JPS6030894B2 - ガス・湿度センサの製造方法 - Google Patents
ガス・湿度センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6030894B2 JPS6030894B2 JP54066463A JP6646379A JPS6030894B2 JP S6030894 B2 JPS6030894 B2 JP S6030894B2 JP 54066463 A JP54066463 A JP 54066463A JP 6646379 A JP6646379 A JP 6646379A JP S6030894 B2 JPS6030894 B2 JP S6030894B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ultrafine particle
- particle film
- metal oxide
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属酸化物超微粒子膜を用いたガス・湿度セン
サの製造方法にかかり、従来の金属酸化物超微粒子膜で
形成されたセンサに比べてガスに対する感度が高く、電
導度も大きい改良されたガス・湿度センサを製造する方
法を提供するものである。
サの製造方法にかかり、従来の金属酸化物超微粒子膜で
形成されたセンサに比べてガスに対する感度が高く、電
導度も大きい改良されたガス・湿度センサを製造する方
法を提供するものである。
平均粒径が十数Aから百数十A程度の酸化物超微粒子で
構成された膜の抵抗値が、ガスや水蒸気に対して敏感に
変化することが見出され、これを用いたガス湿度センサ
が提案されている。
構成された膜の抵抗値が、ガスや水蒸気に対して敏感に
変化することが見出され、これを用いたガス湿度センサ
が提案されている。
本発明は、このような超微粒子感応膜センサの感度、電
導度をさらに向上させるための加熱処理方法に関するも
のである。
導度をさらに向上させるための加熱処理方法に関するも
のである。
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
第1図は本発明によるガス湿度センサの平面図である。
このセンサは、図に示すように、まずガラスやセラミッ
クスなどの絶縁基板1上に対をなす電極2,3を形成し
、その上にさらに錫、チタン、亜鉛あるいはニッケル等
の金属酸化物半導体の超微粒子膜4を形成し、さらに酸
素あるいは酸素を含む雰囲気中で加熱して作製したもの
である。本発明の方法の一実施例として、たとえば、金
属酸化物として錫酸化物を用いた超微粒子膜センサの作
製例について第2図を用いて説明する。
クスなどの絶縁基板1上に対をなす電極2,3を形成し
、その上にさらに錫、チタン、亜鉛あるいはニッケル等
の金属酸化物半導体の超微粒子膜4を形成し、さらに酸
素あるいは酸素を含む雰囲気中で加熱して作製したもの
である。本発明の方法の一実施例として、たとえば、金
属酸化物として錫酸化物を用いた超微粒子膜センサの作
製例について第2図を用いて説明する。
真空蒸着装置11内の試料ホルダー12に、第1図に図
したような電極2,3を有する縦系該基板1を、その電
極面が図面下方向を向くように取付ける。また、蒸着用
ボート13には、蒸発材料14として錫あるいはその酸
化物をセットする。しかるのち、排気口15に接続され
た真空ポンプ(図面では省略)を作動させて排気を行な
い、装置1 1内の真空度を1げびonのオーダにした
後、ガス導入ロー6のコックを開いて装置11内に酸素
ガスを導入し、その圧力をたとえば0.5Torr程度
に保つ。
したような電極2,3を有する縦系該基板1を、その電
極面が図面下方向を向くように取付ける。また、蒸着用
ボート13には、蒸発材料14として錫あるいはその酸
化物をセットする。しかるのち、排気口15に接続され
た真空ポンプ(図面では省略)を作動させて排気を行な
い、装置1 1内の真空度を1げびonのオーダにした
後、ガス導入ロー6のコックを開いて装置11内に酸素
ガスを導入し、その圧力をたとえば0.5Torr程度
に保つ。
次に、蒸発用電源1 7によりボート13に通電して発
熱させ、酸素ガスの0.5Ton雰囲気のもとで蒸発材
料1 4を十数秒から数分間蒸発させる。たとえば、蒸
発材料14として錫を選び、120〜160Wの電力を
ボート13に印加すると、平均粒蓬約40Aの超微粒子
からなる厚さ約20仏mの錫酸化物の超微粒子の膜4が
、第1図に示すように、基板1上に形成された。錫酸化
物超微粒子膜が形成された後、空気導入口18のコック
を開いて装置11内に空気を導入し、その圧力を大気圧
にする。しかるのち、試料ホルダー12に取付けられた
絶縁基板1を加熱するために、試料ホルダー12にセッ
トされたヒータ19に、ヒータ用電源2川こより通電し
、錫酸化物の超微粒子膜4をたとえば500q0で10
分間程度加熱する。対をなす電極2,3間で測定した超
微粒子膜4の抵抗値Rは、第3図に示すように変化し、
7分以上加熱すると、定常値になる。以上の説明は蒸発
材料を蒸発させるのに抵抗加熱法を例にあげて述べたが
、たとえば誘導加熱法や赤外線加熱法などの他の方法で
もよいことは言うまでもない。
熱させ、酸素ガスの0.5Ton雰囲気のもとで蒸発材
料1 4を十数秒から数分間蒸発させる。たとえば、蒸
発材料14として錫を選び、120〜160Wの電力を
ボート13に印加すると、平均粒蓬約40Aの超微粒子
からなる厚さ約20仏mの錫酸化物の超微粒子の膜4が
、第1図に示すように、基板1上に形成された。錫酸化
物超微粒子膜が形成された後、空気導入口18のコック
を開いて装置11内に空気を導入し、その圧力を大気圧
にする。しかるのち、試料ホルダー12に取付けられた
絶縁基板1を加熱するために、試料ホルダー12にセッ
トされたヒータ19に、ヒータ用電源2川こより通電し
、錫酸化物の超微粒子膜4をたとえば500q0で10
分間程度加熱する。対をなす電極2,3間で測定した超
微粒子膜4の抵抗値Rは、第3図に示すように変化し、
7分以上加熱すると、定常値になる。以上の説明は蒸発
材料を蒸発させるのに抵抗加熱法を例にあげて述べたが
、たとえば誘導加熱法や赤外線加熱法などの他の方法で
もよいことは言うまでもない。
また形成された錫酸化物超微粒子膜4の加熱処理を、蒸
発装置11内で行なったが、たとえば装置11から取り
出した後に大気中で加熱しても同じことであり、加熱用
ヒータ19の種類や形状の差異は本発明の効果に全く関
係がない。金属酸化物超微粒子はガスや水蒸気などの外
的作用因子に対してきわめて敏感に感応するが、上述の
ように金属酸化物超微粒子を酸素あるいは酸素を含む雰
囲気中で高温度で加熱処理を行なうことにより、されに
高感度になり、電導度も向上するという本発明のポイン
トについて以下に具体的に説明する。
発装置11内で行なったが、たとえば装置11から取り
出した後に大気中で加熱しても同じことであり、加熱用
ヒータ19の種類や形状の差異は本発明の効果に全く関
係がない。金属酸化物超微粒子はガスや水蒸気などの外
的作用因子に対してきわめて敏感に感応するが、上述の
ように金属酸化物超微粒子を酸素あるいは酸素を含む雰
囲気中で高温度で加熱処理を行なうことにより、されに
高感度になり、電導度も向上するという本発明のポイン
トについて以下に具体的に説明する。
金属酸化物として錫酸化物を用い、酸素ガス圧0.5T
on中で作製した厚さ20#mの錫酸化物超微粒子膜を
、空気中で500℃、10分間加熱処理を行なった本発
明によるガス湿度センサに対し、加熱処理を全く行なわ
ない錫酸化物超微粒子膜を比較例として比較試験を行な
った。
on中で作製した厚さ20#mの錫酸化物超微粒子膜を
、空気中で500℃、10分間加熱処理を行なった本発
明によるガス湿度センサに対し、加熱処理を全く行なわ
ない錫酸化物超微粒子膜を比較例として比較試験を行な
った。
試験は、これらの試料について雰囲気温度25℃、湿度
60%で各試料の温度を250℃に保ち、エチルアルコ
ール(10の血濃度)に対する感度を測定した。
60%で各試料の温度を250℃に保ち、エチルアルコ
ール(10の血濃度)に対する感度を測定した。
感度はR。/RG(ただし、R。は大気中にて測定した
錫酸化物超微粒子膜の抵抗値であり、RGはエチルアル
コール10功岬濃度中での膜の抵抗値)で表わしており
、感度および電導度ともに比較例を1.0としたときの
相対値を下表に示す。この表から明らかなように、本発
明によれば、感度、電導度とも従来に比べて非常に優れ
たガス温度セソサの得られることがわかる。
錫酸化物超微粒子膜の抵抗値であり、RGはエチルアル
コール10功岬濃度中での膜の抵抗値)で表わしており
、感度および電導度ともに比較例を1.0としたときの
相対値を下表に示す。この表から明らかなように、本発
明によれば、感度、電導度とも従来に比べて非常に優れ
たガス温度セソサの得られることがわかる。
また本実施例ではエチルアルコールに対する作用効果を
示したが、センサの動作温度をたとえば350℃にする
と、ィソブタンガスなどの還元性ガスに対して同様な作
用効果があり、動作温度によって種々のガス・湿度に対
して有効であった。このように、本発明の方法により、
センサの特性が大中に向上しているのは、酸素存在雰囲
気中での加熱処理であるため、錫酸化物超微粒子が十分
酸化されて、超微粒子膜中のSn02の存在比がきわめ
て大になることが原因の一つではないかと推測される。
示したが、センサの動作温度をたとえば350℃にする
と、ィソブタンガスなどの還元性ガスに対して同様な作
用効果があり、動作温度によって種々のガス・湿度に対
して有効であった。このように、本発明の方法により、
センサの特性が大中に向上しているのは、酸素存在雰囲
気中での加熱処理であるため、錫酸化物超微粒子が十分
酸化されて、超微粒子膜中のSn02の存在比がきわめ
て大になることが原因の一つではないかと推測される。
このことは、錫酸化物超微粒子膜の色が加熱処理を行な
うこにより黄白色から白色へ変化することや、X線回折
による測定結果からもわかる。ただし、加熱処理温度は
超微粒子膜が競結現象を示す温度以上であってはならな
いは言うまでもないことである。加熱処理は金属酸化物
超微粒子が十分酸化されるまで行うことが望ましく、本
発明の実施例の場合は、350oo〜550ooの温度
で10分間熱処理することでもっとも良好な結果が得ら
れた。加熱処理温度および時間は金属酸化物超微粒子の
製造条件、主として酸素ガス圧によって異なってくるこ
とはいうまでもないが、少なくとも加熱処理温度は動作
温度よりも高いこと、あるいは加熱処理温度および時間
は、第3図に示すように、抵抗値Rが定常値になるよう
に条件を設定することが望ましい。
うこにより黄白色から白色へ変化することや、X線回折
による測定結果からもわかる。ただし、加熱処理温度は
超微粒子膜が競結現象を示す温度以上であってはならな
いは言うまでもないことである。加熱処理は金属酸化物
超微粒子が十分酸化されるまで行うことが望ましく、本
発明の実施例の場合は、350oo〜550ooの温度
で10分間熱処理することでもっとも良好な結果が得ら
れた。加熱処理温度および時間は金属酸化物超微粒子の
製造条件、主として酸素ガス圧によって異なってくるこ
とはいうまでもないが、少なくとも加熱処理温度は動作
温度よりも高いこと、あるいは加熱処理温度および時間
は、第3図に示すように、抵抗値Rが定常値になるよう
に条件を設定することが望ましい。
上表に示した本発明によるガス湿度センサの測定に用い
た試料は0.5Torrの酸素ガス中で錫酸化物超微粒
子を作製したのち、500℃の空気中で10分間加熱処
理を行ない、しかるのち250℃の動作温度においてガ
ス感度、電導度の測定を行なったものである。
た試料は0.5Torrの酸素ガス中で錫酸化物超微粒
子を作製したのち、500℃の空気中で10分間加熱処
理を行ない、しかるのち250℃の動作温度においてガ
ス感度、電導度の測定を行なったものである。
一方、表に示した比較例の測定に用いた試料は0.5T
onの酸素ガス中で同様に作製したのち、50000で
、10分間という加熱処理を施すことなしに、2500
0で熱処理を行ない、酸化物超微粒子膜の抵抗値Rが定
常値になったのちに、250つ○の動作温度においてガ
ス感度、電導度の測定を行なったものである。すなわち
、表の例は加熱処理温度を動作温度よりも高くすること
により、ガス感度および電導度がともに改善されること
を示している。このように、本発明の製造方法によれば
、金属酸化物超微粒子で構成した膜を加熱処理すること
により、電導度と外的作用因子に対する感度を大中に向
上させることができ、極めて実用的価値の大きいガス・
湿度センサを実現できる。
onの酸素ガス中で同様に作製したのち、50000で
、10分間という加熱処理を施すことなしに、2500
0で熱処理を行ない、酸化物超微粒子膜の抵抗値Rが定
常値になったのちに、250つ○の動作温度においてガ
ス感度、電導度の測定を行なったものである。すなわち
、表の例は加熱処理温度を動作温度よりも高くすること
により、ガス感度および電導度がともに改善されること
を示している。このように、本発明の製造方法によれば
、金属酸化物超微粒子で構成した膜を加熱処理すること
により、電導度と外的作用因子に対する感度を大中に向
上させることができ、極めて実用的価値の大きいガス・
湿度センサを実現できる。
第1図は本発明の方法によるセンサの一例を示す平面図
である。 第2図は酸化物超微粒子膜を作製するための装置の一例
を示す図である。第3図は金属酸化物超微粒子膜を室温
から500℃に加熱したときの膜の抵抗値の時間的変化
の一例を示すものである。1・・・・・・絶縁基板、2
,3・・・・・・電極、4・・…・超微粒子膜。 第1図 第2図 第3図
である。 第2図は酸化物超微粒子膜を作製するための装置の一例
を示す図である。第3図は金属酸化物超微粒子膜を室温
から500℃に加熱したときの膜の抵抗値の時間的変化
の一例を示すものである。1・・・・・・絶縁基板、2
,3・・・・・・電極、4・・…・超微粒子膜。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 対をなす電極を設置した絶縁性支持基体上に平均粒
径が十数Åから百数十Åの金属酸化物超微粒子膜を形成
した後、酸素あるいは酸素を含む雰囲気中において、3
50℃以上であつて、前記金属酸化物超微粒子膜が焼結
しない温度で加熱処理することを特徴とするガス・温度
センサの製造方法。 2 金属酸化物超微粒子膜の加熱処理温度がセンサの動
作温度よりも高いことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のガス・湿度センサの製造方法。 3 加熱処理を金属酸化物超微粒子膜の抵抗値が定常状
態になるまで行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項に記載のガス・湿度センサの製造方法。 4 金属酸化物超微粒子膜が錫酸化物の超微粒子膜であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、第
3項記載のガス・湿度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54066463A JPS6030894B2 (ja) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | ガス・湿度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54066463A JPS6030894B2 (ja) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | ガス・湿度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55158549A JPS55158549A (en) | 1980-12-10 |
| JPS6030894B2 true JPS6030894B2 (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=13316488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54066463A Expired JPS6030894B2 (ja) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | ガス・湿度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030894B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763443A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of sensor for superfine powder |
| JPS58105049A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | No↓2ガス検知器ならびに検知方法 |
| JPS5990040A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 一酸化炭素ガス検知器 |
-
1979
- 1979-05-29 JP JP54066463A patent/JPS6030894B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55158549A (en) | 1980-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ogawa et al. | Electrical properties of tin oxide ultrafine particle films | |
| Sinha et al. | Thermal stability of thin PtSi films on silicon substrates | |
| US20030217586A1 (en) | Sensors including metal oxides selective for specific gases and methods for preparing same | |
| Zhang et al. | Finite-size effects in ferroelectric solid solution | |
| JPH04212048A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS6030894B2 (ja) | ガス・湿度センサの製造方法 | |
| Tahar et al. | Humidity‐sensing characteristics of divalent‐metal‐doped indium oxide thin films | |
| US3504325A (en) | Beta-tungsten resistor films and method of forming | |
| JPH02193053A (ja) | 排ガスセンサ及びその製造方法 | |
| US6059937A (en) | Sensor having tin oxide thin film for detecting methane gas and propane gas, and process for manufacturing thereof | |
| JPS588743B2 (ja) | ガス・湿度センサ | |
| JP2996922B2 (ja) | 水素感知用酸化スズ薄膜センサおよびその製造方法 | |
| JPH03123845A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS63103959A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS6133376B2 (ja) | ||
| JPS62262422A (ja) | TiSi2膜の形成方法 | |
| JPS6151260B2 (ja) | ||
| JPS5883245A (ja) | 超微粒子ガス感応膜 | |
| JPH07198648A (ja) | ガス検知膜とその製法 | |
| JPS632054B2 (ja) | ||
| JPH02296140A (ja) | 湿度センサー | |
| JPH06213853A (ja) | ガス検出素子の製造法 | |
| JPS5840694B2 (ja) | ガス・湿度センサの製造方法 | |
| JPS6026455B2 (ja) | ガス・湿度センサ | |
| Williams et al. | Effects of adsorption on the conductance-temperature properties of thin platinum films |