同符号は同効物を表す。更に
、（１ａ）は光源（１）から後述の導波路（ｌｂ）へ偏
光の状態を保持したまま偏光を送るシングルモードファ
イバである定偏波ファイバ、（８）は光集積化回路の基
板、（４３）は該基板（８）からの光を平行にして変位
ミラー（ＭＳ）に照らし、その反射光を再び後述の定偏
波ファイバ（４３ｂ”）に送るレンズ、（４３ａ）は基
板（８）上の後述の導波路（４２ａ）とレンズ（４３）
との間を偏光の状態を保持したまま偏光を送るシングル
モードファイバである定偏波ファイバである。

光源（１）としては周波数の安定化されたＨｅ−Ｎｅレ
ーザが使われ、その波長安定度はＩ　Ｘ　１０−’　　
である。該Ｈｅ−Ｎｅレーザの光は、定偏波ファイバ（
ｌａ）を介して直線偏光のまま、導波路（１ｂ）に結合
される。

尚、光！（１）としては、安定化されたＨｅ−Ｎｅレー
ザに限らず、半導体レーザを直接導波路（１ｂ）に結合
しても良い。この場合、波長の安定化には安定化定電流
電源や自動温度調節器を設けるのが好ましいことは言う
までもない。

基板（８）上の、（２１）と（２２）は、夫々、周波数
シフタ１、及び、周波数シフタ２であり、周波数ｒ１　
と［２を夫々光源（１）のｆ。より作る装置である。

（４１）は周波数ｆ１だけを通過させる狭帯域周波数フ
ィルタ１、（４２）は周波数ｆ２だけを通過させる狭帯
域周波数フィルタ２である。これら狭帯域周波数フィル
タは、グレーティング構造のもので、光波コリニア結合
を利用した透過型グレーティングセルであり、モード結
合方程式を一定の初期条件の下に解くことで得られる。

グレーティングのピッチは約１μｍ以下である。

尚、狭帯域周波数フィルタｌ　（４１）及び狭帯域周波
数フィルタ２　（４２）として、前記透過型グレーティ
ングセルの代わりに、音響光学効果を用いた可変波長フ
ィルタを利用しても良い。この場合、光源の波長変動に
伴い、チュウナブルにフィルタ特性を変化できるので好
ましい。

光検出器１　（Ｄｉ）、光検出器２　（Ｄ２）及び信号
処理回路（６）も基板（８）上に組み込まれている。

基板（８）上において、（３１）、（３３）は導波路型
の光分岐器、（３２）、（３４）は導波路型の光結合器
、（ｌｂ）、　（３１ａ）、　（３１ｂ）、　（２１ａ
）、　（２２ａ）、　（３２ａ）、　（３３ａ）。

（３３ｂ）、　（３３ｃ）、　（３３ｄ）、　（４２ａ
）、　（５２ａ）、　（４１ａ）、　（４３ｂ）。

（３４ａ）は夫々、シングルモード用の導波路である。

（Ｄｌａ）と（Ｄ２ａ）は夫々、光検出器１　（Ｄｉ）
と光検出器２（Ｄ２）の出力信号線であり、合わせて信
号処理回路（６）に入力される。

第２図は、スラブ導波路のＡＯＭ　（音響光学素子）で
できた周波数シフタｌ　（２１）の内部の構造の例を示
しており、（２１１）と（２１２）は共にフレネルレン
ズ、（７）はＩ　Ｄ　Ｔ　（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａ
ｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃ−ｅｒ）である。導波路（３１ａ
）から入射したシングルモード光がフレネルレンズ（２
１１）により平行にされた光は、ＩＤＴ（７）からのＳ
　ＡＷ　（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ
）で作られる回折格子により、光源の基本周波数〔。が
周波数　Ｌ＝（ｆｏ　　ｆｓ＋）にシフトされ、フレネ
ルレンズ（２１２）によって導波路（２１ａ）へ出射す
る。周波数シフタ２　（２２）においても同様に光源の
基本周波数ｆ。が周波数　ｆｚ−（ｆｏ　　ｆｓ２）に
シフトされる。こうして、導波路（２１ａ）からは周波
数ｆ、の光が、又導波路（２２ａ）からは周波数ｆ２の
光が出射される。

第３図は周波数シフタ（２）の特にＩＤＴ（７）の部分
の断面図である。

第３図において、（８）はＳｉよりなる基板、（７１）
は５ｉｎ２よりなる低屈折率層、（７２）はＴａｘｅｓ
よりなる高屈折率の導波路、（７３）はＺｎＯよりなる
圧電膜、（７４）はＡｔよりなる電極である。　基板（
８）の上に低屈折率層（７１）、導波路（７２）、圧電
膜（７３）、電極（７４）が順次積層されて、ＩＤＴ（
７）を形成している。導波路（３１ａ）〜導波路（５ａ
）、或いは、光分岐器（３１）、（３３Ａ）〜（３３Ｄ
）、　光結合器（３２）、（３４）などは、基板（８）
の上の　低屈折率層（７１）の中にＴａｚＯｓの導波路
が形成されて作られている。

光検出器１　（Ｄｉ）、光検出器２　（Ｄ２）や信号処
理回路（６）などは、基板（８）の上に直に回路が組ま
れている。光検出器１　（ＤＩ）や光検出器２　（Ｄ２
）としては、基板（８）の材質であるＳｉを活かした、
シリコンフォトダイオードが集積化形成にとって便利で
ある。光検出器１　（ＤＩ）、光検出器２　（Ｄ２）の
出力信号線（Ｄｌａ）　、（Ｄ２ａ）はＩＤＴ（７）の
電極（７４）と同様にＡＩが使われる。基板の材料のＳ
ｉの代わりに石英を使い、光検出器として光導電材料を
用いることも可能である。また、導波路材料として２ｎ
Ｏを用いれば圧電材料として兼用でき、ＩＤＴ（７）の
構成を簡略化できる。

第１図により、本発明の集積化レーザ測長装置の動作を
説明する。

光源（１）からの基本周波数ｆ０を持った偏光は定偏波
ファイバ（１ａ）で保持されながら、偏光の方向を合わ
せて接続された、基板（８）内の導波路（ｌｂ）の端面
に入射する。光は光分岐器（３１）で導波路（３１ａ）
と導波路（３１ｂ）とに分かれる。導波路（３１ａ）の
光は周波数シフタ１　（２１）に入射し、ここで基本周
波数［。は周波数　ｆ＋−（ｆｏ−ｆｓ＋）にシフトし
て導波路（２１ａ）に向かう。導波路　（３１ｂ）の光
は周波数シフタ２　（２２）に入射し、ここで基本周波
数ｆ０は周波数　ｒｚ＝（Ｌ−ｒｓｚ）にシフトして導
波路（２２ａ）に向かう。

光結合器（３２）では導波路（２１ａ）と導波路（２２
ａ）の光が結合し、又、ビート光が発生して、導波路（
３２ａ）に進む。そのビート周波数は（ｒ、−ｒｚ）で
ある。周波数ｆ　ｌ　、周波数１２も同時に搬送されて
いる。

導波路（３２ａ）の光は光分岐器（３３Ａ）で、導波路
（３３ａ）と導波路（３３ｂ）に分かれる。導波路（３
３ｂ）の光のうち、ビート周波数が（ｆ＋　　ｆｚ）の
光だけが光検出器２　（Ｄ２）にて検出される。この光
を参照ビート光と称する。

光検出器２　（Ｄ２）にはローパスフィルタの性能があ
るので、残りの周波数ｆ、　　　ｆ、らの光は検出され
ない。

一方、導波路（３３ａ）の光は更に光分岐器（３３Ｂ）
により、導波路（３３ｃ）と導波路（３３ｄ）に分かれ
る。

導波路（３３ｃ）の光は、狭帯域周波数フィルタ１（４
１）を通って周波数ｆ、だけの光となり、導波路（４１
ａ）に進む。導波路（４１ａ）は、基板（８）の端面に
おいて偏光の方向を合わせて接続された定偏波ファイバ
（４３ａ）に入射する。外、定偏波ファイバ（４３ａ）
の端面には、平行光束を作るためのレンズ（４３）が設
けられており、平行光束は変位ミラー（ＭＳ）で面に垂
直に反射して再びレンズ（４３）から定偏波ファイバ（
４３ａ）に入射する。

変位ミラー（ＭＳ）は、精密なキャリッジの上に乗って
おり、それらが変位する領域にわたって常に反射光が定
偏波ファイバ（４３ａ）のレンズ（４３）に戻るように
作られている。又、レンズ（４３）は平行光を作ると言
っても、多少拡がるように、或いは収束するようになっ
ていて、多少の変位ミラー（ＭＳ）の傾きや散乱があっ
ても、効率良く再びレンズ（４３）すなわち定偏波ファ
イバ（４ｒａ）に戻るようになっている。

尚、定偏波ファイバ（４３ａ）は省略してもよく、すな
わち導波路（４１ａ）の端面に直接にレンズ（４３）を
結合するか、端面自身をレンズ状にしても良い。

定偏波ファイバ（４３ａ）を戻る光は、再び導波路（４
１ａ）に進み、光分岐器（３３Ｃ）から導波路（４３ｂ
）へ進む。この光の周波数は、変位ミラー（ＭＳ）の動
きに応じて（ｆＩ±Δｆｓ＋ａ　）となる。ここでΔｆ
ｓｌＧは変位ミラー（ＭＳ）の動きに対応した、ドツプ
ラーシフト成分であり、又、士は、変位ミラー（ＭＳ）
が、夫々、レンズ（４３）方向に近づく時と、遠ざかる
時とに対応している。この光を変位信号光と称する。

一方、光分岐器（３３Ｂ）から分かれた、導波路（３３
ｄ）を進む光は、狭帯域周波数フィルタ２　（４２）を
通って周波数ｆ２となり、導波路（４２ａ）に進む。

該導波路（４２ａ）の端面には、参照ミラー（ＭＳ）が
基板（８）に面して設けら゛れていて、反射した光はそ
のまま導波路（４２ａ）を戻る。そして光分岐器（３３
Ｄ）によって導波路（５２ａ）へ進む。この光の周波数
は［２のままである。この光を参照信号光と称する。

導波路（４３ｂ）を進む変位信号光と導波路（５２ａ）
を進む参照信号光とは、光結合器（３４）により結合す
る。結合した光のうち、ビート周波数が：（ｆ＋ｆ２±
Δｆｓ＋ｃ　）の光だけが光検出器１　（ＤＩ）にて検
出される。この光を変位ビート光と称する。

このように構成された所謂ヘテロダイン干渉系において
、光検出器１　（ＤＩ）で受けた周波数が（ｆ、−ｆ２
±Δｆｓ１ａ　）の変位ビート光と、光検出器２　（Ｄ
２）で受けた周波数が（ｆ’＋　　ｆｚ）の参照ビート
光とから、信号処理回路（６）を介してそれらの差分：
　（±Δｆｓ＋ｃ　）が求められる。

こうして、変位ミラー（ＭＳ）の変位量が、信号処理回
路（６）の位相差として出力される。

尚、周波数シフタ２（２２）を省略してその間を導波路
（３１ｂ）でつないでも良い。その場合はビート周波数
（ｒｔ−ｒｔ）の自由度が小さくなり、従って信号処理
回路（６）の回路設計の自由度が小さくなる。

尚、狭帯域周波数フィルタ１　（４１）及び狭帯域周波
数フィルタ２　（４２）は、夫々導波路（３３ｃ）或い
は導波路（３３ｄ）の後に設けられているが、夫々導波
路（４３ｂ）或いは導波路（５２ａ）上にあった方が、
ノイズの量を減らす点で、性能が良くなる。

〔発明の効果〕

以上の様に本発明によれば、狭帯域周波数フィルタ１　
（４１）や狭帯域周波数フィルタ２　（４２）を採用す
ることによって、ヘテロダイン干渉装置全体を一基板化
すなわち光集積化できる。従って、このため変位量の測
定が、外乱の影響に強く、精度が高く、超小型で軽量で
あり、量産性に優れていて、安価であるなどの効果があ
るものとなった。

又、ＡＯＭとしては、５ｉＯｚの基板の上のＴａｚＯｓ
で出来たシングルモードの導波路を使っているので、Ａ
ＯＭとしての性能が高い。

各光導波路層を伝搬する光波を有効に光検出できるので
、小型、軽量で、組立調整がなく、量産性があり、又、
且つ、信号検出感度に優れた、すなわち、レーザ測長装
置としての特性の高いものを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による集積化レーザー測長器の構成を示
した平面図、 第２図は本発明による集積化レーザー測長器の周波数シ
フタの構造を表した平面図、 第３図は本発明による集積化レーザー副長器の周波数シ
フタの構造を表した断面図、 第４図は従来のレーザ測長器の構成を示すブロック図で
ある。 〔主要部分の符号の説明〕 （２１）・・・周波数シフタ１１ （２２）・・・周波数シフタ２、 （３１）、（３３Ａ）〜（３３Ｄ）・・・光分岐器、（
３２）、（３４）・・光結合器、 （４１）・・・狭帯域周波数フィルタｌ、（４２）・・
・狭帯域周波数フィルタ２、（ＭＳ”）・・・変位ミラ
ー （ＭＲ）・・・参照ミラー （Ｄｌ）・・・光検出器１、 （Ｄ２）・・・光検出器２、 （６）・・・信号処理回路、 （８）・・・基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）１つのレーザ光源と、１つのレーザ光源から２つ
   の周波数の光を作る周波数シフタと、２つの周波数の光
   から参照ビート光を作る光結合器と、２つの周波数の光
   のうちの一方を参照信号光とし、その他方を、変位ミラ
   ーの変位量に依存した変位信号光とし、それらの２つの
   周波数の光から変位ビート光を作る光結合器と、２つの
   ビート光を検出する光検出器と、２つの光検出出力間の
   位相差を出力する信号処理回路とからなる、ヘテロダイ
   ン干渉レーザ測長装置において、 全体を集積化したことを特徴とする、集積化レーザ測長
   装置。
2. （２）請求項１記載の集積化レーザ測長装置において、 前記、光源と、参照ミラーと、変位ミラー以外を１つの
   基板上に構成したことを特徴とする、集積化レーザ測長
   装置。