JPH02296140A - 湿度センサー - Google Patents
湿度センサーInfo
- Publication number
- JPH02296140A JPH02296140A JP11807389A JP11807389A JPH02296140A JP H02296140 A JPH02296140 A JP H02296140A JP 11807389 A JP11807389 A JP 11807389A JP 11807389 A JP11807389 A JP 11807389A JP H02296140 A JPH02296140 A JP H02296140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pitch
- electrodes
- substrate
- thin film
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、耐水性および耐熱性に優れた湿度センサーに
関する。
関する。
従来技術とその問題点
通常湿度センサーは、雰囲気の湿度変化に応じて電気抵
抗値が変化する感湿材料を感湿部として備えている。
抗値が変化する感湿材料を感湿部として備えている。
従来この様な感湿材料としては、多種多様なものが提案
されているが、いずれも、実用的な観点からは満足すべ
きものとは、言い難い。
されているが、いずれも、実用的な観点からは満足すべ
きものとは、言い難い。
例えば、炭化水素系の高分子電解質を感湿材料とするセ
ンサーは、一般に耐熱性が不]−分であるため、雰囲気
温度が60℃を上回ると、使用不可能となる。
ンサーは、一般に耐熱性が不]−分であるため、雰囲気
温度が60℃を上回ると、使用不可能となる。
また、有機物膜を感湿部とするセンサーは、長時間にわ
たり結露を生じる様な環境下では、電解質が溶は出すと
いう欠点がある。
たり結露を生じる様な環境下では、電解質が溶は出すと
いう欠点がある。
さらに、金属酸化物系セラミックを感湿部として使用す
る感湿センサーの場合には、高温での焼結により機械的
強度を高めているため、エネルギー消費量が高いという
問題点がある。さらに、金属酸化物系セラミックの焼結
温度が高いので、原料粉末粒子がシンタリングを起こし
やすく、このため、有効感湿面積が減少して、感度が低
下するという欠点もある。
る感湿センサーの場合には、高温での焼結により機械的
強度を高めているため、エネルギー消費量が高いという
問題点がある。さらに、金属酸化物系セラミックの焼結
温度が高いので、原料粉末粒子がシンタリングを起こし
やすく、このため、有効感湿面積が減少して、感度が低
下するという欠点もある。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記の如、き従来技術の問題点に鑑みて研
究を重ねた結果、特定の組成を有するフッ化ピッチの薄
膜が、感湿センサーの感湿部として、極めて優れた性能
を崗えていることを見出し、本発明を完成するにいたっ
た。
究を重ねた結果、特定の組成を有するフッ化ピッチの薄
膜が、感湿センサーの感湿部として、極めて優れた性能
を崗えていることを見出し、本発明を完成するにいたっ
た。
即ち、本発明は、フッ化ピッチの蒸着膜、該蒸着膜の電
気抵抗を測定するために該蒸着膜に接続された一対の電
極、および該蒸着膜および/または該電極が固着されて
いる基板からなる湿度センサーに係る。
気抵抗を測定するために該蒸着膜に接続された一対の電
極、および該蒸着膜および/または該電極が固着されて
いる基板からなる湿度センサーに係る。
本発明で使用するフッ化ピッチは、組成式CFx (
0,5≦X≦1.8)で表わされる化合物であって、各
炭素原子にフッ素原子が1〜3個共fT結合により強固
に結合している。この様なフッ化ピッチとしては、特開
昭62−275190号に開示されたものを代表例とし
て挙げることができる。
0,5≦X≦1.8)で表わされる化合物であって、各
炭素原子にフッ素原子が1〜3個共fT結合により強固
に結合している。この様なフッ化ピッチとしては、特開
昭62−275190号に開示されたものを代表例とし
て挙げることができる。
特開昭62−275190号は、原料として使用するピ
ッチ(等方性ピッチ、メソフェーズピッチ、水素化メソ
フェーズピッチ、メソカーボンマイクロビーズなど)に
出来する層状構造を有するとともに、下記の特性を備え
たフッ化ピッチを開示している; 「実質的に炭素原子及びフッ素原子よりなり、*:/C
原子比が0.5〜1.8であって、下記(イ)、(ロ)
、(ハ)及び(ニ)の特性を示すことを特徴とするフッ
化ピッチ。
ッチ(等方性ピッチ、メソフェーズピッチ、水素化メソ
フェーズピッチ、メソカーボンマイクロビーズなど)に
出来する層状構造を有するとともに、下記の特性を備え
たフッ化ピッチを開示している; 「実質的に炭素原子及びフッ素原子よりなり、*:/C
原子比が0.5〜1.8であって、下記(イ)、(ロ)
、(ハ)及び(ニ)の特性を示すことを特徴とするフッ
化ピッチ。
(イ)粉末X線回折において、2θ=13°付近に最大
強度のピーク、2θ−40°付近に2θ=13°付近の
ピークより強度の小さなピークを示す。
強度のピーク、2θ−40°付近に2θ=13°付近の
ピークより強度の小さなピークを示す。
(ロ)X線光電子分光分析において、290.0±1、
OeVにCF基に相当するピーク及び292.5±0.
9cV付近にCF2基に相当するピークを示し、CF2
基に相当するピークのCF基に相当するピークに対する
強さの比が0.15〜1.5である。
OeVにCF基に相当するピーク及び292.5±0.
9cV付近にCF2基に相当するピークを示し、CF2
基に相当するピークのCF基に相当するピークに対する
強さの比が0.15〜1.5である。
(ハ)真空蒸着により薄膜を形成することが出来る。」
以下図面を参照しつつ、本発明をさらに詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明の感湿センサーの製造過程を模式的に
示す斜面図である。本発明による湿度センサーの基板(
1)は、公知の感湿センサーにおける基板と変わるとこ
ろはなく、ガラス板、セラミックスなどの絶縁性材料に
より構成される。
示す斜面図である。本発明による湿度センサーの基板(
1)は、公知の感湿センサーにおける基板と変わるとこ
ろはなく、ガラス板、セラミックスなどの絶縁性材料に
より構成される。
この様な基板(1)上には、常法に従って、金、銀、ア
ルミニウムなどの導電性材料からなる一対の電極(3)
、(3°)が形成される。
ルミニウムなどの導電性材料からなる一対の電極(3)
、(3°)が形成される。
そして、上記の絶縁性の基板上に設けられた一対の電極
(3)、(3°)上には、公知の真空蒸着法、スパッタ
リング法などにより、フッ化ピッチ薄膜(5)が密着形
成される。フッ化ピッチの蒸着温度は、その分解温度を
考慮して、100〜600°C程度とすることが好まし
い。通常蒸着時の基板温度は、フッ化ピッチの蒸着温度
よりも低い温度であれば良い。しかしながら、得られる
感湿センサーの使用温度が高くなる場合には、使用温度
具−トに基板温度を設定しておく必要がある。
(3)、(3°)上には、公知の真空蒸着法、スパッタ
リング法などにより、フッ化ピッチ薄膜(5)が密着形
成される。フッ化ピッチの蒸着温度は、その分解温度を
考慮して、100〜600°C程度とすることが好まし
い。通常蒸着時の基板温度は、フッ化ピッチの蒸着温度
よりも低い温度であれば良い。しかしながら、得られる
感湿センサーの使用温度が高くなる場合には、使用温度
具−トに基板温度を設定しておく必要がある。
これは、基板温度がセンサーの使用温度よりも低い温度
に設定されている場合には、センサー使用時にフッ化ピ
ッチ薄膜が破壊される危険性があるからである。
に設定されている場合には、センサー使用時にフッ化ピ
ッチ薄膜が破壊される危険性があるからである。
第2図は、上記の様にして形成された本発明の感湿セン
サーの概要を示す平面図である。
サーの概要を示す平面図である。
本発明の感湿センサーの感湿部を形成させるに際して使
用される真空蒸着装置の一例を第3図に示す。
用される真空蒸着装置の一例を第3図に示す。
ペルジャー(11)内は、排気路(13)に接続された
真空ポンプ(図示せず)により真空とされる。
真空ポンプ(図示せず)により真空とされる。
予め一対の電極を形成された基板(15) 、・・・(
15)は、回転ドーム(17)に取り付けられており、
蒸着材料であるフッ化ピッチ(19)は、ボート(21
)に収容されている。蒸着操作は、ヒーター(23)、
(23)により基板(15)を所定の温度に加熱゛しつ
つ、シャッター(25)を適宜開閉することにより、行
なわれる。真空蒸着法自体は、公知の技術であり、図示
の形式の装置以外のものを使用しても良いことは言うま
でもない。
15)は、回転ドーム(17)に取り付けられており、
蒸着材料であるフッ化ピッチ(19)は、ボート(21
)に収容されている。蒸着操作は、ヒーター(23)、
(23)により基板(15)を所定の温度に加熱゛しつ
つ、シャッター(25)を適宜開閉することにより、行
なわれる。真空蒸着法自体は、公知の技術であり、図示
の形式の装置以外のものを使用しても良いことは言うま
でもない。
なお、第1図に示す構造では、基板(1)の上に電極(
3)、(3゛)を設け、さらにその上にフッ化ピッチ蒸
着膜(5)を配置しているが、この順序は変更してもよ
い。すなわち、基板(1)の−トにフッ化ピッチ蒸着膜
(5)を設け、さらにその上に電極(3)、(3°)を
配置しても良い。
3)、(3゛)を設け、さらにその上にフッ化ピッチ蒸
着膜(5)を配置しているが、この順序は変更してもよ
い。すなわち、基板(1)の−トにフッ化ピッチ蒸着膜
(5)を設け、さらにその上に電極(3)、(3°)を
配置しても良い。
或いは、基板(1)の上に一方の電極(3)を設け、そ
の上にフッ化ピッチ蒸着膜(5)を形成し、その上に他
方の電極(3°)を配置して、サンドイッチ構造として
も良い。また、一対をなす電極(3)、(3°)は、第
1図に示すようなくし形のものに限定されるものではな
い。
の上にフッ化ピッチ蒸着膜(5)を形成し、その上に他
方の電極(3°)を配置して、サンドイッチ構造として
も良い。また、一対をなす電極(3)、(3°)は、第
1図に示すようなくし形のものに限定されるものではな
い。
本発明における感湿部となるフッ化ピッチ薄膜の厚さは
、10人〜10μm程度とすることが好ましく、100
人〜1μm程度とすることがより好ましい。この厚さが
10人未満の場合には、膜厚制御が困難となり、品質に
バラツキを生ずる。
、10人〜10μm程度とすることが好ましく、100
人〜1μm程度とすることがより好ましい。この厚さが
10人未満の場合には、膜厚制御が困難となり、品質に
バラツキを生ずる。
一方、10μmを上回る場合には、センサーとしての感
度が低下する。
度が低下する。
発明の効果
本発明によれば、下記の如き顕著な効果が達成される。
(a)原料として使用するフッ化ピッチは、フッ素を多
量に含んでいるので、撥水撥油性、耐薬品性などに優れ
ており、この様なフッ化ピッチから得られる薄膜も、や
はり同様の性質を備えている。
量に含んでいるので、撥水撥油性、耐薬品性などに優れ
ており、この様なフッ化ピッチから得られる薄膜も、や
はり同様の性質を備えている。
従って、本発明の感湿センサーは、既存の有機物膜を備
えた感湿センサーとは異なって、長時間の結露状態で使
用しても、成分溶出による性能低下は生じない。
えた感湿センサーとは異なって、長時間の結露状態で使
用しても、成分溶出による性能低下は生じない。
(b)また、本発明のフッ化ピッチ薄膜は、釘機溶媒に
対しても、難溶性であり、また耐油性にも優れているの
で、油分の多い環境下でも使用可能である。
対しても、難溶性であり、また耐油性にも優れているの
で、油分の多い環境下でも使用可能である。
(C)フッ化ピッチ薄膜形成時の基板加熱温度をを調整
することにより、薄膜の耐熱性を改善することが出来る
ので、公知の白−機物系膜を使用する感湿センサーとは
異なって、使用温度に対する制限は、極めて少ない。
することにより、薄膜の耐熱性を改善することが出来る
ので、公知の白−機物系膜を使用する感湿センサーとは
異なって、使用温度に対する制限は、極めて少ない。
(d)エネルギー消費量が比較的少ない。
(e)当初からの高い感度を長時間持続する。
実施例
以下に実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明確にする。
一層明確にする。
実施例1
厚さ0. 5mmX’ 14mmX 17mmのガラス
基板の一方の表面に公知の真空蒸着法によりフッ化ピッ
チ薄膜を形成した後、フッ化ピッチ薄膜の表面に一対の
くし形状アルミニウム電極を真空蒸着法により形成し、
本発明の感湿センサーを製造した。
基板の一方の表面に公知の真空蒸着法によりフッ化ピッ
チ薄膜を形成した後、フッ化ピッチ薄膜の表面に一対の
くし形状アルミニウム電極を真空蒸着法により形成し、
本発明の感湿センサーを製造した。
フッ化ピッチ薄膜形成時の真空蒸着条件は、下記の通り
である。
である。
*真空度−2,OX 10−”Torr以下*基板加熱
温度・・50℃ *フッ化ピッチの最終加熱温度・・・500℃*フッ化
ピッチの昇温速度・・・5℃/分*膜厚・・・Q、31
℃m 1−記の様にして得た感湿センサーを500Cの恒温室
に置き、湿度を10%から85%までの範囲で変化させ
たところ、出力抵抗値(測定電圧10V)は、1.25
X1012Ωから 5.76x109Ωの範囲で変化した。
温度・・50℃ *フッ化ピッチの最終加熱温度・・・500℃*フッ化
ピッチの昇温速度・・・5℃/分*膜厚・・・Q、31
℃m 1−記の様にして得た感湿センサーを500Cの恒温室
に置き、湿度を10%から85%までの範囲で変化させ
たところ、出力抵抗値(測定電圧10V)は、1.25
X1012Ωから 5.76x109Ωの範囲で変化した。
また、−に記の様にして得た感湿センサーを50℃の恒
温室に置き、湿度を10%から85%まで高めた場合の
抵抗値と85%から10%まで下げた場合の抵抗値を対
比したところ、はぼ同様の変化を示し、ヒステリシスは
認められなかった。
温室に置き、湿度を10%から85%まで高めた場合の
抵抗値と85%から10%まで下げた場合の抵抗値を対
比したところ、はぼ同様の変化を示し、ヒステリシスは
認められなかった。
さらに、測定電圧を20Vおよび30Vとして、1−記
と同様の湿度条件で抵抗値の変化を測定したが、抵抗値
は、同じ様な変化を示した。
と同様の湿度条件で抵抗値の変化を測定したが、抵抗値
は、同じ様な変化を示した。
また、得られたセンサーの感湿部は、原料のフッ化ピッ
チと同様に、撥水及び撥油性をHしていた。
チと同様に、撥水及び撥油性をHしていた。
第1図は、本発明による感湿センサーの製造の過程を模
式的に示す斜面図である。 第2図は、本発明による感湿センサーのW面図である。 第3図は、本発明の感湿センサーを製造するに際して使
用する真空蒸着装置の一例を示す断面図である。 (1)・・・基板 (3)(3°)・・・電極、 (5)・・・フッ化ピッチ薄膜からなる感湿部(11)
・・・ペルジャー (13)・・・排気路 (I5) ・・・電極を設けた基板 ・・・回転ドーム ・・・フッ化ピッチ ・・・ボート ・・・ヒーター ・・・シャッター (以 上) 第1図 5−−f形Z′ 番 3−lグー3 會 第 図 第2図
式的に示す斜面図である。 第2図は、本発明による感湿センサーのW面図である。 第3図は、本発明の感湿センサーを製造するに際して使
用する真空蒸着装置の一例を示す断面図である。 (1)・・・基板 (3)(3°)・・・電極、 (5)・・・フッ化ピッチ薄膜からなる感湿部(11)
・・・ペルジャー (13)・・・排気路 (I5) ・・・電極を設けた基板 ・・・回転ドーム ・・・フッ化ピッチ ・・・ボート ・・・ヒーター ・・・シャッター (以 上) 第1図 5−−f形Z′ 番 3−lグー3 會 第 図 第2図
Claims (1)
- (1)フッ化ピッチの蒸着膜、該蒸着膜の電気抵抗を測
定するために該蒸着膜に接続された一対の電極、および
該蒸着膜および/または該電極が固着されている基板か
らなる湿度センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11807389A JPH02296140A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 湿度センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11807389A JPH02296140A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 湿度センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296140A true JPH02296140A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14727334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11807389A Pending JPH02296140A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 湿度センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232818A (en) * | 1991-07-25 | 1993-08-03 | Eastman Kodak Company | Nucleated high contrast photographic elements containing thioether compounds to inhibit pepper fog and restrain image spread |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11807389A patent/JPH02296140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232818A (en) * | 1991-07-25 | 1993-08-03 | Eastman Kodak Company | Nucleated high contrast photographic elements containing thioether compounds to inhibit pepper fog and restrain image spread |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ogawa et al. | Electrical properties of tin oxide ultrafine particle films | |
| US5801383A (en) | VOX film, wherein X is greater than 1.875 and less than 2.0, and a bolometer-type infrared sensor comprising the VOX film | |
| US4631633A (en) | Thin film capacitors and method of making the same | |
| JP2005031090A (ja) | 湿度センサおよびその製法 | |
| Fuenzalida et al. | Adsorbed water on hydrothermal BaTiO3 films: work function measurements | |
| van de Krol et al. | Structure and properties of anatase TiO 2 thin films made by reactive electron beam evaporation | |
| US4422129A (en) | Humidity sensor | |
| JPH02296140A (ja) | 湿度センサー | |
| JPH053895B2 (ja) | ||
| Li et al. | Effects of chemical composition on humidity sensitivity of Al/BaTiO3/Si structure | |
| US4765870A (en) | Method of manufacture of an electric moisture-content sensor | |
| JP3314509B2 (ja) | NOxガス検知半導体およびその製造方法 | |
| KR20200136022A (ko) | 센서 및 그 제조방법 | |
| JPS6131417B2 (ja) | ||
| JP2996922B2 (ja) | 水素感知用酸化スズ薄膜センサおよびその製造方法 | |
| Saradhi et al. | ELECTRICAL PROPERTIES OF | |
| Kuwabara et al. | Instability of the Characteristics of the Positive Temperature Coefficient of Resistivity in High‐Curie‐Point Barium‐Lead Titanate Ceramics and Their Grain Structures | |
| JPS6030894B2 (ja) | ガス・湿度センサの製造方法 | |
| JP3012918B2 (ja) | 高プロトン伝導性アンチモン酸膜とその製造方法 | |
| Gerlach et al. | Properties of sputter and sol-gel deposited PZT thin films for sensor and actuator applications: preparation, stress and space charge distribution, self poling | |
| JP3006191B2 (ja) | コンデンサ用金属化フィルムの製造方法 | |
| WO1991013447A1 (en) | Moisture sensor | |
| JPS58216945A (ja) | 湿度センサ | |
| Kunisch et al. | Design of piezoelectric thin films in the system AlN-ZnO | |
| Trinchi et al. | Study of Ga/sub 2/O/sub 3/thin film gas sensors |