JPH02303086A - プリント配線板の製造方法及びそれに用いるスパッタデポジション装置及び銅張積層板 - Google Patents
プリント配線板の製造方法及びそれに用いるスパッタデポジション装置及び銅張積層板Info
- Publication number
- JPH02303086A JPH02303086A JP12335289A JP12335289A JPH02303086A JP H02303086 A JPH02303086 A JP H02303086A JP 12335289 A JP12335289 A JP 12335289A JP 12335289 A JP12335289 A JP 12335289A JP H02303086 A JPH02303086 A JP H02303086A
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- Japan
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- copper
- etching
- sputter
- deposited
- film
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速大型コンピュータ、通信機器等製作に用
いられる高密度プリント配線板のIl造方法及びそれに
用いるスパッタデポジション装置及びそれにより得られ
る銅張積層板に関する。
いられる高密度プリント配線板のIl造方法及びそれに
用いるスパッタデポジション装置及びそれにより得られ
る銅張積層板に関する。
(従来の技術〕
プリント配線板の製造法は、例えば「電子材料」、19
86年6月別冊、157〜167頁に記載されているよ
うに、一般にサブトラクティブ法(エツチング法)とア
ディティブ法(めっき法)に大別される。
86年6月別冊、157〜167頁に記載されているよ
うに、一般にサブトラクティブ法(エツチング法)とア
ディティブ法(めっき法)に大別される。
近年、微細パターンで高密度のプリント板には。
アディティブ法が採用される傾向にある。このアディテ
ィブ法には全体アディティブ法と部分アディティブ法が
ある。全体アディティブ法は出発材料として接着剤付積
層板を用い、スルーホールを含む全配線を無電解銅めっ
きで形成する方法である。一方1部分アディティブ法は
、出発材料として銅張積層板を用い、平面部回路をエツ
チングで形成後、めっきマスクを付与し、スルーホール
部のみを無電解銅めっき導体化する方法である。
ィブ法には全体アディティブ法と部分アディティブ法が
ある。全体アディティブ法は出発材料として接着剤付積
層板を用い、スルーホールを含む全配線を無電解銅めっ
きで形成する方法である。一方1部分アディティブ法は
、出発材料として銅張積層板を用い、平面部回路をエツ
チングで形成後、めっきマスクを付与し、スルーホール
部のみを無電解銅めっき導体化する方法である。
この部分アディティブ法の考え方を平面回路の形成に適
用して絶縁基板の両面に銅配線を形成する技術は、例え
ば特開平1−13794号公報に開示されている。第2
図はその処理工程を示したもので、以下、これにより従
来のプリント配線板の製造法を説明する。
用して絶縁基板の両面に銅配線を形成する技術は、例え
ば特開平1−13794号公報に開示されている。第2
図はその処理工程を示したもので、以下、これにより従
来のプリント配線板の製造法を説明する。
第2図において、まず、あらかじめ絶縁基材7と銅箔8
とからなる銅張積層板を用意しく工程a)、その銅表面
9を粗化して(工程b)、感光性樹脂膜のパターン10
を形成する(工程c)0次にパターン10の間隙11に
のみ選択的に銅めっき箔12を形成する(工程d)。こ
の銅めっきパターン12上に、更にマスクとなる金属、
例えば半田13をめっき法で形成する(工程e)、この
時。
とからなる銅張積層板を用意しく工程a)、その銅表面
9を粗化して(工程b)、感光性樹脂膜のパターン10
を形成する(工程c)0次にパターン10の間隙11に
のみ選択的に銅めっき箔12を形成する(工程d)。こ
の銅めっきパターン12上に、更にマスクとなる金属、
例えば半田13をめっき法で形成する(工程e)、この
時。
半田13は銅パターン12の上面のみならず側面にも堆
積するように半田めっき条件を調整する。
積するように半田めっき条件を調整する。
半田めっき後、不要となった感光性樹脂膜10を除去し
く工程f)、更に銅張積層板の銅i8をエツチング除去
する(工程g)、このとき、めっき銅パターン12の上
面と側面がマスクである半田13により被覆されている
ならば、基材鋼8のエツチング時のアンダーカット14
は基材鋼8のみに発生する。しかし、めっき銅パターン
12の側面に半田めっきが付着していない箇所15では
。
く工程f)、更に銅張積層板の銅i8をエツチング除去
する(工程g)、このとき、めっき銅パターン12の上
面と側面がマスクである半田13により被覆されている
ならば、基材鋼8のエツチング時のアンダーカット14
は基材鋼8のみに発生する。しかし、めっき銅パターン
12の側面に半田めっきが付着していない箇所15では
。
基材鋼8のエツチング時にめっき銅12のアンダーカッ
ト16も発生する。最後に不要となった半田を除去する
(工程h)。
ト16も発生する。最後に不要となった半田を除去する
(工程h)。
前記従来法では、第2図の工程eで施こされるマスク材
としての半田のめっき13が銅配線パターン12の側面
に均一に、かつ確実に被着されない為に、工程gで施こ
される銅箔エツチング時に、めっき銅12にアンダーカ
ット16が発生するという問題がある。半田めっき13
が銅配線パターン12の側面に付着している場合でも、
少なくとも基材鋼8の厚さに相当するアンダーカット1
4は発生する。
としての半田のめっき13が銅配線パターン12の側面
に均一に、かつ確実に被着されない為に、工程gで施こ
される銅箔エツチング時に、めっき銅12にアンダーカ
ット16が発生するという問題がある。半田めっき13
が銅配線パターン12の側面に付着している場合でも、
少なくとも基材鋼8の厚さに相当するアンダーカット1
4は発生する。
基材鋼の厚さは銅張積層板の銅箔をエツチングして薄く
することが可能であるが、エツチングのばらつきの為に
、せいぜい4〜5μ−が限界である。それゆえに、基材
鋼8のエツチング時のアンダーカット14の軽減には限
界がある。このようにして発生したアンダーカットは、
銅配線パターンの電気抵抗の増大、製作した多層プリン
ト配線板の電気導通不良や信頼性の劣化という問題を発
生させる。
することが可能であるが、エツチングのばらつきの為に
、せいぜい4〜5μ−が限界である。それゆえに、基材
鋼8のエツチング時のアンダーカット14の軽減には限
界がある。このようにして発生したアンダーカットは、
銅配線パターンの電気抵抗の増大、製作した多層プリン
ト配線板の電気導通不良や信頼性の劣化という問題を発
生させる。
本発明の目的は、微細パターンで高密度の銅配線(一般
には金属配線)からなるプリント配線板の製作において
、下地銅箔のエツチング時に、めっき銅配線がアンダー
カットを被らないプリント配線板の製造方法及びそれに
用いるスパッタデポジション装置、更には銅張積層板を
提供することにある。
には金属配線)からなるプリント配線板の製作において
、下地銅箔のエツチング時に、めっき銅配線がアンダー
カットを被らないプリント配線板の製造方法及びそれに
用いるスパッタデポジション装置、更には銅張積層板を
提供することにある。
本発明のプリント配線板の製造方法は、絶縁基材の表面
をスパッタリングにより粗化し、その上に蒸着又はスパ
ッタデポジション法によって銅膜を堆積する工程と、上
記銅膜を堆積した基材表面に感光性樹脂(ホトレジスト
)パターンを形成する工程と、上記感光性樹脂パターン
間にめっき法により銅を堆積する工程と、上記鋼を堆積
後、感光性樹脂パターンを除去し、さらに全体をエツチ
ングしてめっき銅部分の銅配線を形成する工程とからな
ることを特徴とする。
をスパッタリングにより粗化し、その上に蒸着又はスパ
ッタデポジション法によって銅膜を堆積する工程と、上
記銅膜を堆積した基材表面に感光性樹脂(ホトレジスト
)パターンを形成する工程と、上記感光性樹脂パターン
間にめっき法により銅を堆積する工程と、上記鋼を堆積
後、感光性樹脂パターンを除去し、さらに全体をエツチ
ングしてめっき銅部分の銅配線を形成する工程とからな
ることを特徴とする。
また、蒸着法により銅膜を形成する場合は、そのエツチ
ングをスフ(ツ・タエッチングにより行うことを特徴と
する。
ングをスフ(ツ・タエッチングにより行うことを特徴と
する。
さらに、粗化した絶縁材上に銅化合物を堆積した後に銅
膜を堆積することを特徴とする。
膜を堆積することを特徴とする。
スパッタデポジション装置は、絶縁材を送給する送給機
構と、該送給される絶縁材の表面をスパッタリングで粗
化する真空の第1反応室と、該粗化された絶縁材の表面
に蒸着又はスパッタデポジション法で銅膜を堆積する真
空の第2反応室とからなる。
構と、該送給される絶縁材の表面をスパッタリングで粗
化する真空の第1反応室と、該粗化された絶縁材の表面
に蒸着又はスパッタデポジション法で銅膜を堆積する真
空の第2反応室とからなる。
この装置で得られる銅張積層板は、絶縁材の表面が粗化
され、その上に銅膜が形成されている。
され、その上に銅膜が形成されている。
本発明によれば、下地銅膜は蒸着又はスパッタデポジシ
ョン法により、絶縁基材上に堆積される。
ョン法により、絶縁基材上に堆積される。
このため、銅膜は極めて簿く、例えば数nm〜数μ層の
厚さで、絶縁基材上に形成することが可能である。他の
方法1例えば104m前後の銅箔を絶縁基材に接着した
後、エツチング法で銅箔を数n−〜数μ論の厚さにまで
薄くする方法は、エツチング時のばらつきの為に局部的
に銅がなくなるので実用的でない、一方、本発明の蒸着
又はスパッタデポジション法による銅膜は、凹凸のある
絶縁基板上に均一に、また欠損なく堆積することが可能
である。この絶縁基材上に極薄に形成された銅膜は、め
っき銅配線形成後にエツチングして除去するとき、短時
間で除去可能であるので、めっき銅配線にアンダーカッ
トを発生することがなく、また、銅配線の上面と側面の
エツチング量も少ない、その為に、銅配線抵抗の増大、
銅配線の切断、信頼性の低下等の改善が図れる。
厚さで、絶縁基材上に形成することが可能である。他の
方法1例えば104m前後の銅箔を絶縁基材に接着した
後、エツチング法で銅箔を数n−〜数μ論の厚さにまで
薄くする方法は、エツチング時のばらつきの為に局部的
に銅がなくなるので実用的でない、一方、本発明の蒸着
又はスパッタデポジション法による銅膜は、凹凸のある
絶縁基板上に均一に、また欠損なく堆積することが可能
である。この絶縁基材上に極薄に形成された銅膜は、め
っき銅配線形成後にエツチングして除去するとき、短時
間で除去可能であるので、めっき銅配線にアンダーカッ
トを発生することがなく、また、銅配線の上面と側面の
エツチング量も少ない、その為に、銅配線抵抗の増大、
銅配線の切断、信頼性の低下等の改善が図れる。
次に1本発明によれば、銅膜の蒸着前に絶縁基材表面を
スパッタリングにより粗化する(微細な凹凸を形成する
)ので、基材と蒸着銅膜との接触面積が増大して1両材
料の接着力が大きくできる。
スパッタリングにより粗化する(微細な凹凸を形成する
)ので、基材と蒸着銅膜との接触面積が増大して1両材
料の接着力が大きくできる。
更に、銅蒸着前に絶縁基材表面に銅の有機化合物を形成
すると、174化合物を介して基材と銅との接着力は更
に増大できる。
すると、174化合物を介して基材と銅との接着力は更
に増大できる。
次に、本発明によれば、蒸着法で極薄に形成した下地銅
膜のエツチングを、方向のそろった加速イオンのスパッ
タリング法によりおこなうので。
膜のエツチングを、方向のそろった加速イオンのスパッ
タリング法によりおこなうので。
めっき銅配線の側壁のエツチング及びめっき銅配線下の
アンダーカットが発生せず、寸法精度のよい銅配線が形
成できる。
アンダーカットが発生せず、寸法精度のよい銅配線が形
成できる。
以下、本発明の一実施例について図面により説明する。
第1図は本発明によるプリント配線板製造方法の処理工
程の一実施例を示したものである。基材の樹脂板1を用
意しく工程a)、まず、その両面2と2′にスパッタエ
ツチング法を用いて微細な凹凸を形成する゛(工程b)
、スパッタエツチングには例えばアルゴルガスを用いる
1次に、樹脂板lの両面2と2′に、銅膜3,31を蒸
着又はスパッタデポジション法を用いて堆積する(工程
c)。
程の一実施例を示したものである。基材の樹脂板1を用
意しく工程a)、まず、その両面2と2′にスパッタエ
ツチング法を用いて微細な凹凸を形成する゛(工程b)
、スパッタエツチングには例えばアルゴルガスを用いる
1次に、樹脂板lの両面2と2′に、銅膜3,31を蒸
着又はスパッタデポジション法を用いて堆積する(工程
c)。
この堆積する銅膜3,3′の厚さは、樹脂板1の表面2
と2′の微細な凹凸を確実に被覆するように数十n■〜
数μ鳳の間で調整する0次に、銅膜3゜3′を堆積した
樹脂板lの両面にレジストパターン4と41を形成する
(工程d)、レジスタ4と41の膜厚は次工程でめっき
する銅膜の厚さよす大きくする。このレジストパターン
形成後、銅めっきパターン5と5′の形成を行う(工程
e)。
と2′の微細な凹凸を確実に被覆するように数十n■〜
数μ鳳の間で調整する0次に、銅膜3゜3′を堆積した
樹脂板lの両面にレジストパターン4と41を形成する
(工程d)、レジスタ4と41の膜厚は次工程でめっき
する銅膜の厚さよす大きくする。このレジストパターン
形成後、銅めっきパターン5と5′の形成を行う(工程
e)。
銅めっき前処理でスパッタデポジション銅膜3と3′が
なくならないためには、銅膜3と3′は数十n■の膜厚
が必要である。銅めっきパターン5と5′形成後、レジ
ストパターン4と4′は剥離剤を用いて除去する(工程
f)、レジスト除去後、スパッタデポジション銅膜3と
3′は、スパッタエツチングによりエツチングして除去
する(工程g)・ スパッタエツチングでエツチングする場合、銅配線パタ
ーンもエツチングされるが、銅膜3と3′の膜厚は薄い
ので、銅配線パターンのエツチング量は小さい、また、
スパッタエツチングでのエツチング速度は数+nm1分
であるので1作業性がらち銅wA3と3′の膜厚は薄い
方が有利である。そこで銅膜3と3′の膜厚は厚くても
数μ−以下に設定する。
なくならないためには、銅膜3と3′は数十n■の膜厚
が必要である。銅めっきパターン5と5′形成後、レジ
ストパターン4と4′は剥離剤を用いて除去する(工程
f)、レジスト除去後、スパッタデポジション銅膜3と
3′は、スパッタエツチングによりエツチングして除去
する(工程g)・ スパッタエツチングでエツチングする場合、銅配線パタ
ーンもエツチングされるが、銅膜3と3′の膜厚は薄い
ので、銅配線パターンのエツチング量は小さい、また、
スパッタエツチングでのエツチング速度は数+nm1分
であるので1作業性がらち銅wA3と3′の膜厚は薄い
方が有利である。そこで銅膜3と3′の膜厚は厚くても
数μ−以下に設定する。
上記銅wA3と3′の堆積に用いる設備(スパッタリン
グ装置)の一実施例を第3図に示す0本実施例では樹脂
板の片面に銅膜を形成する場合を示している。
グ装置)の一実施例を第3図に示す0本実施例では樹脂
板の片面に銅膜を形成する場合を示している。
真空容器18は、樹脂板ロール23の投入室1.9.樹
脂板1表面のスパッタエツチング室20゜樹脂板1に銅
膜を堆積するスパッタデポジション室21及び樹脂板1
に銅膜を堆積した銅張積層板ロール24の取り出し室2
2からなっている。まず、スパッタエツチング室20に
おいて1円筒陰極電極25.高周波電源26及び陽極2
7から成る高周波プラズマ放電システムによりアルゴン
ガスプラズマを形成して、樹脂板1の表面にアルゴンイ
オンのスパッタエツチングを作用させる0次に、スパッ
タデポジション室21において、銅板ターゲット29を
有する陰極電極30と高周波電極31及び円筒陽極電極
32からなる高周極プラズマ放電システムによりアルゴ
ンガスプラズマを形成し、樹脂板1の表面にターゲット
の銅を堆積させる。
脂板1表面のスパッタエツチング室20゜樹脂板1に銅
膜を堆積するスパッタデポジション室21及び樹脂板1
に銅膜を堆積した銅張積層板ロール24の取り出し室2
2からなっている。まず、スパッタエツチング室20に
おいて1円筒陰極電極25.高周波電源26及び陽極2
7から成る高周波プラズマ放電システムによりアルゴン
ガスプラズマを形成して、樹脂板1の表面にアルゴンイ
オンのスパッタエツチングを作用させる0次に、スパッ
タデポジション室21において、銅板ターゲット29を
有する陰極電極30と高周波電極31及び円筒陽極電極
32からなる高周極プラズマ放電システムによりアルゴ
ンガスプラズマを形成し、樹脂板1の表面にターゲット
の銅を堆積させる。
本実施例においては、樹脂板lを巻き付けたロール23
から樹脂板に銅膜を堆積した銅張積層板を巻き付けたロ
ール24まで連続して処理することができる。樹脂板1
の表面の微細な凹凸の形状は、スパッタエツチング室2
0において、アルゴンガス圧力、高周波電源26の電力
値、樹脂板の滞在時間により調整される。また、樹脂板
上への銅膜の堆積厚さは、スパッタデポジション室21
のアルゴル圧力、高周波電源31の電力値、樹脂板の滞
在時間により調整される。
から樹脂板に銅膜を堆積した銅張積層板を巻き付けたロ
ール24まで連続して処理することができる。樹脂板1
の表面の微細な凹凸の形状は、スパッタエツチング室2
0において、アルゴンガス圧力、高周波電源26の電力
値、樹脂板の滞在時間により調整される。また、樹脂板
上への銅膜の堆積厚さは、スパッタデポジション室21
のアルゴル圧力、高周波電源31の電力値、樹脂板の滞
在時間により調整される。
第1図の工程g、即ち、銅配線パターン5と5′をめっ
き法で形成した後に銅膜3と3′をエツチングする工程
に用いるスパッタエツチング装置の一実施例を第4図に
示す0本実施例においては、真空容器35内に陰極電極
36と陽極38が設置され、陰極36上に銅配線パター
ンを形成した試料39を載荷し、試料周辺をサセプター
40で押さえる構造となっている。また陰極36には高
周波型WX37が接続されている。真空容器35には。
き法で形成した後に銅膜3と3′をエツチングする工程
に用いるスパッタエツチング装置の一実施例を第4図に
示す0本実施例においては、真空容器35内に陰極電極
36と陽極38が設置され、陰極36上に銅配線パター
ンを形成した試料39を載荷し、試料周辺をサセプター
40で押さえる構造となっている。また陰極36には高
周波型WX37が接続されている。真空容器35には。
アルゴンガスをガス導入口41から導入して、ガス排気
口42から排出し、真空容器35内の圧力を一定に保持
している。陰極36と陽1138の間に形成されたプラ
ズマ中のアルゴンイオン−Arφの作用により、試料3
9の銅表面がスパッタエツチングされる。
口42から排出し、真空容器35内の圧力を一定に保持
している。陰極36と陽1138の間に形成されたプラ
ズマ中のアルゴンイオン−Arφの作用により、試料3
9の銅表面がスパッタエツチングされる。
なお、第1図において、基材の樹脂板1とスパッタデポ
ジション銅膜3との接着力の更に向上を図る場合には、
工程す後に、銅の有機化合物、例えば、キレート化合物
を樹脂板上に蒸気清洗で薄膜として形成する工程を付加
すればよい。
ジション銅膜3との接着力の更に向上を図る場合には、
工程す後に、銅の有機化合物、例えば、キレート化合物
を樹脂板上に蒸気清洗で薄膜として形成する工程を付加
すればよい。
また、実施例では、銅配線パターンを形成するとして説
明したが、一般に金属配線パターンの形成に適用できる
。
明したが、一般に金属配線パターンの形成に適用できる
。
本発明によれば、基材樹脂板上の銅膜(一般には金属膜
)はスパッタリング等により極薄で均一に形成され、ま
たパターンめっき銅配線形成後のエツチング時にスパッ
タエツチングにより、異方性にエツチングされるので、
銅配線パターンにアンダーカットを発生しない、銅配線
パターン寸法の縮少がない、銅配線の高さの減少が少な
いなどの効果がある。その為に、銅配線の微細化への対
応が可能となる、銅配線の抵抗値の増大・信願性の低下
がない、などの効果が得られる。
)はスパッタリング等により極薄で均一に形成され、ま
たパターンめっき銅配線形成後のエツチング時にスパッ
タエツチングにより、異方性にエツチングされるので、
銅配線パターンにアンダーカットを発生しない、銅配線
パターン寸法の縮少がない、銅配線の高さの減少が少な
いなどの効果がある。その為に、銅配線の微細化への対
応が可能となる、銅配線の抵抗値の増大・信願性の低下
がない、などの効果が得られる。
4、図面の簡単な説明 −
第1図は本発明による処理工程の一実施例を示す図、第
2図は従来の銅張積層板を用いた場合の処理工程を示す
図、第3図は本発明に用いる銅膜のスパッタデポジショ
ン装置の一実施例の概略図5第4図は本発明に用いる銅
膜のスパッタエツチング装置の一実施例の概略図である
。
2図は従来の銅張積層板を用いた場合の処理工程を示す
図、第3図は本発明に用いる銅膜のスパッタデポジショ
ン装置の一実施例の概略図5第4図は本発明に用いる銅
膜のスパッタエツチング装置の一実施例の概略図である
。
l・・・基板の樹脂板、 2・・・粗化された樹脂板表
面、 3.3・・・スパッタデポジションで堆積され
た極薄の銅膜、 4,4′・・・レジストパターン、
5.5′・・・パターンめっき銅配線。
面、 3.3・・・スパッタデポジションで堆積され
た極薄の銅膜、 4,4′・・・レジストパターン、
5.5′・・・パターンめっき銅配線。
第1図
((社) 口========トロI墳仮第2図
Claims (5)
- (1)絶縁基材の表面をスパッタリングにより粗化し、
その上に蒸着又はスパッタデポジション法によって金属
膜を堆積する工程と、 上記金属膜を堆積した基材表面に感光性樹脂(ホトレジ
スト)パターンを形成する工程と、上記感光性樹脂パタ
ーン間にめっき法により金属を堆積する工程と、 上記金属を堆積後、感光性樹脂パターンを除去し、さら
に全体をエッチングしてめっき金属部分の配線を形成す
る工程と、 を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - (2)蒸着法により金属膜を形成する場合、そのエッチ
ングをスパッタエッチングにより行うことを特徴とする
請求項(1)記載のプリント配線板の製造方法。 - (3)粗化した絶縁材上に金属化合物を堆積した後に金
属膜を堆積することを特徴とする請求項(1)記載のプ
リント配線板の製造方法。 - (4)絶縁材を送給する送給機構と、該送給される絶縁
材の表面をスパッタリングで粗化する真空の第1反応室
と、該粗化された絶縁材の表面に蒸着又はスパッタデポ
ジション法で金属膜を堆積する真空の第2反応室とから
なることを特徴とするスパッタデポジション装置。 - (5)絶縁材の表面が粗化され、その上に銅膜が形成さ
れている銅張積層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12335289A JPH02303086A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | プリント配線板の製造方法及びそれに用いるスパッタデポジション装置及び銅張積層板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12335289A JPH02303086A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | プリント配線板の製造方法及びそれに用いるスパッタデポジション装置及び銅張積層板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303086A true JPH02303086A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14858448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12335289A Pending JPH02303086A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | プリント配線板の製造方法及びそれに用いるスパッタデポジション装置及び銅張積層板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303086A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129775A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Shirai Denshi Kogyo Kk | プリント配線基板の製造方法 |
| JP2007317887A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | スルーホール電極の形成方法 |
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