JPH02296387A - Array laser - Google Patents
Array laserInfo
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- JPH02296387A JPH02296387A JP11790889A JP11790889A JPH02296387A JP H02296387 A JPH02296387 A JP H02296387A JP 11790889 A JP11790889 A JP 11790889A JP 11790889 A JP11790889 A JP 11790889A JP H02296387 A JPH02296387 A JP H02296387A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はアレイレーザに関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] This invention relates to an array laser.
第2図は従来のアレイレーザチップの斜視図で、2つの
発光部を持つ場合の例である。図において、p−〇aA
s基板(1)上にn −GaAs IJi流ブo7り層
(2)を例えば液相成長法で成長し、ストライプ状にブ
ロック層(2)の一部を2ケ所除去した後、 p −A
nGaAs下クラッド層(3)、A−gGaA S活性
7#(4)、rl−AfflGaAs上クラッド層(5
り、n−GaAsコンタクト層(6)を順をこ結晶成長
させたものである。ストライプ状(こ除去した部分の間
隔は、例えば1.00μm8度にする。コンタクト層(
6)上(こ電極(7)、基板側に電極(8)を形成し、
2つの発光部間を基板に達する分離溝(9)で分離して
いる。以上の様にしてできたウェハ結晶を、ストライプ
に直交する方向にへき開し、共振器端面u0を形成する
。電極(8)Oこツーラス、電極(7)にマイナスの電
圧を印加すると、電流はブロック層(2)でストライプ
状(こ絞り込まれて、溝の上の活性層(4)は効率よく
注入される。活性層(4)で発光した光は共振器端面間
を往復する間(こ増幅され、共振器端面からチップ外(
こ出射する。ンーザチノプのn側は分離溝(9)で電気
的に分離されており、しかも、2つの発光部間隔は10
0μm8度離れてい6ので、2つのエレメントが干渉す
ることなく、独立に発光させることができる。2つのビ
ームの出射位置は同一へき開平面内(こある。FIG. 2 is a perspective view of a conventional array laser chip, which is an example of a conventional array laser chip having two light emitting sections. In the figure, p-〇aA
An n -GaAs IJi block layer (2) is grown on the s substrate (1) by, for example, a liquid phase growth method, and after removing part of the block layer (2) in two stripes, the p -A
nGaAs lower cladding layer (3), A-gGaAs S active 7# (4), rl-AfflGaAs upper cladding layer (5)
Then, an n-GaAs contact layer (6) is grown in this order. Striped (the distance between the removed parts is, for example, 1.00 μm, 8 degrees). Contact layer (
6) Form the upper electrode (7) and the electrode (8) on the substrate side,
The two light emitting parts are separated by a separation groove (9) that reaches the substrate. The wafer crystal produced as described above is cleaved in a direction perpendicular to the stripes to form a resonator end face u0. When a negative voltage is applied to the electrode (8), the current is narrowed down to a stripe shape in the blocking layer (2), and the active layer (4) above the groove is efficiently injected. While the light emitted from the active layer (4) travels back and forth between the cavity end faces (this is amplified), it is transmitted from the cavity end face to the outside of the chip (
This is emitted. The n-side of the Nzatinop is electrically isolated by a separation groove (9), and the distance between the two light emitting parts is 10
Since they are separated by 0 μm and 8 degrees, the two elements can emit light independently without interference. The emission positions of the two beams are within the same cleavage plane.
第3図は上記アレイレーザを用いた従来の2ビーム追記
形光デイスク装置の要部構成を示す説明図で、アレイレ
ーザaυから出たレーザ光はコリメクレンズq諺を通過
して平行光になり、プリズム03.ビームスプリンタα
夷、1/4波長板α・を通過後、対物ンンズa力で集光
されて、直径1μm程度のスポツmlこなって光デイス
ク北上に照射される。FIG. 3 is an explanatory diagram showing the main parts of a conventional two-beam write-once optical disk device using the above array laser. The laser light emitted from the array laser aυ passes through a collimation lens and becomes parallel light. , Prism 03. beam splinter α
After passing through the 1/4 wavelength plate α, the light is focused by the objective lens a, and is irradiated northward onto the optical disk in the form of a spot with a diameter of about 1 μm.
記録は記録すべき信号に応じて第2図に示すアレイレー
ザ0υのエンメント(lla)をパルス駆動する。For recording, the element (lla) of the array laser 0υ shown in FIG. 2 is driven in pulses according to the signal to be recorded.
アレイレーザエレメント(na)から例えは、ピーク光
出力313mWの光パルスを出す。光学系(コリメータ
レンズ02から対物レンズ(171まで)の透過率が例
えば30憾であれは、ディスクQ81上には直径1μm
程度の範囲に9rnWの光が照射される。元ディスク囮
の記録面(こは、例えばTe系の合金薄膜が塗布しであ
る。この合金薄膜θ)ブロスボットの出つ/こ所は光を
吸収し、急激Gこ発熱して合金薄膜が蒸発する。For example, an optical pulse with a peak optical output of 313 mW is emitted from the array laser element (na). If the transmittance of the optical system (from the collimator lens 02 to the objective lens (171) is 30, for example, the diameter of 1 μm on the disk Q81 is
A light of 9rnW is irradiated to a range of about The recording surface of the original disk decoy (this is coated with a Te-based alloy thin film, for example. This alloy thin film θ) absorbs light at the point where the Brosbot comes out, rapidly generates heat, and the alloy thin film evaporates. do.
光パルス(こ対応して記@膜(こピント(穴)があき、
信号を記録することができる。Light pulse (corresponding to this)
Signals can be recorded.
記録した情報の読み出しはアレイレーザエレメント(n
b)の出射光を用いて行う。アレイレーザエレメント(
Ilb)をDC駆動させ、例えば3mWの光出力を出す
。光Cは記録時と同じ光学系を透過し、ディスク肋上(
こはfl 、9 mwの光が照射される。光はディスク
の記録面で反射され、反射光が対物レンズ(1?)、1
/4波長板α・、ビームスプリンタ0弔、レンズα0を
介して受光素子QljFこ入射する。光ディスク08)
のビットのある部分とない部分とでは光の反射率が異な
る。このため、受光素子に入射する反射光量はビットの
有無(こ応じて変化する。この光ti化からヒントの有
無を検出することで、情報の読み出しをすることができ
る。The recorded information is read out using an array laser element (n
This is carried out using the emitted light of b). Array laser element (
Ilb) is driven by DC and outputs a light output of, for example, 3 mW. Light C passes through the same optical system as during recording, and passes through the top of the disk (
This is illuminated with light of fl and 9 mw. The light is reflected by the recording surface of the disk, and the reflected light is sent to the objective lens (1?), 1
The light enters the light receiving element QljF via the /4 wavelength plate α, the beam splinter 0, and the lens α0. Optical disc 08)
The light reflectance is different between parts with and without bits. Therefore, the amount of reflected light incident on the light receiving element changes depending on the presence or absence of bits. Information can be read by detecting the presence or absence of hints from this light ti conversion.
この従来の実施例では記録用レーザエンメント(lla
)と再生用レーザエレメント(tlb)を別々(こ設け
ているので一信号を記録しながら、連続して再生するこ
とができる。即ち、記録が正確Eこごきたかどうか、デ
ィスクの回転待ちなしくこ確認すること(実時間記@誤
り検出)を実現できる。In this conventional embodiment, a recording laser element (lla
) and a reproduction laser element (TLB) are provided separately, so one signal can be recorded and reproduced continuously.In other words, there is no need to wait for the disk to rotate to see if the recording is accurate or not. It is possible to confirm the details (real time record @ error detection).
第4図はこのアレイレーザの波長対光出力特性曲線図を
示す。記録ビームは上記のように例えば30mWで動作
させる。確認再生ビームは例えば3mWで動作させる。FIG. 4 shows a wavelength versus optical output characteristic curve diagram of this array laser. The recording beam is operated at, for example, 30 mW as described above. The confirmation reproduction beam is operated at, for example, 3 mW.
その時2つのビームの波長は、例えば5nm程度確認再
生ビームの方が長くなる。At this time, the wavelengths of the two beams are longer, for example, by about 5 nm, with the confirmation reproduction beam being longer.
通常、光学系は色収差を持っており、この色収差によっ
て記録用光スポットと確認再生用光スボントの焦点位置
がずれる。対物レンズによる像点のずれは、例えば5n
mの波長変動で0.75μm程度をこなる。この焦点ず
れ(こよって、いずれか−万のビームしか焦点が合わず
、記録あるいは再生特性が低下する。Normally, an optical system has chromatic aberration, and this chromatic aberration causes the focal positions of the recording light spot and the confirmation/reproduction light bulb to shift. The deviation of the image point due to the objective lens is, for example, 5n
A wavelength variation of m corresponds to about 0.75 μm. This defocus (therefore, only some - 10,000 beams are in focus, degrading the recording or reproducing characteristics).
従来のアレイレーザは以上のように構成されていたので
、記録用ビームと確認再生ビームとが。Conventional array lasers were configured as described above, with a recording beam and a confirmation/reproduction beam.
出射方向に対し同一平面内にあるように構成されている
ため、2つのビームの波長差が光学系の色収差をこまっ
て焦点すれを引き起こすという問題点があった。Since the two beams are arranged in the same plane with respect to the emission direction, there is a problem in that the wavelength difference between the two beams causes chromatic aberration of the optical system and causes defocusing.
この発明は上記のような問題点を解消するため(こなさ
れたもので、記録時と確認再生時とで波長差による焦点
ずれの発生しない光デイスク用アレイレーザを得ること
を目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain an array laser for an optical disk in which no focal shift occurs due to a wavelength difference between recording and confirmation reproduction.
この発明昏こ係るアノイV−ザは記録用レーザエレメン
トの光出射位置(共振器端面)と確認再生用V−ザエレ
メントの光出射位置とを出射方向にずらせるよう(こし
たものである。In the annoy V-za according to the present invention, the light emitting position of the recording laser element (resonator end face) and the light emitting position of the confirming and reproducing V-the element are shifted in the emission direction.
〔作用]
この発明(こおける記録用V−ザエンメントの光出射位
置と確認再生用レーザエンメントの光出射位置との出射
方向のずれは、光学系(こよって生じる記録用ビームと
確認再生用ビームとの焦点位置差を打ち消す。[Function] In this invention, the deviation in the emission direction between the light emission position of the recording V-enment and the light emission position of the confirmation and reproduction laser element is caused by the optical system (thereby causing a recording beam and a confirmation and reproduction beam. cancel out the focal position difference between
以下、この発明の一実施例を図(こついて説明する。第
1図に2いて、図中符号(1)〜U、Iは前記従来のも
のと同一である。即ち、図に示すように従来のものと異
なる点は確認再生用レーザビームの出射位置(共振器端
面)を、記録用レーザビームの出射位置より出射方向曇
こ対し、下げた点にある。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be explained in detail.In FIG. The difference from the conventional one is that the emission position of the confirmation and reproduction laser beam (resonator end face) is lower than the emission position of the recording laser beam in the emission direction.
これを実現するには、確認再生用の共振器端面を例えば
、FIB(集束イオノビーム)でエツチングしてやれば
よい。エンチング面はへき開面と同様に共握ミラーとし
て作用する。端面からエソチンダする深さは、2つのビ
ームの波長差によって生じるディスク面上での焦点ずれ
と、2つのビムの発光位置のずれによる焦点ずれとが互
い(こ打消し合う長さにすればよい。To achieve this, the end face of the resonator for confirmation reproduction may be etched using, for example, an FIB (focused ion beam). Like the cleavage plane, the etching plane acts as a co-grasp mirror. The depth from the end surface should be such that the focal shift on the disk surface caused by the wavelength difference between the two beams and the focal shift due to the shift in the light emission positions of the two beams cancel each other out. .
この実施例で記録しながら確認再生を行うには、従来の
ものと同様、記録用ンーザエレメント(20a)を記録
すべき信号に応じてパルス駆動(例えば光出力311m
W) L/、確認再生用ンーザエレメント(20b)を
DC駆動(例えば光出力3rnW)する。記録用エレメ
ント(20a)と確認再生用工Vメント(20b)から
出射される光ζこは、従来のものと同様、例えば5nm
の波長差がある。しかし、波長の長い確認再生用ビーム
の光出射位置が光学系に対し、記録用ビームよりも光学
系Qこ対して離れた位置にあるので、光学系が色収差を
もっていても、光学系を通過した後の焦点位置は揃うこ
とになる。In this embodiment, in order to perform confirmation playback while recording, the recording sensor element (20a) is pulse-driven (for example, with an optical output of 311 m
W) L/, DC drive (for example, optical output 3rnW) the confirming reproduction element (20b). The light ζ emitted from the recording element (20a) and the confirmation/reproduction device (20b) is, for example, 5 nm, similar to the conventional one.
There is a wavelength difference of However, since the light exit position of the confirmation and reproduction beam with a long wavelength is located further away from the optical system than the recording beam, even if the optical system has chromatic aberration, the light that passes through the optical system is The subsequent focal positions will be aligned.
なお、上記実施例では追記形光ディスクの場合を例にと
って説明したが、書換形光ディスクの場合も上記と同様
の効果がある。Although the above embodiment has been explained using a write-once optical disc as an example, the same effect as described above can be obtained in the case of a rewritable optical disc.
また、上記実施例では確認再生用ビームの発振波長の方
が長い場合について説明したが、記録用ビームの発振波
長が長い場合(こは、逆に、記録用エレメントの万をエ
ツチングして出射位置を下げればよい。In addition, in the above embodiment, the case where the oscillation wavelength of the confirmation and reproduction beam is longer is explained, but when the oscillation wavelength of the recording beam is longer (in this case, conversely, the oscillation wavelength of the recording element is etched and the emission position is All you have to do is lower it.
また、上記実施例ではA/?Ga As系材料の7−ザ
の場合(こついて説明したか、AIK;aAs系以外の
材料、例えばInGaAs P系、AlgaI n P
系でも上記と同様の効果がある。Moreover, in the above embodiment, A/? In the case of GaAs-based materials (Have I explained this carefully? AIK; materials other than aAs-based materials, such as InGaAs P-based, AlgaInP
The same effect as above can be obtained in systems.
さらに、上記実施例ではV−ザ構造としてp基板を用い
た内部ストライブ形を例にあげfこが、n基板であって
も、他の7−ザ構造であっても上記と同様の効果がある
。Furthermore, in the above embodiment, an internal stripe type using a p-substrate is used as the V-the structure, but the same effect as above can be obtained even if it is an n-substrate or other 7-a structure. There is.
マタ、上記実施例ではエツチング方法としてFIBを例
にあげたが、エンチング面がミラー面となるものであれ
ば、化学エンチング等地の方法でも上記と同様の効果が
ある。In the above embodiment, FIB was used as an example of the etching method, but other methods such as chemical etching can also have the same effect as above, as long as the etched surface becomes a mirror surface.
さらtこ、上記実施例では7−ザエVメントの発光部付
近のみをエツチングした場合を示したが、基板も含めて
工Vメントの一部をそっくりエツチングしても、上記と
同様の効果がある。Furthermore, although the above example shows the case where only the vicinity of the light emitting part of the element is etched, the same effect as above can be obtained even if part of the element, including the substrate, is etched entirely. be.
以上のようにこの発明によれば、モノリンツクアフイレ
ーザの記録用ビームの出射位置と確認再生用ビームの出
射位置とを出射方向(こすらすように構成したので光学
系を何ら変更することなく、焦点位置ずれのないアノイ
レーザを安価に、M度良く得られる効果がある。As described above, according to the present invention, the output position of the recording beam of the monolink file laser and the output position of the confirmation/reproduction beam are configured so that they rub in the output direction (rubbing), so that the optical system does not need to be changed in any way. , there is an effect that an anoy laser without focal position deviation can be obtained at low cost and with good M degree.
第1図はこの発明の一実施例によるアンイレザチソプの
構造を示す斜視図、第2図は従来アレイレーザチンプの
構造を示す斜視図、第3図は従来の2ビーム追記形光デ
イスク装置の要部構成説明図、第4図は従来のアVイン
ーザの波長−光出力の特性曲線図を示す。
図に8いて、(1)は基板、(2)は電流ブロフク層。
(3)は下クランド層、(4)は活性層、(5)は上ク
ラッド層、(6)はコンタクト層、(7)18)は電極
、(9)cま分離溝、けQは共振器端面、(211a)
は記録用レーザエレメント、(Δlb)は確認再生用V
−ザエンメントを示す。
なお、図中、同一符号は同一、又O′i相当部分を示す
0FIG. 1 is a perspective view showing the structure of an irradiator according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing the structure of a conventional array laser chip, and FIG. 3 is a main part of a conventional two-beam write-once optical disk device. The configuration explanatory diagram, FIG. 4, shows a wavelength-optical output characteristic curve diagram of a conventional A V inser. In the figure, (1) is the substrate, and (2) is the current block layer. (3) is the lower cladding layer, (4) is the active layer, (5) is the upper cladding layer, (6) is the contact layer, (7) 18) is the electrode, (9) C is the isolation groove, and Q is the resonance Vessel end surface, (211a)
is the laser element for recording, (Δlb) is the V for confirmation playback
- indicates the element. In addition, in the figure, the same reference numerals are the same, and 0 indicates the part corresponding to O'i.
Claims (1)
ーザビームを出射するモノリシックアレイレーザにおい
て、少なくとも1つ以上のレーザビームの出射位置をビ
ームの出射方向に対してずらせたことを特徴とするアレ
イレーザ。In a monolithic array laser that has two or more light emitting parts in the same chip and emits two or more laser beams, the emission position of at least one laser beam is shifted with respect to the beam emission direction. Characteristic array laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11790889A JPH02296387A (en) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | Array laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11790889A JPH02296387A (en) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | Array laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296387A true JPH02296387A (en) | 1990-12-06 |
Family
ID=14723165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11790889A Pending JPH02296387A (en) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | Array laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296387A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232077A (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Sony Corp | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11790889A patent/JPH02296387A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232077A (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Sony Corp | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
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