JPH02304735A - 光ディスク媒体 - Google Patents

光ディスク媒体

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JPH02304735A
JPH02304735A JP1125610A JP12561089A JPH02304735A JP H02304735 A JPH02304735 A JP H02304735A JP 1125610 A JP1125610 A JP 1125610A JP 12561089 A JP12561089 A JP 12561089A JP H02304735 A JPH02304735 A JP H02304735A
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JP
Japan
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recording film
corrosion
substrate
film
recording
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JP1125610A
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Takashi Aizawa
孝 相澤
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NEC Corp
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスク媒体、特に光ビームにより記録、再
生を行なうことができる光ディスク媒体に関する。
〔従来の技術〕
従来の光ディスク媒体は、室温近傍の温度で製作する際
の成膜性゛、倍信号小さな光熱エネルギーで書き込むた
めの書き込み効率、書き込まれた信号をS/N比よく読
み出すための読み出し効率。
等を考慮し、非晶質から結晶質への相転移を利用する非
晶質薄膜が注目されている。
一般に、非晶質薄膜としてはTb−Fe−c。
系の磁性体薄膜が用いられる。
第2図(a)、 (b)は従来の一例を示す部分平面図
および半径方向の断面である。
第2図(a)、 (b)に示す光ディスク媒体は基板1
と、光学系を案内するための溝が刻まれた領域であり情
報の書き込みが行なわれる活性領域(記録領域)2とお
よび基板1の活性領域2をはさむ内周、外周の不活性領
域3を含む記録膜4と、この記録膜4を保護する保護膜
6とを含んで構成される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような上述した従来の光ディスク媒
体は記録膜にTbFeCo系の磁性体を用いているため
耐腐食性が劣り湿度雰囲気中では腐食されて磁気特性の
劣化が生ずるという欠点がある。この欠点は光磁気媒体
のみならず光学的記録媒体の共通の問題である。このよ
うな欠点を除くために記録膜上に酸素等のガスバリア性
のある無機質の薄膜、あるいは多官能性のコーティング
樹脂被膜等で被うことや、記録膜を封じ込んだ貼合せ構
造の光ディスク媒体があるが、記録膜の腐食防止効果が
得られないのが現状である。
ところで、光磁気記録媒体の腐食は基板の汚れ、湿度、
酸素等により起こるものと言われており、基板(記録膜
)の表面上から腐食するものと、記録膜の端部から腐食
するモードがある。後者のモードが一般的である。記録
膜の端部から腐食が発生し、その腐食反応による内部電
池効果も影響し活性領域の方向に進行するため、基板上
に形成された記録膜の端部を活性領域外にまで及ぶよう
に設けられているが、記録膜の端部で腐食が発生すると
前述のように最終的には記録膜の全域に行き渡り光磁気
媒体の品質を著じるしく低下させるという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光ディスク媒体は、基板の内外周部に間隙で分
離したドーナッツ状の記録膜を有して構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第1図に示す光ディスク媒体は、基板1と活性領域(記
録領域)2お・よび不活性領域3からなる記録膜4と、
記録膜4を分離するための間隙5と、保護膜6とを含ん
で構成される。
まず、光学系サーボを案内するための溝が設けられた基
板lの表面に記録膜4で被うことは従来例と同様である
。ここで不活性領域3に注目すると記録膜4はドーナッ
ツ状に分離された間隙5を有している。
もちろん、保護膜6は活性領域2および不活性領域3な
らびに間隙5を有する記録膜5を覆うように被膜されて
いる。
〔発明の効果〕
本発明の光ディスク媒体は活性領域の外側に設けられて
いる不活性領域にドーナッツ状の記録膜と間隙を設ける
ことにより、記録膜の端部から発生する腐食の伝播およ
び腐食反応による内部電池効果による腐食の伝播を阻止
できるため、記録膜の端部からの腐食による活性領域の
記録膜への影響がなくなり、長期信頼性を著じるしく向
上できるという効果がある。
さらに、上述した間隙は記録膜と間隙との組合せを何組
にも増やすことにより、効果をより一層強めることがで
きる。
また、上述した基板の外周上に不連続的に設けるもので
あっても遜色のない効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図(a)
、 (b)は従来の一例を示す部分平面図および断面図
である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・活性領域、3・・
・・・・不活性領域、4・・・・・・記録膜、5・・・
・・・間隙、6・・・・・・保護膜。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板と、前記基板の上に形成された活性領域と不
    活性領域からなりこの不活性領域が間隙で分離された記
    録膜と、前記記録膜を覆う保護膜とを含むことを特徴と
    する光ディスク媒体。
  2. (2)特許請求の範囲第(1)項記載の間隙で分離され
    た記録膜がドーナッツ状を成し、内、外周部の少なくと
    も一方に一輪が具備されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第(1)項記載の光ディスク媒体。
  3. (3)特許請求の範囲第(1)項および第(2)項記載
    の間隙で分離された記録膜が少なくとも基板上の外周部
    に配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第(
    1)項および第(2)項記載の光ディスク媒体。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276140A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 光デイスク
JPS63307158A (ja) * 1987-06-09 1988-12-14 Mitsubishi Electric Corp 酸化物超電導体の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276140A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 光デイスク
JPS63307158A (ja) * 1987-06-09 1988-12-14 Mitsubishi Electric Corp 酸化物超電導体の製造方法

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