JPH0229657A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0229657A JPH0229657A JP63179583A JP17958388A JPH0229657A JP H0229657 A JPH0229657 A JP H0229657A JP 63179583 A JP63179583 A JP 63179583A JP 17958388 A JP17958388 A JP 17958388A JP H0229657 A JPH0229657 A JP H0229657A
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- Japan
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- light
- ultraviolet light
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造工程のホトレジスト膜形成工程に
おいて、ホトレジストのコントラスト特性を向上させ、
極めて微細なレジストパターンを形成することのできる
半導体装置の製造方法に関するものである。
おいて、ホトレジストのコントラスト特性を向上させ、
極めて微細なレジストパターンを形成することのできる
半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体素子の高集積化にともない、極めて微細なレジス
トパターンを形成する技術が求められている。従来から
用いられている単層レジストプロセスに代え、単層ホト
レジスト上に光コントラストを強調する物質を塗布する
ことにょシホトレジストのコントラスト特性を向上させ
るＣＥＬ法（Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｌ
ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）やドライエツチング工程を必要
とする多層レジスト法が検討されているが、工程の複雑
化に加え、安定性にも乏しく量産化の点で問題が有る。
トパターンを形成する技術が求められている。従来から
用いられている単層レジストプロセスに代え、単層ホト
レジスト上に光コントラストを強調する物質を塗布する
ことにょシホトレジストのコントラスト特性を向上させ
るＣＥＬ法（Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｌ
ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）やドライエツチング工程を必要
とする多層レジスト法が検討されているが、工程の複雑
化に加え、安定性にも乏しく量産化の点で問題が有る。
近年、簡便な工程で効果的にホトレジストのコントラス
ト特性を向上させる技術として露光後紫外光照射法が開
発された。この方法について第２図に述べる。同図ａは
ノボラック樹脂系のポジ型ホトレジスト膜２を基板１上
に形成したと宅ろを示す。同図すは波長が４３６ｎｍの
紫外光４にょシ、マスクパターン３をホトレジスト膜２
に転写露光する工程を示す。同図Ｃは、基板７をホット
プレート５で１００℃程度に加熱しながらホトレジスト
膜２の表面に波長が２５４ ｎｍの紫外光６を全面照射
する工程を示す。この照射は、不活性ガス雰囲気中又は
、真空中で行う必要がある。同図ｄは、現像処理後、レ
ジストパターン９が形成された状態を示す。
ト特性を向上させる技術として露光後紫外光照射法が開
発された。この方法について第２図に述べる。同図ａは
ノボラック樹脂系のポジ型ホトレジスト膜２を基板１上
に形成したと宅ろを示す。同図すは波長が４３６ｎｍの
紫外光４にょシ、マスクパターン３をホトレジスト膜２
に転写露光する工程を示す。同図Ｃは、基板７をホット
プレート５で１００℃程度に加熱しながらホトレジスト
膜２の表面に波長が２５４ ｎｍの紫外光６を全面照射
する工程を示す。この照射は、不活性ガス雰囲気中又は
、真空中で行う必要がある。同図ｄは、現像処理後、レ
ジストパターン９が形成された状態を示す。
この方法によるコントラスト特性の向上は、ホトレジス
ト膜を加熱しながらその表面に紫外光を照射することに
よって、表面付近でノボラック樹脂と感光剤とが、架橋
反応を生じ、現像液に対して難溶化するためである。
ト膜を加熱しながらその表面に紫外光を照射することに
よって、表面付近でノボラック樹脂と感光剤とが、架橋
反応を生じ、現像液に対して難溶化するためである。
発明が解決しようとする課題
上記の露光後紫外光照射法では、レジストのコントラス
トが向上する反面、レジスト感度が低下し、第２図すの
マスクパターン転写露光に要する時間が長くなる。本発
明は、上記の問題点の解決を図ったものであシ、レジス
ト感度が高く、コントラストの高いレジストパターンを
安定かつ容易に形成することのできる半導体装置の製造
方法である。
トが向上する反面、レジスト感度が低下し、第２図すの
マスクパターン転写露光に要する時間が長くなる。本発
明は、上記の問題点の解決を図ったものであシ、レジス
ト感度が高く、コントラストの高いレジストパターンを
安定かつ容易に形成することのできる半導体装置の製造
方法である。
課題を解決するための手段
本発明では、上記の課題を解決する手段とじて露光後紫
外光照射法において現像処理を施す前に、基板温度を８
０℃以下に保持しながらホトレジスト膜表面に紫外光を
全面照射することによって、少ないマスク転写露光エネ
ルギーで、高いコントラストを持ったレジストパターン
を形成することを可能にしたものである。
外光照射法において現像処理を施す前に、基板温度を８
０℃以下に保持しながらホトレジスト膜表面に紫外光を
全面照射することによって、少ないマスク転写露光エネ
ルギーで、高いコントラストを持ったレジストパターン
を形成することを可能にしたものである。
作 用
本発明における作用は、紫外光によってマスクパターン
をホトレジスト膜に転写露光した後、基板を８０℃以上
１３ｏ℃以下に保持しながらホトレジスト膜の表面に紫
外光を全面照射することによって、その表面の転写未露
光部分を選択的に現像液に対して不溶化させる。その後
、本発明の特徴である基板温度をｓｏｂ以下に保持しな
がらホトレジスタ膜の表面に紫外光を全面照射すること
で、ホトレジスト膜の深層部を現像液に対して可溶化さ
せる。これにより少ないマスクパターン転写露光エネル
ギーでコントラストの高いレジストパターンを形成する
ことができる。また条件を最適化することで現像液によ
るレジストのサイドエツチング量を制御し、矩形から逆
台形の断面を持つレジストパターンを安定に形成するこ
とができる。
をホトレジスト膜に転写露光した後、基板を８０℃以上
１３ｏ℃以下に保持しながらホトレジスト膜の表面に紫
外光を全面照射することによって、その表面の転写未露
光部分を選択的に現像液に対して不溶化させる。その後
、本発明の特徴である基板温度をｓｏｂ以下に保持しな
がらホトレジスタ膜の表面に紫外光を全面照射すること
で、ホトレジスト膜の深層部を現像液に対して可溶化さ
せる。これにより少ないマスクパターン転写露光エネル
ギーでコントラストの高いレジストパターンを形成する
ことができる。また条件を最適化することで現像液によ
るレジストのサイドエツチング量を制御し、矩形から逆
台形の断面を持つレジストパターンを安定に形成するこ
とができる。
実施例
本発明による実施例を、図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明によるレジストパターンの形成工程を
示したものである。同図ａは、基板１にノボラック系の
ポジ型ホトレジスト膜２を１．５μｍの厚さに形成した
ところを示す。同図すは、ホトレジスト膜２にマスクパ
ターン３を波長が４３６ｎｍの紫外光４を用いて転写露
光を行う。
示したものである。同図ａは、基板１にノボラック系の
ポジ型ホトレジスト膜２を１．５μｍの厚さに形成した
ところを示す。同図すは、ホトレジスト膜２にマスクパ
ターン３を波長が４３６ｎｍの紫外光４を用いて転写露
光を行う。
紫外光４の照射量は、約５０ｍＴ／ｃｄである。同図Ｃ
は、基板１を１００℃に保持したホットプレートＳ上で
ホトレジスト膜２の表面に波長が２５４ｎｍの紫外光６
を窒素雰囲気中で全面照射する工程を示す。紫外光６の
照射量は、約１５０ｍＴ／ｄである。同図ｄは、基板１
を２３℃に保持したホットプレート７上でホトレジスト
膜２の表面に波長が４３６ ｎｍの紫外光８を全面照射
する工程を示す。紫外光８の照射量は、約５０ ｍ Ｊ
／ｃｙｔｒである。
は、基板１を１００℃に保持したホットプレートＳ上で
ホトレジスト膜２の表面に波長が２５４ｎｍの紫外光６
を窒素雰囲気中で全面照射する工程を示す。紫外光６の
照射量は、約１５０ｍＴ／ｄである。同図ｄは、基板１
を２３℃に保持したホットプレート７上でホトレジスト
膜２の表面に波長が４３６ ｎｍの紫外光８を全面照射
する工程を示す。紫外光８の照射量は、約５０ ｍ Ｊ
／ｃｙｔｒである。
同図ｅは、現像処理後に形成されたレジストパターン９
を示す。現像液には、市販のノンメタルアルカリ現像液
を使用し、パドル現像を行った。
を示す。現像液には、市販のノンメタルアルカリ現像液
を使用し、パドル現像を行った。
発明の効果
本発明によれば、簡便に単層ホトレジストのコントラス
ト特性の向上が図れ、かつレジスト感度の低下を招くこ
とがない。また矩形から逆台形の断面を持つレジストパ
ターンを安定に形成できるため、レジストパターンをマ
スクとして金属膜の蒸着を行う、リフトオフプロセスを
効果的に行うことができる。以上のごとく本発明は、微
細なレジストパターンを安定して、形成する方法として
工業的価値が高い。
ト特性の向上が図れ、かつレジスト感度の低下を招くこ
とがない。また矩形から逆台形の断面を持つレジストパ
ターンを安定に形成できるため、レジストパターンをマ
スクとして金属膜の蒸着を行う、リフトオフプロセスを
効果的に行うことができる。以上のごとく本発明は、微
細なレジストパターンを安定して、形成する方法として
工業的価値が高い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるしＩシストパターンの形成方法を
示した図、第２図は従来方法によるレジストパターンの
形成方法を示した図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ホトレジスト膜、
３・・・・・・マスクパターン、４・・・・・・紫外光
（波長＝ ４３６ ｎｍ）、５・・・・・・ホットプレ
ート（温度＝１ｏＯ℃）、６・・・・・・紫外光（波長
＝２５４ｎｍ）、７・・・・・・ホットプレート（温度
２３℃）、８・・・・・・紫外光（波長＝４３６ｎｍ）
、９・・・・・・レジヌトパターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名／−
−−基版 ？−ホトレジスト ３−゛マスクパターン ４−９ｉ町ダト光 （５友Ａシー４３６我ｆｉ）９−・
レジ′ストノずターン 寓
示した図、第２図は従来方法によるレジストパターンの
形成方法を示した図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ホトレジスト膜、
３・・・・・・マスクパターン、４・・・・・・紫外光
（波長＝ ４３６ ｎｍ）、５・・・・・・ホットプレ
ート（温度＝１ｏＯ℃）、６・・・・・・紫外光（波長
＝２５４ｎｍ）、７・・・・・・ホットプレート（温度
２３℃）、８・・・・・・紫外光（波長＝４３６ｎｍ）
、９・・・・・・レジヌトパターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名／−
−−基版 ？−ホトレジスト ３−゛マスクパターン ４−９ｉ町ダト光 （５友Ａシー４３６我ｆｉ）９−・
レジ′ストノずターン 寓
Claims (1)
- （１）基板上に形成されたホトレジスト膜に回路パター
ンを転写露光後、基板の温度を８０℃以上、１３０℃以
下に保持しながら前記ホトレジスト膜の表面に紫外光の
第１の全面照射を行い、その後に基板の温度を８０℃以
下に保持しながら前記ホトレジスト膜の表面に紫外光の
第２の全面照射を行った後、現像処理を施すことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179583A JP2583988B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179583A JP2583988B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229657A true JPH0229657A (ja) | 1990-01-31 |
| JP2583988B2 JP2583988B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=16068264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179583A Expired - Lifetime JP2583988B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583988B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03255613A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Matsushita Electron Corp | レジストパターンの形成方法 |
| WO2021166806A1 (ja) * | 2020-02-17 | 2021-08-26 | コネクテッドロボティクス株式会社 | 食器洗浄システム、食器洗浄システム用制御装置及びプログラム |
| JP2025110406A (ja) * | 2022-01-28 | 2025-07-28 | 株式会社東芝 | セラミックス薄膜メタライズ基板の製造方法、チップオンサブマウントの製造方法、および、半導体モジュールの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62129849A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジストパタ−ンの安定化方法 |
| JPS638739A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジストパタ−ンの硬膜化方法 |
| JPH01243052A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179583A patent/JP2583988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62129849A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジストパタ−ンの安定化方法 |
| JPS638739A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジストパタ−ンの硬膜化方法 |
| JPH01243052A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03255613A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Matsushita Electron Corp | レジストパターンの形成方法 |
| WO2021166806A1 (ja) * | 2020-02-17 | 2021-08-26 | コネクテッドロボティクス株式会社 | 食器洗浄システム、食器洗浄システム用制御装置及びプログラム |
| JP2025110406A (ja) * | 2022-01-28 | 2025-07-28 | 株式会社東芝 | セラミックス薄膜メタライズ基板の製造方法、チップオンサブマウントの製造方法、および、半導体モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583988B2 (ja) | 1997-02-19 |
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