JPH06168855A - 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH06168855A JPH06168855A JP4345478A JP34547892A JPH06168855A JP H06168855 A JPH06168855 A JP H06168855A JP 4345478 A JP4345478 A JP 4345478A JP 34547892 A JP34547892 A JP 34547892A JP H06168855 A JPH06168855 A JP H06168855A
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Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インピーダンスの周波数特性、漏れ電流特性
などの電気的諸特性に優れ、広い温度範囲にわたって諸
特性の安定した小形・大容量化に貢献する積層形固体電
解コンデンサの提供。 【構成】 貫通型のトンネルピット１形成後、立方体状
のピットを無数に形成することで表面を海綿状のピット
２とした陽極基体３を複数積層し形成した陽極積層体５
を、化成処理してその表面に誘電体酸化皮膜６を形成
し、次に誘電体酸化皮膜６表面全体に化学重合膜と電解
重合膜からなる導電性高分子層７を形成し、この導電性
高分子層７上に陰極引出部としての導電体層８を形成し
コンデンサ素子９を構成する。
などの電気的諸特性に優れ、広い温度範囲にわたって諸
特性の安定した小形・大容量化に貢献する積層形固体電
解コンデンサの提供。 【構成】 貫通型のトンネルピット１形成後、立方体状
のピットを無数に形成することで表面を海綿状のピット
２とした陽極基体３を複数積層し形成した陽極積層体５
を、化成処理してその表面に誘電体酸化皮膜６を形成
し、次に誘電体酸化皮膜６表面全体に化学重合膜と電解
重合膜からなる導電性高分子層７を形成し、この導電性
高分子層７上に陰極引出部としての導電体層８を形成し
コンデンサ素子９を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性高分子を固体電
解質とした積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法
に関する。
解質とした積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体電解コンデンサとしては、アルミニ
ウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属を陽極体と
し、この弁作用金属に形成した陽極酸化皮膜を誘電体と
し、この陽極酸化皮膜上に、固体電解質として二酸化マ
ンガンやＴＣＮＱ錯体からなる有機半導体を形成してな
るものがある。
ウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属を陽極体と
し、この弁作用金属に形成した陽極酸化皮膜を誘電体と
し、この陽極酸化皮膜上に、固体電解質として二酸化マ
ンガンやＴＣＮＱ錯体からなる有機半導体を形成してな
るものがある。
【０００３】また、近年、例えば特開昭６２−１８１４
１５号公報に開示された技術に代表されるように、ピロ
ール、チオフェン、フランなどの複素五員環化合物を化
学的、電気化学的な手段を用いて重合形成したポリピロ
ール、ポリチオフェン、ポリフランなどの導電性高分子
を固体電解質とした固体電解コンデンサが開発されてい
る。
１５号公報に開示された技術に代表されるように、ピロ
ール、チオフェン、フランなどの複素五員環化合物を化
学的、電気化学的な手段を用いて重合形成したポリピロ
ール、ポリチオフェン、ポリフランなどの導電性高分子
を固体電解質とした固体電解コンデンサが開発されてい
る。
【０００４】しかして、この導電性高分子は、その電導
度が約１０2 Ｓ／ｃｍと二酸化マンガン（１０-2Ｓ／ｃ
ｍ）やＴＣＮＱ錯体（１０Ｓ／ＣＭ）と比較して非常に
高く、また、熱安定性に優れているなどの特徴を有して
いるため、この導電性高分子を固体電解質として利用す
ることにより、インピーダンスの周波数特性や漏れ電流
などの電気的諸特性に優れ、広い範囲での温度特性に優
れた固体電解コンデンサを得ることが可能である。
度が約１０2 Ｓ／ｃｍと二酸化マンガン（１０-2Ｓ／ｃ
ｍ）やＴＣＮＱ錯体（１０Ｓ／ＣＭ）と比較して非常に
高く、また、熱安定性に優れているなどの特徴を有して
いるため、この導電性高分子を固体電解質として利用す
ることにより、インピーダンスの周波数特性や漏れ電流
などの電気的諸特性に優れ、広い範囲での温度特性に優
れた固体電解コンデンサを得ることが可能である。
【０００５】一方、電子部品の軽薄短小化に伴い、固体
電解コンデンサにおいても、単位体積当たりの容量増大
の目的で陽極体を積層一体化する各種の方法が提案され
ている。すなわち、このような目的に応えたものとし
て、例えば、特開昭６３−２３９９１７号公報に開示さ
れたものがある。
電解コンデンサにおいても、単位体積当たりの容量増大
の目的で陽極体を積層一体化する各種の方法が提案され
ている。すなわち、このような目的に応えたものとし
て、例えば、特開昭６３−２３９９１７号公報に開示さ
れたものがある。
【０００６】この公報に開示された技術は、弁作用金属
板の所定部分に、絶縁物層を形成することで区別した金
属基板の一方に誘電体酸化皮膜、半導体層、導電体層を
順次形成したコンデンサ基板を複数枚積層し、導電ペー
ストで固着するとともに、他方の金属基板露出部を加圧
一体化した後、電気溶接により積層体を形成するもので
ある。
板の所定部分に、絶縁物層を形成することで区別した金
属基板の一方に誘電体酸化皮膜、半導体層、導電体層を
順次形成したコンデンサ基板を複数枚積層し、導電ペー
ストで固着するとともに、他方の金属基板露出部を加圧
一体化した後、電気溶接により積層体を形成するもので
ある。
【０００７】また、特開昭６１−３００２０号公報に開
示されているように、貫通型のトンネルピットを形成し
た陽極基体を積層一体化したものに陽極リードを接続し
た後、酸化皮膜層、半導体層、導電体層を順次形成する
技術などがある。
示されているように、貫通型のトンネルピットを形成し
た陽極基体を積層一体化したものに陽極リードを接続し
た後、酸化皮膜層、半導体層、導電体層を順次形成する
技術などがある。
【０００８】しかしながら、上記前者の技術は、コンデ
ンサ基板を積層した後、金属基板露出部を加圧一体化す
るため、誘電体酸化皮膜、半導体層、導電体層を形成し
た部分へのストレスを防ぎきれず、誘電体酸化皮膜に欠
陥部が生じ、漏れ電流が増大し、ショート不良が発生し
てしまう欠点があった。
ンサ基板を積層した後、金属基板露出部を加圧一体化す
るため、誘電体酸化皮膜、半導体層、導電体層を形成し
た部分へのストレスを防ぎきれず、誘電体酸化皮膜に欠
陥部が生じ、漏れ電流が増大し、ショート不良が発生し
てしまう欠点があった。
【０００９】また、上記後者の技術は、予め形成した積
層体に陽極酸化皮膜層、半導体層、導電体層を形成する
ため、漏れ電流不良、ショート不良の発生がなく、ま
た、貫通型のトンネルピットが積層体を構成する陽極基
体に形成されているため、積層体全体に半導体層、導電
体層が形成される利点を有しているが、一般に貫通型ト
ンネルピットによる陽極基体の表面積アップは少なく、
単位体積当たりの容量増大という点では限度があり、目
的を満足することができなかった。
層体に陽極酸化皮膜層、半導体層、導電体層を形成する
ため、漏れ電流不良、ショート不良の発生がなく、ま
た、貫通型のトンネルピットが積層体を構成する陽極基
体に形成されているため、積層体全体に半導体層、導電
体層が形成される利点を有しているが、一般に貫通型ト
ンネルピットによる陽極基体の表面積アップは少なく、
単位体積当たりの容量増大という点では限度があり、目
的を満足することができなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来開示されている積層形固体電解コンデンサ技術では、
製造工程中に加えられるストレスによって誘電体酸化皮
膜に欠陥部が生じ、電気的諸特性を損ねる問題点を抱え
る結果となったり、また、積層体を構成する陽極基体に
貫通型のトンネルピットを形成したとしても、これだけ
で所望の陽極基体の表面積アップを果たすことは不可能
で、解決すべき課題をもつものであった。
来開示されている積層形固体電解コンデンサ技術では、
製造工程中に加えられるストレスによって誘電体酸化皮
膜に欠陥部が生じ、電気的諸特性を損ねる問題点を抱え
る結果となったり、また、積層体を構成する陽極基体に
貫通型のトンネルピットを形成したとしても、これだけ
で所望の陽極基体の表面積アップを果たすことは不可能
で、解決すべき課題をもつものであった。
【００１１】本発明は、上記のような課題を解決するた
めに成されたもので、その目的は、インピーダンスの周
波数特性、漏れ電流特性などの電気的諸特性に優れ、広
い温度範囲にわたって諸特性の安定した小形・大容量化
に貢献する積層形固体電解コンデンサを提供するもので
ある。
めに成されたもので、その目的は、インピーダンスの周
波数特性、漏れ電流特性などの電気的諸特性に優れ、広
い温度範囲にわたって諸特性の安定した小形・大容量化
に貢献する積層形固体電解コンデンサを提供するもので
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の積層形固体電解
コンデンサは、弁作用金属箔に形成した貫通型のトンネ
ルピットと、更に交流エッチングにより形成した立方体
状のピットにて表面を海綿状のピットに粗面化して得ら
れた陽極基体を複数枚積層し形成した陽極積層体と、こ
の陽極積層体を構成する陽極基体表面全体に形成した誘
電体酸化皮膜と、この誘電体酸化皮膜上に形成した導電
性高分子層と、この導電性高分子層上に形成した導電体
層とを具備したことを特徴とするものである。
コンデンサは、弁作用金属箔に形成した貫通型のトンネ
ルピットと、更に交流エッチングにより形成した立方体
状のピットにて表面を海綿状のピットに粗面化して得ら
れた陽極基体を複数枚積層し形成した陽極積層体と、こ
の陽極積層体を構成する陽極基体表面全体に形成した誘
電体酸化皮膜と、この誘電体酸化皮膜上に形成した導電
性高分子層と、この導電性高分子層上に形成した導電体
層とを具備したことを特徴とするものである。
【００１３】また、上記積層形固体電解コンデンサを得
る手段として弁作用金属箔に貫通型のトンネルピットを
形成し、次に交流エッチングにより立方体状のピットを
無数に形成することで表面を海綿状のピットに粗面化し
た陽極基体を得る工程と、この陽極基体を複数枚積層し
陽極積層体を得る工程と、この陽極積層体を構成する陽
極基体それぞれの表面全体に化成処理により誘電体酸化
皮膜を形成する工程と、この誘電体酸化皮膜上に導電性
高分子層を形成する工程と、この導電性高分子層上に導
電体層を形成する工程とを順次経ることを特徴とするも
のである。
る手段として弁作用金属箔に貫通型のトンネルピットを
形成し、次に交流エッチングにより立方体状のピットを
無数に形成することで表面を海綿状のピットに粗面化し
た陽極基体を得る工程と、この陽極基体を複数枚積層し
陽極積層体を得る工程と、この陽極積層体を構成する陽
極基体それぞれの表面全体に化成処理により誘電体酸化
皮膜を形成する工程と、この誘電体酸化皮膜上に導電性
高分子層を形成する工程と、この導電性高分子層上に導
電体層を形成する工程とを順次経ることを特徴とするも
のである。
【００１４】
【作用】本発明によれば、予め形成した陽極積層体を化
成処理し、陽極積層体を構成する陽極基体それぞれの表
面全体に誘電体酸化皮膜を形成するため、製造工程中に
誘電体酸化皮膜に機械的なストレスによる欠陥部を誘発
する要因、又は導電性高分子層を始め導電体層へのスト
レスもなく、諸特性劣化要因が解消できる。
成処理し、陽極積層体を構成する陽極基体それぞれの表
面全体に誘電体酸化皮膜を形成するため、製造工程中に
誘電体酸化皮膜に機械的なストレスによる欠陥部を誘発
する要因、又は導電性高分子層を始め導電体層へのスト
レスもなく、諸特性劣化要因が解消できる。
【００１５】また、陽極積層体を構成する陽極基体には
貫通型のトンネルピットが形成され、更に交流エッチン
グにより形成した立方体状のピットにて表面を海綿状の
ピットに粗面化しているので、陽極基体積層体内部も含
め表面積が拡大された誘電体酸化皮膜表面全体に、電導
度が高く、熱安定性にも優れた導電性高分子層が、必要
十分な厚さで均一に形成することができる。
貫通型のトンネルピットが形成され、更に交流エッチン
グにより形成した立方体状のピットにて表面を海綿状の
ピットに粗面化しているので、陽極基体積層体内部も含
め表面積が拡大された誘電体酸化皮膜表面全体に、電導
度が高く、熱安定性にも優れた導電性高分子層が、必要
十分な厚さで均一に形成することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。まず、図２に示すように、ミラー指数（１
００）面の占有率が９０％以上のアルミニウム箔を用
い、主に塩素イオンを含む溶液中で８０℃、１０Ａ、１
分直流電解を行うことで貫通型のトンネルピット１を形
成した後、主に塩素イオンと硫酸イオンを含む水溶液中
で５Ａ、１０分交流電解を行うことで立方体状のピット
を無数に形成することで表面を海綿状のピット２とした
陽極基体３を得る。
て説明する。まず、図２に示すように、ミラー指数（１
００）面の占有率が９０％以上のアルミニウム箔を用
い、主に塩素イオンを含む溶液中で８０℃、１０Ａ、１
分直流電解を行うことで貫通型のトンネルピット１を形
成した後、主に塩素イオンと硫酸イオンを含む水溶液中
で５Ａ、１０分交流電解を行うことで立方体状のピット
を無数に形成することで表面を海綿状のピット２とした
陽極基体３を得る。
【００１７】次に、図３に示すように、この陽極基体３
を複数積層し、必要な大きさに打ち抜き、任意な箇所に
陽極リード線４を溶接等にて固着して陽極積層体５を形
成する。
を複数積層し、必要な大きさに打ち抜き、任意な箇所に
陽極リード線４を溶接等にて固着して陽極積層体５を形
成する。
【００１８】しかして、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示
すように、この陽極積層体５を、化成液中で製品定格電
圧に適した電圧で化成処理してその表面に誘電体酸化皮
膜６を形成し、しかる後、２Ｍ−ピロール／エタノール
溶液に５分間浸漬し、更に、０．５Ｍ−過硫酸アンモニ
ウム水溶液に５分間浸漬して化学酸化重合を施し、前記
誘電体酸化皮膜６表面全体にポリピロールからなる化学
重合膜を形成する。
すように、この陽極積層体５を、化成液中で製品定格電
圧に適した電圧で化成処理してその表面に誘電体酸化皮
膜６を形成し、しかる後、２Ｍ−ピロール／エタノール
溶液に５分間浸漬し、更に、０．５Ｍ−過硫酸アンモニ
ウム水溶液に５分間浸漬して化学酸化重合を施し、前記
誘電体酸化皮膜６表面全体にポリピロールからなる化学
重合膜を形成する。
【００１９】その後、支持電解質としてアルキルナフタ
レンスルホン酸塩０．０５ｍｏｌ／リットル、及びピロ
ールモノマー０．２ｍｏｌ／リットルを含む電解酸化重
合液中において、前段の処理で形成した化学重合膜を陽
極とし、外部電極との間で定電流電解酸化重合（１ｍＡ
／ｃｍ2 ，２ｈ）を行い、ポリピロールからなる電解重
合膜を形成し、前記陽極基体３に形成した前記誘電体酸
化皮膜６表面全体に化学重合膜と電解重合膜からなる導
電性高分子層７を形成し、この導電性高分子層７上にグ
ラファイト層及び銀ペースト層を順次形成し陰極引出部
としての導電体層８を形成しコンデンサ素子９を構成す
る。
レンスルホン酸塩０．０５ｍｏｌ／リットル、及びピロ
ールモノマー０．２ｍｏｌ／リットルを含む電解酸化重
合液中において、前段の処理で形成した化学重合膜を陽
極とし、外部電極との間で定電流電解酸化重合（１ｍＡ
／ｃｍ2 ，２ｈ）を行い、ポリピロールからなる電解重
合膜を形成し、前記陽極基体３に形成した前記誘電体酸
化皮膜６表面全体に化学重合膜と電解重合膜からなる導
電性高分子層７を形成し、この導電性高分子層７上にグ
ラファイト層及び銀ペースト層を順次形成し陰極引出部
としての導電体層８を形成しコンデンサ素子９を構成す
る。
【００２０】次に、図４に示すように、前記陽極リード
線４に陽極外部端子１０を、前記導電体層８に陰極外部
端子１１をそれぞれ接続固着し、例えば、トランスファ
ーモールドにより樹脂外装１２を施しコンデンサ本体１
３を形成し、このコンデンサ本体１３の側面から導出し
た前記陽極外部端子１０及び陰極外部端子１１を前記コ
ンデンサ本体１３の側面に沿って底面に至るように折曲
げ加工し完成品としてなるものである。
線４に陽極外部端子１０を、前記導電体層８に陰極外部
端子１１をそれぞれ接続固着し、例えば、トランスファ
ーモールドにより樹脂外装１２を施しコンデンサ本体１
３を形成し、このコンデンサ本体１３の側面から導出し
た前記陽極外部端子１０及び陰極外部端子１１を前記コ
ンデンサ本体１３の側面に沿って底面に至るように折曲
げ加工し完成品としてなるものである。
【００２１】以上のような構成になる積層形固体電解コ
ンデンサによれば、陽極積層体５を構成する陽極基体３
には貫通型のトンネルピット１が形成され、更に交流エ
ッチングにより形成した立方体状のピットを無数に形成
することで表面を海綿状のピット２に粗面化しているの
で、陽極積層体５内部も含め表面積が拡大された誘電体
酸化皮膜６表面全体に、電導度が高く、熱安定性にも優
れた化学重合膜と電解重合膜からなる導電性高分子層７
と、その上に導電体層８が、必要十分な厚さで均一に形
成できる。
ンデンサによれば、陽極積層体５を構成する陽極基体３
には貫通型のトンネルピット１が形成され、更に交流エ
ッチングにより形成した立方体状のピットを無数に形成
することで表面を海綿状のピット２に粗面化しているの
で、陽極積層体５内部も含め表面積が拡大された誘電体
酸化皮膜６表面全体に、電導度が高く、熱安定性にも優
れた化学重合膜と電解重合膜からなる導電性高分子層７
と、その上に導電体層８が、必要十分な厚さで均一に形
成できる。
【００２２】したがって、インピーダンスの周波数特性
などの電気的諸特性の向上及び広い温度範囲での特性の
安定化に寄与できるとともに、小形・大容量化が図れる
効果を有する。
などの電気的諸特性の向上及び広い温度範囲での特性の
安定化に寄与できるとともに、小形・大容量化が図れる
効果を有する。
【００２３】また、陽極基体３に対する誘電体酸化皮膜
６形成を、予め陽極基体３を積層し陽極積層体５とした
状態で行うため、誘電体酸化皮膜６へのストレスもな
く、よって誘電体酸化皮膜６に破損を生じることもな
く、漏れ電流特性の向上及びショート不良の大幅な低減
に寄与する効果も有する。
６形成を、予め陽極基体３を積層し陽極積層体５とした
状態で行うため、誘電体酸化皮膜６へのストレスもな
く、よって誘電体酸化皮膜６に破損を生じることもな
く、漏れ電流特性の向上及びショート不良の大幅な低減
に寄与する効果も有する。
【００２４】次に、本発明の優位性をより明確化するた
めに、本発明による実施例と従来技術による比較例Ａ及
び比較例Ｂとの特性比較について説明する。
めに、本発明による実施例と従来技術による比較例Ａ及
び比較例Ｂとの特性比較について説明する。
【００２５】すなわち、以下に示す実施例と比較例Ａ及
び比較例Ｂとの静電容量、ｔａｎδ、漏れ電流及び周波
数１００ＫＨｚにおける等価直列抵抗（ＥＳＲ）初期特
性を調べた結果、表１に示すようになった。また、実施
例と比較例Ａ及び比較例Ｂそれぞれのインピーダンス−
周波数特性を調べた結果、図５に示すようになった。な
お、試料はそれぞれ１００個である。
び比較例Ｂとの静電容量、ｔａｎδ、漏れ電流及び周波
数１００ＫＨｚにおける等価直列抵抗（ＥＳＲ）初期特
性を調べた結果、表１に示すようになった。また、実施
例と比較例Ａ及び比較例Ｂそれぞれのインピーダンス−
周波数特性を調べた結果、図５に示すようになった。な
お、試料はそれぞれ１００個である。
【００２６】（実施例）上記実施例にて述べた技術内容
からなるもので、４枚積層して形成した陽極積層体寸法
として３ｍｍ×３ｍｍのものを用い形成した定格電圧１
０Ｖ、公称静電容量４．７μＦのチップタイプの積層形
固体電解コンデンサ。
からなるもので、４枚積層して形成した陽極積層体寸法
として３ｍｍ×３ｍｍのものを用い形成した定格電圧１
０Ｖ、公称静電容量４．７μＦのチップタイプの積層形
固体電解コンデンサ。
【００２７】（比較例Ａ）主に塩素イオンと硫酸イオン
を含む水溶液中で５Ａ、１０分交流電解を行い立方体状
のピットを無数に形成することで表面を海綿状のピット
に粗面化し、しかる後、化成処理を施し表面に誘電体酸
化皮膜を形成したアルミニウム箔を絶縁性樹脂で、陽極
引出側と３ｍｍ×３ｍｍの寸法からなる陰極形成側に区
分して得た陽極基体の陰極形成側に、前記実施例にて延
べたと同様の方法でポリピロールからなる導電性高分子
層を形成し、更に、この導電性高分子層上にグラファイ
ト層、銀ペースト層を順次形成することで導電体層を形
成しコンデンサ素板を形成し、このコンデンサ素板を、
陽極引出部と陰極形成側を互いに対応させて４枚積層
し、次に陰極形成側を銀接着剤にて固着し、陽極引出部
を電気溶接で取りまとめコンデンサ素子とし、その後、
上記実施例と同一手段を講じ完成品とした定格電圧１０
Ｖ、公称静電容量４．７μＦのチップタイプの積層形固
体電解コンデンサ。
を含む水溶液中で５Ａ、１０分交流電解を行い立方体状
のピットを無数に形成することで表面を海綿状のピット
に粗面化し、しかる後、化成処理を施し表面に誘電体酸
化皮膜を形成したアルミニウム箔を絶縁性樹脂で、陽極
引出側と３ｍｍ×３ｍｍの寸法からなる陰極形成側に区
分して得た陽極基体の陰極形成側に、前記実施例にて延
べたと同様の方法でポリピロールからなる導電性高分子
層を形成し、更に、この導電性高分子層上にグラファイ
ト層、銀ペースト層を順次形成することで導電体層を形
成しコンデンサ素板を形成し、このコンデンサ素板を、
陽極引出部と陰極形成側を互いに対応させて４枚積層
し、次に陰極形成側を銀接着剤にて固着し、陽極引出部
を電気溶接で取りまとめコンデンサ素子とし、その後、
上記実施例と同一手段を講じ完成品とした定格電圧１０
Ｖ、公称静電容量４．７μＦのチップタイプの積層形固
体電解コンデンサ。
【００２８】（比較例Ｂ）主に、塩素イオンを含む水溶
液中で８０℃、１０Ａ、１分直流電解を行い貫通型のト
ンネルピットを形成したアルミニウム箔を４枚積層し積
層体とし、この積層体を３ｍｍ×３ｍｍの大きさに打ち
抜き、陽極酸化皮膜工程以降は上記実施例と同一手段を
講じて完成品とした定格電圧１０Ｖ、公称静電容量４．
７μＦのチップタイプの積層形固体電解コンデンサ。
液中で８０℃、１０Ａ、１分直流電解を行い貫通型のト
ンネルピットを形成したアルミニウム箔を４枚積層し積
層体とし、この積層体を３ｍｍ×３ｍｍの大きさに打ち
抜き、陽極酸化皮膜工程以降は上記実施例と同一手段を
講じて完成品とした定格電圧１０Ｖ、公称静電容量４．
７μＦのチップタイプの積層形固体電解コンデンサ。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１及び図５から明らかなように、比較例
Ａのものは、漏れ電流特性、ＥＳＲ特性、インピーダン
ス特性の劣化がみられ、比較例Ｂのものは、静電容量が
実施例の約１／４と極端に小さく、また、ｔａｎδ、Ｅ
ＳＲ特性劣化も大きく、共に実用的でないのに対して、
実施例のものは全ての特性において安定した結果を示
し、本発明の優れた作用効果が確認された。
Ａのものは、漏れ電流特性、ＥＳＲ特性、インピーダン
ス特性の劣化がみられ、比較例Ｂのものは、静電容量が
実施例の約１／４と極端に小さく、また、ｔａｎδ、Ｅ
ＳＲ特性劣化も大きく、共に実用的でないのに対して、
実施例のものは全ての特性において安定した結果を示
し、本発明の優れた作用効果が確認された。
【００３１】しかして、この理由は、比較例Ａの場合、
コンデンサ素板をまとめる際のストレスにより、誘電体
酸化皮膜が損傷し、更に導電性高分子層及び半導体層に
もクラックが生じ、抵抗値が上昇したためであり、ま
た、比較例Ｂの場合、アルミニウム箔に形成されるピッ
トが、貫通型のトンネルピットのみで箔倍率が上がらな
いことによるものと考えられる。
コンデンサ素板をまとめる際のストレスにより、誘電体
酸化皮膜が損傷し、更に導電性高分子層及び半導体層に
もクラックが生じ、抵抗値が上昇したためであり、ま
た、比較例Ｂの場合、アルミニウム箔に形成されるピッ
トが、貫通型のトンネルピットのみで箔倍率が上がらな
いことによるものと考えられる。
【００３２】また、本発明は、以上述べた実施例に限定
されるものではなく、アルミニウム箔の他にタンタル、
チタン、ニオブ箔等の使用も可能であり、また、上記実
施例ではチップ形端子を使用し、トランスファーモール
ドにより外装を施したチップ構造のものを例示して説明
したが、電極引出端子としてスズめっきＣＰ線等を用
い、流動浸漬法やデップ法等により外装を施してなるリ
ード線構造とすることも可能であり、更に、導電性高分
子層及び導電体層の形成方法等を適宜選択できることは
勿論である。
されるものではなく、アルミニウム箔の他にタンタル、
チタン、ニオブ箔等の使用も可能であり、また、上記実
施例ではチップ形端子を使用し、トランスファーモール
ドにより外装を施したチップ構造のものを例示して説明
したが、電極引出端子としてスズめっきＣＰ線等を用
い、流動浸漬法やデップ法等により外装を施してなるリ
ード線構造とすることも可能であり、更に、導電性高分
子層及び導電体層の形成方法等を適宜選択できることは
勿論である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、コンデンサ素子内部も
含め表面積が大幅に拡大された誘電体酸化皮膜全体に、
固体電解質としての導電性高分子層が必要十分な所望の
厚さで均一に形成されることにより、インピーダンスの
周波数特性を始め、その他電気的諸特性に優れ、広い温
度範囲にわたって特性の安定した、小形・大容量の積層
形固体電解コンデンサ及びその製造方法を得ることがで
きる。
含め表面積が大幅に拡大された誘電体酸化皮膜全体に、
固体電解質としての導電性高分子層が必要十分な所望の
厚さで均一に形成されることにより、インピーダンスの
周波数特性を始め、その他電気的諸特性に優れ、広い温
度範囲にわたって特性の安定した、小形・大容量の積層
形固体電解コンデンサ及びその製造方法を得ることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例に係る積層形固体電解コンデ
ンサを構成するコンデンサ素子を示すもので、（Ａ）は
コンデンサ素子全体の拡大断面図、（Ｂ）は（Ａ）のイ
部拡大図。
ンサを構成するコンデンサ素子を示すもので、（Ａ）は
コンデンサ素子全体の拡大断面図、（Ｂ）は（Ａ）のイ
部拡大図。
【図２】図１に示すコンデンサ素子を構成するアルミニ
ウム箔を示す拡大模造図。
ウム箔を示す拡大模造図。
【図３】本発明の一実施例に係る陽極積層体を示す正面
図。
図。
【図４】本発明の一実施例に係る積層形固体電解コンデ
ンサを示す断面図。
ンサを示す断面図。
【図５】周波数に対するインピーダンス特性曲線図。
【符号の説明】 １ 貫通型のトンネルピット ２ 海綿状のピット ３ 陽極基体 ４ 陽極リード線 ５ 陽極積層体 ６ 誘電体酸化皮膜 ７ 導電性高分子層 ８ 導電体層 ９ コンデンサ素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 9/24 Ｃ 7924−5Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 弁作用金属箔に形成した貫通型のトンネ
ルピットと、更に交流エッチングにより形成した立方体
状のピットにて表面を海綿状のピットに粗面化して得ら
れた陽極基体を複数枚積層し形成した陽極積層体と、こ
の陽極積層体を構成する陽極基体表面全体に形成した誘
電体酸化皮膜と、この誘電体酸化皮膜上に形成した導電
性高分子層と、この導電性高分子層上に形成した導電体
層とを具備したことを特徴とする積層形固体電解コンデ
ンサ。 - 【請求項２】 弁作用金属箔に貫通型のトンネルピット
を形成し、次に交流エッチングにより立方体のピットを
無数に形成することで表面を海綿状のピットに粗面化し
た陽極基体を得る工程と、この陽極基体を複数枚積層し
陽極積層体を得る工程と、この陽極積層体を構成する陽
極基体それぞれの表面全体に化成処理により誘電体酸化
皮膜を形成する工程と、この誘電体酸化皮膜上に導電性
高分子層を形成する工程と、この導電性高分子層上に導
電体層を形成する工程とを順次経ることを特徴とする積
層形固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4345478A JPH06168855A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4345478A JPH06168855A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168855A true JPH06168855A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18376866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4345478A Pending JPH06168855A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168855A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584890A (en) * | 1995-01-24 | 1996-12-17 | Macfarlane; Douglas R. | Methods of making multiple anode capacitors |
| WO1998014969A1 (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-09 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Multiple anode capacitors and methods of making the same |
| US6239965B1 (en) * | 1998-05-22 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method of producing the same |
| US6310765B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| JP2007142060A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
| US7319599B2 (en) | 2003-10-01 | 2008-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor |
| WO2024190596A1 (ja) * | 2023-03-10 | 2024-09-19 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ用陽極箔、固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4345478A patent/JPH06168855A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584890A (en) * | 1995-01-24 | 1996-12-17 | Macfarlane; Douglas R. | Methods of making multiple anode capacitors |
| WO1998014969A1 (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-09 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Multiple anode capacitors and methods of making the same |
| US6310765B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| US6413282B1 (en) | 1997-06-20 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| US6239965B1 (en) * | 1998-05-22 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method of producing the same |
| US6989289B1 (en) | 1998-05-22 | 2006-01-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method of producing the same |
| US7319599B2 (en) | 2003-10-01 | 2008-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor |
| US7400512B2 (en) | 2003-10-01 | 2008-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor |
| JP2007142060A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
| WO2024190596A1 (ja) * | 2023-03-10 | 2024-09-19 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ用陽極箔、固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
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