JPH02296387A - アレイレーザ - Google Patents
アレイレーザInfo
- Publication number
- JPH02296387A JPH02296387A JP11790889A JP11790889A JPH02296387A JP H02296387 A JPH02296387 A JP H02296387A JP 11790889 A JP11790889 A JP 11790889A JP 11790889 A JP11790889 A JP 11790889A JP H02296387 A JPH02296387 A JP H02296387A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はアレイレーザに関するものである。
第2図は従来のアレイレーザチップの斜視図で、2つの
発光部を持つ場合の例である。図において、p−〇aA
s基板(1)上にn −GaAs IJi流ブo7り層
(2)を例えば液相成長法で成長し、ストライプ状にブ
ロック層(2)の一部を2ケ所除去した後、 p −A
nGaAs下クラッド層(3)、A−gGaA S活性
7#(4)、rl−AfflGaAs上クラッド層(5
り、n−GaAsコンタクト層(6)を順をこ結晶成長
させたものである。ストライプ状(こ除去した部分の間
隔は、例えば1.00μm8度にする。コンタクト層(
6)上(こ電極(7)、基板側に電極(8)を形成し、
2つの発光部間を基板に達する分離溝(9)で分離して
いる。以上の様にしてできたウェハ結晶を、ストライプ
に直交する方向にへき開し、共振器端面u0を形成する
。電極(8)Oこツーラス、電極(7)にマイナスの電
圧を印加すると、電流はブロック層(2)でストライプ
状(こ絞り込まれて、溝の上の活性層(4)は効率よく
注入される。活性層(4)で発光した光は共振器端面間
を往復する間(こ増幅され、共振器端面からチップ外(
こ出射する。ンーザチノプのn側は分離溝(9)で電気
的に分離されており、しかも、2つの発光部間隔は10
0μm8度離れてい6ので、2つのエレメントが干渉す
ることなく、独立に発光させることができる。2つのビ
ームの出射位置は同一へき開平面内(こある。
発光部を持つ場合の例である。図において、p−〇aA
s基板(1)上にn −GaAs IJi流ブo7り層
(2)を例えば液相成長法で成長し、ストライプ状にブ
ロック層(2)の一部を2ケ所除去した後、 p −A
nGaAs下クラッド層(3)、A−gGaA S活性
7#(4)、rl−AfflGaAs上クラッド層(5
り、n−GaAsコンタクト層(6)を順をこ結晶成長
させたものである。ストライプ状(こ除去した部分の間
隔は、例えば1.00μm8度にする。コンタクト層(
6)上(こ電極(7)、基板側に電極(8)を形成し、
2つの発光部間を基板に達する分離溝(9)で分離して
いる。以上の様にしてできたウェハ結晶を、ストライプ
に直交する方向にへき開し、共振器端面u0を形成する
。電極(8)Oこツーラス、電極(7)にマイナスの電
圧を印加すると、電流はブロック層(2)でストライプ
状(こ絞り込まれて、溝の上の活性層(4)は効率よく
注入される。活性層(4)で発光した光は共振器端面間
を往復する間(こ増幅され、共振器端面からチップ外(
こ出射する。ンーザチノプのn側は分離溝(9)で電気
的に分離されており、しかも、2つの発光部間隔は10
0μm8度離れてい6ので、2つのエレメントが干渉す
ることなく、独立に発光させることができる。2つのビ
ームの出射位置は同一へき開平面内(こある。
第3図は上記アレイレーザを用いた従来の2ビーム追記
形光デイスク装置の要部構成を示す説明図で、アレイレ
ーザaυから出たレーザ光はコリメクレンズq諺を通過
して平行光になり、プリズム03.ビームスプリンタα
夷、1/4波長板α・を通過後、対物ンンズa力で集光
されて、直径1μm程度のスポツmlこなって光デイス
ク北上に照射される。
形光デイスク装置の要部構成を示す説明図で、アレイレ
ーザaυから出たレーザ光はコリメクレンズq諺を通過
して平行光になり、プリズム03.ビームスプリンタα
夷、1/4波長板α・を通過後、対物ンンズa力で集光
されて、直径1μm程度のスポツmlこなって光デイス
ク北上に照射される。
記録は記録すべき信号に応じて第2図に示すアレイレー
ザ0υのエンメント(lla)をパルス駆動する。
ザ0υのエンメント(lla)をパルス駆動する。
アレイレーザエレメント(na)から例えは、ピーク光
出力313mWの光パルスを出す。光学系(コリメータ
レンズ02から対物レンズ(171まで)の透過率が例
えば30憾であれは、ディスクQ81上には直径1μm
程度の範囲に9rnWの光が照射される。元ディスク囮
の記録面(こは、例えばTe系の合金薄膜が塗布しであ
る。この合金薄膜θ)ブロスボットの出つ/こ所は光を
吸収し、急激Gこ発熱して合金薄膜が蒸発する。
出力313mWの光パルスを出す。光学系(コリメータ
レンズ02から対物レンズ(171まで)の透過率が例
えば30憾であれは、ディスクQ81上には直径1μm
程度の範囲に9rnWの光が照射される。元ディスク囮
の記録面(こは、例えばTe系の合金薄膜が塗布しであ
る。この合金薄膜θ)ブロスボットの出つ/こ所は光を
吸収し、急激Gこ発熱して合金薄膜が蒸発する。
光パルス(こ対応して記@膜(こピント(穴)があき、
信号を記録することができる。
信号を記録することができる。
記録した情報の読み出しはアレイレーザエレメント(n
b)の出射光を用いて行う。アレイレーザエレメント(
Ilb)をDC駆動させ、例えば3mWの光出力を出す
。光Cは記録時と同じ光学系を透過し、ディスク肋上(
こはfl 、9 mwの光が照射される。光はディスク
の記録面で反射され、反射光が対物レンズ(1?)、1
/4波長板α・、ビームスプリンタ0弔、レンズα0を
介して受光素子QljFこ入射する。光ディスク08)
のビットのある部分とない部分とでは光の反射率が異な
る。このため、受光素子に入射する反射光量はビットの
有無(こ応じて変化する。この光ti化からヒントの有
無を検出することで、情報の読み出しをすることができ
る。
b)の出射光を用いて行う。アレイレーザエレメント(
Ilb)をDC駆動させ、例えば3mWの光出力を出す
。光Cは記録時と同じ光学系を透過し、ディスク肋上(
こはfl 、9 mwの光が照射される。光はディスク
の記録面で反射され、反射光が対物レンズ(1?)、1
/4波長板α・、ビームスプリンタ0弔、レンズα0を
介して受光素子QljFこ入射する。光ディスク08)
のビットのある部分とない部分とでは光の反射率が異な
る。このため、受光素子に入射する反射光量はビットの
有無(こ応じて変化する。この光ti化からヒントの有
無を検出することで、情報の読み出しをすることができ
る。
この従来の実施例では記録用レーザエンメント(lla
)と再生用レーザエレメント(tlb)を別々(こ設け
ているので一信号を記録しながら、連続して再生するこ
とができる。即ち、記録が正確Eこごきたかどうか、デ
ィスクの回転待ちなしくこ確認すること(実時間記@誤
り検出)を実現できる。
)と再生用レーザエレメント(tlb)を別々(こ設け
ているので一信号を記録しながら、連続して再生するこ
とができる。即ち、記録が正確Eこごきたかどうか、デ
ィスクの回転待ちなしくこ確認すること(実時間記@誤
り検出)を実現できる。
第4図はこのアレイレーザの波長対光出力特性曲線図を
示す。記録ビームは上記のように例えば30mWで動作
させる。確認再生ビームは例えば3mWで動作させる。
示す。記録ビームは上記のように例えば30mWで動作
させる。確認再生ビームは例えば3mWで動作させる。
その時2つのビームの波長は、例えば5nm程度確認再
生ビームの方が長くなる。
生ビームの方が長くなる。
通常、光学系は色収差を持っており、この色収差によっ
て記録用光スポットと確認再生用光スボントの焦点位置
がずれる。対物レンズによる像点のずれは、例えば5n
mの波長変動で0.75μm程度をこなる。この焦点ず
れ(こよって、いずれか−万のビームしか焦点が合わず
、記録あるいは再生特性が低下する。
て記録用光スポットと確認再生用光スボントの焦点位置
がずれる。対物レンズによる像点のずれは、例えば5n
mの波長変動で0.75μm程度をこなる。この焦点ず
れ(こよって、いずれか−万のビームしか焦点が合わず
、記録あるいは再生特性が低下する。
従来のアレイレーザは以上のように構成されていたので
、記録用ビームと確認再生ビームとが。
、記録用ビームと確認再生ビームとが。
出射方向に対し同一平面内にあるように構成されている
ため、2つのビームの波長差が光学系の色収差をこまっ
て焦点すれを引き起こすという問題点があった。
ため、2つのビームの波長差が光学系の色収差をこまっ
て焦点すれを引き起こすという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するため(こなさ
れたもので、記録時と確認再生時とで波長差による焦点
ずれの発生しない光デイスク用アレイレーザを得ること
を目的とする。
れたもので、記録時と確認再生時とで波長差による焦点
ずれの発生しない光デイスク用アレイレーザを得ること
を目的とする。
この発明昏こ係るアノイV−ザは記録用レーザエレメン
トの光出射位置(共振器端面)と確認再生用V−ザエレ
メントの光出射位置とを出射方向にずらせるよう(こし
たものである。
トの光出射位置(共振器端面)と確認再生用V−ザエレ
メントの光出射位置とを出射方向にずらせるよう(こし
たものである。
〔作用]
この発明(こおける記録用V−ザエンメントの光出射位
置と確認再生用レーザエンメントの光出射位置との出射
方向のずれは、光学系(こよって生じる記録用ビームと
確認再生用ビームとの焦点位置差を打ち消す。
置と確認再生用レーザエンメントの光出射位置との出射
方向のずれは、光学系(こよって生じる記録用ビームと
確認再生用ビームとの焦点位置差を打ち消す。
以下、この発明の一実施例を図(こついて説明する。第
1図に2いて、図中符号(1)〜U、Iは前記従来のも
のと同一である。即ち、図に示すように従来のものと異
なる点は確認再生用レーザビームの出射位置(共振器端
面)を、記録用レーザビームの出射位置より出射方向曇
こ対し、下げた点にある。
1図に2いて、図中符号(1)〜U、Iは前記従来のも
のと同一である。即ち、図に示すように従来のものと異
なる点は確認再生用レーザビームの出射位置(共振器端
面)を、記録用レーザビームの出射位置より出射方向曇
こ対し、下げた点にある。
これを実現するには、確認再生用の共振器端面を例えば
、FIB(集束イオノビーム)でエツチングしてやれば
よい。エンチング面はへき開面と同様に共握ミラーとし
て作用する。端面からエソチンダする深さは、2つのビ
ームの波長差によって生じるディスク面上での焦点ずれ
と、2つのビムの発光位置のずれによる焦点ずれとが互
い(こ打消し合う長さにすればよい。
、FIB(集束イオノビーム)でエツチングしてやれば
よい。エンチング面はへき開面と同様に共握ミラーとし
て作用する。端面からエソチンダする深さは、2つのビ
ームの波長差によって生じるディスク面上での焦点ずれ
と、2つのビムの発光位置のずれによる焦点ずれとが互
い(こ打消し合う長さにすればよい。
この実施例で記録しながら確認再生を行うには、従来の
ものと同様、記録用ンーザエレメント(20a)を記録
すべき信号に応じてパルス駆動(例えば光出力311m
W) L/、確認再生用ンーザエレメント(20b)を
DC駆動(例えば光出力3rnW)する。記録用エレメ
ント(20a)と確認再生用工Vメント(20b)から
出射される光ζこは、従来のものと同様、例えば5nm
の波長差がある。しかし、波長の長い確認再生用ビーム
の光出射位置が光学系に対し、記録用ビームよりも光学
系Qこ対して離れた位置にあるので、光学系が色収差を
もっていても、光学系を通過した後の焦点位置は揃うこ
とになる。
ものと同様、記録用ンーザエレメント(20a)を記録
すべき信号に応じてパルス駆動(例えば光出力311m
W) L/、確認再生用ンーザエレメント(20b)を
DC駆動(例えば光出力3rnW)する。記録用エレメ
ント(20a)と確認再生用工Vメント(20b)から
出射される光ζこは、従来のものと同様、例えば5nm
の波長差がある。しかし、波長の長い確認再生用ビーム
の光出射位置が光学系に対し、記録用ビームよりも光学
系Qこ対して離れた位置にあるので、光学系が色収差を
もっていても、光学系を通過した後の焦点位置は揃うこ
とになる。
なお、上記実施例では追記形光ディスクの場合を例にと
って説明したが、書換形光ディスクの場合も上記と同様
の効果がある。
って説明したが、書換形光ディスクの場合も上記と同様
の効果がある。
また、上記実施例では確認再生用ビームの発振波長の方
が長い場合について説明したが、記録用ビームの発振波
長が長い場合(こは、逆に、記録用エレメントの万をエ
ツチングして出射位置を下げればよい。
が長い場合について説明したが、記録用ビームの発振波
長が長い場合(こは、逆に、記録用エレメントの万をエ
ツチングして出射位置を下げればよい。
また、上記実施例ではA/?Ga As系材料の7−ザ
の場合(こついて説明したか、AIK;aAs系以外の
材料、例えばInGaAs P系、AlgaI n P
系でも上記と同様の効果がある。
の場合(こついて説明したか、AIK;aAs系以外の
材料、例えばInGaAs P系、AlgaI n P
系でも上記と同様の効果がある。
さらに、上記実施例ではV−ザ構造としてp基板を用い
た内部ストライブ形を例にあげfこが、n基板であって
も、他の7−ザ構造であっても上記と同様の効果がある
。
た内部ストライブ形を例にあげfこが、n基板であって
も、他の7−ザ構造であっても上記と同様の効果がある
。
マタ、上記実施例ではエツチング方法としてFIBを例
にあげたが、エンチング面がミラー面となるものであれ
ば、化学エンチング等地の方法でも上記と同様の効果が
ある。
にあげたが、エンチング面がミラー面となるものであれ
ば、化学エンチング等地の方法でも上記と同様の効果が
ある。
さらtこ、上記実施例では7−ザエVメントの発光部付
近のみをエツチングした場合を示したが、基板も含めて
工Vメントの一部をそっくりエツチングしても、上記と
同様の効果がある。
近のみをエツチングした場合を示したが、基板も含めて
工Vメントの一部をそっくりエツチングしても、上記と
同様の効果がある。
以上のようにこの発明によれば、モノリンツクアフイレ
ーザの記録用ビームの出射位置と確認再生用ビームの出
射位置とを出射方向(こすらすように構成したので光学
系を何ら変更することなく、焦点位置ずれのないアノイ
レーザを安価に、M度良く得られる効果がある。
ーザの記録用ビームの出射位置と確認再生用ビームの出
射位置とを出射方向(こすらすように構成したので光学
系を何ら変更することなく、焦点位置ずれのないアノイ
レーザを安価に、M度良く得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるアンイレザチソプの
構造を示す斜視図、第2図は従来アレイレーザチンプの
構造を示す斜視図、第3図は従来の2ビーム追記形光デ
イスク装置の要部構成説明図、第4図は従来のアVイン
ーザの波長−光出力の特性曲線図を示す。 図に8いて、(1)は基板、(2)は電流ブロフク層。 (3)は下クランド層、(4)は活性層、(5)は上ク
ラッド層、(6)はコンタクト層、(7)18)は電極
、(9)cま分離溝、けQは共振器端面、(211a)
は記録用レーザエレメント、(Δlb)は確認再生用V
−ザエンメントを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又O′i相当部分を示す
0
構造を示す斜視図、第2図は従来アレイレーザチンプの
構造を示す斜視図、第3図は従来の2ビーム追記形光デ
イスク装置の要部構成説明図、第4図は従来のアVイン
ーザの波長−光出力の特性曲線図を示す。 図に8いて、(1)は基板、(2)は電流ブロフク層。 (3)は下クランド層、(4)は活性層、(5)は上ク
ラッド層、(6)はコンタクト層、(7)18)は電極
、(9)cま分離溝、けQは共振器端面、(211a)
は記録用レーザエレメント、(Δlb)は確認再生用V
−ザエンメントを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又O′i相当部分を示す
0
Claims (1)
- 同一チップ内に2つ以上の発光部を有し、2つ以上のレ
ーザビームを出射するモノリシックアレイレーザにおい
て、少なくとも1つ以上のレーザビームの出射位置をビ
ームの出射方向に対してずらせたことを特徴とするアレ
イレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11790889A JPH02296387A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | アレイレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11790889A JPH02296387A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | アレイレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296387A true JPH02296387A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14723165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11790889A Pending JPH02296387A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | アレイレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296387A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232077A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Sony Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11790889A patent/JPH02296387A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232077A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Sony Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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