JPH02299279A - 発振波長安定化半導体レーザ装置 - Google Patents
発振波長安定化半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH02299279A JPH02299279A JP12065389A JP12065389A JPH02299279A JP H02299279 A JPH02299279 A JP H02299279A JP 12065389 A JP12065389 A JP 12065389A JP 12065389 A JP12065389 A JP 12065389A JP H02299279 A JPH02299279 A JP H02299279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- oscillation wavelength
- laser device
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信及び光計測における波長基準として用
いるために、原子または分子気体の共鳴吸収線の波長を
基準にし、レーザ光をその基準に同期させることによっ
て安定化させた発振波長安定化半導体レーザ装置に関す
るものである。
いるために、原子または分子気体の共鳴吸収線の波長を
基準にし、レーザ光をその基準に同期させることによっ
て安定化させた発振波長安定化半導体レーザ装置に関す
るものである。
従来の発成波長安定化半導体レーザ装置の一例を第4図
を参照して説明する。このレーザ装置は、第4図に示す
ように、レンズ2を用いて半導体レーザ1の出射光を平
行光にし、気体を封入したガラス管つまり吸収セル3を
通過させた後、その出射光をレンズ4で集光し、受光器
5で光電変換する。そして、この電気信号を帰還回路6
で処理した後、半導体レーザ1に帰還させることによシ
該半導体レーザの発振波長を安定化させるものである。
を参照して説明する。このレーザ装置は、第4図に示す
ように、レンズ2を用いて半導体レーザ1の出射光を平
行光にし、気体を封入したガラス管つまり吸収セル3を
通過させた後、その出射光をレンズ4で集光し、受光器
5で光電変換する。そして、この電気信号を帰還回路6
で処理した後、半導体レーザ1に帰還させることによシ
該半導体レーザの発振波長を安定化させるものである。
なお第4図中、Tは半導体レーザ1の主要な出射光であ
る。この従来技術においては、吸収セル3として105
1から1m長のものが通常用いられていた。
る。この従来技術においては、吸収セル3として105
1から1m長のものが通常用いられていた。
〔発明が解決しようとする!1lill〕しかしながら
、かかる従来の半導体レーザ装置では、上記のような吸
収セル構造を用いた場合、レンズ2及び4.ガスセル3
の微小な位置変化によって光路が乱れ、半導体レーザ1
からの出射光を適切にセル中を通路せしめ、また受光す
るととが困難になるという問題点があった。また、この
問題点を解決する念めK、半導体レーザ、レンズ、セル
、レンズ、受光器を強靭な固定盤上に設置した場合、装
置が大型化、大重量化する等、装置構成上の不都合があ
った。
、かかる従来の半導体レーザ装置では、上記のような吸
収セル構造を用いた場合、レンズ2及び4.ガスセル3
の微小な位置変化によって光路が乱れ、半導体レーザ1
からの出射光を適切にセル中を通路せしめ、また受光す
るととが困難になるという問題点があった。また、この
問題点を解決する念めK、半導体レーザ、レンズ、セル
、レンズ、受光器を強靭な固定盤上に設置した場合、装
置が大型化、大重量化する等、装置構成上の不都合があ
った。
本発明はこのような間物点を解決するためになされたも
ので、小型で光学系の安定性に優れた実用的な発振波長
安定化半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
ので、小型で光学系の安定性に優れた実用的な発振波長
安定化半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、半導体レーザによ
る光を、特定の波長の光のみを吸収する原子または分子
気体を通過させた後、受光器に至らしめ、この受光器で
の検出光景に対応する電気信号を帰還回路を介して上記
半導体レーザに帰還させることにより、該半導体レーザ
の発振波長を安定化させる半導体レーザ装置において、
上記気体を封入した吸収セルの中に、少なくとも上記半
導体レーザおよび受光器を備えたことを特徴とするもの
である。
る光を、特定の波長の光のみを吸収する原子または分子
気体を通過させた後、受光器に至らしめ、この受光器で
の検出光景に対応する電気信号を帰還回路を介して上記
半導体レーザに帰還させることにより、該半導体レーザ
の発振波長を安定化させる半導体レーザ装置において、
上記気体を封入した吸収セルの中に、少なくとも上記半
導体レーザおよび受光器を備えたことを特徴とするもの
である。
したがって、本発明においては、光を発する半導体レー
ザと受光器を、特定の波長光のみを吸収する原子または
分子気体(以下、光吸収性ガスと略称する。)を封入し
た吸収セル内に入れて装置を一体化することにより、光
吸収強度をできるだけ高めるとともに外乱による安定性
のゆらぎを抑えることができる。
ザと受光器を、特定の波長光のみを吸収する原子または
分子気体(以下、光吸収性ガスと略称する。)を封入し
た吸収セル内に入れて装置を一体化することにより、光
吸収強度をできるだけ高めるとともに外乱による安定性
のゆらぎを抑えることができる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の基
本構成図で、11は光吸収性ガスを封入した吸収セル、
12は半導体1/−ザ、13は受光器、14は発振波長
安定化用帰還回路である。すなわち、本発明による半導
体レーザ装置は、光吸収性ガスを封入した吸収セル11
内に半導体レーザ12と受光器13を入れて一体的に配
設し、この半導体レーザ12よりの出射光16を該吸収
セル11中の光吸収性ガスを透過させる際に生じる特定
の周波数における光吸収を利用して、その透過光を受光
器13で光電変換した後、この電気信号を帰還回路14
で処理して半導体レーザ12に帰還させることにより、
該半導体レーザの発振波長を安定化させるように構成さ
れている。
本構成図で、11は光吸収性ガスを封入した吸収セル、
12は半導体1/−ザ、13は受光器、14は発振波長
安定化用帰還回路である。すなわち、本発明による半導
体レーザ装置は、光吸収性ガスを封入した吸収セル11
内に半導体レーザ12と受光器13を入れて一体的に配
設し、この半導体レーザ12よりの出射光16を該吸収
セル11中の光吸収性ガスを透過させる際に生じる特定
の周波数における光吸収を利用して、その透過光を受光
器13で光電変換した後、この電気信号を帰還回路14
で処理して半導体レーザ12に帰還させることにより、
該半導体レーザの発振波長を安定化させるように構成さ
れている。
第2図は本発明に係る発振波長安定化用半導体レーザ装
置の一実施例を説明するための概略図でちゃ、第2図(
a)はその立体的な内部構造図、第2図(b)は同じく
その断面図である。第2図において、21は第1図と同
様の半導体レーザ、22は同じく第1図と同様の受光器
、23はレーザ光を受光器22に集光するための半球レ
ンズ、24は半導体レーザ21と装置内の光吸収性ガス
の温度を制御するためのペルチェ素子であり、このペル
チェ素子24の検出信号は、信号線を介して温度制御装
置(図示せず)に送信されてその温度を一定に制御する
ものとなっている。また、25は安定化された光を皐シ
出すための光ファイバ、26.27はそれぞれ半導体レ
ーザ21と光ファイバ25を固定するための台であり、
これらの構成部品が、光吸収性ガスで気密し次ガラスま
たは金属等で作られた吸収セルとしての箱28に入れら
れて一体化されている。
置の一実施例を説明するための概略図でちゃ、第2図(
a)はその立体的な内部構造図、第2図(b)は同じく
その断面図である。第2図において、21は第1図と同
様の半導体レーザ、22は同じく第1図と同様の受光器
、23はレーザ光を受光器22に集光するための半球レ
ンズ、24は半導体レーザ21と装置内の光吸収性ガス
の温度を制御するためのペルチェ素子であり、このペル
チェ素子24の検出信号は、信号線を介して温度制御装
置(図示せず)に送信されてその温度を一定に制御する
ものとなっている。また、25は安定化された光を皐シ
出すための光ファイバ、26.27はそれぞれ半導体レ
ーザ21と光ファイバ25を固定するための台であり、
これらの構成部品が、光吸収性ガスで気密し次ガラスま
たは金属等で作られた吸収セルとしての箱28に入れら
れて一体化されている。
次に、本実施例の光波長基準用吸収セルを用い九発振波
長安定化半導体レーザ装置の動作を第2図に従って説明
する。
長安定化半導体レーザ装置の動作を第2図に従って説明
する。
まず、半導体レーザ21よシ出射した出射光16は装置
内に充満した光吸収性ガスを透過し、ある特定の周波数
における光吸収が生じる。このとき、光吸収性ガスを透
過した光強度は第3図のような特性を示す。また、その
吸収ピークにレーザ光の発振周波数を同期させる。しか
して、その透逝光を半球レンズ23で集光し受光器22
で光電変換すると、該受光器22で光電変換した信号1
Tが発振波長安定化用帰還回路14(第1図参照)に送
信されて処理された後、この制御信号18は半導体レー
ザ21への注入電流を調整することにょシ、半導体レー
ザ21の発振波長が吸収セル中の対人気体の吸収線ピー
クに同期され、この波長に安定化される。そして、この
安定光は光ファイバ25の出力として得られる。
内に充満した光吸収性ガスを透過し、ある特定の周波数
における光吸収が生じる。このとき、光吸収性ガスを透
過した光強度は第3図のような特性を示す。また、その
吸収ピークにレーザ光の発振周波数を同期させる。しか
して、その透逝光を半球レンズ23で集光し受光器22
で光電変換すると、該受光器22で光電変換した信号1
Tが発振波長安定化用帰還回路14(第1図参照)に送
信されて処理された後、この制御信号18は半導体レー
ザ21への注入電流を調整することにょシ、半導体レー
ザ21の発振波長が吸収セル中の対人気体の吸収線ピー
クに同期され、この波長に安定化される。そして、この
安定光は光ファイバ25の出力として得られる。
例えば、第2図の装置構成において、半導体レーザ21
として波長1.5300μmで発振するInGaAsP
系の分布爆速型半導体レーザCDFB型LD)を使用し
、また、レーザ光が光吸収性ガスを透過する距離つ1夛
半導体レーザ21と半球レンズ23間を1謂とし、吸収
気体としてアセチレンをI Torr封入した場合、1
.5315μmの吸収線(半値全幅800MHz、吸収
強度50%)金利用して前記半導体レーザ21を吸収線
に波長同期させた。その結果、この構成系を使い半導体
レーザの中心発振波長の変動をI X to−”ck(
光周波数にして] MHz ) 以下に抑えることがで
きた。
として波長1.5300μmで発振するInGaAsP
系の分布爆速型半導体レーザCDFB型LD)を使用し
、また、レーザ光が光吸収性ガスを透過する距離つ1夛
半導体レーザ21と半球レンズ23間を1謂とし、吸収
気体としてアセチレンをI Torr封入した場合、1
.5315μmの吸収線(半値全幅800MHz、吸収
強度50%)金利用して前記半導体レーザ21を吸収線
に波長同期させた。その結果、この構成系を使い半導体
レーザの中心発振波長の変動をI X to−”ck(
光周波数にして] MHz ) 以下に抑えることがで
きた。
なお、光吸収性ガスとしては、アセチレンの他にアンモ
ニアガスやメタンガス、二酸化炭素等を用いても前記機
能と同様の動作原理によって発振波長安定化を行うこと
ができる。
ニアガスやメタンガス、二酸化炭素等を用いても前記機
能と同様の動作原理によって発振波長安定化を行うこと
ができる。
以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本
発明は、上記実施例に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱し々い範囲において種々変更可能であることは
言うまでもない。
発明は、上記実施例に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱し々い範囲において種々変更可能であることは
言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、光を発する半導体
レーザと受光器を、光吸収性ガスを封入した吸収セル内
に入れて装置を一体化することにより、光吸収強度をで
きるだけ高めるとともに外乱による安定性のゆらぎを抑
えることができるので、半導体レーザの発振波長を極め
て高精度で所定の波長に同期し、安定化することができ
るという効果がある。
レーザと受光器を、光吸収性ガスを封入した吸収セル内
に入れて装置を一体化することにより、光吸収強度をで
きるだけ高めるとともに外乱による安定性のゆらぎを抑
えることができるので、半導体レーザの発振波長を極め
て高精度で所定の波長に同期し、安定化することができ
るという効果がある。
!!六、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置は、
光学系の安定性に優れ、小型化できるという利点がある
ことから、コヒーレント光通信における波長標準光源や
光計測における光源として利用できる利点がある。
光学系の安定性に優れ、小型化できるという利点がある
ことから、コヒーレント光通信における波長標準光源や
光計測における光源として利用できる利点がある。
第1図は本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の基
本構成図、第2図は本発明の発振波長安定化半導体レー
ザ装置の一実施例の内部構造図、第3図は上記実施例の
動作説明に供する光吸収性ガスを透過した後の光周波数
に対する光の強度を示す図、第4図は従来の光吸収セル
を用いた見損波長安定化半導体レーザ装置を示す構成ブ
ロック図である。 11・e・・吸収セル、12.21φ・・・半導体レー
ザ、13,22・・・・受光器、14・・Φ・発振波長
安定化用帰還回路、23・・・拳半球レンズ、25・・
−・光ファイバ、26.27・・・・台、28・・・・
箱。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 山 川 政 樹 第1面 第2図 (CI) (b) 第3= 光闇波教 ・ 第4工
本構成図、第2図は本発明の発振波長安定化半導体レー
ザ装置の一実施例の内部構造図、第3図は上記実施例の
動作説明に供する光吸収性ガスを透過した後の光周波数
に対する光の強度を示す図、第4図は従来の光吸収セル
を用いた見損波長安定化半導体レーザ装置を示す構成ブ
ロック図である。 11・e・・吸収セル、12.21φ・・・半導体レー
ザ、13,22・・・・受光器、14・・Φ・発振波長
安定化用帰還回路、23・・・拳半球レンズ、25・・
−・光ファイバ、26.27・・・・台、28・・・・
箱。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 山 川 政 樹 第1面 第2図 (CI) (b) 第3= 光闇波教 ・ 第4工
Claims (1)
- 半導体レーザによる光を、特定の波長の光のみを吸収す
る原子または分子気体を通過させた後、受光器に至らし
め、この受光器での検出光量に対応する電気信号を帰還
回路を介して上記半導体レーザに帰還させることにより
、該半導体レーザの発振波長を安定化させる半導体レー
ザ装置において、上記気体を封入した吸収セルの中に、
少なくとも上記半導体レーザおよび受光器を備えたこと
を特徴とする発振波長安定化半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120653A JPH0812942B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120653A JPH0812942B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299279A true JPH02299279A (ja) | 1990-12-11 |
| JPH0812942B2 JPH0812942B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=14791558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1120653A Expired - Fee Related JPH0812942B2 (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812942B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116173U (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-16 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1120653A patent/JPH0812942B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116173U (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-16 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812942B2 (ja) | 1996-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4952603B2 (ja) | 原子発振器 | |
| US5107512A (en) | Frequency stabilization of a laser beam by using a birefrigent body | |
| CN103684449B (zh) | 原子室模块、量子干涉装置、电子设备及磁场控制方法 | |
| CN113805462B (zh) | 基于拓扑体态面发射激光器的cpt芯片原子钟及其实现方法 | |
| EP0446345B1 (en) | Radiation source for helium magnetometers | |
| US6477189B1 (en) | Laser oscillation frequency stabilizer | |
| JP2009141048A (ja) | 光学系及び原子発振器 | |
| JPH02299279A (ja) | 発振波長安定化半導体レーザ装置 | |
| JP2761505B2 (ja) | 波長安定化レーザ装置 | |
| CN119087311A (zh) | 磁强计的光电信号转换系统 | |
| JP2602543B2 (ja) | 発振波長安定化半導体レーザ装置 | |
| JPS59140B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| RU2073949C1 (ru) | Стабилизированный по частоте лазер | |
| JPH03129891A (ja) | レーザ発振波長安定化装置 | |
| JPS6251514B2 (ja) | ||
| SU1194230A1 (ru) | Устройство дл стабилизации частоты лазера | |
| JPH02234484A (ja) | 周波数安定化光源 | |
| JPH02299280A (ja) | 発振波長安定化半導体レーザ装置 | |
| JP2715484B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02119283A (ja) | 発振波長安定化半導体レーザ装置 | |
| JPH03273208A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2756698B2 (ja) | 発振波長安定化半導体レーザ装置 | |
| JPS6344783A (ja) | レ−ザ光源の周波数安定化装置 | |
| JPH03178181A (ja) | レーザダイオードモジユール | |
| JPH01100403A (ja) | 干渉計用光源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |