JPH02302490A - 低速電子線用発光組成物 - Google Patents
低速電子線用発光組成物Info
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は蛍光体と酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏａ）との混
合物から成り、特に加速電圧ＩＫＶ以下の低速電子線励
起下で高輝度の発光を示す低速電子線用発光組成物（以
下、単に「発光組成物」という）の改良に関する。
合物から成り、特に加速電圧ＩＫＶ以下の低速電子線励
起下で高輝度の発光を示す低速電子線用発光組成物（以
下、単に「発光組成物」という）の改良に関する。
（従来の技術）
組成式ＣＺｎ１−ｘ 、Ｃｄｓ ）Ｓ （但し、Ｘは０
≦Ｘ≦１なる条件を満たす数である）で表わされる硫化
物を母体とし、これに亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、金（
Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）等を付活し、さ
らに必要に応じてハロゲン、アルミニウム（ＡＪり、ガ
リウム（Ｇａ）。
≦Ｘ≦１なる条件を満たす数である）で表わされる硫化
物を母体とし、これに亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、金（
Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）等を付活し、さ
らに必要に応じてハロゲン、アルミニウム（ＡＪり、ガ
リウム（Ｇａ）。
インジウム（Ｉｎ）等を共付活してなる一連の硫化物系
蛍光体をはじめ、セリウム（Ｃｅ）付活アルミン酸・ガ
リウム酸イツトリウム蛍光体（Ｙ。
蛍光体をはじめ、セリウム（Ｃｅ）付活アルミン酸・ガ
リウム酸イツトリウム蛍光体（Ｙ。
（ＡＪ！、Ｇａ）ｓ ０！２： Ｃｅｌ 、ニーｏピウ
ム（Ｅｕ）付活アルミン酸バリウム・マグネシウム蛍光
体（（Ｂ ａ、 Ｍｇ） ０ ・６ＡＪ！ｚ ０３ ：
Ｅ ｕｌ等の酸素酸塩系蛍光体、ユーロピウム（Ｅ
ｕ）付活酸化イツトリウム蛍光体（Ｙ２０３ ： Ｅ
ｕ）等の酸化物系蛍光体等の、加速電圧ＩＫＶより大の
高速電子線励起下では良く発光するものの低速電子線励
起下でほとんど発光しない高抵抗の蛍光体に、酸化イン
ジウム（Ｉｎ２０３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（
ＳｎＯｚ）等の導電性物質を混合してなる発光組成物は
、加速電圧がＩＫｖ以下の低速電子線励起により、その
発光組成物の主成分である高抵抗の蛍光体に固有の青色
〜赤色にわたる高輝度の可視発光を呈する（特公昭５９
−３３１５３号、特公昭５９−３３１５５号、特公昭６
２−４４０３５号、特公昭６２−５３５５４号等参照）
ところから、緑白色発光を示す蛍光体として古くから実
用されているＺｎＯ： Ｚｎと組合わせて、多色表示が
できる、車載用（クロック、カーオーディオ、速度メー
ター、タコメーター等の表示用）、オーディオ用、ＶＴ
Ｒ用等の蛍光表示管の蛍光膜として近年多用されるよう
になってきた。
ム（Ｅｕ）付活アルミン酸バリウム・マグネシウム蛍光
体（（Ｂ ａ、 Ｍｇ） ０ ・６ＡＪ！ｚ ０３ ：
Ｅ ｕｌ等の酸素酸塩系蛍光体、ユーロピウム（Ｅ
ｕ）付活酸化イツトリウム蛍光体（Ｙ２０３ ： Ｅ
ｕ）等の酸化物系蛍光体等の、加速電圧ＩＫＶより大の
高速電子線励起下では良く発光するものの低速電子線励
起下でほとんど発光しない高抵抗の蛍光体に、酸化イン
ジウム（Ｉｎ２０３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（
ＳｎＯｚ）等の導電性物質を混合してなる発光組成物は
、加速電圧がＩＫｖ以下の低速電子線励起により、その
発光組成物の主成分である高抵抗の蛍光体に固有の青色
〜赤色にわたる高輝度の可視発光を呈する（特公昭５９
−３３１５３号、特公昭５９−３３１５５号、特公昭６
２−４４０３５号、特公昭６２−５３５５４号等参照）
ところから、緑白色発光を示す蛍光体として古くから実
用されているＺｎＯ： Ｚｎと組合わせて、多色表示が
できる、車載用（クロック、カーオーディオ、速度メー
ター、タコメーター等の表示用）、オーディオ用、ＶＴ
Ｒ用等の蛍光表示管の蛍光膜として近年多用されるよう
になってきた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、特に車載用蛍光表示管の場合、使用され
る電源の関係から蛍光表示管の加速電圧に制限があるた
め、従来の技術では蛍光表示管の発光輝度が不十分で特
に昼間の外光下での視認性に欠け、車の運転上の安全性
という面から問題があるというのが現状である。
る電源の関係から蛍光表示管の加速電圧に制限があるた
め、従来の技術では蛍光表示管の発光輝度が不十分で特
に昼間の外光下での視認性に欠け、車の運転上の安全性
という面から問題があるというのが現状である。
本発明は上述のような状況に鑑みてなされたものであり
、特に加速電圧ＩＫＶ以下の低速電子線で励起した時、
より高輝度の発光を示す発光組成物を提供することを目
的とする。
、特に加速電圧ＩＫＶ以下の低速電子線で励起した時、
より高輝度の発光を示す発光組成物を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は上記目的を達成するため、現在、多色表示
の可能な蛍光表示管用として使用されている、蛍光体と
導電性物質との混合物から成る発光組成物の一構成部分
である導電性物質について、その種類、物性等と、得ら
れる発光組成物の発光輝度との関係について鋭意研究し
た結果、用いられる導電性物質の結晶性の違いによって
得られる発光組成物の発光輝度が大きく変化し、導電性
物質として特定の結晶化度を有する酸化インジウム（Ｉ
ｎ２Ｏ３）を用いた時、特に高輝度の発光組成物が得ら
れることを発見した。即ち、結晶体の回折Ｘ線スペクト
ル（結晶体にＸ線を照射した時の、結晶によるＸ線の回
折角（θ）の２倍角（２θ）と回折線の強度との関係を
示す）における回折線の半価幅（２θ）とその結晶体の
結晶化の度合いとの間には相関がある（半価幅が狭いほ
ど結晶化の度合いが大である）ため、種々の１ｎ２０３
について回折Ｘ線スペクトルを測定し、夫々の最強回折
線（Ｉｎ２Ｏ２の場合、面指数［１゜０．０］面での回
折線）の半価幅を求めるとともに、これらのＩｎ２Ｏ３
を用いた各発光組成物との相関を調べたところ、回折Ｘ
線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が０
．１０”〜０．２５’の範囲にあるＩｎ２Ｏ３を用いた
時、特に高輝度の発光組成物が得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
の可能な蛍光表示管用として使用されている、蛍光体と
導電性物質との混合物から成る発光組成物の一構成部分
である導電性物質について、その種類、物性等と、得ら
れる発光組成物の発光輝度との関係について鋭意研究し
た結果、用いられる導電性物質の結晶性の違いによって
得られる発光組成物の発光輝度が大きく変化し、導電性
物質として特定の結晶化度を有する酸化インジウム（Ｉ
ｎ２Ｏ３）を用いた時、特に高輝度の発光組成物が得ら
れることを発見した。即ち、結晶体の回折Ｘ線スペクト
ル（結晶体にＸ線を照射した時の、結晶によるＸ線の回
折角（θ）の２倍角（２θ）と回折線の強度との関係を
示す）における回折線の半価幅（２θ）とその結晶体の
結晶化の度合いとの間には相関がある（半価幅が狭いほ
ど結晶化の度合いが大である）ため、種々の１ｎ２０３
について回折Ｘ線スペクトルを測定し、夫々の最強回折
線（Ｉｎ２Ｏ２の場合、面指数［１゜０．０］面での回
折線）の半価幅を求めるとともに、これらのＩｎ２Ｏ３
を用いた各発光組成物との相関を調べたところ、回折Ｘ
線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が０
．１０”〜０．２５’の範囲にあるＩｎ２Ｏ３を用いた
時、特に高輝度の発光組成物が得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
本発明の発光組成物は高速電子線により発光し得る蛍光
体とＩ ｎ２０３とを混合または互いに付着させてなる
発光組成物であって、上記Ｉｎ２Ｏ３の回折Ｘ線スペク
トルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が０．１０＠
乃至０．２５’の範囲にあることを特徴とする。
体とＩ ｎ２０３とを混合または互いに付着させてなる
発光組成物であって、上記Ｉｎ２Ｏ３の回折Ｘ線スペク
トルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が０．１０＠
乃至０．２５’の範囲にあることを特徴とする。
以下本発明の発光組成物の製造方法について説明する。
本発明の発光組成物の一方の構成成分として用いられる
Ｉｎ２Ｏ３は市販のＩｎ２Ｏ３試薬やＩｎ （ＮＯ３）
３ 、 Ｉ ｎ Ｃｌ３等のＩｎ塩を焼成して得た
Ｉｎ２Ｏ２の他に、例えば特開昭５５−１１０１８１号
等に開示されている、Ｅｕ、Ｃｅ等の希土類で付活され
たＩ ｎ２ｏ３．Ｉ ｎ２ ｏ、とＳｎＯ２との固溶体
等（本願明細書ではこれらを総称してｒｌｎｚｏ３Ｊと
言うことにする）の中から、これらの回折ｘｌスペクト
ルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が０．１０’〜
０．２５″′の範囲にあるＩｎ２Ｏ２が選択的に用いら
れるが、その中でもこの半価幅が０．１３°〜０．２０
”の範囲にあるＩｎ２Ｏ、を用いた時、特に高輝度の発
光組成物が得られる。なお、この時用いられる１ｎ２０
３を、その回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半
価幅が０．１０°〜０．２５°の範囲からはずれない程
度に結晶化の度合いをコントロールしながら予め空気中
、酸素ガス雰囲気中またはアルゴンガス、窒素ガス等の
中性ガス雰囲気中において９００℃〜１２００℃の温度
で再焼成しておけば、得られる発光組成物の発光輝度を
より向上させることができる。
Ｉｎ２Ｏ３は市販のＩｎ２Ｏ３試薬やＩｎ （ＮＯ３）
３ 、 Ｉ ｎ Ｃｌ３等のＩｎ塩を焼成して得た
Ｉｎ２Ｏ２の他に、例えば特開昭５５−１１０１８１号
等に開示されている、Ｅｕ、Ｃｅ等の希土類で付活され
たＩ ｎ２ｏ３．Ｉ ｎ２ ｏ、とＳｎＯ２との固溶体
等（本願明細書ではこれらを総称してｒｌｎｚｏ３Ｊと
言うことにする）の中から、これらの回折ｘｌスペクト
ルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が０．１０’〜
０．２５″′の範囲にあるＩｎ２Ｏ２が選択的に用いら
れるが、その中でもこの半価幅が０．１３°〜０．２０
”の範囲にあるＩｎ２Ｏ、を用いた時、特に高輝度の発
光組成物が得られる。なお、この時用いられる１ｎ２０
３を、その回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半
価幅が０．１０°〜０．２５°の範囲からはずれない程
度に結晶化の度合いをコントロールしながら予め空気中
、酸素ガス雰囲気中またはアルゴンガス、窒素ガス等の
中性ガス雰囲気中において９００℃〜１２００℃の温度
で再焼成しておけば、得られる発光組成物の発光輝度を
より向上させることができる。
また、本発明の発光組成物のもう一方の構成成分として
用いられる蛍光体としては特に制限は無く、高速電子線
励起により発光し得る蛍光体であればいずれも用いられ
得るが、低速電子線で励起した時の発光輝度の点でこれ
らの蛍光体の中でも特にＺｎＳ ： ［Ｚｎｌ 、Ｚ
ｎＳ ：Ａｇ、Ｃ１、ＺｎＳ：Ａｇ、ＣＪ！、Ｌｉ、Ｚ
ｎＳ：Ａｇ、Ａｆ、ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃｌ３、（Ｚｎ、Ｃ
ｄ）Ｓ ： Ｃｕ。
用いられる蛍光体としては特に制限は無く、高速電子線
励起により発光し得る蛍光体であればいずれも用いられ
得るが、低速電子線で励起した時の発光輝度の点でこれ
らの蛍光体の中でも特にＺｎＳ ： ［Ｚｎｌ 、Ｚ
ｎＳ ：Ａｇ、Ｃ１、ＺｎＳ：Ａｇ、ＣＪ！、Ｌｉ、Ｚ
ｎＳ：Ａｇ、Ａｆ、ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃｌ３、（Ｚｎ、Ｃ
ｄ）Ｓ ： Ｃｕ。
Ａ１、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ ：Ａｕ、ＡＪ！、（Ｚ ｎ。
Ｃｄ）Ｓ：Ａｕ、Ｃｕ、Ａ１、ＣｄＳ：Ａｇ等をはじめ
とする、組成式が（Ｚ ｎ １−、 Ｃｄ−）Ｓで表
わされる硫化物母体を亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、金（
Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍ ｎ ）等の付活剤
で付活し、さらに、必要に応じてこれにアルミニウム（
ＡＩり、ハロゲン元素ＣＣ１，Ｂｒ、ＩまたはＦ）等の
第１の共付活剤並びにアルカリ金属元素（Ｌｉ、Ｎａ、
に、Ｒｂ。
とする、組成式が（Ｚ ｎ １−、 Ｃｄ−）Ｓで表
わされる硫化物母体を亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、金（
Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍ ｎ ）等の付活剤
で付活し、さらに、必要に応じてこれにアルミニウム（
ＡＩり、ハロゲン元素ＣＣ１，Ｂｒ、ＩまたはＦ）等の
第１の共付活剤並びにアルカリ金属元素（Ｌｉ、Ｎａ、
に、Ｒｂ。
またはＣ５）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）
等の第２の共付活剤で共付活してなる硫化物系蛍光体お
よび亜鉛付活酸化亜鉛蛍光体（ＺｎＯ：Ｚｎ）を用いる
のがより好ましい。
等の第２の共付活剤で共付活してなる硫化物系蛍光体お
よび亜鉛付活酸化亜鉛蛍光体（ＺｎＯ：Ｚｎ）を用いる
のがより好ましい。
本発明の発光組成物を製造するには、所定の割合で秤取
された上述のＩｎ２Ｏ３と所望の蛍光体とを乳鉢、ボー
ルミル、ミキサーミル等を使用したり、篩にかける等の
方法により充分に混合するか、あるいは上述の蛍光体粒
子の表面に例えば接着剤としてゼラチンとアラビアゴム
を用いる方法（特公昭５４−３６７７号公報参照）、静
電塗布法（特公昭５４−４４２７５号公報参照）、エチ
レンセルロース、ニトロセルロース等の有機バイダーを
用いる方法（特公昭８２−３３２６６号公報参照）等の
公知の方法で上述のＩｎ２Ｏ３を付着させることにより
本発明の発光組成物を得ることができる。この時、Ｉｎ
２０３と蛍光体との混合重量比は、従来の高抵抗の蛍光
体と導電性物質から成る発光組成物の場合とほぼ同様で
あって、得られる発光組成物の発光輝度の点からＩｎ２
Ｏ２と蛍光体とを単に混合する場合には１ｎｚ０３／蛍
光体の比をおよそ１／９９乃至７１１３の重量比とし、
蛍光体粒子表面にＩｎ２Ｏ３を付着させる場合にはＩ
ｎｚ ０３ ／蛍光体の比を１／１９９乃至３／７の重
量比とするのが特に好ましい。
された上述のＩｎ２Ｏ３と所望の蛍光体とを乳鉢、ボー
ルミル、ミキサーミル等を使用したり、篩にかける等の
方法により充分に混合するか、あるいは上述の蛍光体粒
子の表面に例えば接着剤としてゼラチンとアラビアゴム
を用いる方法（特公昭５４−３６７７号公報参照）、静
電塗布法（特公昭５４−４４２７５号公報参照）、エチ
レンセルロース、ニトロセルロース等の有機バイダーを
用いる方法（特公昭８２−３３２６６号公報参照）等の
公知の方法で上述のＩｎ２Ｏ３を付着させることにより
本発明の発光組成物を得ることができる。この時、Ｉｎ
２０３と蛍光体との混合重量比は、従来の高抵抗の蛍光
体と導電性物質から成る発光組成物の場合とほぼ同様で
あって、得られる発光組成物の発光輝度の点からＩｎ２
Ｏ２と蛍光体とを単に混合する場合には１ｎｚ０３／蛍
光体の比をおよそ１／９９乃至７１１３の重量比とし、
蛍光体粒子表面にＩｎ２Ｏ３を付着させる場合にはＩ
ｎｚ ０３ ／蛍光体の比を１／１９９乃至３／７の重
量比とするのが特に好ましい。
第１図は（Ｚｎｏ、ｉ ＋ Ｃｄｏ、ｔ ）Ｓ ：
Ａｇ蛍光体と結晶化度の異なるＩｎ２Ｏ２とをそれぞれ
９：１の重量比で混合して成る種々の発光組成物につい
て、用いられるＩｎ２Ｏ３の結晶化度と得られる発光組
成物の低速電子線励起下での発光輝度との関係を例示し
たものである。第１図の横軸は用いられるＩｎ２Ｏ３の
結晶化度の目安となるもので、Ｉｎ２Ｏ３の回折Ｘ線ス
ペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）であり、
縦軸は従来から使用されていた、回折Ｘ線スペクトルに
おける最強回折線の半価幅（２θ）が０．２６°である
Ｉｎ２Ｏ２を用いた発光組成物を標準の発光組成物とし
、これの発光輝度を１００とした時の、各発光組成物の
発光輝度を相対値で示したものである。
Ａｇ蛍光体と結晶化度の異なるＩｎ２Ｏ２とをそれぞれ
９：１の重量比で混合して成る種々の発光組成物につい
て、用いられるＩｎ２Ｏ３の結晶化度と得られる発光組
成物の低速電子線励起下での発光輝度との関係を例示し
たものである。第１図の横軸は用いられるＩｎ２Ｏ３の
結晶化度の目安となるもので、Ｉｎ２Ｏ３の回折Ｘ線ス
ペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）であり、
縦軸は従来から使用されていた、回折Ｘ線スペクトルに
おける最強回折線の半価幅（２θ）が０．２６°である
Ｉｎ２Ｏ２を用いた発光組成物を標準の発光組成物とし
、これの発光輝度を１００とした時の、各発光組成物の
発光輝度を相対値で示したものである。
第１図かられかるように回折Ｘ線スペクトルにおける最
強回折線の半価幅（２θ）がほぼ０，１０°〜０．２５
’の範囲にあるＩｎ２Ｏ３を用いた時、標準の発光組成
物と同等またはそれ以上の発光輝度を呈し、これらの中
でも最強回折線の半価幅（２θ）がほぼ０．１３＠〜０
．２０°の範囲にあるＩｎ２Ｏ３を用いた時、特に高輝
度の発光組成物が得られる。
強回折線の半価幅（２θ）がほぼ０，１０°〜０．２５
’の範囲にあるＩｎ２Ｏ３を用いた時、標準の発光組成
物と同等またはそれ以上の発光輝度を呈し、これらの中
でも最強回折線の半価幅（２θ）がほぼ０．１３＠〜０
．２０°の範囲にあるＩｎ２Ｏ３を用いた時、特に高輝
度の発光組成物が得られる。
なお、第１図には（Ｚｎｏ、３ 、Ｃｄｏ７）Ｓ ：Ａ
ｇ蛍光体を一方の構成成分とする発光組成物についての
み例示したが、（Ｚｎｏ、ｉ 、 Ｃｄｏ、ｙ ）Ｓ
：Ａｇ蛍光体以外の蛍光体を用いた発光組成物の場合も
、用いられるＩｎ２Ｏ３の結晶化度の度合いと得られる
発光組成物の発光輝度との間には第１図と類似の相関が
あり、Ｉ ｎ２ｏ３の結晶化度の目安として、これの回
折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）
がおよそ０．１０＠〜０．２５”の範囲にあるＩｎ２Ｏ
３を用いた時、得られる発光組成物の低速電子線励起下
での発光輝度がより向上することが確認された。
ｇ蛍光体を一方の構成成分とする発光組成物についての
み例示したが、（Ｚｎｏ、ｉ 、 Ｃｄｏ、ｙ ）Ｓ
：Ａｇ蛍光体以外の蛍光体を用いた発光組成物の場合も
、用いられるＩｎ２Ｏ３の結晶化度の度合いと得られる
発光組成物の発光輝度との間には第１図と類似の相関が
あり、Ｉ ｎ２ｏ３の結晶化度の目安として、これの回
折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）
がおよそ０．１０＠〜０．２５”の範囲にあるＩｎ２Ｏ
３を用いた時、得られる発光組成物の低速電子線励起下
での発光輝度がより向上することが確認された。
（実施例１）
市販のＩｎ２Ｏ３の中から結晶化の度合いの異なる３種
類のＩｎ２Ｏ２（これらをそれぞれＩ ｎ２ｏ３（Ａ）
、 Ｉ ｎｚ ０３ （Ｂ）およびＩｎ２Ｏ２（Ｄ）と
する）を用意した。さらに、Ｉ ｎｚ ０３ （Ａ）の
一部を空気中において９００℃の温度で１時間焼成しく
この時得られたＩｎ２Ｏ３をＩｎ２０３（Ｃ）とする）
、Ｉｎｚ ０３ （Ａ）の別の一部を同じく空気中に
おいて１３００℃の温度で１時間焼成した（この時得ら
れたＩｎ２Ｏ３をＩ ｒｌＨ０３（Ｅ）とする）。そし
て、上述の各１ｎ２０３について、Ｘ線回折装置（理学
電機株式会社製）を用いて夫々の試料の回折Ｘ線スペク
トルを測定し、それらの各最強回折線の半価幅（２θ）
を求めたところ下表１のような結果が得られた。
類のＩｎ２Ｏ２（これらをそれぞれＩ ｎ２ｏ３（Ａ）
、 Ｉ ｎｚ ０３ （Ｂ）およびＩｎ２Ｏ２（Ｄ）と
する）を用意した。さらに、Ｉ ｎｚ ０３ （Ａ）の
一部を空気中において９００℃の温度で１時間焼成しく
この時得られたＩｎ２Ｏ３をＩｎ２０３（Ｃ）とする）
、Ｉｎｚ ０３ （Ａ）の別の一部を同じく空気中に
おいて１３００℃の温度で１時間焼成した（この時得ら
れたＩｎ２Ｏ３をＩ ｒｌＨ０３（Ｅ）とする）。そし
て、上述の各１ｎ２０３について、Ｘ線回折装置（理学
電機株式会社製）を用いて夫々の試料の回折Ｘ線スペク
トルを測定し、それらの各最強回折線の半価幅（２θ）
を求めたところ下表１のような結果が得られた。
次に（Ｚｎｏ、３．Ｃｄｏ７）Ｓ ：Ａｇ蛍光体９０重
量部と上記１ ｎｚ ０３ （Ａ） １０重量部とをボ
ールミルを用いて十分に混合し、発光組成物［１−Ａｌ
を製造した。さらに、Ｉ ”２０３ （Ａ）に代えて、
それぞれＩ ｎ２ｏ３（Ｂ）、 Ｉ ｎｚ ０３ （Ｃ
）、 Ｉ ｎ２０３（Ｄ）およびＩ ｎ２０ｓ （Ｅ）
を用いる以外は発光組成物［１−Ａｌと同様にして発光
組成物［１−Ｂ］１発光組成物［１−Ｃ１，発光組成物
［１−Ｄｌおよび発光組成物［１−Ｅ］を製造した。
量部と上記１ ｎｚ ０３ （Ａ） １０重量部とをボ
ールミルを用いて十分に混合し、発光組成物［１−Ａｌ
を製造した。さらに、Ｉ ”２０３ （Ａ）に代えて、
それぞれＩ ｎ２ｏ３（Ｂ）、 Ｉ ｎｚ ０３ （Ｃ
）、 Ｉ ｎ２０３（Ｄ）およびＩ ｎ２０ｓ （Ｅ）
を用いる以外は発光組成物［１−Ａｌと同様にして発光
組成物［１−Ｂ］１発光組成物［１−Ｃ１，発光組成物
［１−Ｄｌおよび発光組成物［１−Ｅ］を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧２０Ｖ
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表１のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）０．２０°および０．１
８°であるＩｎ２Ｏ３を用いた発光組成物［１−ＣＦお
よび発光組成物［１−Ｄｌが特に高輝度であった。
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表１のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）０．２０°および０．１
８°であるＩｎ２Ｏ３を用いた発光組成物［１−ＣＦお
よび発光組成物［１−Ｄｌが特に高輝度であった。
（実施例２）
ゼラチン０．６重量部を４０℃の温水中に溶解し、０．
３％ゼラチン水溶液を作成した後、この中に９０重量部
のＺｎＳ：Ａｕ、ＡＩ！蛍光体を添加して十分に撹拌し
、蛍光体分散液を得た。
３％ゼラチン水溶液を作成した後、この中に９０重量部
のＺｎＳ：Ａｕ、ＡＩ！蛍光体を添加して十分に撹拌し
、蛍光体分散液を得た。
一方、アラビアゴム０，４重量部を水に溶解し、０．３
％アラビアゴム水溶液を作成し、この中に１０重量部の
実施例１で用いたＩ ｎｚ ０３ （Ａ）を添加して充
分に撹拌し、Ｉ ｎｚ ０３ （Ａ）粒子の分散液を作
成した。
％アラビアゴム水溶液を作成し、この中に１０重量部の
実施例１で用いたＩ ｎｚ ０３ （Ａ）を添加して充
分に撹拌し、Ｉ ｎｚ ０３ （Ａ）粒子の分散液を作
成した。
次いで上記蛍光体分散液と、Ｉ ｎ２ｏ、（Ａ）粒子の
分散液とを撹拌しながら混合し、混合液の−を４に調整
し、１０℃以下に冷却した後、ホルマリン１重量部を撹
拌しながら徐々に冷却した。上澄み液をデカンテーショ
ンにて取除き、水洗後、固形分を乾燥してＺｎＳ：Ａｕ
、ＡＪ！蛍光体にＩ ｎｇ ０３ （Ａ）を付着させた
発光組成物［２−ＡＩを製造した。さらにＩ ｎｚ ０
３ （Ａ）に代えて、実施例１で用いたＩ ｎｚ ０３
（Ｂ）、Ｉ ｎｚ ０３ （Ｃ）。
分散液とを撹拌しながら混合し、混合液の−を４に調整
し、１０℃以下に冷却した後、ホルマリン１重量部を撹
拌しながら徐々に冷却した。上澄み液をデカンテーショ
ンにて取除き、水洗後、固形分を乾燥してＺｎＳ：Ａｕ
、ＡＪ！蛍光体にＩ ｎｇ ０３ （Ａ）を付着させた
発光組成物［２−ＡＩを製造した。さらにＩ ｎｚ ０
３ （Ａ）に代えて、実施例１で用いたＩ ｎｚ ０３
（Ｂ）、Ｉ ｎｚ ０３ （Ｃ）。
Ｉ ｎｇ ０３ （Ｄ）およびＩ ｎｚ ０３ （Ｅ）
を用いる以外は発光組成物［２−ＡＩと同様にして発光
組成物［２−Ｂ］ 、発光組成物［２−Ｃ］、発光組成
物［２−Ｄｌおよび発光組成物［２−Ｅ］を製造した。
を用いる以外は発光組成物［２−ＡＩと同様にして発光
組成物［２−Ｂ］ 、発光組成物［２−Ｃ］、発光組成
物［２−Ｄｌおよび発光組成物［２−Ｅ］を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧２０Ｖ
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表２のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）０．２０°および０．１
８＠であるＩｎ２Ｏ２を用いた発光組成物［２−Ｃ］お
よび発光組成物［２−Ｄｌが特に高輝度であった。
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表２のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）０．２０°および０．１
８＠であるＩｎ２Ｏ２を用いた発光組成物［２−Ｃ］お
よび発光組成物［２−Ｄｌが特に高輝度であった。
（実施例３）
（Ｚｎｏ、３ 、Ｃｄｏ、ｔ ）Ｓ ：Ａｇ蛍光体９０
重量部に代えてＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体９８重量部を用い、
Ｉ ｎｚ ０３ （Ａ） １０重量部に代えて、２重量
部のＩ ｎｇ ０３ （Ａ）を用いる以外は実施例１の
発光組成物［１−ＡＩと同様にして発光組成物［３−Ａ
Ｉを製造した。さらにＩ ｎｚ ０３（Ａ）に代えて、
実施例１で用いたＩ ｎｚ０３ （Ｂ）、 Ｉ ｎｚ
０３ （Ｃ）。
重量部に代えてＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体９８重量部を用い、
Ｉ ｎｚ ０３ （Ａ） １０重量部に代えて、２重量
部のＩ ｎｇ ０３ （Ａ）を用いる以外は実施例１の
発光組成物［１−ＡＩと同様にして発光組成物［３−Ａ
Ｉを製造した。さらにＩ ｎｚ ０３（Ａ）に代えて、
実施例１で用いたＩ ｎｚ０３ （Ｂ）、 Ｉ ｎｚ
０３ （Ｃ）。
Ｉ ｎｇ ０ｓ （Ｄ）およびＩ ｎ２ｏ３（Ｅ）を用
いる以外は発光組成物［３−ＡＩと同様にして発光組成
物［３−Ｂ］ 、発光組成物［３−Ｃ］、発光組成物［
３−Ｄｌおよび発光組成物［３−Ｅ］を製造した。
いる以外は発光組成物［３−ＡＩと同様にして発光組成
物［３−Ｂ］ 、発光組成物［３−Ｃ］、発光組成物［
３−Ｄｌおよび発光組成物［３−Ｅ］を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧２０Ｖ
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表３のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）０．２０＠および０．１
８’であるＩｎ２Ｏ３を用いた発光組成物［３−Ｃ］お
よび発光組成物［３−Ｄｌが特に高輝度であった。
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表３のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）０．２０＠および０．１
８’であるＩｎ２Ｏ３を用いた発光組成物［３−Ｃ］お
よび発光組成物［３−Ｄｌが特に高輝度であった。
（発明の効果）
以上詳述したように、高速電子線励起下で発光しうる蛍
光体と１ｎ２０３とを混合または互いに付着させてなる
発光組成物において、回折Ｘ線スペクトルにおける最強
回折線の半価幅（２θ）がほぼ０．１０” 〜０．２５
＠の範囲にあるＩｎ２Ｏ３をその構成成分として用いる
ことによって得られる発光組成物は、加速電圧ＩＫＶ以
下の低速電子線励起下での発光輝度が著しく向上し、視
認性が必須の車載用特にメーター類の表示素子としての
蛍光表示管用蛍光体としてきわめて有用である。
光体と１ｎ２０３とを混合または互いに付着させてなる
発光組成物において、回折Ｘ線スペクトルにおける最強
回折線の半価幅（２θ）がほぼ０．１０” 〜０．２５
＠の範囲にあるＩｎ２Ｏ３をその構成成分として用いる
ことによって得られる発光組成物は、加速電圧ＩＫＶ以
下の低速電子線励起下での発光輝度が著しく向上し、視
認性が必須の車載用特にメーター類の表示素子としての
蛍光表示管用蛍光体としてきわめて有用である。
第１図は発光組成物の構成成分の１つであるＩｎ２Ｏ３
の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２
θ）と、得られる発光組成物の相対発光輝度との関係を
示すグラフである。
の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２
θ）と、得られる発光組成物の相対発光輝度との関係を
示すグラフである。
Claims (4)
- （１） 高速電子線により発光し得る蛍光体と、酸化イ
ンジウム（Ｉｎ＿２Ｏ＿３）とを混合または互いに付着
させてなる低速電子線用発光組成物であって、上記酸化
インジウム（Ｉｎ＿２Ｏ＿３）の回折Ｘ線スペクトルに
おける最強回折線の半価幅が０．１０°乃至０．２５°
の範囲にあることを特徴とする低速電子線用発光組成物
。 - （２） 前記半価幅が０．１３°乃至０．２０°の範囲
にあることを特徴とする請求項１記載の低速電子線用発
光組成物。 - （３） 前記蛍光体が組成式（Ｚｎ＿１＿−＿ｘ，Ｃｄ
＿ｘ）Ｓ （但し、ｘは０≦ｘ≦１なる条件を満たす数
）で表わされる硫化物を母体とする硫化物系蛍光体であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の低速電子線
用発光組成物。 - （４） 前記蛍光体が亜鉛付活酸化亜鉛蛍光体（ＺｎＯ
：Ｚｎ）であることを特徴とする請求項１または２記載
の低速電子線用発光組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122640A JP2811083B2 (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 低速電子線用発光組成物 |
| US07/523,560 US5055227A (en) | 1989-05-16 | 1990-05-15 | Fluorescent composition for low velocity electron beam excitation |
| KR1019900007001A KR0145415B1 (ko) | 1989-05-16 | 1990-05-16 | 지속전자선용 발광조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122640A JP2811083B2 (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 低速電子線用発光組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302490A true JPH02302490A (ja) | 1990-12-14 |
| JP2811083B2 JP2811083B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=14840974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1122640A Expired - Lifetime JP2811083B2 (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 低速電子線用発光組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5055227A (ja) |
| JP (1) | JP2811083B2 (ja) |
| KR (1) | KR0145415B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1030090A (ja) * | 1996-03-28 | 1998-02-03 | Lucent Technol Inc | 発光装置とその製法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751107A (en) * | 1993-02-09 | 1998-05-12 | Seiko Epson Corporation | Field-discharge fluorescent-display with fluorescent layer including glass |
| US5635048A (en) * | 1996-02-20 | 1997-06-03 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming low-energy electron excited fluorescent screen |
| JP2001058820A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sony Corp | 蛍光体組成物及びその製造方法、並びに、表示装置 |
| JP2006299118A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Noritake Itron Corp | 低速電子線用蛍光体、その製造方法および蛍光表示管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4208612A (en) * | 1975-06-30 | 1980-06-17 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Low-velocity electron excited fluorescent display device |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1122640A patent/JP2811083B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-15 US US07/523,560 patent/US5055227A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-16 KR KR1019900007001A patent/KR0145415B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1030090A (ja) * | 1996-03-28 | 1998-02-03 | Lucent Technol Inc | 発光装置とその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5055227A (en) | 1991-10-08 |
| JP2811083B2 (ja) | 1998-10-15 |
| KR0145415B1 (ko) | 1998-07-01 |
| KR900018329A (ko) | 1990-12-21 |
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