JPH0385544A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH0385544A JPH0385544A JP1221686A JP22168689A JPH0385544A JP H0385544 A JPH0385544 A JP H0385544A JP 1221686 A JP1221686 A JP 1221686A JP 22168689 A JP22168689 A JP 22168689A JP H0385544 A JPH0385544 A JP H0385544A
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- JP
- Japan
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- resist pattern
- resist
- substrate
- forming method
- pattern forming
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はレジストパターンを基板上に形成する方法に関
し、特に詳細には解像度の高いレジストパターン形成方
法に関する。
し、特に詳細には解像度の高いレジストパターン形成方
法に関する。
（従来の技術〉
従来半導体基板上に所望の回路パターン、例えば素子、
ゲートおよび配線等を形成するには、一般にリソグラフ
ィ法が用いられている。特にＬＳ Ｉ （Ｌａｒｇｅ
３ｃａｌｅ Ｉ ｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕ
ｉｔ ）の製造では主としてホトリソグラフィ法が用い
られている。
ゲートおよび配線等を形成するには、一般にリソグラフ
ィ法が用いられている。特にＬＳ Ｉ （Ｌａｒｇｅ
３ｃａｌｅ Ｉ ｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕ
ｉｔ ）の製造では主としてホトリソグラフィ法が用い
られている。
ホトリソグラフィ法を用いた従来のホトレジストパター
ン、即ちレジストパターン形成方法を以下に示す。まず
、感光性を有する高分子材料であるホトレジストを回転
塗布機、即ちスピンナを用いて基板上に均一に塗布しレ
ジスト膜を形成する。
ン、即ちレジストパターン形成方法を以下に示す。まず
、感光性を有する高分子材料であるホトレジストを回転
塗布機、即ちスピンナを用いて基板上に均一に塗布しレ
ジスト膜を形成する。
次にこのレジスト膜を大気中にて所定温度で所定時間加
熱する。次に、マスクパターンを介してレジスト膜を露
光しこれを現像する。以上の工程によりレジストパター
ン形成が完了する。
熱する。次に、マスクパターンを介してレジスト膜を露
光しこれを現像する。以上の工程によりレジストパター
ン形成が完了する。
ところで、上記レジスト膜を結像光学系を用いて露光す
るには、単色光を用いて行なう。このためレジスト股上
に定在波が生じ得られたレジストパターンはマスクパタ
ーンを忠実に転写できなくなる（解像度の低下）。また
得られたレジストパターンの寸法等が微小な膜厚変化に
よりばらつくという問題があった。
るには、単色光を用いて行なう。このためレジスト股上
に定在波が生じ得られたレジストパターンはマスクパタ
ーンを忠実に転写できなくなる（解像度の低下）。また
得られたレジストパターンの寸法等が微小な膜厚変化に
よりばらつくという問題があった。
レジストパターンの解像度が悪くまたその形状や寸法が
ばらつ、くと、その後回路パターン等の製造が正確に実
施できなくなり歩留りの低下、製造コストの上昇を生じ
させる原因となっていた。そこで従来では、レジストパ
ターンの解像度の向上および露光余裕を大きくするため
露光工程の後でホトレジスト膜を大気中にて加熱処理し
ていた。
ばらつ、くと、その後回路パターン等の製造が正確に実
施できなくなり歩留りの低下、製造コストの上昇を生じ
させる原因となっていた。そこで従来では、レジストパ
ターンの解像度の向上および露光余裕を大きくするため
露光工程の後でホトレジスト膜を大気中にて加熱処理し
ていた。
この場合、レジストパターンの解像度等の向上および露
光時間の減少等の効果が得られるが十分満足できるまで
には至っていなかった。特に高密度化、高集積化された
回路パターン等が要求される場合、上記した従来の製造
方法では限界があった。
光時間の減少等の効果が得られるが十分満足できるまで
には至っていなかった。特に高密度化、高集積化された
回路パターン等が要求される場合、上記した従来の製造
方法では限界があった。
（発明が解決しようとする課題）
以上説明したように、従来のホトレジストパターン形成
方法により得られるレジストパターンは、マスクパター
ンに対する解像度が低くまた形状がばらつきマスクパタ
ーンを正確に転写できない場合が生じていた。このため
後の製造工程に影響を及ぼし半導体装置の歩留りを低下
させ製造コストを上昇させるという問題があった。
方法により得られるレジストパターンは、マスクパター
ンに対する解像度が低くまた形状がばらつきマスクパタ
ーンを正確に転写できない場合が生じていた。このため
後の製造工程に影響を及ぼし半導体装置の歩留りを低下
させ製造コストを上昇させるという問題があった。
そこで本発明は上記した問題に鑑みてなされたものであ
り、高集積化、高密度化されたレジストパターンの形成
に適した解像度の高いまた形状の良好なレジストパター
ン形成方法を提供することを目的とする。
り、高集積化、高密度化されたレジストパターンの形成
に適した解像度の高いまた形状の良好なレジストパター
ン形成方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段〉
本発明の請求項１！！ａ載のレジストパターン形成方法
は、基板上にレジストを塗布しレジスト膜を形成する塗
布工程と、不活性気体雰囲気中もしくは大気中に前記基
板を設置し前記レジスト膜を加熱する第一加熱処理工程
と、前記レジスト膜を露光づる露光処理工程と、不活性
気体雰囲気中もしくは乾燥気体中に前記基板を設置して
前記レジスト膜を加熱する第二加熱処理工程と、前記レ
ジスト膜を現像する現像処理工程とを有することを特徴
としており、請求項２記載のレジストパターン形成方法
は請求項１記載のレジストパターン形成方法において前
記不活性気体はＮ２ガスであることを特徴としており、
請求項３記載のレジストパターン形成方法は請求項１記
載のレジストパターン形成方法において前記乾燥気体は
乾燥空気であることを特徴としている。
は、基板上にレジストを塗布しレジスト膜を形成する塗
布工程と、不活性気体雰囲気中もしくは大気中に前記基
板を設置し前記レジスト膜を加熱する第一加熱処理工程
と、前記レジスト膜を露光づる露光処理工程と、不活性
気体雰囲気中もしくは乾燥気体中に前記基板を設置して
前記レジスト膜を加熱する第二加熱処理工程と、前記レ
ジスト膜を現像する現像処理工程とを有することを特徴
としており、請求項２記載のレジストパターン形成方法
は請求項１記載のレジストパターン形成方法において前
記不活性気体はＮ２ガスであることを特徴としており、
請求項３記載のレジストパターン形成方法は請求項１記
載のレジストパターン形成方法において前記乾燥気体は
乾燥空気であることを特徴としている。
（作用）
本発明における第一加熱処理工程では、レジスト膜は不
活性気体雰囲気中、例えばＮ２ガス雰囲気中において加
熱処理される。この処理により、レジスト膜はその表層
が酸化等により変質されることなくち密化され基板との
密着性が高まり、露光処理に適した状態となる。さらに
第二加熱処理工程において、不活性気体雰囲気中、例え
ばＮ２ガス雰囲気中もしくは乾燥気体中で加熱処理を行
なう。これによりレジスト膜は非露光部では更に膜のち
密化が促進され、一方露光部では感光剤の熱拡散等が起
こりさらに基板とのｖＭ肴性が高まり、現像処理に適し
た状態となる。よって本発明の方法を用いれば、レジス
トパターンの解像度が高まり、形状も良好となる。
活性気体雰囲気中、例えばＮ２ガス雰囲気中において加
熱処理される。この処理により、レジスト膜はその表層
が酸化等により変質されることなくち密化され基板との
密着性が高まり、露光処理に適した状態となる。さらに
第二加熱処理工程において、不活性気体雰囲気中、例え
ばＮ２ガス雰囲気中もしくは乾燥気体中で加熱処理を行
なう。これによりレジスト膜は非露光部では更に膜のち
密化が促進され、一方露光部では感光剤の熱拡散等が起
こりさらに基板とのｖＭ肴性が高まり、現像処理に適し
た状態となる。よって本発明の方法を用いれば、レジス
トパターンの解像度が高まり、形状も良好となる。
（実施例）
本発明の一実施例であるレジストパターン形成方法を以
下に説明する。ホトレジスト材料としてはＰＦＲ７７５
０レジスト（日本合成ゴム（株〉製〉を用いた。まず、
ＰＦＲ７７５０レジストをスピンナーを用いて半導体基
板、即ち基板１０上に均一に塗布しホトレジスト膜２０
を形成したく塗布工程）。膜厚は、例えば後述する露光
処理工程前において約１．２６μｍの厚さになる様に調
整した。スピンナーによる塗布条件はスピンナーの回転
数を３０００〜６０００ｒｐＩ、塗布＠間を約６０秒と
した。塗布条件は、ホトレジスト材料や膜厚により適当
に調節する必要がある。次に、基板１０を不活性気体雰
囲気中、例えばＮ２ガス雰囲気中に設置した。これには
密閉型のホットプレートを用いた。そして、Ｎ２ガス雰
囲気にて１００℃に保持されたホットプレート上で加熱
した後、この温度に保ちレジスト１１！２０を約２分間
加熱したく第一加熱処理工程）。次に、マスクパターン
を介して、レジスト８２０を露光しレジストパターンを
形成した（露光処理工程）。露光処理の光源としては水
銀スペクトルのｇ＠（波長４３５ｎｍ）を用い、開口数
ＮＡ−０，４５とした。次に、第一加熱処理工程と同様
に基板１０をＮ２ガス雰囲気中に設置し、１１０℃に維
持されたホットプレート上で加熱した後、この温度に保
ちレジスト膜２０を約１分間加熱したく第二加熱処理工
程〉。そして、ＴＭＡ口（テトラメチルアンモニウムヒ
ドロオキサイド）を２．３８ωｔ％含んだ水溶液中に基
板１０を浸し、約５０秒間現像を行ないレジストパター
ンを得た（現像処理工程）。
下に説明する。ホトレジスト材料としてはＰＦＲ７７５
０レジスト（日本合成ゴム（株〉製〉を用いた。まず、
ＰＦＲ７７５０レジストをスピンナーを用いて半導体基
板、即ち基板１０上に均一に塗布しホトレジスト膜２０
を形成したく塗布工程）。膜厚は、例えば後述する露光
処理工程前において約１．２６μｍの厚さになる様に調
整した。スピンナーによる塗布条件はスピンナーの回転
数を３０００〜６０００ｒｐＩ、塗布＠間を約６０秒と
した。塗布条件は、ホトレジスト材料や膜厚により適当
に調節する必要がある。次に、基板１０を不活性気体雰
囲気中、例えばＮ２ガス雰囲気中に設置した。これには
密閉型のホットプレートを用いた。そして、Ｎ２ガス雰
囲気にて１００℃に保持されたホットプレート上で加熱
した後、この温度に保ちレジスト１１！２０を約２分間
加熱したく第一加熱処理工程）。次に、マスクパターン
を介して、レジスト８２０を露光しレジストパターンを
形成した（露光処理工程）。露光処理の光源としては水
銀スペクトルのｇ＠（波長４３５ｎｍ）を用い、開口数
ＮＡ−０，４５とした。次に、第一加熱処理工程と同様
に基板１０をＮ２ガス雰囲気中に設置し、１１０℃に維
持されたホットプレート上で加熱した後、この温度に保
ちレジスト膜２０を約１分間加熱したく第二加熱処理工
程〉。そして、ＴＭＡ口（テトラメチルアンモニウムヒ
ドロオキサイド）を２．３８ωｔ％含んだ水溶液中に基
板１０を浸し、約５０秒間現像を行ないレジストパター
ンを得た（現像処理工程）。
最後に基板１０を加熱しボストベーク処理を行なった。
以上でレジストパターンの形成が完了した。
上記したレジストパターン形成方法を用いて得られたレ
ジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡を用いて
観察した。倍率は２万倍とした。
ジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡を用いて
観察した。倍率は２万倍とした。
その結果、得られたレジストパターンの断面形状は矩形
状でかつそのＴ Ｏｐ ｅｄＱｅが角ばっていること
がわかった。
状でかつそのＴ Ｏｐ ｅｄＱｅが角ばっていること
がわかった。
第１図（ａ ）は本実施例で得られたレジストパターン
２０の断面図であり、第１図（ｂ）は従来例で得られた
レジストパターン３０の断面図である（ともにＱ、５Ｑ
μｓ ｒ ／ｓのｉｍａｇｅである）。
２０の断面図であり、第１図（ｂ）は従来例で得られた
レジストパターン３０の断面図である（ともにＱ、５Ｑ
μｓ ｒ ／ｓのｉｍａｇｅである）。
この従来例のレジストパターン３０は、本実施例におけ
る上記第一と第二加熱処理工程とを大気中で行ったこと
以外、本実施例と同じ方法にてパターンの形成を行った
。
る上記第一と第二加熱処理工程とを大気中で行ったこと
以外、本実施例と同じ方法にてパターンの形成を行った
。
レジストパターン２０の断面形状は、基板１０に接して
いる部分が矩形状を有しており良好な断面形状を持って
いる。これに対し、レジストパターン３０は基板１０に
接している部分が裾広がりになっており形状が崩れてい
る。
いる部分が矩形状を有しており良好な断面形状を持って
いる。これに対し、レジストパターン３０は基板１０に
接している部分が裾広がりになっており形状が崩れてい
る。
第２図は、マスクパターン寸法とレジストパターン寸法
との関係図である。同図において・印は従来のレジスト
パターン形成方法により得られたレジストパターンの寸
法を示し、○印は本実施例のレジストパターン形成方法
により得られたレジストパターンの寸法を示す。マスク
パターンがレジストパターンに正確に転写された場合、
レジストパターン寸法は、原点０から延びる４５°対角
線上にプロットされる。
との関係図である。同図において・印は従来のレジスト
パターン形成方法により得られたレジストパターンの寸
法を示し、○印は本実施例のレジストパターン形成方法
により得られたレジストパターンの寸法を示す。マスク
パターンがレジストパターンに正確に転写された場合、
レジストパターン寸法は、原点０から延びる４５°対角
線上にプロットされる。
マスクパターン寸法が大きい場合、本実施例および従来
例で得られるレジストパターン寸法、を比較するとその
差はほとんど無いことがわかる（ａｌとｂｌ、ａ２とｂ
２、ａ３とｂ３およびａ４とｂ４）。しかし、マスクパ
ターン寸法が小さくなるに従って、本実施例のレジスト
パターン寸法の方がマスクパターン１法からのずれが少
なく正確に転写していることがわかる（ａ５およびａ６
）。
例で得られるレジストパターン寸法、を比較するとその
差はほとんど無いことがわかる（ａｌとｂｌ、ａ２とｂ
２、ａ３とｂ３およびａ４とｂ４）。しかし、マスクパ
ターン寸法が小さくなるに従って、本実施例のレジスト
パターン寸法の方がマスクパターン１法からのずれが少
なく正確に転写していることがわかる（ａ５およびａ６
）。
そして、本実施例の方法では、マスクパターン寸法が０
．５μｍ位まで正しく転写できるが（ａｌ）、従来例の
方法では０．５５μ増位までしか転写できない。よって
本実施例の方法の方が従来例の方法より解像度が０．０
５μｍ優れているといえる。また、本実施例のレジスト
パターンの方は従来例のレジストパターンより４５°対
角線上付近にプロットされているので（ａ ５およびａ
６）より正確にマスクパターンを転写しているといえる
。
．５μｍ位まで正しく転写できるが（ａｌ）、従来例の
方法では０．５５μ増位までしか転写できない。よって
本実施例の方法の方が従来例の方法より解像度が０．０
５μｍ優れているといえる。また、本実施例のレジスト
パターンの方は従来例のレジストパターンより４５°対
角線上付近にプロットされているので（ａ ５およびａ
６）より正確にマスクパターンを転写しているといえる
。
よって本実施例の方法を用いると、従来例の方法を用い
た場合に比べてレジストパターンの解像度が０．０５μ
■向上するといえる。
た場合に比べてレジストパターンの解像度が０．０５μ
■向上するといえる。
尚、この向上は、ＮＡ＝０．５４のレンズで従来の方法
で形成したとき得られる向上と同値である。
で形成したとき得られる向上と同値である。
このように本実施例で示したレジストパターン形成方法
を用いればレジスト膜は硬化し基板との密着性がよくな
り露光処理、現像処理に適した状態になるといえる。よ
って、レジストパターンの解像度が向上し、得られる形
状も崩れることなく良好な形状となる。
を用いればレジスト膜は硬化し基板との密着性がよくな
り露光処理、現像処理に適した状態になるといえる。よ
って、レジストパターンの解像度が向上し、得られる形
状も崩れることなく良好な形状となる。
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく
、例えばＮ２ガス雰囲気の代わりに他の不活性ガス雰囲
気中もしくは大気中で第一加熱処理を行なっても同様の
効果を得ることができる。
、例えばＮ２ガス雰囲気の代わりに他の不活性ガス雰囲
気中もしくは大気中で第一加熱処理を行なっても同様の
効果を得ることができる。
さらに、例えば第二加熱処理工程に用いたＮ２ガスの代
わりに他の不活性ガスあるいは乾燥気体、例えば乾燥空
気を用いても同様の効果を得ることができる。乾燥空気
を用いることによりレジスト膜はさらに硬化し基板との
密着性が向上するので現像処理に適した状態となる。
わりに他の不活性ガスあるいは乾燥気体、例えば乾燥空
気を用いても同様の効果を得ることができる。乾燥空気
を用いることによりレジスト膜はさらに硬化し基板との
密着性が向上するので現像処理に適した状態となる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明のレジストパターン形成方法
では露光処理工程の前後において不活性気体雰囲気中で
加熱処理を行なう。この方法によれば従来例と比較して
レジストパターンの解像度を向上させることができ、か
つ得られる形状も良好となる。よって高集積度、高集積
化された半導体装置の製造に十分効果がある。さらに半
導体装置の製造における歩留りを向上させかつ製造コス
トの低減を図ることができる。
では露光処理工程の前後において不活性気体雰囲気中で
加熱処理を行なう。この方法によれば従来例と比較して
レジストパターンの解像度を向上させることができ、か
つ得られる形状も良好となる。よって高集積度、高集積
化された半導体装置の製造に十分効果がある。さらに半
導体装置の製造における歩留りを向上させかつ製造コス
トの低減を図ることができる。
第１図（ａ ）は本実施例のレジストパターン形成方法
を用いて得られたレジストパターンの断面図、第１図（
ｂ）は従来例のレジストパターン形成方法を用いて得ら
れたレジストパターンの断面図、第２図はマスクパター
ン寸法とレジストパターン寸法との関係図である。 １０・・・半導体基板 ２０・・・レジストパターン 代私弁理士三好秀和
を用いて得られたレジストパターンの断面図、第１図（
ｂ）は従来例のレジストパターン形成方法を用いて得ら
れたレジストパターンの断面図、第２図はマスクパター
ン寸法とレジストパターン寸法との関係図である。 １０・・・半導体基板 ２０・・・レジストパターン 代私弁理士三好秀和
Claims (3)
- （１）基板上にレジストを塗布しレジスト膜を形成する
塗布工程と、 不活性気体雰囲気中もしくは大気中に前記基板を設置し
前記レジスト膜を加熱する第一加熱処理工程と、 前記レジスト膜を露光する露光処理工程と、不活性気体
雰囲気中もしくは乾燥気体中に前記基板を設置して前記
レジスト膜を加熱する第二加熱処理工程と、 前記レジスト膜を現像する現像処理工程と を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 - （２）前記不活性気体はＮ＿２ガスであることを特徴と
する請求項１記載のレジストパターン形成方法。 - （３）前記乾燥気体は乾燥空気であること を特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221686A JPH0385544A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | レジストパターン形成方法 |
| KR1019900013387A KR910005101A (ko) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | 레지스트패턴 형성방법 |
| EP19900116659 EP0415412A3 (en) | 1989-08-30 | 1990-08-30 | Resist pattern fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221686A JPH0385544A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385544A true JPH0385544A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16770690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1221686A Pending JPH0385544A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0415412A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0385544A (ja) |
| KR (1) | KR910005101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730348B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-06-19 | 삼성전자주식회사 | 미세 구조물의 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0427113A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-30 | Tadahiro Omi | レジスト処理装置、レジスト処理方法及びレジストパターン |
| JP3648129B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム |
| JP7359680B2 (ja) * | 2019-07-22 | 2023-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569265A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-24 | Hitachi Ltd | Pattern-forming method |
| KR860002082B1 (ko) * | 1983-01-19 | 1986-11-24 | 가부시기가이샤 도시바 | 레지스트 패턴의 형성 방법 및 장치 |
| ATE47631T1 (de) * | 1985-03-11 | 1989-11-15 | Hoechst Celanese Corp | Verfahren zum herstellen von photoresiststrukturen. |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1221686A patent/JPH0385544A/ja active Pending
-
1990
- 1990-08-29 KR KR1019900013387A patent/KR910005101A/ko not_active Withdrawn
- 1990-08-30 EP EP19900116659 patent/EP0415412A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730348B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-06-19 | 삼성전자주식회사 | 미세 구조물의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0415412A3 (en) | 1991-10-23 |
| EP0415412A2 (en) | 1991-03-06 |
| KR910005101A (ko) | 1991-03-30 |
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