JPH02296706A - 非晶質或いは乱層状で、特に球状形を有する窒化硼素及びその製造方法 - Google Patents
非晶質或いは乱層状で、特に球状形を有する窒化硼素及びその製造方法Info
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- JPH02296706A JPH02296706A JP11186190A JP11186190A JPH02296706A JP H02296706 A JPH02296706 A JP H02296706A JP 11186190 A JP11186190 A JP 11186190A JP 11186190 A JP11186190 A JP 11186190A JP H02296706 A JPH02296706 A JP H02296706A
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- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- -1 ammonium ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 73
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 2
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen trioxide Chemical compound [O-][N+](=O)N=O LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 2
- IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N ethanol;hydrate Chemical compound O.CCO IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002433 hydrophilic molecules Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-[2-(5-methoxy-2-nitrosophenyl)ethyl]-1-nitrosobenzene Chemical compound COC1=CC=C(N=O)C(CCC=2C(=CC=C(OC)C=2)N=O)=C1 YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 102100021569 Apoptosis regulator Bcl-2 Human genes 0.000 description 1
- 101000971171 Homo sapiens Apoptosis regulator Bcl-2 Proteins 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910010277 boron hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002828 nitro derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 235000021395 porridge Nutrition 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
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- C01P2004/00—Particle morphology
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、非晶質或いは乱層状で特に球状形を有する窒
化硼素及びその製造方法に関する。
化硼素及びその製造方法に関する。
[従来技術]
窒化硼素は、例えば工業的に潤滑剤として粉末の形状に
おいて使用され得るか、又は賦形された場合絶縁性又は
耐火性物質として使用され得る化合物である。
おいて使用され得るか、又は賦形された場合絶縁性又は
耐火性物質として使用され得る化合物である。
工業的見地から、賦形時の窒化硼素粉末の見掛は密度が
可能な限り大きい事が要求されるのは、明らかである。
可能な限り大きい事が要求されるのは、明らかである。
この化合物の合成、特にBcxsからの気相中の合成に
おいて直接得られる窒化硼素粉末は、船釣に大気又は水
分に関して高反応性の為にそのままでは使用できない。
おいて直接得られる窒化硼素粉末は、船釣に大気又は水
分に関して高反応性の為にそのままでは使用できない。
更にこれらの粉末は酸素を含有する。酵素が過剰量存在
する場合は、焼成する目的には有害である。酸素はまた
完成品の特性を不利にし得る。それゆえに酸素量が制御
されなければならない。
する場合は、焼成する目的には有害である。酸素はまた
完成品の特性を不利にし得る。それゆえに酸素量が制御
されなければならない。
これらの問題を回避する為に、一般に粉末は高温熱処理
を受ける。不幸にもこれらの熱処理が窒化硼素構造を発
達させる。従って、特に気相合成から生ずる場合、その
構造は非晶質或いは乱層状相からメングラアイト相及び
グラファイト相まで発達する。しかしながら公知の様に
、これらの形態が低充填密度を導きそれゆえに低分散特
性になる。更に該形態は、これらの条件下で生成物の異
方性生長の為に、加圧焼結(fritting)をも不
利にし得る。
を受ける。不幸にもこれらの熱処理が窒化硼素構造を発
達させる。従って、特に気相合成から生ずる場合、その
構造は非晶質或いは乱層状相からメングラアイト相及び
グラファイト相まで発達する。しかしながら公知の様に
、これらの形態が低充填密度を導きそれゆえに低分散特
性になる。更に該形態は、これらの条件下で生成物の異
方性生長の為に、加圧焼結(fritting)をも不
利にし得る。
このことが問題を生ずる。なぜならば温度処理が生成物
に逆傾向の種々の影響をもたらし、そしてそれゆえに妥
協が必要だからである。
に逆傾向の種々の影響をもたらし、そしてそれゆえに妥
協が必要だからである。
[発明の目的]
従って発明の第1の目的は、高充填密度、高分散性及び
低酸素含有量の窒化硼素を提供する事である。発明の第
2の目的は、このような窒化硼素を得る事を可能にする
製造方法を提供する事である。
低酸素含有量の窒化硼素を提供する事である。発明の第
2の目的は、このような窒化硼素を得る事を可能にする
製造方法を提供する事である。
この目的の為に、本発明の窒化硼素の第1の具体例は、
酸素含有量が多(でも10%であり、しかも炭素は含有
しない非晶質或いは乱層状構造を有する。
酸素含有量が多(でも10%であり、しかも炭素は含有
しない非晶質或いは乱層状構造を有する。
本発明の第2の窒化硼素の具体例は、非晶質或いは乱層
状構造及び球状形を有する。
状構造及び球状形を有する。
最後に、窒化硼素を製造する為の本発明の工程は、窒化
硼素の合成の後に減圧烟焼を受ける事を特徴とする。
硼素の合成の後に減圧烟焼を受ける事を特徴とする。
[発明の概要]
上に述べたように2種類の発明の具体例がある。
第1の具体例では、窒化硼素は非晶質或いは乱層状構造
を含有する。窒化硼素は特に酸素及び炭素含有量により
特徴付けられる。窒化硼素の酸素含有量は多(でも10
重量%である。好ましい変形例によれば、該含有量は、
5%以下で更に好ましくは1.5%以下である事が挙げ
られる。
を含有する。窒化硼素は特に酸素及び炭素含有量により
特徴付けられる。窒化硼素の酸素含有量は多(でも10
重量%である。好ましい変形例によれば、該含有量は、
5%以下で更に好ましくは1.5%以下である事が挙げ
られる。
炭素に関して、特に第1の具体例における本発明の化合
物には実質上炭素が含まれない。用語「実質上炭素が含
まれない」は、1000 ppm、更に多くとも300
1)I)Ill、特に多くとも1100ppより小さい
炭素含有量を意味する。
物には実質上炭素が含まれない。用語「実質上炭素が含
まれない」は、1000 ppm、更に多くとも300
1)I)Ill、特に多くとも1100ppより小さい
炭素含有量を意味する。
更に好ましい具体例によれば、窒化硼素は球状形を有す
る。後者の用語は、化合物を構成する粒界又は粒子が球
状に見え、粒界又は粒子が1ミクロン以下の粒径を有す
る物体として存在していると考えられる事を意味する。
る。後者の用語は、化合物を構成する粒界又は粒子が球
状に見え、粒界又は粒子が1ミクロン以下の粒径を有す
る物体として存在していると考えられる事を意味する。
発明の第2の具体例において、窒化硼素は球状形と組み
合わされた非晶質或いは乱層状構造を有する。
合わされた非晶質或いは乱層状構造を有する。
この具体例の変形例によれば、酸素含有量は多くとも1
0%であり、好ましくは多くとも5%で、更に好ましく
は多くとも1.5%である。
0%であり、好ましくは多くとも5%で、更に好ましく
は多くとも1.5%である。
第1の具体例においてと同じく、第2の具体例の化合物
は上で示されたのと同じ意味で炭素が含まれない。
は上で示されたのと同じ意味で炭素が含まれない。
2種類の具体例に依る化合物はまた、共通の特性を有す
る。
る。
第1に、それらはミクロン寸法より小さい寸法の粒界又
は粒子により構成される。一般にこれらの粒子の粒径は
、大きくとも1μmで、好ましくは大きくとも0.3μ
mである。この寸法は、電子顕微鏡分析により決定され
る。
は粒子により構成される。一般にこれらの粒子の粒径は
、大きくとも1μmで、好ましくは大きくとも0.3μ
mである。この寸法は、電子顕微鏡分析により決定され
る。
球状化合物の為に、これらの粒子或いは粒界はその結果
球状形を含有し、微結晶によって構成される。これらの
微結晶は、一般に大きくとも15nm、好ましくは大き
くとも10nmのLc値を有する。a軸線に沿ったこれ
らの微結晶の大きさは、Lc値のオーダーと同じオーダ
ーである。Lcは欠陥が認められないパイルの軸線に対
して垂直な方向の平均距離に相当すると考えられる。こ
れは結晶分析により計測されて、I!(002)の幅を
計測する。
球状形を含有し、微結晶によって構成される。これらの
微結晶は、一般に大きくとも15nm、好ましくは大き
くとも10nmのLc値を有する。a軸線に沿ったこれ
らの微結晶の大きさは、Lc値のオーダーと同じオーダ
ーである。Lcは欠陥が認められないパイルの軸線に対
して垂直な方向の平均距離に相当すると考えられる。こ
れは結晶分析により計測されて、I!(002)の幅を
計測する。
更に本発明の化合物は、100 ppmより少ない金属
不純物、特にアルカリ金属及びAβタイプを含有する。
不純物、特にアルカリ金属及びAβタイプを含有する。
それらはまた、ヘリウムビクノメーターにより決定され
た大きくとも2g/crrf、及び一般には1.6〜1
−9g/crdの絶対・密度を有する。
た大きくとも2g/crrf、及び一般には1.6〜1
−9g/crdの絶対・密度を有する。
これらの化合物の他の特に興味ある特性は、それらの充
填密度である。詰まり、少なくとも0.35g/crr
lの乾燥充填密度を有する。この密度は、おおよそ0.
4g/c%であり得る。従来技術の化合物は、一般に0
.3 g / c rrrより小さい充填密度を有する
事が指摘される。
填密度である。詰まり、少なくとも0.35g/crr
lの乾燥充填密度を有する。この密度は、おおよそ0.
4g/c%であり得る。従来技術の化合物は、一般に0
.3 g / c rrrより小さい充填密度を有する
事が指摘される。
充填密度は次の方法により計測される。粉末的1gを直
径1cmの試験管中に置く。続いて10分間3000r
pmで遠心処理を行なう。遠心処理の後に、粉末により
占められる高さの場所を計測して、それにより乾燥充填
密度が与えられる。
径1cmの試験管中に置く。続いて10分間3000r
pmで遠心処理を行なう。遠心処理の後に、粉末により
占められる高さの場所を計測して、それにより乾燥充填
密度が与えられる。
−Mに、発明の窒化硼素は、8〜300rrf/gの範
囲、好ましくは8〜100rrr/gの範囲の比表面積
を有する。
囲、好ましくは8〜100rrr/gの範囲の比表面積
を有する。
発明の化合物は、各種の興味深い特性を有する。
すなわち、発明の窒化硼素粉末は水中で安定である。粉
末が室温で約0.1重量%の非常な稀釈条件下で水中に
入れられる場合、この安定性は媒体のpHの変化を追跡
する事により測定できる。不安定な化合物の場合、pH
は著しくそして非常に速く変化し、一方溶液は白濁して
ゲルが表われる。完全に安定な化合物の場合、pHの変
化がなくて溶液には見掛状の変化が見られない。
末が室温で約0.1重量%の非常な稀釈条件下で水中に
入れられる場合、この安定性は媒体のpHの変化を追跡
する事により測定できる。不安定な化合物の場合、pH
は著しくそして非常に速く変化し、一方溶液は白濁して
ゲルが表われる。完全に安定な化合物の場合、pHの変
化がなくて溶液には見掛状の変化が見られない。
更に発明の化合物は酸素に対して安定である。
これは、化合物は少量の酸素(この酸素吸収量は次の方
法により計測し得る)、一般には1重量%より少ない量
を吸収することを意味する事が分かる。
法により計測し得る)、一般には1重量%より少ない量
を吸収することを意味する事が分かる。
このように4か月間空気中に貯蔵した後の吸収は1%よ
り小さい。それは400℃で10時間の乾燥ルート酸化
或いは90℃で24時間のモイストベーキング(moi
st stoving )に等しい。
り小さい。それは400℃で10時間の乾燥ルート酸化
或いは90℃で24時間のモイストベーキング(moi
st stoving )に等しい。
最後に、発明の化合物から成形された粗原料成分は等方
性でありグラフディト状窒化硼素から得られた化合物に
似てない(圧縮方向に対する垂直方向において、栓球の
望ましい配向がある)。
性でありグラフディト状窒化硼素から得られた化合物に
似てない(圧縮方向に対する垂直方向において、栓球の
望ましい配向がある)。
発明はまた、上に記載された2種類の具体例に共通した
特性及び性質から離れて、化合物の表面化学に関して異
なる2種類のタイプの製品を得る事を可能にする。
特性及び性質から離れて、化合物の表面化学に関して異
なる2種類のタイプの製品を得る事を可能にする。
第1の場合において、以下の記載で「疎水性の」化合物
と呼ばれる化合物を得る事ができる。
と呼ばれる化合物を得る事ができる。
これらの疎水性化合物は、本質的に次の方法で計測でき
るpH値により特徴付けられる。
るpH値により特徴付けられる。
水−エタノール混合物は、体積で30 ; 70の割合
で調整される。この混合物のPH値は、水酸化ナトリウ
ムを加える事により7 ±1に調整される。続いて窒化
硼素0.3gを混合物26crrrに投入する。あたか
も純粋な水において計測が行なわれたように状態を同じ
にする目的でpH値に注意して、0.5gがそれに加え
らる。疎水性の化合物は上の条件において決定されるよ
うに、明らかに塩基であるpHを有する。これは少なく
とも8、好ましくは少なくとも8.5の値を意味する事
が分かる。
で調整される。この混合物のPH値は、水酸化ナトリウ
ムを加える事により7 ±1に調整される。続いて窒化
硼素0.3gを混合物26crrrに投入する。あたか
も純粋な水において計測が行なわれたように状態を同じ
にする目的でpH値に注意して、0.5gがそれに加え
らる。疎水性の化合物は上の条件において決定されるよ
うに、明らかに塩基であるpHを有する。これは少なく
とも8、好ましくは少なくとも8.5の値を意味する事
が分かる。
これらの疎水化合物はまた、アンモニウムイオンの存在
により特徴付けられる2この存在は、pHが2の化合物
の水溶液中で比電極によって測定する事により明らかに
される。アンモニウムイオン含有量は、約1重量%であ
る。
により特徴付けられる2この存在は、pHが2の化合物
の水溶液中で比電極によって測定する事により明らかに
される。アンモニウムイオン含有量は、約1重量%であ
る。
理論に拘束されるつもりはないが、この表面の化学的性
質は化合物の表面上にアミン基が大量に存在する事に帰
することができる。これらの化合物の赤外スペクトルは
、NH基の存在を明らかにする。
質は化合物の表面上にアミン基が大量に存在する事に帰
することができる。これらの化合物の赤外スペクトルは
、NH基の存在を明らかにする。
疎水化合物の他の特性は、高表面張力である。
後者は、公知の表面張力媒体、すなわち成分が各々様々
な割合の水−エタノール混合物による化合物の湿潤能力
を考慮に入れる事により決定される。疎水化合物は約4
0 dyne/cmの表面張力を有する。
な割合の水−エタノール混合物による化合物の湿潤能力
を考慮に入れる事により決定される。疎水化合物は約4
0 dyne/cmの表面張力を有する。
最後に、疎水化合物は各種の特性を有する。すなわち、
疎水化合物は、水中で好ましい分散性を有する。この分
散性は、化合物から製造されたスリップ(分散液)或い
はスロップ(粥状物)に存在し得る最大乾燥抽出物含有
量によって評価できる。従って1発明の疎水性化合物が
分散剤と共に水中スロップの形で使用される場合、少な
くとも35%の乾燥抽出水性スロップを生ずる。この乾
燥抽出物は次の方法により計測される。テストに使用さ
れる粉末の重量及びその比表面積の関数として決定され
る量の分散剤(TRITONXloo)が水に溶解され
る。この場合使用量は、粉末表面d当たり及び粉末のg
当たり分散剤は0.2重量%で構成される。2フイ/g
の表面積及び約0.1gとして計算して使用される粉末
量に対しては、分散剤の使用量は水中において0.54
重量%である。
疎水化合物は、水中で好ましい分散性を有する。この分
散性は、化合物から製造されたスリップ(分散液)或い
はスロップ(粥状物)に存在し得る最大乾燥抽出物含有
量によって評価できる。従って1発明の疎水性化合物が
分散剤と共に水中スロップの形で使用される場合、少な
くとも35%の乾燥抽出水性スロップを生ずる。この乾
燥抽出物は次の方法により計測される。テストに使用さ
れる粉末の重量及びその比表面積の関数として決定され
る量の分散剤(TRITONXloo)が水に溶解され
る。この場合使用量は、粉末表面d当たり及び粉末のg
当たり分散剤は0.2重量%で構成される。2フイ/g
の表面積及び約0.1gとして計算して使用される粉末
量に対しては、分散剤の使用量は水中において0.54
重量%である。
超音波撹拌をしながら粉末が溶液に注ぎ込まれた。粉末
が凝固した時間が記録されるが、これは比較的突然に起
こる。乾燥抽出物の百分率は、得られた最も濃縮された
スロップ塊における固体百分率である。
が凝固した時間が記録されるが、これは比較的突然に起
こる。乾燥抽出物の百分率は、得られた最も濃縮された
スロップ塊における固体百分率である。
これらの化合物から得られたスロップは良好な安定性と
非常に遅い沈殿性を有する。少なくとも8日間の安定性
を得ることができる 更に、コロイドを圧縮する場合、すなわち初めにスロッ
プ中へ粉末を分散させ次に数バールの圧力下で3戸遇す
ると、グラファイト状化合物の場合の最大値に対して理
論密度の少なくとも50%の密度、好ましくは少なくと
も55%の密度が得られる。これは従来の圧縮にも適合
する。
非常に遅い沈殿性を有する。少なくとも8日間の安定性
を得ることができる 更に、コロイドを圧縮する場合、すなわち初めにスロッ
プ中へ粉末を分散させ次に数バールの圧力下で3戸遇す
ると、グラファイト状化合物の場合の最大値に対して理
論密度の少なくとも50%の密度、好ましくは少なくと
も55%の密度が得られる。これは従来の圧縮にも適合
する。
第2の場合は、以下の説明で「親水性の」化合物と呼ば
れる化合物に相当する。これらの化合物のpHは、疎水
性化合物に関して記載された条件と同様の条件下で決定
される。pHの値は8より小さい、好ましくは精々7.
5である。
れる化合物に相当する。これらの化合物のpHは、疎水
性化合物に関して記載された条件と同様の条件下で決定
される。pHの値は8より小さい、好ましくは精々7.
5である。
理論に拘束されるつもりはないが、これらの化合物の表
面化学特性は、化合物の表面上に多mのヒドロキシル基
が存在する結果である。これらの化合物の赤外線スペク
トルは、OH基の存在を示す。これらの化合物はまた、
適切な表面張力、すなわち40 dyne/cmより小
さい表面張力を有する。
面化学特性は、化合物の表面上に多mのヒドロキシル基
が存在する結果である。これらの化合物の赤外線スペク
トルは、OH基の存在を示す。これらの化合物はまた、
適切な表面張力、すなわち40 dyne/cmより小
さい表面張力を有する。
結局、これらの化合物は水により湿潤される。
水に対して良好に湿潤する事が重要な用途に関して重要
である。
である。
疎水性化合物に関する限りは、従来の圧縮において理論
密度の少なくとも50%及び更には少なくとも55%の
密度を得ることができる。
密度の少なくとも50%及び更には少なくとも55%の
密度を得ることができる。
発明による窒化硼素の製造方法を記載する。この化合物
に本質的特性は、窒化硼素が真空鍜焼を受ける事にある
。
に本質的特性は、窒化硼素が真空鍜焼を受ける事にある
。
■焼温度は通常少なくとも1400℃及び通常は150
0℃〜1900℃の範囲である。■焼は通常数時間持続
する。そして処理される化合物の酸素純度が、燃焼処理
の長さに伴って増加する事が認められた。
0℃〜1900℃の範囲である。■焼は通常数時間持続
する。そして処理される化合物の酸素純度が、燃焼処理
の長さに伴って増加する事が認められた。
可能な限り高真空下で行なう事が明らかに望ましい。し
かしながら発明の工程は、いわゆる−次真空、すなわち
約10〜l mmHHの圧力相当において行なう事がで
きる。発明の好ましい具体例に従うと、作用は動的真空
下で起こる。
かしながら発明の工程は、いわゆる−次真空、すなわち
約10〜l mmHHの圧力相当において行なう事がで
きる。発明の好ましい具体例に従うと、作用は動的真空
下で起こる。
疎水性或いは親水性化合物を得る事は、明らかに燃焼条
件に依存する。
件に依存する。
理論に拘束されるつもりはないが、より多くの三酸化二
窒素を除去するほど得られた化合物がより大きい疎水性
か或いはより小さい親水性を示すようである。後者は処
理より前に窒化硼素が空気中の湿気による加水分解で生
ずる。
窒素を除去するほど得られた化合物がより大きい疎水性
か或いはより小さい親水性を示すようである。後者は処
理より前に窒化硼素が空気中の湿気による加水分解で生
ずる。
−船釣に、疎水化合物は高温、例えば少なくとも160
0℃で長時間、例えば少なくとも2時間の処理及び高真
空により処理する場合に容易に得る事ができる。
0℃で長時間、例えば少なくとも2時間の処理及び高真
空により処理する場合に容易に得る事ができる。
更に同一の処理と仮定した場合、もし出発化合物の酸素
含有量が少ないならば、疎水性化合物が容易に得られる
。
含有量が少ないならば、疎水性化合物が容易に得られる
。
しかしながらもし温度が、例えば1400〜1600℃
より低く、処理時間が、例えば2時間より短(なり及び
真空レベルがより低くなるならば、親水性化合物の製造
には好都合になる。
より低く、処理時間が、例えば2時間より短(なり及び
真空レベルがより低くなるならば、親水性化合物の製造
には好都合になる。
暇焼処理による窒化硼素の製造方法に関して、任意の公
知の合成方法、例えばアンモニア中での硼砂−尿素混合
物の加熱、はう酸或いは酸化硼素及び燐酸カルシウム混
合物のアンモニアによる処理、又は硼酸及び尿素タイプ
ニトロ化合物(例えばメラミンなど)の加熱などを使用
することができる。この合成方法は非晶質或いは乱層状
(turbostratic)化合物を生ずるかぎりは
選択されるであろう。真空燃焼によりこの構造を保持す
ることができる。
知の合成方法、例えばアンモニア中での硼砂−尿素混合
物の加熱、はう酸或いは酸化硼素及び燐酸カルシウム混
合物のアンモニアによる処理、又は硼酸及び尿素タイプ
ニトロ化合物(例えばメラミンなど)の加熱などを使用
することができる。この合成方法は非晶質或いは乱層状
(turbostratic)化合物を生ずるかぎりは
選択されるであろう。真空燃焼によりこの構造を保持す
ることができる。
特に実質上炭素を含有しない好ましい合成方法は、特に
ガス相において、非晶質の窒化硼素でミクロン寸法より
小さい球状粒子を生ずるハロゲン化或いは水素化硼素、
例えばBCj2.及びアンモニアなどからの合成がある
。
ガス相において、非晶質の窒化硼素でミクロン寸法より
小さい球状粒子を生ずるハロゲン化或いは水素化硼素、
例えばBCj2.及びアンモニアなどからの合成がある
。
本発明の興味深い変形によると、窒化硼素は乾燥粉砕或
いは遠心分離を受けることができ、それにより化合物の
充填密度を増加できる事が認められる。粉砕或いは遠心
分離により、上記の粒子の粒子径分布を変えることなし
に化合物を解凝集する事が提供される。
いは遠心分離を受けることができ、それにより化合物の
充填密度を増加できる事が認められる。粉砕或いは遠心
分離により、上記の粒子の粒子径分布を変えることなし
に化合物を解凝集する事が提供される。
これらの処理は鍜焼の前或いは後に、窒化硼素に対して
実施できる。好ましい変形によると、化合物は鍜焼の前
と後の2回の粉砕或いは遠心処理操作を受けることがで
きる。粉砕は任意の公知の手段、例^ばボールミル又は
エアージェットなどにより実施できる。通常粉砕或いは
遠心処理は、特に■焼の後にする場合、乾燥充填密度の
増加が認められな(なるまで実施される。
実施できる。好ましい変形によると、化合物は鍜焼の前
と後の2回の粉砕或いは遠心処理操作を受けることがで
きる。粉砕は任意の公知の手段、例^ばボールミル又は
エアージェットなどにより実施できる。通常粉砕或いは
遠心処理は、特に■焼の後にする場合、乾燥充填密度の
増加が認められな(なるまで実施される。
明確で限定するわけではない発明の具体例を挙げる。
[実施例の説明]
例1
600℃でBCl2.をNH,と反応させる事により得
られた球状形(粒径0.1〜0.2ミクロン)を有する
ミクロン寸法より小さい窒化硼素400gが黒鉛キルン
(窯)において焼成される。
られた球状形(粒径0.1〜0.2ミクロン)を有する
ミクロン寸法より小さい窒化硼素400gが黒鉛キルン
(窯)において焼成される。
0、5 mbarより低い動的真空下で処理が行なわれ
る。温度が600℃まで上げられそして2時間そこで維
持される。暇焼のまえに化合物は9%の酸素を含有した
がところが鍜焼後はほんの2.5%の含有量であった。
る。温度が600℃まで上げられそして2時間そこで維
持される。暇焼のまえに化合物は9%の酸素を含有した
がところが鍜焼後はほんの2.5%の含有量であった。
化合物の球状形及び出発粒子径が維持される。図1から
明らかにされる事として、X線回折において化合物は六
角構造に相当する特徴的形状の2個の広いピークを有す
る。それはそれゆえに乱層状窒化硼素である。テフロン
(Teflon商品名)容器中のターブラ(TLIRB
IJRA商品名)において、シアロン(SIALON商
品名)ローラー300gの存在下で1時間の乾燥粉砕の
後に、化合物は次の特性ニ ー化合物の絶対密度1.68g/cイ、−乾燥充填密度
0.37g/cd、 −20barでコロイド性圧縮の後に成形された化合物
の粗原料密度は理論密度の50%、−水溶性スロップの
最大乾燥抽出物が36%。
明らかにされる事として、X線回折において化合物は六
角構造に相当する特徴的形状の2個の広いピークを有す
る。それはそれゆえに乱層状窒化硼素である。テフロン
(Teflon商品名)容器中のターブラ(TLIRB
IJRA商品名)において、シアロン(SIALON商
品名)ローラー300gの存在下で1時間の乾燥粉砕の
後に、化合物は次の特性ニ ー化合物の絶対密度1.68g/cイ、−乾燥充填密度
0.37g/cd、 −20barでコロイド性圧縮の後に成形された化合物
の粗原料密度は理論密度の50%、−水溶性スロップの
最大乾燥抽出物が36%。
−比表面積27耐/g、
一粒子径はO,l−0,2ミクロン、
−Lc=21
L a = 3.3 nm
を有する。
それは疎水性化合物でpHが8及び表面張力が50、5
〜58.3 dyne/cmであるs pHは記述にお
いて示された方法により決定される。
〜58.3 dyne/cmであるs pHは記述にお
いて示された方法により決定される。
化合物は水に対して相対的に安定である。この安定性は
次の方法において決定される。窒化硼素100mgが計
量され、そしてガラス製るつぼ中の純水10rnj2に
添加される。窒化硼素投入前の水のpHは4.5である
。105分後、pHはまだ4.5である。
次の方法において決定される。窒化硼素100mgが計
量され、そしてガラス製るつぼ中の純水10rnj2に
添加される。窒化硼素投入前の水のpHは4.5である
。105分後、pHはまだ4.5である。
出発窒化硼素、すなわち■焼されていない窒化硼素で同
様の実験を再び始めるとすぐに、pHは5分より短い時
間で4.5から9.5に変化する。
様の実験を再び始めるとすぐに、pHは5分より短い時
間で4.5から9.5に変化する。
例2
前の例と同様のバッチに属する窒化硼素400gが、限
定された窒素雰囲気下(pN2=800mb)において
、同様の熱サイクルによって燃焼される。燃焼の後に化
合物は酸素8%を含有し、黒鉛の、ミクロン寸法より小
さい寸法の構造による栓球の形を取っている。化合物の
X線スペクトルは図2積相当する。前の例に従って粉砕
した後に、次の特性ニ ー粉末の絶対密度は2.13g/Cポ、−乾燥充填密度
は0.27 g / cイ、−20パールでコロイド性
圧縮をした後の粗原料成分密度は理論密度の28%、 一水溶性スロツブの最大乾燥抽出物は28%−比表面積
は32rr?/g、 −L c = 3 1.5 nm。
定された窒素雰囲気下(pN2=800mb)において
、同様の熱サイクルによって燃焼される。燃焼の後に化
合物は酸素8%を含有し、黒鉛の、ミクロン寸法より小
さい寸法の構造による栓球の形を取っている。化合物の
X線スペクトルは図2積相当する。前の例に従って粉砕
した後に、次の特性ニ ー粉末の絶対密度は2.13g/Cポ、−乾燥充填密度
は0.27 g / cイ、−20パールでコロイド性
圧縮をした後の粗原料成分密度は理論密度の28%、 一水溶性スロツブの最大乾燥抽出物は28%−比表面積
は32rr?/g、 −L c = 3 1.5 nm。
−L a = 72.5 nm。
を有する。この化合物のpHは8.6である。
例3
前の例と同じ窒化硼素5gが1550℃で10時間真空
下で鍜焼される。乱層状構造が維持される。酸素含有量
は、はんの1.4%である。乾燥充填密度は例1の化合
物と同一である。
下で鍜焼される。乱層状構造が維持される。酸素含有量
は、はんの1.4%である。乾燥充填密度は例1の化合
物と同一である。
例4
例1の様に球状形の、ミクロン寸法より小さい寸法の窒
化硼素[酸素を5.8%含有するが、その5%は酸化硼
素性の(boroxol ic)酵素である]900g
が例1と同じ鍜焼及び粉砕条件下で処理される。次の暇
焼の化合物の酸素含有量は5.5%である。
化硼素[酸素を5.8%含有するが、その5%は酸化硼
素性の(boroxol ic)酵素である]900g
が例1と同じ鍜焼及び粉砕条件下で処理される。次の暇
焼の化合物の酸素含有量は5.5%である。
化合物は乱層状窒化硼素である。その特性は次ニ
ー比表面積=25ゴ/g、
一乾燥充填密度=0.41g/cd、
−絶対密度=1.65g/cポ、
一粒子径=0,1〜0.2μm、
一20バールでコロイド性圧縮の後の粗原料成分密度=
理論密度の60%、 −LC=2.5nm。
理論密度の60%、 −LC=2.5nm。
−La=3.5nm、
のとおりである。
それはpH9の疎水性化合物であり表面張力は50、5
〜58.3 dyne/cmである。
〜58.3 dyne/cmである。
例5
球状形の、ミクロン寸法より小さい寸法の窒化硼素50
g及び例1に従う出発化合物が、最初は17%の酸素(
それは、酸化硼素性の酸素2.8%を含有する)を含有
するが、1800℃で2時間暇焼される。得られた化合
物は1.1%の酸素含有量を有する。それは次の特性ニ ー絶対密度=1.83g/crtr、 Lc=7.5%m。
g及び例1に従う出発化合物が、最初は17%の酸素(
それは、酸化硼素性の酸素2.8%を含有する)を含有
するが、1800℃で2時間暇焼される。得られた化合
物は1.1%の酸素含有量を有する。それは次の特性ニ ー絶対密度=1.83g/crtr、 Lc=7.5%m。
La=9.5%m。
を有する乱層状窒化硼素である。
それはpH8の疎水性化合物である。
例6
出発化合物は、17%の酸素を含有するが、例1と同様
のタイプの窒化硼素である。それは5 mbarの減圧
下1600℃で2時間暇焼される。
のタイプの窒化硼素である。それは5 mbarの減圧
下1600℃で2時間暇焼される。
球状形を持った乱層状化合物は、次の特性ニー絶対密度
=1.55g/cd、 一比表面積=25ゴ/g、 −L c = 3 nm、 −L a = 5 nm、 が得られる。
=1.55g/cd、 一比表面積=25ゴ/g、 −L c = 3 nm、 −L a = 5 nm、 が得られる。
その酸素含有量は364%である。
pHが7.25及び表面張力が33〜37.5dyne
/amである。
/amである。
第1図は本発明による乱層状化合物のX線スペクトルで
ある。 第2図は従来技術による化合物のX線スペクトルである
。
ある。 第2図は従来技術による化合物のX線スペクトルである
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)非晶質或いは乱層状構造を持ち、多くとも10%の
酸素含有量を有する事及び炭素を含有しない事を特徴と
する窒化硼素。 2)球状形を有する事を特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の窒化硼素。 3)非晶質或いは乱層状構造及び球状形を有する事を特
徴とする窒化硼素。 4)酸素含有量が多くとも10%である特許請求の範囲
第3項に記載の窒化硼素。 5)酸素含有量が多くとも5%、好ましくは多くとも1
.5%である特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記
載の窒化硼素。 6)ミクロン寸法より小さい寸法、特に大きくとも0.
3μmの径を有する粒子により構成される事を特徴とす
る特許請求の範囲第1〜5項のいずれかに記載の窒化硼
素。 7)少なくとも0.35g/cm^3の充填密度を有す
る事を特徴とする特許請求の範囲第1〜6項のいずれか
に記載の窒化硼素。 8)水中で安定である事を特徴とする特許請求の範囲第
1〜7項のいずれかに記載の窒化硼素。 9)炭素を含有しない事を特徴とする特許請求の範囲第
3〜8項のいずれかに記載の窒化硼素。 10)金属元素含有量が100ppmより少ない事を特
徴とする特許請求の範囲第1〜9項のいずれかに記載の
窒化硼素。 11)大きくとも15nm、好ましくは大きくとも10
nmのLc及びLaである微結晶により構成された球状
粒子である事を特徴とする特許請求の範囲第2〜10項
のいずれかに記載の窒化硼素。 12)pHが少なくとも8である事を特徴とする特許請
求の範囲第1〜11項のいずれかに記載の窒化硼素。 13)アンモニウムイオンを含有する事を特徴とする特
許請求の範囲第12項に記載の窒化硼素。 14)表面張力が40dyne/cmより大きい事を特
徴とする特許請求の範囲第12〜13項のいずれかに記
載の窒化硼素。 15)pHが8より小さい事を特徴とする特許請求の範
囲第1〜11項のいずれかに記載の窒化硼素。 16)表面張力が40dyne/cmより小さい事を特
徴とする特許請求の範囲第15項に記載の窒化硼素。 17)窒化硼素が減圧■焼を受けて合成される事を特徴
とする特許請求の範囲第1〜16項のいずれかに記載の
窒化硼素の製造方法。 18)少なくとも1400℃の温度で■焼が行なわれる
事を特徴とする特許請求の範囲第17項に記載の窒化硼
素の製造方法。 19)ガス相で合成される窒化硼素が■焼を受ける事を
特徴とする特許請求の範囲第17〜18項のいずれかに
記載の窒化硼素の製造方法。 20)■焼の前及び/又は後に窒化硼素が粉砕或いは遠
心処理される事を特徴とする特許請求の範囲第17〜1
9項のいずれかに記載の窒化硼素の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR89/05810 | 1989-05-02 | ||
| FR8905810A FR2646663B1 (fr) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | Nitrure de bore amorphe ou turbostratique a morphologie spherique et son procede de preparation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296706A true JPH02296706A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=9381346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11186190A Pending JPH02296706A (ja) | 1989-05-02 | 1990-05-01 | 非晶質或いは乱層状で、特に球状形を有する窒化硼素及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0396448A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02296706A (ja) |
| FR (1) | FR2646663B1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000319704A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-11-21 | Sandvik Ab | 多結晶質立方晶窒化硼素の切削工具インサートの製造方法及び多結晶質立方晶窒化硼素を含む粉末 |
| US6306358B1 (en) | 1998-06-02 | 2001-10-23 | Osamu Yamamoto | Crystalline turbostratic boron nitride powder and method for producing same |
| JP2005097022A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Japan Science & Technology Agency | Iiib族窒化物の合成方法 |
| JP2008174448A (ja) * | 2008-04-08 | 2008-07-31 | Osamu Yamamoto | 結晶性乱層構造窒化硼素 |
| WO2013081061A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | 三菱化学株式会社 | 窒化ホウ素凝集粒子、該粒子を含有する組成物、及び該組成物からなる層を有する三次元集積回路 |
| KR20180089959A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
| KR20180090222A (ko) * | 2018-04-09 | 2018-08-10 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
| KR20190035662A (ko) * | 2018-04-09 | 2019-04-03 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
| JP2020180023A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社日本触媒 | 複合体の製造方法 |
| WO2024106404A1 (ja) * | 2022-11-14 | 2024-05-23 | デンカ株式会社 | 球状窒化ホウ素粉末、樹脂用充填剤、樹脂組成物及び球状窒化ホウ素粉末の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5169613A (en) * | 1991-02-06 | 1992-12-08 | The Ohio State University Research Foundation | Method for the preparation of boron nitride using ammonia-monohaloborane |
| US6348179B1 (en) | 1999-05-19 | 2002-02-19 | University Of New Mexico | Spherical boron nitride process, system and product of manufacture |
| US6824753B2 (en) | 2001-04-24 | 2004-11-30 | Science & Technology Corporation @Unm | Organoboron route and process for preparation of boron nitride |
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| US7060237B1 (en) | 2002-04-22 | 2006-06-13 | Science & Technology Corporation @ Unm | Non-aqueous borate routes to boron nitride |
| US7192644B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-03-20 | Stc.Unm | Non-aqueous borate routes to boron nitride |
| US7494635B2 (en) | 2003-08-21 | 2009-02-24 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Boron nitride agglomerated powder |
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1989
- 1989-05-02 FR FR8905810A patent/FR2646663B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-20 EP EP90401069A patent/EP0396448A1/fr not_active Withdrawn
- 1990-05-01 JP JP11186190A patent/JPH02296706A/ja active Pending
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| JP2015006985A (ja) * | 2011-11-29 | 2015-01-15 | 三菱化学株式会社 | 窒化ホウ素凝集粒子、窒化ホウ素凝集粒子を含有する組成物、及び該組成物からなる層を有する三次元集積回路 |
| US9822294B2 (en) | 2011-11-29 | 2017-11-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Agglomerated boron nitride particles, composition containing said particles, and three-dimensional integrated circuit having layer comprising said composition |
| KR20180089959A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
| US10370255B2 (en) | 2017-02-02 | 2019-08-06 | NAiEEL Technology | Method and apparatus for preparing boron nitride nanotubes by heat treating boron precursor prepared by using air-jet |
| US11518683B2 (en) | 2017-02-02 | 2022-12-06 | NAiEEL Technology | Method and apparatus for preparing boron nitride nanotubes by heat treating boron precursor prepared by using air-jet |
| US11618685B2 (en) | 2017-02-02 | 2023-04-04 | NAiEEL Technology | Method and apparatus for preparing boron nitride nanotubes by heat treating boron precursor prepared by using air-jet |
| KR20190035662A (ko) * | 2018-04-09 | 2019-04-03 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
| KR20180090222A (ko) * | 2018-04-09 | 2018-08-10 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
| JP2020180023A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社日本触媒 | 複合体の製造方法 |
| WO2024106404A1 (ja) * | 2022-11-14 | 2024-05-23 | デンカ株式会社 | 球状窒化ホウ素粉末、樹脂用充填剤、樹脂組成物及び球状窒化ホウ素粉末の製造方法 |
| TWI880455B (zh) * | 2022-11-14 | 2025-04-11 | 日商電化股份有限公司 | 球狀氮化硼粉末、樹脂用填充劑、樹脂組合物以及球狀氮化硼粉末之製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0396448A1 (fr) | 1990-11-07 |
| FR2646663A1 (fr) | 1990-11-09 |
| FR2646663B1 (fr) | 1991-12-27 |
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