JPH02298264A - スプレー源ターゲットの保持装置及びターゲットを保持装置に固定する方法 - Google Patents
スプレー源ターゲットの保持装置及びターゲットを保持装置に固定する方法Info
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- JPH02298264A JPH02298264A JP2100535A JP10053590A JPH02298264A JP H02298264 A JPH02298264 A JP H02298264A JP 2100535 A JP2100535 A JP 2100535A JP 10053590 A JP10053590 A JP 10053590A JP H02298264 A JPH02298264 A JP H02298264A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はターゲットを載置する台とターゲットを保持す
る保持部材とを備えたスプレー源のターゲットを保持す
る保持装置と、保持部材にターゲットを固定する方法に
関するものである。
る保持部材とを備えたスプレー源のターゲットを保持す
る保持装置と、保持部材にターゲットを固定する方法に
関するものである。
今日では通常ターゲットは何回もねし止めすることによ
って固定されている。特に長いターゲットの場合には、
多数のボルトをゆるめかつ正確に締めつけるのは面倒で
ある。ターゲット材料は消耗材料であってしばしば交換
しなければならないので、固定のために多くの時間をと
られてしまう。
って固定されている。特に長いターゲットの場合には、
多数のボルトをゆるめかつ正確に締めつけるのは面倒で
ある。ターゲット材料は消耗材料であってしばしば交換
しなければならないので、固定のために多くの時間をと
られてしまう。
（発明が解決しようとする課題〕
本発明は、ターゲットを迅速かつ確実に交換することが
でき、使用時に最適に冷却することによってターゲット
を最適に付勢して保持することのできる簡単な保持装置
を提供することを目的としている。
でき、使用時に最適に冷却することによってターゲット
を最適に付勢して保持することのできる簡単な保持装置
を提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段〕
この種の保持装置は本発明によれば、請求項のいずれか
の内容を特徴としている。
の内容を特徴としている。
以下、図面に示す実施例を用いて本発明の詳細な説明す
る。
る。
図示のターゲットホルダ１にはターゲット前側４とター
ゲット裏側５を有するターゲット３が設けられている。
ゲット裏側５を有するターゲット３が設けられている。
ターゲット３の前側４は保持フレーム７によって固定さ
れる。ターゲット３は、冷却手段（特に水）の貫流する
冷却台９上に据えられている。冷却台９には固定の背壁
１０が設けられている。冷却台は４つの側壁とフレキシ
ブルな前壁１２を有し、流体の貫流する中空室１１を形
成している。冷却台９は、第１図に示すように保持フレ
ーム７と固定的に結合されており、冷却手段を供給する
ために冷却手段スリーブ１５が用いられる。
れる。ターゲット３は、冷却手段（特に水）の貫流する
冷却台９上に据えられている。冷却台９には固定の背壁
１０が設けられている。冷却台は４つの側壁とフレキシ
ブルな前壁１２を有し、流体の貫流する中空室１１を形
成している。冷却台９は、第１図に示すように保持フレ
ーム７と固定的に結合されており、冷却手段を供給する
ために冷却手段スリーブ１５が用いられる。
ターゲットは必ずしも平坦なプレートである必要はない
。ターゲットは種々の輪郭を有し、矩形、円形あるいは
プロセスに適合した任意の形状にすることができ、たと
えば平坦であり、わん曲し、円錐状、平たいあるいは円
筒状などの形状を有する。
。ターゲットは種々の輪郭を有し、矩形、円形あるいは
プロセスに適合した任意の形状にすることができ、たと
えば平坦であり、わん曲し、円錐状、平たいあるいは円
筒状などの形状を有する。
ターゲットがバック支持プレート上に固着されている場
合には、任意の保持装置を使用することができる。ター
ゲット３の周面にＵ字状の溝を形成して、保持フレーム
７の上方の脚を前記溝へ挿入して保持することもできる
。
合には、任意の保持装置を使用することができる。ター
ゲット３の周面にＵ字状の溝を形成して、保持フレーム
７の上方の脚を前記溝へ挿入して保持することもできる
。
第２図の静止状態において、フレキシブルな前壁１２（
冷却台９）をターゲット３上に載置するために設けられ
ている保持フレーム７との距離１４は、ターゲットを無
理なく挿入できるように、たとえば１０分の２．３ミリ
メートルである。ターゲットを挿入して冷却水を導入し
た後に、中空室ｌｌ内はたとえば２バールの圧力とされ
、この圧力によってフレキシブルな前壁１２がターゲッ
ト裏側５に押圧され、ターゲットは必要な保持力により
支持フレーム７に押圧され、それによってまた最適な熱
交換が行われる。ターゲット前側４が持ち上げられたこ
の位置は、第２図と第３図に示されている。第３図には
さらに、多数の冷却通路を設けることができることが示
されている。その場合には冷却されないターゲット部分
は冷却されない支持体（図示にない）によって支持する
ことができる。
冷却台９）をターゲット３上に載置するために設けられ
ている保持フレーム７との距離１４は、ターゲットを無
理なく挿入できるように、たとえば１０分の２．３ミリ
メートルである。ターゲットを挿入して冷却水を導入し
た後に、中空室ｌｌ内はたとえば２バールの圧力とされ
、この圧力によってフレキシブルな前壁１２がターゲッ
ト裏側５に押圧され、ターゲットは必要な保持力により
支持フレーム７に押圧され、それによってまた最適な熱
交換が行われる。ターゲット前側４が持ち上げられたこ
の位置は、第２図と第３図に示されている。第３図には
さらに、多数の冷却通路を設けることができることが示
されている。その場合には冷却されないターゲット部分
は冷却されない支持体（図示にない）によって支持する
ことができる。
上記の実施例によれば、流体で付勢されるこの種のフレ
キュ′／プルなｉ！１壁Ｉ２を用いるごとによって、タ
ーゲットと支持フレーム７の間で均一な血圧力が保証さ
れ、冷却手段を出し入れすることにより工其を用いずに
短時間でターゲットをＧ′信実かつ容易に交換すること
ができるとい・う利点が得られる。
キュ′／プルなｉ！１壁Ｉ２を用いるごとによって、タ
ーゲットと支持フレーム７の間で均一な血圧力が保証さ
れ、冷却手段を出し入れすることにより工其を用いずに
短時間でターゲットをＧ′信実かつ容易に交換すること
ができるとい・う利点が得られる。
原則的には、冷却台９を分別して、ターゲット３の保持
フレーム７に対応する載置面にだけたとえば数バールの
高い圧力を供給し、ターゲット３の保持フレー１．７に
接触しない部分には、ターゲ７１・と冷却液との所望の
熱交換を保証するのに１分な著し７く低い圧力を供給す
るようにすることも可能である。フレキシブルな壁とし
７ては、たとえば金属箔として形成された膜を使用する
こともできる。この壁は好ましくは弾性変形可能である
ので、圧力が供給されると無理なく大面積でターゲット
裏側５に接する。しかしまた壁をターゲットの所定の部
分領域だけ覆うように形成することもできる。
フレーム７に対応する載置面にだけたとえば数バールの
高い圧力を供給し、ターゲット３の保持フレー１．７に
接触しない部分には、ターゲ７１・と冷却液との所望の
熱交換を保証するのに１分な著し７く低い圧力を供給す
るようにすることも可能である。フレキシブルな壁とし
７ては、たとえば金属箔として形成された膜を使用する
こともできる。この壁は好ましくは弾性変形可能である
ので、圧力が供給されると無理なく大面積でターゲット
裏側５に接する。しかしまた壁をターゲットの所定の部
分領域だけ覆うように形成することもできる。
詳細な説明及び／あるいは図面に示すすべての個々の部
材、個々の特徴並びにその置き換え、組合せ及び変形は
発明性を有し、かつｎ個の個別部材及び個別的な特徴は
ｎ＝１〜ｎ−争■の値を有する。
材、個々の特徴並びにその置き換え、組合せ及び変形は
発明性を有し、かつｎ個の個別部材及び個別的な特徴は
ｎ＝１〜ｎ−争■の値を有する。
第１図はターゲットが挿入された保持装置のターゲット
を交換するためにゆるめた位置を示す断面図、 第２図はターゲットが持ち」二げられ締め付けられた位
置を示す第１図に基づく断面図、第３図は第２図のＩＩ
Ｉ−ＩＩＩ線に基づく断面図である。 ■・・・保持装置、 ３・・・ターゲット、７・
・・保持手段、 ９・・・台、１２・・・フレキシ
ブルな壁。
を交換するためにゆるめた位置を示す断面図、 第２図はターゲットが持ち」二げられ締め付けられた位
置を示す第１図に基づく断面図、第３図は第２図のＩＩ
Ｉ−ＩＩＩ線に基づく断面図である。 ■・・・保持装置、 ３・・・ターゲット、７・
・・保持手段、 ９・・・台、１２・・・フレキシ
ブルな壁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ターゲット（３）を載置する台（９）とターゲット
を保持する保持手段（７）とを有するスプレー源のター
ゲットの保持装置（１）において、液体（１１）を用い
てターゲット（３）を保持手段（７）のターゲットの使
用に必要な位置に押圧し、必要な熱交換を行わせるため
に、前記台（９）にターゲット裏側（５）に対向する少
なくとも１つのフレキシブルな壁（１２）が設けられて
いることを特徴とするスプレー源のターゲットの保持装
置。 ２、台（９）が、冷却手段が貫流する冷却台として形成
され、ターゲット（３）を締付け固定するためのフレキ
シブルな壁（１２）を有することを特徴とする請求項第
１項に記載の保持装置。 ３、フレキシブルを壁（１２）が弾性変形可能であるこ
とを特徴とする請求の範囲第１項あるいは第２項に記載
の保持装置。 ４、台（９）が圧力を与えられていない状態において台
とターゲット保持手段（７）との距離がターゲット（３
）を保持装置へ挿入可能であることを特徴とする請求項
第１項から第３項のいずれかに記載の保持装置。 ５、台（９）と保持手段（７）が互いに固定的に結合さ
れていることを特徴とする請求項第１項から第４項のい
ずれかに記載の保持装置。 ６、保持手段（７）がターゲット（３）をフレーム状に
保持しあるいは係止するように形成されていることを特
徴とする請求項第１項から第５項のいずれかに記載の保
持装置。 ７、フレキシブルな壁（１２）が膜として、たとえば金
属箔として形成されていることを特徴とする請求項第１
項から第６項のいずれかに記載の保持装置。 ８、フレキシブルな壁（１２）がターゲットの大面積を
覆いあるいは所定の部分領域を覆うことを特徴とする請
求項第１項から第７項のいずれかに記載の保持装置。 ９、多数の冷却通路（１０）が設けられており、その通
路のそれぞれに膜が設けられていることを特徴とする請
求項第１項から第８項のいずれかに記載の保持装置。 １０、流体だけを用いてターゲットを保持装置の使用位
置に締め付けることを特徴とする請求項第１項から第９
項のいずれかに記載の保持装置にターゲットを固定する
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH150589 | 1989-04-20 | ||
| CH01505/89-4 | 1989-04-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298264A true JPH02298264A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=4212017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100535A Pending JPH02298264A (ja) | 1989-04-20 | 1990-04-18 | スプレー源ターゲットの保持装置及びターゲットを保持装置に固定する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0393344A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02298264A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4015388C2 (de) * | 1990-05-14 | 1997-07-17 | Leybold Ag | Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
| JPH074359Y2 (ja) * | 1990-07-10 | 1995-02-01 | 三ツ星ベルト株式会社 | 歯付ベルト |
| DE9014857U1 (de) * | 1990-10-26 | 1992-02-20 | Multi-Arc Oberflächentechnik GmbH, 5060 Bergisch Gladbach | Großflächige Kathodenanordnung mit gleichmäßigem Abbrandverhalten |
| DE9102052U1 (de) * | 1991-02-21 | 1991-06-13 | Hauzer Holding B.V., Venlo | Indirekt gekühlter Verdampfer mit Schnellwechselsystem |
| DE59208623D1 (de) * | 1991-05-08 | 1997-07-24 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer |
| US5262032A (en) * | 1991-05-28 | 1993-11-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Sputtering apparatus with rotating target and target cooling |
| US5269899A (en) * | 1992-04-29 | 1993-12-14 | Tosoh Smd, Inc. | Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus |
| DE4242079A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Leybold Ag | Target für eine in einer evakuierbaren mit einem Prozeßgas flutbaren Prozeßkammer angeordneten Kathode |
| DE4410466C1 (de) * | 1994-03-25 | 1995-09-14 | Balzers Hochvakuum | Targethalterung, Target und ihre Verwendung |
| FR2725073B1 (fr) | 1994-09-22 | 1996-12-20 | Saint Gobain Vitrage | Cathode rotative de pulverisation cathodique a plusieurs cibles |
| DE19648390A1 (de) * | 1995-09-27 | 1998-05-28 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
| DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE19746988A1 (de) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
| US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
| ATE415503T1 (de) * | 2005-08-10 | 2008-12-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage mit motorisch angetriebener drehkathode |
| DE102007029028A1 (de) * | 2007-06-23 | 2009-01-08 | Leybold Optics Gmbh | Zerstäubungstarget einer Kathodenzerstäubungsquelle, Kathodenzerstäubungsquelle, Kathodenzerstäubungssystem und Verfahren dazu |
| TWI515320B (zh) * | 2012-04-26 | 2016-01-01 | 因特瓦克公司 | 供物理氣相沈積製程使用之窄型濺鍍源 |
| WO2014166621A1 (de) | 2013-04-08 | 2014-10-16 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Zentrierung einer platte in einer halterung sowohl bei raum- als auch bei höheren temperaturen |
| US11158491B2 (en) | 2017-06-01 | 2021-10-26 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Target assembly for safe and economic evaporation of brittle materials |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH664303A5 (de) * | 1985-04-03 | 1988-02-29 | Balzers Hochvakuum | Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung. |
-
1990
- 1990-03-12 EP EP90104604A patent/EP0393344A1/de not_active Withdrawn
- 1990-04-18 JP JP2100535A patent/JPH02298264A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0393344A1 (de) | 1990-10-24 |
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