JPH02298013A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH02298013A JPH02298013A JP1119002A JP11900289A JPH02298013A JP H02298013 A JPH02298013 A JP H02298013A JP 1119002 A JP1119002 A JP 1119002A JP 11900289 A JP11900289 A JP 11900289A JP H02298013 A JPH02298013 A JP H02298013A
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- Japan
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- valve metal
- electrolytic capacitor
- layer
- lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波領域において低インピーダンス化に適し
た固体電解コンデンサに関するものである０ 従来の技術 近年、電解コンデンサは電源の小型化が進む上で高周波
対応が求められている。高周波化に対応するには電解コ
ンデンサの等価直列抵抗をできるだけ小さくすることが
必要である。しかし、高周波化が進んでインダクタンス
分についてもできるだけ小さくすることが要求されてい
る。
た固体電解コンデンサに関するものである０ 従来の技術 近年、電解コンデンサは電源の小型化が進む上で高周波
対応が求められている。高周波化に対応するには電解コ
ンデンサの等価直列抵抗をできるだけ小さくすることが
必要である。しかし、高周波化が進んでインダクタンス
分についてもできるだけ小さくすることが要求されてい
る。
以下、従来の固体電解コンデンサについて説明する。
第４図は従来の固体電解コンデンサで高周波対応として
作られた機能性高分子電解コンデンサを構成するコンデ
ンサ素子の構成を示したものである。第４図ａは帯状で
片側に所定の間隔で複数の突起部を形作ったコンデンサ
素子箔を示し、第４図すは第４図へを一部拡大した図で
、第４図Ｃは第４図すのＢ−Ｂ線断面図を示したもので
ある。
作られた機能性高分子電解コンデンサを構成するコンデ
ンサ素子の構成を示したものである。第４図ａは帯状で
片側に所定の間隔で複数の突起部を形作ったコンデンサ
素子箔を示し、第４図すは第４図へを一部拡大した図で
、第４図Ｃは第４図すのＢ−Ｂ線断面図を示したもので
ある。
第４図において、１はアルミニウム箔を粗面化し、さら
に誘電体層２を設けた陽極箔、３は導電性高分子層、４
はカーボン層、６は銀ペイント層である。そして前記カ
ーボン層４および銀ペイント層６は陰極引き出しのため
に設けられているもので、この場合、導電性高分子層３
が真の陰極となっている。
に誘電体層２を設けた陽極箔、３は導電性高分子層、４
はカーボン層、６は銀ペイント層である。そして前記カ
ーボン層４および銀ペイント層６は陰極引き出しのため
に設けられているもので、この場合、導電性高分子層３
が真の陰極となっている。
以上のように構成された機能性高分子電解コンデンサを
構成するコンデンサ素子について、以下その電極引き出
し方法について説明する。
構成するコンデンサ素子について、以下その電極引き出
し方法について説明する。
まず、第４図すのＣ−ａの部分に陽極引き出しリードｅ
を溶接する。次に銀ペイント層６と反対側に接する部分
で陽極箔１を切断する。その後、または同時に陰極引き
出しリード７を半田付けなどで取り付けて機能性高分子
電解コンデンサを構成していた。
を溶接する。次に銀ペイント層６と反対側に接する部分
で陽極箔１を切断する。その後、または同時に陰極引き
出しリード７を半田付けなどで取り付けて機能性高分子
電解コンデンサを構成していた。
第６図はコンデンサ素子に両電極を引き出した図を示し
、第５図ａはその平面図、第５図すは第５図ａのＤ−Ｄ
線断面図を示したものである。第５図において、６は陽
極引き出しリード、７は陰極引き出しリードである。
、第５図ａはその平面図、第５図すは第５図ａのＤ−Ｄ
線断面図を示したものである。第５図において、６は陽
極引き出しリード、７は陰極引き出しリードである。
上記以外に第４図ａのような帯状の陽極箔１を使わずに
、先に陽極引き出しり・−ドｅを陽極箔１に溶接した後
、誘電体層２の修復を行い、そして導電性高分子層３、
カーボン層４、銀ペイント層６を形成する方法が従来使
われている。
、先に陽極引き出しり・−ドｅを陽極箔１に溶接した後
、誘電体層２の修復を行い、そして導電性高分子層３、
カーボン層４、銀ペイント層６を形成する方法が従来使
われている。
第６図はその方法で作られた機能性高分子電解コンデン
サを示したもので、第６図ａはその平面図、第６図すは
第６図へのト（線断面図を示す。
サを示したもので、第６図ａはその平面図、第６図すは
第６図へのト（線断面図を示す。
第６図において、８は陽極箔１に接する周辺を弁金属に
置き替えた弁金属陽極引き出しリードである。
置き替えた弁金属陽極引き出しリードである。
この方法では、化成液中に陽極箔１を浸漬して誘電体層
２の修復を行う場合、陽極引き出しり・−ドｅまで化成
液が這い上がってしまい、その結果、単なる陽極引き出
しリード６を使った場合には電圧が印加できないため、
誘電体層２の修復はできない。このようなことを回避す
るために弁金属陽極引き出しリード８が使用されている
。
２の修復を行う場合、陽極引き出しり・−ドｅまで化成
液が這い上がってしまい、その結果、単なる陽極引き出
しリード６を使った場合には電圧が印加できないため、
誘電体層２の修復はできない。このようなことを回避す
るために弁金属陽極引き出しリード８が使用されている
。
第３図は陽極引き出しリード６を取り付けた陽極箔１の
誘電体層２の修復を化成液中で行う様子を示したもので
ある。
誘電体層２の修復を化成液中で行う様子を示したもので
ある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成では、帯状で片側に所定
の間隔で複数の突起部を有するコンデンサ素子箔を固定
するのに帯状の陽極箔１を広く使っていたため、陽極箔
１の有効利用率が半分にも達していないという問題点を
有していた。
の間隔で複数の突起部を有するコンデンサ素子箔を固定
するのに帯状の陽極箔１を広く使っていたため、陽極箔
１の有効利用率が半分にも達していないという問題点を
有していた。
ま／こ弁金属陽極引き出しリード８を使用した場合、弁
金属リード部を半田付は可能な金属に接続するためにあ
る程度の長さが必要となるもので、この場合、リード部
分が機能性高分子電解コンデンサの高周波でのインダク
タンスを大幅に増加させ、さらにコンデンサ形状を複雑
なものにするという問題点を有していた。
金属リード部を半田付は可能な金属に接続するためにあ
る程度の長さが必要となるもので、この場合、リード部
分が機能性高分子電解コンデンサの高周波でのインダク
タンスを大幅に増加させ、さらにコンデンサ形状を複雑
なものにするという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、゛導電性
高分子を用いて高周波領域での低インピーダンス化に適
し、かつ製造上も安価で作りやすい固体電解コンデンサ
を提供することを目的とする。
高分子を用いて高周波領域での低インピーダンス化に適
し、かつ製造上も安価で作りやすい固体電解コンデンサ
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の固体電解コンデンサ
は、弁金属の表面に陽極酸化により誘電体層を設けた陽
極箔を備え、この陽極箔と接する部分とその近傍の陽極
引き出しリードの表面に弁金属層を設けたものである。
は、弁金属の表面に陽極酸化により誘電体層を設けた陽
極箔を備え、この陽極箔と接する部分とその近傍の陽極
引き出しリードの表面に弁金属層を設けたものである。
作用
上記構成とすることによって、陽極箔を帯状で片側に所
定の間隔で複数の突起部をかたち作る必要はなくなυ、
その結果、陽極箔がすべて有効に利用できる。また化成
液中で陽極箔表面の誘電体層の修復を行う場合の陽極引
き出しリードへの化成液の這い上がυに対しては、陽極
箔と接する部分とその近傍の引き出しリードの表面に弁
金属層を設けているため、電圧降下を防止することがで
き、その結果、誘電体層の修復を確実に行うことができ
る。
定の間隔で複数の突起部をかたち作る必要はなくなυ、
その結果、陽極箔がすべて有効に利用できる。また化成
液中で陽極箔表面の誘電体層の修復を行う場合の陽極引
き出しリードへの化成液の這い上がυに対しては、陽極
箔と接する部分とその近傍の引き出しリードの表面に弁
金属層を設けているため、電圧降下を防止することがで
き、その結果、誘電体層の修復を確実に行うことができ
る。
実施例
以下、本発明の実施例について、添付図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は本発明の一実施例における固体電解コンデンサ
であるアルミ機能性高分・子電解コンデンサに使用した
アルミニウム陽極箔と接する部分とその近傍の陽極引き
出しリードの表面に、アルミニウムをスパッタリングに
よりコートした陽極引き出しリードを示したものである
。第１図において、１１は陽極引き出しリード、１２は
弁金属層で、この実施例ではアルｉニウム層を示す。
であるアルミ機能性高分・子電解コンデンサに使用した
アルミニウム陽極箔と接する部分とその近傍の陽極引き
出しリードの表面に、アルミニウムをスパッタリングに
よりコートした陽極引き出しリードを示したものである
。第１図において、１１は陽極引き出しリード、１２は
弁金属層で、この実施例ではアルｉニウム層を示す。
第２図はコンデンサ素子に陰極まで接続した状態を示し
たもので、第２図ａはその横断面図、第２図すは第２図
＆の人−Ａ線断面図を示す。
たもので、第２図ａはその横断面図、第２図すは第２図
＆の人−Ａ線断面図を示す。
第２図において、１３はアルミニウム箔を粗面化し、さ
らに誘電体層１４を陽極酸化により設けた陽極箔、１６
は誘電体層１４の表面に設けた導電性高分子層、１６は
導電性高分子層１６の表面に設けたカーボン層、１７は
カーボン層１６の表面に設けた銀ペイント層、１８は銀
ペイント層１７の一部に接続した陰極引き出しリードで
ある。
らに誘電体層１４を陽極酸化により設けた陽極箔、１６
は誘電体層１４の表面に設けた導電性高分子層、１６は
導電性高分子層１６の表面に設けたカーボン層、１７は
カーボン層１６の表面に設けた銀ペイント層、１８は銀
ペイント層１７の一部に接続した陰極引き出しリードで
ある。
また第２の実施例として、アルミニウムよりなる陽極箔
１３と接する部分とその近傍の陽極引き出しり−ド１１
の表面に、アルミニウムよシなる弁金属層１２を蒸着に
よりコートした陽極引き出しリードを用いてアルミ機能
性高分子電解コンデンサを試作した。
１３と接する部分とその近傍の陽極引き出しり−ド１１
の表面に、アルミニウムよシなる弁金属層１２を蒸着に
よりコートした陽極引き出しリードを用いてアルミ機能
性高分子電解コンデンサを試作した。
また第３の実施例として、アルミニウムよシなる陽極箔
１３と接する部分とその近傍の陽極引き出しリード１１
の表面に、アルミニウムよりなる弁金属層１２を溶射に
よりコートした陽甑引き出しリードを用いてアルミ機能
性高分子電解コンデンサを試作した。
１３と接する部分とその近傍の陽極引き出しリード１１
の表面に、アルミニウムよりなる弁金属層１２を溶射に
よりコートした陽甑引き出しリードを用いてアルミ機能
性高分子電解コンデンサを試作した。
また第４の実施例として、アルミニウムよシなる陽極箔
１３と接する部分とその近傍の陽極引き出しり−ド１１
の表面に、アルミニウムの粉末で構成された導電性塗料
を塗布してコートした陽極引き出しリードを用いてアル
ミ機能性高分子電解コンデンサを試作した。
１３と接する部分とその近傍の陽極引き出しり−ド１１
の表面に、アルミニウムの粉末で構成された導電性塗料
を塗布してコートした陽極引き出しリードを用いてアル
ミ機能性高分子電解コンデンサを試作した。
以上のように構成された固体電解コンデンサについて、
以下、その電極引き出し方法について説明する。
以下、その電極引き出し方法について説明する。
まず、第１図に示された陽極箔１３と接する部分とその
近傍の陽極引き出しリード１１の表面に弁金属層１２を
設け、前記陽極引き出しリード１１を弁金属層１２の部
分で陽極箔１３と溶接する。
近傍の陽極引き出しリード１１の表面に弁金属層１２を
設け、前記陽極引き出しリード１１を弁金属層１２の部
分で陽極箔１３と溶接する。
そして、第３図ａ、ｂ、ａ、ｃｌのように、化成液中で
陽極箔１３の表面の誘電体層１４の修復を行う。この誘
電体層１４の修復を行う場合における陽極引き出しり−
ド１１への化成液の這い上がりに対しては、陽極箔１３
と接する部分とその近傍の陽極引き出しり−ド１１の表
面に弁金属層１２を設けているため、これにより、電圧
降下を防止することができ、その結果、誘電体層１４の
修復を確実に行うことができる。なお、この第３図にお
いて、１９は弁金属陽極引き出しリードである。
陽極箔１３の表面の誘電体層１４の修復を行う。この誘
電体層１４の修復を行う場合における陽極引き出しり−
ド１１への化成液の這い上がりに対しては、陽極箔１３
と接する部分とその近傍の陽極引き出しり−ド１１の表
面に弁金属層１２を設けているため、これにより、電圧
降下を防止することができ、その結果、誘電体層１４の
修復を確実に行うことができる。なお、この第３図にお
いて、１９は弁金属陽極引き出しリードである。
そしてこの誘電体層１４の修復の後、第２図に示すよう
に、誘電体層１４の表面で陰極を引き出そうとする部分
に導電性高分子層１６を形成し、さらにカーボン層１６
、そのうえに銀ペイント層１７を形成する。最後に銀ペ
イント層１７の上に陰極引き出しリード１８を取り付け
る。
に、誘電体層１４の表面で陰極を引き出そうとする部分
に導電性高分子層１６を形成し、さらにカーボン層１６
、そのうえに銀ペイント層１７を形成する。最後に銀ペ
イント層１７の上に陰極引き出しリード１８を取り付け
る。
以上のように構成された固体電解コンデンサについて、
第１表に容量、損失角の正接、漏れ電流の値を示す。第
１表は定格１ｅｖ、定格容量４．７μＦ、７０ｖ化成箔
、箔寸法５ｍｍＸ１２ｍｍの本発明の実施例を示したも
ので、コンデンサとして満足した特性を示している。
第１表に容量、損失角の正接、漏れ電流の値を示す。第
１表は定格１ｅｖ、定格容量４．７μＦ、７０ｖ化成箔
、箔寸法５ｍｍＸ１２ｍｍの本発明の実施例を示したも
ので、コンデンサとして満足した特性を示している。
第１表
（ｎ＝ｓ）
＊１２０Ｈ２の値 ＊＊１ｅＶ２分値なお、本発明の
実施例においては、陽極箔１３および弁金属層１２をア
ルミニウムで構成したものについて説明したが、陽極箔
１゛３あるいは弁金属層１２はアルミニウムの他に、タ
ンタル、チタン、あるいはニオブを用いてもよいことは
言うまでもない。
実施例においては、陽極箔１３および弁金属層１２をア
ルミニウムで構成したものについて説明したが、陽極箔
１゛３あるいは弁金属層１２はアルミニウムの他に、タ
ンタル、チタン、あるいはニオブを用いてもよいことは
言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、弁金属の表面に陽極酸化
により誘電体層を設けた陽極箔を備え、この陽極箔と接
する部分とその近傍の陽極引き出しリードの表面に弁金
属層を設けているため、導電性高分子を用いて高周波領
域での低インピーダンス化に適したものを得ることがで
きるとともに、化成夜中で陽極箔表面の誘電体層の修復
を行う場合の陽極引き出しリードへの化成液の這い上が
りに対しても、弁金属の存在により、電圧効果を防止す
ることができ、その結果、誘電体層の修復を確実に行う
ことができる固体電解コンデンサを実現できるものであ
る。
により誘電体層を設けた陽極箔を備え、この陽極箔と接
する部分とその近傍の陽極引き出しリードの表面に弁金
属層を設けているため、導電性高分子を用いて高周波領
域での低インピーダンス化に適したものを得ることがで
きるとともに、化成夜中で陽極箔表面の誘電体層の修復
を行う場合の陽極引き出しリードへの化成液の這い上が
りに対しても、弁金属の存在により、電圧効果を防止す
ることができ、その結果、誘電体層の修復を確実に行う
ことができる固体電解コンデンサを実現できるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例における固体電解コンデンサ
に使用した陽極箔と接する部分とその近傍の陽極引き出
しリード表面に弁金属を形成した陽極引き出しリードを
示す部分斜視図、第２図は本発明の一実施例における固
体電解コンデンサのコンデンサ素子に陰極まで接続した
状態を示したもので、第２図ａはその平面図、第２図す
は第２図ａのＡ−Ａ線断面図、第３図ａ 、ｂ 、ｃ
、ｄは陽極引き出しリードを取り付けた陽極箔の誘電体
層の修復を化成放中で行う様子を示しだ図、第４図は従
来の固体電解コンデンサのコンデンサ素子の構成を示し
たもので、第４図亀は帯状で片側に所定の間隔で複数の
突起部を形作ったコンデンサ素子箔の正面図、第４図す
は第４図亀を一部拡大した拡大図、第４図Ｃは第４図す
のＢ−Ｂ線断面図、第６図は従来の固体電解コンデンサ
でコンデンサ素子に両電極を引き出した状態を示したも
ので、第６図ａはその平面図、第６図すは第５図ａのＤ
−Ｄ線断面図、第６図は従来の固体電解コンデンサで弁
金属陽極引き出しリードを用いたコンデンサ素子に陰極
まで接続した状態を示したもので、第ｅ国電はその平面
図、第６図すは第６図ａのに−に線断面図である。 １１・・・・・・陽極引き出しリード、１２・・・・・
・弁金属層、１３・・・・・・陽極箔、１４・・・・・
・誘電体層、１６・・・・・・導電性高分子層、１ｅ・
・・・・・カーボン層、１７・・・・・・銀ペイント層
、１８・・・・・・陰極引き出しリード。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１１
−−一陽 ネｂヒ？Ｆ１ き ｄジ ｌノ ソード
１２− 弁４−７鷹層 （２） （ｂ）＋Ｉ’ｌｌ。 ト （ へ ＋
１第４図 （鼻２ （ｂ］ （
Ｑ）第 ５ 図 （ユ２（ｂ） 藁６図
に使用した陽極箔と接する部分とその近傍の陽極引き出
しリード表面に弁金属を形成した陽極引き出しリードを
示す部分斜視図、第２図は本発明の一実施例における固
体電解コンデンサのコンデンサ素子に陰極まで接続した
状態を示したもので、第２図ａはその平面図、第２図す
は第２図ａのＡ−Ａ線断面図、第３図ａ 、ｂ 、ｃ
、ｄは陽極引き出しリードを取り付けた陽極箔の誘電体
層の修復を化成放中で行う様子を示しだ図、第４図は従
来の固体電解コンデンサのコンデンサ素子の構成を示し
たもので、第４図亀は帯状で片側に所定の間隔で複数の
突起部を形作ったコンデンサ素子箔の正面図、第４図す
は第４図亀を一部拡大した拡大図、第４図Ｃは第４図す
のＢ−Ｂ線断面図、第６図は従来の固体電解コンデンサ
でコンデンサ素子に両電極を引き出した状態を示したも
ので、第６図ａはその平面図、第６図すは第５図ａのＤ
−Ｄ線断面図、第６図は従来の固体電解コンデンサで弁
金属陽極引き出しリードを用いたコンデンサ素子に陰極
まで接続した状態を示したもので、第ｅ国電はその平面
図、第６図すは第６図ａのに−に線断面図である。 １１・・・・・・陽極引き出しリード、１２・・・・・
・弁金属層、１３・・・・・・陽極箔、１４・・・・・
・誘電体層、１６・・・・・・導電性高分子層、１ｅ・
・・・・・カーボン層、１７・・・・・・銀ペイント層
、１８・・・・・・陰極引き出しリード。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１１
−−一陽 ネｂヒ？Ｆ１ き ｄジ ｌノ ソード
１２− 弁４−７鷹層 （２） （ｂ）＋Ｉ’ｌｌ。 ト （ へ ＋
１第４図 （鼻２ （ｂ］ （
Ｑ）第 ５ 図 （ユ２（ｂ） 藁６図
Claims (4)
- （１）弁金属の表面に陽極酸化により誘電体層を設けた
陽極箔を備え、この陽極箔と接する部分とその近傍の陽
極引き出しリードの表面に弁金属層を設けたことを特徴
とする固体電解コンデンサ。 - （２）弁金属層は蒸着、スパッタリング、溶射のいずれ
かにより形成した請求項１記載の固体電解コンデンサ。 - （３）弁金属層は弁金属の粉末で構成された導電性塗料
を塗布することにより形成した請求項１記載の固体電解
コンデンサ。 - （４）弁金属層はアルミニウム、タンタル、チタン、ニ
オブのいずれかを用いて構成した請求項１記載の固体電
解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1119002A JPH02298013A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1119002A JPH02298013A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298013A true JPH02298013A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14750567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1119002A Pending JPH02298013A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298013A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1119002A patent/JPH02298013A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6896715B2 (en) | 1998-05-04 | 2005-05-24 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
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