JPH02299143A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
- Publication number
- JPH02299143A JPH02299143A JP11861889A JP11861889A JPH02299143A JP H02299143 A JPH02299143 A JP H02299143A JP 11861889 A JP11861889 A JP 11861889A JP 11861889 A JP11861889 A JP 11861889A JP H02299143 A JPH02299143 A JP H02299143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal back
- film thickness
- image forming
- center
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、複数の表面伝導形電子放出素子と蛍光面から
成る画像形成装置に関する。
成る画像形成装置に関する。
[従来の技術1
従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エム アイ エリンソン(M、 I。
例えば、エム アイ エリンソン(M、 I。
Elinson)等によって発表された冷陰極素子が知
られている。[ラジオ エンジニアリング エレクトロ
ン フイジイツス(Radio Eng、 Elect
ron。
られている。[ラジオ エンジニアリング エレクトロ
ン フイジイツス(Radio Eng、 Elect
ron。
Phys、 )第1O巻、1290〜1296頁、19
65年]この種の電子放出素子としては、前記エリンソ
ン等により開発された8口0□(sb)薄膜を用いたも
の、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー“スイン
ソリド フィルムス″’ (G、 Dittmer:T
h1nSolid Fi1ms″′)、9巻、317頁
、 (1972年)l、ITO薄膜によるもの[エム
ハートウェル アンド シー ジー フォンスタッド
“アイ イーイー イー トランス”イー ディー コ
ンフ(M、 Hartwell and C,G、
Fonstad: “IEEεTrans、 ED
Conf、 ” ) 519頁、 (1975年
)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他: “真空”
。
65年]この種の電子放出素子としては、前記エリンソ
ン等により開発された8口0□(sb)薄膜を用いたも
の、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー“スイン
ソリド フィルムス″’ (G、 Dittmer:T
h1nSolid Fi1ms″′)、9巻、317頁
、 (1972年)l、ITO薄膜によるもの[エム
ハートウェル アンド シー ジー フォンスタッド
“アイ イーイー イー トランス”イー ディー コ
ンフ(M、 Hartwell and C,G、
Fonstad: “IEEεTrans、 ED
Conf、 ” ) 519頁、 (1975年
)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他: “真空”
。
第26巻、第1号、22頁、 (1983年)]など
が報告されている。
が報告されている。
これらは、成膜技術やフォトリソグラフィー技術の進歩
とあいまって、基板上に多数の素子を形成することが可
能となりつつあり、マルチ電子源を用いた各種画像形成
装置への応用が期待されている。
とあいまって、基板上に多数の素子を形成することが可
能となりつつあり、マルチ電子源を用いた各種画像形成
装置への応用が期待されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来表面伝導形電子放出素子は、熱電子
源のような温度上昇を必要としないが微小電極間隔部に
通電を行うため、極めて小さいながらも放出部を流れる
電流の一部は発熱として消費される。従って、本素子を
同一基板上に複数配列した画像形成装置を考えた場合に
は、上記発熱が無視できないほど大きくなる。
源のような温度上昇を必要としないが微小電極間隔部に
通電を行うため、極めて小さいながらも放出部を流れる
電流の一部は発熱として消費される。従って、本素子を
同一基板上に複数配列した画像形成装置を考えた場合に
は、上記発熱が無視できないほど大きくなる。
また、本発明者らが検討を行った結果、表面伝導形放出
素子は温度上昇に敏感であり、その電子放出特性は、素
子温度が100℃程度になると劣化が始まることが分か
つており、極めて多くの放出素子を配列する必要がある
大型画像形成装置に応用した場合には素子自体から発生
する熱及びその蓄熱効果によって放出電流が減少すると
いう欠点がある。
素子は温度上昇に敏感であり、その電子放出特性は、素
子温度が100℃程度になると劣化が始まることが分か
つており、極めて多くの放出素子を配列する必要がある
大型画像形成装置に応用した場合には素子自体から発生
する熱及びその蓄熱効果によって放出電流が減少すると
いう欠点がある。
さらに、同一基板上に本素子が縦横に配列するため、基
板の温度上昇は1つの基板内で一様ではなく、中心付近
の温度が最も高(なり、周辺部分は放熱の良さから、中
心に比べ低温のままとなる。このため、素子の劣化も中
心付近が最大となり、画像形成装置とした場合の輝度ム
ラとして現れるという欠点があった。
板の温度上昇は1つの基板内で一様ではなく、中心付近
の温度が最も高(なり、周辺部分は放熱の良さから、中
心に比べ低温のままとなる。このため、素子の劣化も中
心付近が最大となり、画像形成装置とした場合の輝度ム
ラとして現れるという欠点があった。
[課題を解決するための手段及び作用]本発明によれば
、素子駆動による発熱によって中心部と周辺部に放出電
流の差が生じたところを定常状態として、放出電流の減
少した中心部分に対応する蛍光面のメタルバック厚を周
辺部分より薄くしてお(ことで、輝度ムラを最小限にお
さえることができる。
、素子駆動による発熱によって中心部と周辺部に放出電
流の差が生じたところを定常状態として、放出電流の減
少した中心部分に対応する蛍光面のメタルバック厚を周
辺部分より薄くしてお(ことで、輝度ムラを最小限にお
さえることができる。
さらに本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第2図は、本発明で用いられる、ライン状に並列接続さ
れた表面伝導形電子放出素子をラインごとに駆動し、一
定時間経過後の素子基板上の温度分布を表わす概略図で
ある。並列接続された各素子の初期特性はほぼ均一であ
るため、l素子当りの発熱量は均等であるが、放熱の違
いによって中心部が周辺部に比べ高い温度になっている
。これは、l素子当りの消費電力が一定であれば、いか
なる駆動方法を用いても同じである。
れた表面伝導形電子放出素子をラインごとに駆動し、一
定時間経過後の素子基板上の温度分布を表わす概略図で
ある。並列接続された各素子の初期特性はほぼ均一であ
るため、l素子当りの発熱量は均等であるが、放熱の違
いによって中心部が周辺部に比べ高い温度になっている
。これは、l素子当りの消費電力が一定であれば、いか
なる駆動方法を用いても同じである。
画像形成装置として、ガラス等の絶縁性基板上に必要十
分な数の素子を配置し、必要十分な放出電流の得られる
程度の印加電圧で駆動した場合、中心部分の温度は10
0℃を超えることが分かつており、これは電子放出特性
を劣化させ始める温度である。
分な数の素子を配置し、必要十分な放出電流の得られる
程度の印加電圧で駆動した場合、中心部分の温度は10
0℃を超えることが分かつており、これは電子放出特性
を劣化させ始める温度である。
従って、表面伝導形放出素子を縦横に配列した画像形成
装置では、中心付近の放出電流低下は避。
装置では、中心付近の放出電流低下は避。
けられない。そこで本発明では、放出電流の差を蛍光面
のメタルバック膜厚Φ差によって吸収し、最終的な発光
輝度の均一化をはかることを特徴としている。
のメタルバック膜厚Φ差によって吸収し、最終的な発光
輝度の均一化をはかることを特徴としている。
第1図は、本発明の特徴をよ(表わす蛍光面のメタルバ
ック6膜厚の分布を示す概略図である。
ック6膜厚の分布を示す概略図である。
膜厚は中心部で最も薄く、周辺部に広がるに従って厚く
なるよう、連続的に変化させである。このため、一定の
加速電圧で蛍光体7を発光させる場合には、メタルバッ
ク膜厚の厚い部分では、電子の透過率が低下して発光輝
度は低(なり、薄い部分では透過率が高いため、発光輝
度も高くなる。
なるよう、連続的に変化させである。このため、一定の
加速電圧で蛍光体7を発光させる場合には、メタルバッ
ク膜厚の厚い部分では、電子の透過率が低下して発光輝
度は低(なり、薄い部分では透過率が高いため、発光輝
度も高くなる。
実際の膜厚は、用いる材料、放出電流の減少の度合、加
速電圧等を総合して決定される。第3図に、加速電圧8
KVのときのアルミニウムメタルバック膜厚と電子の透
過率の関係を示す。同図からも明らかなように、基板温
度上昇によって放出電流が50%減少する場合には、例
えば加速電圧を8KV一定、材料としてアルミニウムを
用いて、中心部を200人、周辺部を3000人とすれ
ばよい。
速電圧等を総合して決定される。第3図に、加速電圧8
KVのときのアルミニウムメタルバック膜厚と電子の透
過率の関係を示す。同図からも明らかなように、基板温
度上昇によって放出電流が50%減少する場合には、例
えば加速電圧を8KV一定、材料としてアルミニウムを
用いて、中心部を200人、周辺部を3000人とすれ
ばよい。
また、メタルバックの形成方法は、通常行われるいかな
る方法を用いても良いが、同一面内で膜厚分布を必要と
し、かつ100人単大の制御性を要求されるため真空蒸
着等の方法が望ましい。
る方法を用いても良いが、同一面内で膜厚分布を必要と
し、かつ100人単大の制御性を要求されるため真空蒸
着等の方法が望ましい。
[実施例]
以下に、本発明の実施例を示す。
見立■ユ
次に述べるようにして、第4図に模式的に示されるよう
な画像形成装置を作製した。
な画像形成装置を作製した。
先ず十分脱脂、洗浄を行った2インチ角の石英基板1上
に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて表面伝導形
電子放出素子の電極2,3を形成した。電極材料はニッ
ケルであり、その膜厚はほぼ2000人である。また、
正電極2と負電極3の微小間隔部4の間隔は2Pl!!
であり、その幅は300 p、11である。さらに5
lラインには1rBII+ピツチで40素子が並列接続
されており、これが15ライン、従って基板l上に40
X 15= 600ケ所の電子放出素子部が形成された
。
に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて表面伝導形
電子放出素子の電極2,3を形成した。電極材料はニッ
ケルであり、その膜厚はほぼ2000人である。また、
正電極2と負電極3の微小間隔部4の間隔は2Pl!!
であり、その幅は300 p、11である。さらに5
lラインには1rBII+ピツチで40素子が並列接続
されており、これが15ライン、従って基板l上に40
X 15= 600ケ所の電子放出素子部が形成された
。
次にこの基板l上に、有機パラジウム化合物を含む有機
溶媒(奥野製薬工業製キャタペースト−ccp)をスピ
ンコータを用いて回転塗布した後、空気中で250℃、
10分間の焼成を行いパラジウムを微粒子化し、微小電
極間隔部4をパラジウムの島構造を有する不連続状態膜
として素子基板を完成した。
溶媒(奥野製薬工業製キャタペースト−ccp)をスピ
ンコータを用いて回転塗布した後、空気中で250℃、
10分間の焼成を行いパラジウムを微粒子化し、微小電
極間隔部4をパラジウムの島構造を有する不連続状態膜
として素子基板を完成した。
こうして得られた素子基板の駆動時の温度上昇を測定す
るため、基板1の裏面の中央部と周辺部に同心円状に熱
電対を設け、基板全体をI X 10−’Torr程度
に保たれた真空容器中に入れて電子放出実験を行った。
るため、基板1の裏面の中央部と周辺部に同心円状に熱
電対を設け、基板全体をI X 10−’Torr程度
に保たれた真空容器中に入れて電子放出実験を行った。
駆動方法は、ライン順次駆動とし、素子両端にかかる電
圧V、を10〜14Vの間で変化させ駆動周波数を30
KHzとした。その結果、L=14Vのときに最も温度
上昇が激しく、定常状態に達した時に、中央付近で最も
温度が高くほぼ150℃、最外周部分で最も温度が低く
ほぼ100℃であった。この状態で素子基板上部に設け
た蛍光板5にIKVの電圧を印加して放出される電子線
による発光を観察したところ、中央付近の高温になって
いる部分に対応した位置の輝度は、目視で明らかに低下
しているのが確認され、放出電流が減少していることが
示された。
圧V、を10〜14Vの間で変化させ駆動周波数を30
KHzとした。その結果、L=14Vのときに最も温度
上昇が激しく、定常状態に達した時に、中央付近で最も
温度が高くほぼ150℃、最外周部分で最も温度が低く
ほぼ100℃であった。この状態で素子基板上部に設け
た蛍光板5にIKVの電圧を印加して放出される電子線
による発光を観察したところ、中央付近の高温になって
いる部分に対応した位置の輝度は、目視で明らかに低下
しているのが確認され、放出電流が減少していることが
示された。
また、1ライン毎にパルス駆動した時の放出電流を測定
したところ、基板中央の1ラインから放出される電流I
□はV、= 14Vのときに!、=2μ八基板両への1
ラインからの放出電流■、、はv、=14Vのとき1.
、=6μAであった。従って、1素子当りの平均では、
中央部が50 n A s両端では150nAとなる。
したところ、基板中央の1ラインから放出される電流I
□はV、= 14Vのときに!、=2μ八基板両への1
ラインからの放出電流■、、はv、=14Vのとき1.
、=6μAであった。従って、1素子当りの平均では、
中央部が50 n A s両端では150nAとなる。
この結果、素子の温度が150 ”C近くに達したとき
、中央部の素子は、放出電流が両端に比べほぼ1/3と
なっている。
、中央部の素子は、放出電流が両端に比べほぼ1/3と
なっている。
これらの結果より、蛍光体の発光輝度を均一にするため
に、中央部のメタルバック厚を500人、周辺部を20
00人とした蛍光体基板5を用いて、再度ライン駆動に
よる全面発光の実験を行ったところ、目視ではほぼ全面
に均一な発光となった。
に、中央部のメタルバック厚を500人、周辺部を20
00人とした蛍光体基板5を用いて、再度ライン駆動に
よる全面発光の実験を行ったところ、目視ではほぼ全面
に均一な発光となった。
及ELMユ
さらに、大型の画像形成装置に応用するため、素子基板
に10インチ角のガラス基板を用いて実施例1と同様の
素子を作製した。素子ピッチをIIII!I、lライン
当りZOO素子並列とじ6oラインを配列した。
に10インチ角のガラス基板を用いて実施例1と同様の
素子を作製した。素子ピッチをIIII!I、lライン
当りZOO素子並列とじ6oラインを配列した。
駆動方法は、実施例1と同様であるが、素子数増°加に
伴う温度上昇を避けるため、各ラインの駆動電圧を最大
12Vに抑えた。この時の中心部の最高温度は120℃
程度となり、放出特性の劣化は小さい、一方、駆動電圧
低下による放出電流の減少によって生じる発光輝度低下
を補うために、加速電圧V、をより高(する必要があり
、本実施例ではV、=10KVとした。また、素子基板
中心部の放出電流の減少率(L+/Ieix too)
はほぼ50%であった。
伴う温度上昇を避けるため、各ラインの駆動電圧を最大
12Vに抑えた。この時の中心部の最高温度は120℃
程度となり、放出特性の劣化は小さい、一方、駆動電圧
低下による放出電流の減少によって生じる発光輝度低下
を補うために、加速電圧V、をより高(する必要があり
、本実施例ではV、=10KVとした。また、素子基板
中心部の放出電流の減少率(L+/Ieix too)
はほぼ50%であった。
加速電圧V、=10にVのときの、電子線透過率が最小
50%になるメタルバック厚はほぼ2500人、最大で
100%かつメタルバックとして有効な膜厚はほぼ30
0人ということから、本素子に最適な蛍光面のメタルバ
ック厚は、中心部300人、周辺部2500人である。
50%になるメタルバック厚はほぼ2500人、最大で
100%かつメタルバックとして有効な膜厚はほぼ30
0人ということから、本素子に最適な蛍光面のメタルバ
ック厚は、中心部300人、周辺部2500人である。
そこで、一様に蛍光体を塗布し、さらにニトロセルロー
スでフィルミングした蛍光面上に、2ケ所に蒸着源を持
つ真空蒸着機を使ってアルミニウムを蒸着した。特に中
心部を薄膜とするため、蒸発源との中間に円形の金属メ
ツシュを固定して蒸着した。
スでフィルミングした蛍光面上に、2ケ所に蒸着源を持
つ真空蒸着機を使ってアルミニウムを蒸着した。特に中
心部を薄膜とするため、蒸発源との中間に円形の金属メ
ツシュを固定して蒸着した。
こうして得られた蛍光板を用いて実験を行ったところ、
■、= 12Vでも十分な発光輝度が得られ、目視では
均一な発光であった。
■、= 12Vでも十分な発光輝度が得られ、目視では
均一な発光であった。
[発明の効果]
以上説明したように、表面伝導形電子放出素子を用いた
画像形成装置で、蛍光面のメタルバック厚を素子の温度
上昇による放出電流減少の度合に合わせて連続的な膜厚
の変化を与えることで、特殊な駆動、構成を用いること
なく均一な発光が得られるという効果がある。
画像形成装置で、蛍光面のメタルバック厚を素子の温度
上昇による放出電流減少の度合に合わせて連続的な膜厚
の変化を与えることで、特殊な駆動、構成を用いること
なく均一な発光が得られるという効果がある。
第1図は本発明に用いられる蛍光体基板及びメタルバッ
クの膜厚分布、第2図は本発明に用いられる電子放出素
子部の概略及び同一面内の温度分布′、第3図はメタル
バック厚と電子線の透過率の関係を示す図、第4図は実
施例1で作製した画像形成装置の概略図である。
クの膜厚分布、第2図は本発明に用いられる電子放出素
子部の概略及び同一面内の温度分布′、第3図はメタル
バック厚と電子線の透過率の関係を示す図、第4図は実
施例1で作製した画像形成装置の概略図である。
Claims (4)
- (1)少なくとも複数の表面伝導形電子放出素子と蛍光
面とメタルバックから成る画像形成装置において、蛍光
面に付着されたメタルバックに膜厚分布を持つことを特
徴とする画像形成装置。 - (2)前記膜厚が中央部で薄く、周辺部では厚くなるこ
とを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。 - (3)前記膜厚を、放出素子から放出される電流量に応
じて変化させたことを特徴とする請求項2記載の画像形
成装置。 - (4)前記放出電流の変化が、素子の温度上昇によるこ
とを特徴とする請求項3記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11861889A JPH02299143A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11861889A JPH02299143A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299143A true JPH02299143A (ja) | 1990-12-11 |
Family
ID=14741005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11861889A Pending JPH02299143A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02299143A (ja) |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP11861889A patent/JPH02299143A/ja active Pending
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