JPH0230206B2 - - Google Patents
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- JPH0230206B2 JPH0230206B2 JP54044015A JP4401579A JPH0230206B2 JP H0230206 B2 JPH0230206 B2 JP H0230206B2 JP 54044015 A JP54044015 A JP 54044015A JP 4401579 A JP4401579 A JP 4401579A JP H0230206 B2 JPH0230206 B2 JP H0230206B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- switch
- effect transistor
- electrode side
- capacitor
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電界効果トランジスタを用いた双方
向の固体スイツチに関するものである。
向の固体スイツチに関するものである。
従来、商用電圧のような比較的高い交流電圧
や、直流電圧のスイツチには、いわゆる機械式接
点スイツチや水銀リレー等が利用されて来た。特
にスイツチ制御回路系と被スイツチ回路系の電位
レベルが異なる場合、あるいは両者を電位的に独
立に保ちたい場合には、両回路が電気的に絶縁分
離されている必要があり、上記スイツチが有利で
あつた。しかし、電子回路の固体化、集積化が進
み電子装置全体の小型化が進むに従い、従来の機
械式接点スイツチに代る小型高性能な双方向固体
スイツチの実現が望まれ、種々開発が行なわれて
いる。第１図は、スイツチ用トランジスタとし
て、電界効果トランジスタを用い、入力信号回路
と被スイツチ回路とをトランスで絶縁分離した従
来の固体交流スイツチの一例である。この固体交
流スイツチは、バイポーラ形素子を用いたスイツ
チに比し高出力、高電圧のスイツチとして信頼性
が高い等種々の長所を有するが、小型化に限界の
あるトランスを用いているためスイツチ全体を小
型化もしくは集積化できないという欠点があつ
た。
や、直流電圧のスイツチには、いわゆる機械式接
点スイツチや水銀リレー等が利用されて来た。特
にスイツチ制御回路系と被スイツチ回路系の電位
レベルが異なる場合、あるいは両者を電位的に独
立に保ちたい場合には、両回路が電気的に絶縁分
離されている必要があり、上記スイツチが有利で
あつた。しかし、電子回路の固体化、集積化が進
み電子装置全体の小型化が進むに従い、従来の機
械式接点スイツチに代る小型高性能な双方向固体
スイツチの実現が望まれ、種々開発が行なわれて
いる。第１図は、スイツチ用トランジスタとし
て、電界効果トランジスタを用い、入力信号回路
と被スイツチ回路とをトランスで絶縁分離した従
来の固体交流スイツチの一例である。この固体交
流スイツチは、バイポーラ形素子を用いたスイツ
チに比し高出力、高電圧のスイツチとして信頼性
が高い等種々の長所を有するが、小型化に限界の
あるトランスを用いているためスイツチ全体を小
型化もしくは集積化できないという欠点があつ
た。
第２図は本願発明と同日に出願された、本願発
明者らによる発明を引用したものである。
明者らによる発明を引用したものである。
第２図は、この点を解決すべく入力端にコンデ
ンサを用いた固体交流スイツチであり、入力信号
回路と被スイツチ回路とは、コンデンサにより直
流的に分離されている。用いるコンデンサの容量
は数十pＦ〜数百pＦ程度と比較的小容量でよいた
め、スイツチ全体の小型化、集積化が容易という
特徴を有する。
ンサを用いた固体交流スイツチであり、入力信号
回路と被スイツチ回路とは、コンデンサにより直
流的に分離されている。用いるコンデンサの容量
は数十pＦ〜数百pＦ程度と比較的小容量でよいた
め、スイツチ全体の小型化、集積化が容易という
特徴を有する。
ところで、トランジスタを用いたスイツチは、
一般にトランジスタ自身のオン抵抗のため、従来
の機械式接点スイツチ等に比べて直列抵抗が高く
なるという欠点がある。直列抵抗はスイツチ機能
に差しつかえない程度に、低くする必要があるか
ら、第１図、第２図の固体スイツチの場合、電界
効果トランジスタを大きくすることによつて、オ
ン抵抗を下げる必要がある。実際、電界効果トラ
ンジスタでは、ゲート幅を大きくすることによつ
て、容易に１Ω程度のオン抵抗が得られるが、同
時にドレイン面積の増大に伴ない、ドレイン容量
が大巾に増加してしまう欠点を有する。たとえば
ドレイン耐圧150V以上オン抵抗１Ω程度の高耐
圧電界効果トランジスタの場合、ドレイン容量は
1000pＦ程度にもなる。かかる電界効果トランジ
スタを第１、第２図の様な固体交流スイツチに用
いれば、該固体スイツチの被スイツチ端入力容量
が1000pＦ程度になり、該スイツチの周波数特性
が著しく劣化する。たとえば、1KHzの交流被ス
イツチ入力信号に対して、該スイツチは約160K
Ω10KHzの交流被スイツチ入力信号に対して、
16KΩ程度のインピーダンスとしてしか作用しな
い。従つて、負荷抵抗を10KΩとした場合、1K
Hzの交流電圧に対して６％程度、10KHzで38％程
度の分圧が、スイツチオフ時にも、負荷端に表わ
れることになり、充分なスイツチ動作をしない。
一般にトランジスタ自身のオン抵抗のため、従来
の機械式接点スイツチ等に比べて直列抵抗が高く
なるという欠点がある。直列抵抗はスイツチ機能
に差しつかえない程度に、低くする必要があるか
ら、第１図、第２図の固体スイツチの場合、電界
効果トランジスタを大きくすることによつて、オ
ン抵抗を下げる必要がある。実際、電界効果トラ
ンジスタでは、ゲート幅を大きくすることによつ
て、容易に１Ω程度のオン抵抗が得られるが、同
時にドレイン面積の増大に伴ない、ドレイン容量
が大巾に増加してしまう欠点を有する。たとえば
ドレイン耐圧150V以上オン抵抗１Ω程度の高耐
圧電界効果トランジスタの場合、ドレイン容量は
1000pＦ程度にもなる。かかる電界効果トランジ
スタを第１、第２図の様な固体交流スイツチに用
いれば、該固体スイツチの被スイツチ端入力容量
が1000pＦ程度になり、該スイツチの周波数特性
が著しく劣化する。たとえば、1KHzの交流被ス
イツチ入力信号に対して、該スイツチは約160K
Ω10KHzの交流被スイツチ入力信号に対して、
16KΩ程度のインピーダンスとしてしか作用しな
い。従つて、負荷抵抗を10KΩとした場合、1K
Hzの交流電圧に対して６％程度、10KHzで38％程
度の分圧が、スイツチオフ時にも、負荷端に表わ
れることになり、充分なスイツチ動作をしない。
第２図のスイツチは、第１図のスイツチに比べ
応答の遅いトランスではなく、コンデンサを使用
している点で周波数特性が改善されている。
応答の遅いトランスではなく、コンデンサを使用
している点で周波数特性が改善されている。
第２図のスイツチではトランジスタ２個には端
子４，５から交流の被スイツチ電圧が加えられる
ので、正の大きな電圧から負の大きな電圧が加え
られることになる。大きな電圧がかかつている間
はどちらかのトランジスタのドレインのPN接合
が逆バイアスされ、容量が下がる結果、スイツチ
全体の容量は低減する。しかしOV付近の小さな
電圧がかかる間はドレイン容量が極めて大きくな
る。従つてこのスイツチは低いインピーダンスを
持つこととなり周波数応答に限界があり、改善の
必要があつた。
子４，５から交流の被スイツチ電圧が加えられる
ので、正の大きな電圧から負の大きな電圧が加え
られることになる。大きな電圧がかかつている間
はどちらかのトランジスタのドレインのPN接合
が逆バイアスされ、容量が下がる結果、スイツチ
全体の容量は低減する。しかしOV付近の小さな
電圧がかかる間はドレイン容量が極めて大きくな
る。従つてこのスイツチは低いインピーダンスを
持つこととなり周波数応答に限界があり、改善の
必要があつた。
本発明の目的は、従来、相反する特性であつた
低オン抵抗と、良好な周波数特性とを兼ね備えた
小型化集積化可能な、新規な固体交流スイツチを
提供するところにある。
低オン抵抗と、良好な周波数特性とを兼ね備えた
小型化集積化可能な、新規な固体交流スイツチを
提供するところにある。
本発明によれば、ゲートシヤント抵抗を有する
電界効果トランジスタのドレイン、ソース端間に
ｐ形トランジスタならばアノードを、ｎ形トラン
ジスタならばカソードをドレイン側に向けて２個
直列接続したダイオード列を２組設け、それぞれ
のダイオード列の中点を被スイツチ端とし、駆動
用パルス電源の出力端と該電界効果トランジスタ
のゲート電極側端、および駆動用パルス電源の接
地電極端該電界効果トランジスタのソース電極側
端同志のうち、少なくとも、駆動用パルス電源の
出力端と該電界効果トランジスタのゲート電極側
端とを、コンデンサで接続し、駆動用パルス入力
電圧列によつて該コンデンサのゲート電極側端と
ソース電極側端間に生ずるパルス電圧列を、該コ
ンデンサのゲート電極側端と、電界効果トランジ
スタのゲート電極間に設けた整流平滑化回路によ
り、整流平滑化し、電界効果トランジスタの直流
ゲート入力となしたることを特徴とする固体交流
スイツチが得られる。
電界効果トランジスタのドレイン、ソース端間に
ｐ形トランジスタならばアノードを、ｎ形トラン
ジスタならばカソードをドレイン側に向けて２個
直列接続したダイオード列を２組設け、それぞれ
のダイオード列の中点を被スイツチ端とし、駆動
用パルス電源の出力端と該電界効果トランジスタ
のゲート電極側端、および駆動用パルス電源の接
地電極端該電界効果トランジスタのソース電極側
端同志のうち、少なくとも、駆動用パルス電源の
出力端と該電界効果トランジスタのゲート電極側
端とを、コンデンサで接続し、駆動用パルス入力
電圧列によつて該コンデンサのゲート電極側端と
ソース電極側端間に生ずるパルス電圧列を、該コ
ンデンサのゲート電極側端と、電界効果トランジ
スタのゲート電極間に設けた整流平滑化回路によ
り、整流平滑化し、電界効果トランジスタの直流
ゲート入力となしたることを特徴とする固体交流
スイツチが得られる。
以下、本発明を一実施例を示す図面を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第３図は、本発明の一実施例を示す固体スイツ
チの回路図である。本発明にかかる固体交流スイ
ツチは、コンデンサ６，７を介して、入力された
パルス状駆動電圧をダイオード１０および抵抗１
２によつて整流平滑化し、電界効果トランジスタ
１を導通させて動作させるもので同図の如く、ダ
イオード１３〜１６のブリツジ構成の中に電界効
果トランジスタ１を入れることにより双方向の信
号をオンオフすることができる。
チの回路図である。本発明にかかる固体交流スイ
ツチは、コンデンサ６，７を介して、入力された
パルス状駆動電圧をダイオード１０および抵抗１
２によつて整流平滑化し、電界効果トランジスタ
１を導通させて動作させるもので同図の如く、ダ
イオード１３〜１６のブリツジ構成の中に電界効
果トランジスタ１を入れることにより双方向の信
号をオンオフすることができる。
本構成の固体交流スイツチは、スイツチ用トラ
ンジスタとして、オン抵抗１Ω以下、ドレイン容
量1000pＦ以上の電界効果トランジスタを用いて
いるのにもかかわらず、高周波交流信号のスイツ
チが充分可能となつた。これは、電界効果トラン
ジスタ１がオフの場合、電界効果トランジスタ１
とダイオードの交点１７および１８が、一定振幅
の被スイツチ交流入力信号に対してそれぞれ、正
および負の一定電圧まで直流的にバイアスされて
しまうので、トランジスタ１のドレイン−ソース
端には常に入力信号の最大振幅と同じ電圧の直流
電圧が加わることによる。このことが従来例と大
きく相違している点である。端子１８が負に、端
子１７が正の電位にバイアスされるのはダイオー
ドブリツジのダイオードの整流作用により、一旦
流入した電荷が流出できないためである。こうし
てトランジスタ１のドレイン、ソース間に入力信
号の最大振幅と同じ直流電圧が加わるので、トラ
ンジスタのドレイン領域が逆バイアスされ空乏化
するのでドレイン容量が数十分の１に低下する。
こうしてトランジスタ１の静電容量は小さい状態
に保たれるので入力信号に対してスイツチの直列
等価容量としてはダイオードの容量のみが表われ
る。ダイオードの容量はもともとトランジスタの
ドレイン容量に比べ十分小さい。またダイオード
ブリツジを構成するダイオード１６と１５、１３
と１４のうち少なくともどちらか一つは常に逆バ
イアスとなるので低静電容量となる。その結果全
体として低容量となる。尚トランジスタの容量が
逆バイアスで低減することは、ジイー著（S.M.
Sze）「半導体デバイスの物理」（コロナ社）第１
巻86、87頁に記載されていて、順バイアスから逆
バイアスへ変わると、PN接合の容量が、1/100
程度に変化することが図９からわかる。ちなみ
に、ダイオードの容量は、耐圧数百Ｖ、平均整流
電流1A程度のものでも高々数十pＦである。たと
えば、本発明の固体交流スイツチの直列入力容量
を10pＦとすれば、先の例で、1KHzの交流信号に
対するインピーダンスは、16MΩ、10KHzの交流
信号に対しても、1.6MΩとなり、充分なスイツ
チ効果が得られることがわかる。
ンジスタとして、オン抵抗１Ω以下、ドレイン容
量1000pＦ以上の電界効果トランジスタを用いて
いるのにもかかわらず、高周波交流信号のスイツ
チが充分可能となつた。これは、電界効果トラン
ジスタ１がオフの場合、電界効果トランジスタ１
とダイオードの交点１７および１８が、一定振幅
の被スイツチ交流入力信号に対してそれぞれ、正
および負の一定電圧まで直流的にバイアスされて
しまうので、トランジスタ１のドレイン−ソース
端には常に入力信号の最大振幅と同じ電圧の直流
電圧が加わることによる。このことが従来例と大
きく相違している点である。端子１８が負に、端
子１７が正の電位にバイアスされるのはダイオー
ドブリツジのダイオードの整流作用により、一旦
流入した電荷が流出できないためである。こうし
てトランジスタ１のドレイン、ソース間に入力信
号の最大振幅と同じ直流電圧が加わるので、トラ
ンジスタのドレイン領域が逆バイアスされ空乏化
するのでドレイン容量が数十分の１に低下する。
こうしてトランジスタ１の静電容量は小さい状態
に保たれるので入力信号に対してスイツチの直列
等価容量としてはダイオードの容量のみが表われ
る。ダイオードの容量はもともとトランジスタの
ドレイン容量に比べ十分小さい。またダイオード
ブリツジを構成するダイオード１６と１５、１３
と１４のうち少なくともどちらか一つは常に逆バ
イアスとなるので低静電容量となる。その結果全
体として低容量となる。尚トランジスタの容量が
逆バイアスで低減することは、ジイー著（S.M.
Sze）「半導体デバイスの物理」（コロナ社）第１
巻86、87頁に記載されていて、順バイアスから逆
バイアスへ変わると、PN接合の容量が、1/100
程度に変化することが図９からわかる。ちなみ
に、ダイオードの容量は、耐圧数百Ｖ、平均整流
電流1A程度のものでも高々数十pＦである。たと
えば、本発明の固体交流スイツチの直列入力容量
を10pＦとすれば、先の例で、1KHzの交流信号に
対するインピーダンスは、16MΩ、10KHzの交流
信号に対しても、1.6MΩとなり、充分なスイツ
チ効果が得られることがわかる。
すなわち、本構成の固体交流スイツチにおいて
は、ドレイン容量の大きな電界効果トランジスタ
や、ゲート入力側にスイツチ制御回路との電気的
分離のためのコンデンサーが使われているにもか
かわらず、被スイツチ端の直列等価入力容量をき
わめて小さくすることができるから、小型、集積
化可能で且つ、高周波信号のスイツチが充分行な
える固体交流スイツチが実現されることになる。
は、ドレイン容量の大きな電界効果トランジスタ
や、ゲート入力側にスイツチ制御回路との電気的
分離のためのコンデンサーが使われているにもか
かわらず、被スイツチ端の直列等価入力容量をき
わめて小さくすることができるから、小型、集積
化可能で且つ、高周波信号のスイツチが充分行な
える固体交流スイツチが実現されることになる。
尚、第３図に示した固体交流スイツチ回路は、
あくまで本発明の一実施例を説明するためのもの
であつて、本発明の主旨に沿つて、種々、異なつ
た回路構成が選択可能なことは言うまでもない。
たとえば、本発明の固体交流スイツチは駆動用パ
ルス電源の接地側端と電界効果トランジスタのソ
ース電極側とを結ぶコンデンサ７を省略しても、
被スイツチ回路系の寄生容量の存在等により駆動
用パルスに対して、スイツチ制御回路と被スイツ
チ回路を結ぶ等価的な閉回路が存在する場合には
充分動作が可能である。又、駆動用パルス入力に
対する整流平滑化回路は図の様な簡単な構成のも
のから、直流ゲート入力のリツプルを減少させる
ような、より複雑な形式のものまで、スイツチの
使用目的に合わせて選択することができる。また
使用されるトランジスタとしては、いわゆるｐチ
ヤンネル、ｎチヤンネルMOS形トランジスタの
外接合形電界効果トランジスタ、静電誘導形電界
効果トランジスタ等、種々の電界効果形トランジ
スタの使用が可能である。
あくまで本発明の一実施例を説明するためのもの
であつて、本発明の主旨に沿つて、種々、異なつ
た回路構成が選択可能なことは言うまでもない。
たとえば、本発明の固体交流スイツチは駆動用パ
ルス電源の接地側端と電界効果トランジスタのソ
ース電極側とを結ぶコンデンサ７を省略しても、
被スイツチ回路系の寄生容量の存在等により駆動
用パルスに対して、スイツチ制御回路と被スイツ
チ回路を結ぶ等価的な閉回路が存在する場合には
充分動作が可能である。又、駆動用パルス入力に
対する整流平滑化回路は図の様な簡単な構成のも
のから、直流ゲート入力のリツプルを減少させる
ような、より複雑な形式のものまで、スイツチの
使用目的に合わせて選択することができる。また
使用されるトランジスタとしては、いわゆるｐチ
ヤンネル、ｎチヤンネルMOS形トランジスタの
外接合形電界効果トランジスタ、静電誘導形電界
効果トランジスタ等、種々の電界効果形トランジ
スタの使用が可能である。
第１図は従来のトランスを用いた固体交流スイ
ツチの回路構成、第２図は従来の改良された小型
化可能な固定交流スイツチの回路構成、第３図は
本発明の小型化可能で且つ、高周波特性に優れた
固体交流スイツチの回路構成例を示し、各図にお
いて、１，２は電界効果トランジスタ、３はトラ
ンス、４，５は被スイツチ端、６，７は入力信号
端コンデンサ、８，９はスイツチの入力信号端、
１０は整流用ダイオード、１１はゲートシヤント
抵抗、１２は平滑化のための抵抗、１３〜１６は
双方向スイツチを構成するためのダイオード、１
７および１８は、電界効果トランジスタのソース
電極端およびドレイン電極端をそれぞれ示す。
ツチの回路構成、第２図は従来の改良された小型
化可能な固定交流スイツチの回路構成、第３図は
本発明の小型化可能で且つ、高周波特性に優れた
固体交流スイツチの回路構成例を示し、各図にお
いて、１，２は電界効果トランジスタ、３はトラ
ンス、４，５は被スイツチ端、６，７は入力信号
端コンデンサ、８，９はスイツチの入力信号端、
１０は整流用ダイオード、１１はゲートシヤント
抵抗、１２は平滑化のための抵抗、１３〜１６は
双方向スイツチを構成するためのダイオード、１
７および１８は、電界効果トランジスタのソース
電極端およびドレイン電極端をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ ゲートシヤント抵抗を有する電界効果トラン
ジスタのドレイン、ソース端間に、ｐ形トランジ
スタならばアノードを、ｎ形トランジスタならば
カソードをドレイン側に向けて２個直列接続した
ダイオード列を２組設け、それぞれのダイオード
列の中点を被スイツチ端とし、駆動用パルス電源
の出力端と該電界効果トランジスタのゲート電極
側端、および駆動用パルス電源の接地電極端と該
電界効果トランジスタのソース電極側端同志のう
ち少なくとも、駆動用パルス電源の出力端と該電
界効果トランジスタのゲート電極側端とをコンデ
ンサで接続し、駆動用パルス入力電圧列によつて
該コンデンサのゲート電極側端と、ソース電極側
端間に生ずるパルス電圧列を、該コンデンサのゲ
ート電極側端と、電界効果トランジスタのゲート
電極間に設けた整流平滑化回路により整流平滑化
し、電界効果トランジスタの直流ゲート入力とな
したることを特徴とする固体交流スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4401579A JPS55136720A (en) | 1979-04-11 | 1979-04-11 | Solidstate alternating current switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4401579A JPS55136720A (en) | 1979-04-11 | 1979-04-11 | Solidstate alternating current switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55136720A JPS55136720A (en) | 1980-10-24 |
| JPH0230206B2 true JPH0230206B2 (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=12679851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4401579A Granted JPS55136720A (en) | 1979-04-11 | 1979-04-11 | Solidstate alternating current switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55136720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9537481B2 (en) | 2011-06-06 | 2017-01-03 | Optex Co., Ltd. | DC insulation semiconductor relay device |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107629U (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | 株式会社チノ− | スイツチ駆動回路 |
| JPS58107634U (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | 株式会社チノ− | スイツチ駆動回路 |
| JPS58139742U (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | ファナック株式会社 | 無極性無接点リレ− |
| JPS58139741U (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | ファナック株式会社 | 無接点リレ− |
| US4485342A (en) * | 1982-07-27 | 1984-11-27 | General Electric Company | Load driving circuitry with load current sensing |
| US4581540A (en) * | 1984-03-16 | 1986-04-08 | Teledyne Industries, Inc. | Current overload protected solid state relay |
| GB8423574D0 (en) * | 1984-09-18 | 1984-10-24 | Smiths Ind Plc Ac | Switch |
| JPH07107974B2 (ja) * | 1985-06-03 | 1995-11-15 | 株式会社日立製作所 | スイツチング半導体素子の駆動回路 |
| JPS63151112A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Fujisoku:Kk | 半導体リレ− |
| JP4618164B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-01-26 | 株式会社デンソー | スイッチ回路 |
| JP5776011B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-09-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 絶縁キャパシタを用いた容量絶縁方式の半導体リレー |
| JP5660492B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-01-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 絶縁キャパシタを用いた容量絶縁方式の半導体リレー |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227823B2 (ja) * | 1971-10-14 | 1977-07-22 | ||
| JPS5016981Y2 (ja) * | 1971-12-08 | 1975-05-26 | ||
| JPS52101351U (ja) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | ||
| US4052623A (en) * | 1976-08-10 | 1977-10-04 | General Electric Company | Isolated semiconductor gate control circuit |
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-
1979
- 1979-04-11 JP JP4401579A patent/JPS55136720A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9537481B2 (en) | 2011-06-06 | 2017-01-03 | Optex Co., Ltd. | DC insulation semiconductor relay device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55136720A (en) | 1980-10-24 |
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