JPS61276140A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS61276140A JPS61276140A JP60116652A JP11665285A JPS61276140A JP S61276140 A JPS61276140 A JP S61276140A JP 60116652 A JP60116652 A JP 60116652A JP 11665285 A JP11665285 A JP 11665285A JP S61276140 A JPS61276140 A JP S61276140A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- pattern
- film
- groove
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高密度情報記録媒体として注目されているレ
ーザディスク、ビデオディスク、ディジタルオーディオ
ディスク、光磁気ディスク、DRAMディスクなどの光
学的手段によって情報の記録、情報の再生、情報の記録
再生又は情報の消去記録再生を行う光ディスクの構造の
改良に関するものである〇 〔発明の背景〕 情報社会の進展に伴なって高密度の情報記録媒体が要望
されているが、その1つとして元ディスクがあり、ビデ
オディスクあるいはディジタルオーディオディスクとし
て実用化されている。
ーザディスク、ビデオディスク、ディジタルオーディオ
ディスク、光磁気ディスク、DRAMディスクなどの光
学的手段によって情報の記録、情報の再生、情報の記録
再生又は情報の消去記録再生を行う光ディスクの構造の
改良に関するものである〇 〔発明の背景〕 情報社会の進展に伴なって高密度の情報記録媒体が要望
されているが、その1つとして元ディスクがあり、ビデ
オディスクあるいはディジタルオーディオディスクとし
て実用化されている。
第6図には、従来の光ディス、りの製造工程の一例が示
されている。この図において、まず、適当な大きさの原
盤例えばガラス基板10が用意される。このガラス基板
10は、例えば第7図に示すように適当な内在の中心穴
を有している。第7図には、−gt−破断して断面が示
されているが、この断面における各工程の状・態が第6
図(A)ないしくG)に示されている。まず同図(A)
に示すように、ガラス基板10の主表面上にフォトレジ
スト121@−に塗布する。次に、適宜の光学手段例え
ばV−ザ手段によって必要なパターン状に露光が行なわ
れ、フォトレジスト12のエツチングが行なわれる(同
図CB)#照)0 次に、所定のパターン状に形成されたフォトレジスト1
2f:有するガラス基板10の主表面上に、例えばニッ
ケル(Nl )の薄膜14t−スパッタリングなどの方
法で形成する(同図(C)参照)。そしてこのニッケル
薄膜1.lt、極と(、てニッケルのメッキすなわちニ
ッケル電鋳が行々われ、マスタ16が形成される(同図
1’D)参照)。この工程後マスタ16はガラス基板1
0からはがされる(同図rE)参照)。前述したように
、フオレジスト12には、必要なパターンが形成されて
いるため、マスタ16には、そのパターンに対しネガの
関係にあるパターンが凹凸によって形成されている。
されている。この図において、まず、適当な大きさの原
盤例えばガラス基板10が用意される。このガラス基板
10は、例えば第7図に示すように適当な内在の中心穴
を有している。第7図には、−gt−破断して断面が示
されているが、この断面における各工程の状・態が第6
図(A)ないしくG)に示されている。まず同図(A)
に示すように、ガラス基板10の主表面上にフォトレジ
スト121@−に塗布する。次に、適宜の光学手段例え
ばV−ザ手段によって必要なパターン状に露光が行なわ
れ、フォトレジスト12のエツチングが行なわれる(同
図CB)#照)0 次に、所定のパターン状に形成されたフォトレジスト1
2f:有するガラス基板10の主表面上に、例えばニッ
ケル(Nl )の薄膜14t−スパッタリングなどの方
法で形成する(同図(C)参照)。そしてこのニッケル
薄膜1.lt、極と(、てニッケルのメッキすなわちニ
ッケル電鋳が行々われ、マスタ16が形成される(同図
1’D)参照)。この工程後マスタ16はガラス基板1
0からはがされる(同図rE)参照)。前述したように
、フオレジスト12には、必要なパターンが形成されて
いるため、マスタ16には、そのパターンに対しネガの
関係にあるパターンが凹凸によって形成されている。
次に、このマスタ16に対し、別体の表面層としての適
当なプラスチック材料例えば光照射によって硬化する高
分子材料(以下単にrZP材」と略称する)18t−用
いてモールド加工を行う(同図(F)参照)、、マスタ
16のパターンはネガであるから、2P材18のパター
ンはポジとなる(同図(G)参照)。
当なプラスチック材料例えば光照射によって硬化する高
分子材料(以下単にrZP材」と略称する)18t−用
いてモールド加工を行う(同図(F)参照)、、マスタ
16のパターンはネガであるから、2P材18のパター
ンはポジとなる(同図(G)参照)。
以上の工程の(12P材18のパターン面すなわちビッ
ト側に記録膜20が形成され、更には、接着剤22によ
って保護板24あるいは基板26に記録膜20が挾持さ
れるようにして貼り合せられ、元ディスクが第8図に示
すように完成する。
ト側に記録膜20が形成され、更には、接着剤22によ
って保護板24あるいは基板26に記録膜20が挾持さ
れるようにして貼り合せられ、元ディスクが第8図に示
すように完成する。
しかしながら、以上のような従来の光゛ディスクの構造
においては、例えば第8図の矢印F1. F2で示すよ
うに、光ディスクの外周端あるいは内周端における各層
の界面から水分が記録膜20の方向に侵入し、記録lA
20を劣化させるという工部合がある。また、各層間の
密着性、σ貼り合せ強度も、十分なものとはいえない。
においては、例えば第8図の矢印F1. F2で示すよ
うに、光ディスクの外周端あるいは内周端における各層
の界面から水分が記録膜20の方向に侵入し、記録lA
20を劣化させるという工部合がある。また、各層間の
密着性、σ貼り合せ強度も、十分なものとはいえない。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、水分
の侵入による記録膜の劣化を低減してその寿命の低下を
防止するとともに、各層間の密着性、貼り合せ強度の向
上も図ることができる光ディスクを提供することtその
目的とするものである。
の侵入による記録膜の劣化を低減してその寿命の低下を
防止するとともに、各層間の密着性、貼り合せ強度の向
上も図ることができる光ディスクを提供することtその
目的とするものである。
本発明者は、先に記録膜を劣化させる水分は特に表面層
の表面(接着剤層との界面)に市って外部からシワシワ
と侵入することを見い出し、この侵入金遅くらせるKは
、外部と記録膜との閣の道程を長くすればよいことを着
想し、本発IJAt−成すに至った。
の表面(接着剤層との界面)に市って外部からシワシワ
と侵入することを見い出し、この侵入金遅くらせるKは
、外部と記録膜との閣の道程を長くすればよいことを着
想し、本発IJAt−成すに至った。
即ち、本発明は輪帯状の記録膜が形成された表面層例え
ば2P材層(基板と別体でも一体でもよい)の外周側又
は内周側領域の少なくとも一方に円周方向の溝又は突条
パターンを形成し、それにより放射方向からの侵入経路
を延長したことを特徴とする光ディスクを提供する。
ば2P材層(基板と別体でも一体でもよい)の外周側又
は内周側領域の少なくとも一方に円周方向の溝又は突条
パターンを形成し、それにより放射方向からの侵入経路
を延長したことを特徴とする光ディスクを提供する。
この溝パターンは、ガラス原盤を用いてスタンパ會作成
するときに形成されるか、あるいはカッタ二手段等によ
り直接スタンノくに形成される。溝又は突条パターンの
形としては、例えば同心円状もしくはスパイラル状又は
それらの部分的組み合わせの溝が用いられる。このノく
ターンにより、光ディスクの各層間の界面における外気
と記録領域の距離が増大し、また層間の接触面積も増大
する0〔実施例〕 以下、第1図ないし第5図を参照しながら、本発明の実
施例について説明する。
するときに形成されるか、あるいはカッタ二手段等によ
り直接スタンノくに形成される。溝又は突条パターンの
形としては、例えば同心円状もしくはスパイラル状又は
それらの部分的組み合わせの溝が用いられる。このノく
ターンにより、光ディスクの各層間の界面における外気
と記録領域の距離が増大し、また層間の接触面積も増大
する0〔実施例〕 以下、第1図ないし第5図を参照しながら、本発明の実
施例について説明する。
まず、適当なガラス板30を用意する。このガラス板6
0としては、例えば外径が220m、厚さが6■のソー
ダライム環のものを使用する。そして、このガラス板3
00片側表面上に、例えばAZ1350などのフォトレ
ジスト32を例、tば1μ漠 の厚さにスピンコードす
る(第1図CA)参@)。
0としては、例えば外径が220m、厚さが6■のソー
ダライム環のものを使用する。そして、このガラス板3
00片側表面上に、例えばAZ1350などのフォトレ
ジスト32を例、tば1μ漠 の厚さにスピンコードす
る(第1図CA)参@)。
そしてこのフォトレジスト32上に、例えばクロム(C
r)34t−100OAの厚さく真空蒸着などの方法に
よって形成する(同図(A)参照)。
r)34t−100OAの厚さく真空蒸着などの方法に
よって形成する(同図(A)参照)。
次に、アルゴンV−ザ36を適宜の光学手段を用いて1
μmの径のビームとしてクロム膜64に照射しC同図(
A)参照)、ガラス板30上の径が40ないし50#l
l及び194ないし200mの@部付近ノd囲ic、#
i[幅1μm、ピッチ2μ惧のスパイラル状にクロム層
64を蒸発させる(同図rB)参照)。
μmの径のビームとしてクロム膜64に照射しC同図(
A)参照)、ガラス板30上の径が40ないし50#l
l及び194ないし200mの@部付近ノd囲ic、#
i[幅1μm、ピッチ2μ惧のスパイラル状にクロム層
64を蒸発させる(同図rB)参照)。
そして、クロム層34をマスクとして、フォトンシスト
32に対し露光を行い、現像全行う(同図(C)参照)
。これにより、フォトレジスト32のパターンは、クロ
ム層64と同様になり、パターンに后ってガラス板30
の表面が露出するようになる。ぞして、この露出したガ
ラス面に対し、CHF3 t”用いてドライエツチング
を行い、例えば1μ溝の溝38を形成し、フォトレジス
ト62全除去する(同図rD)参照)。前述したように
、クロム層34に形成されたパターンはスパイラル状で
あるから、溝パターン38もスパイラル状となる。
32に対し露光を行い、現像全行う(同図(C)参照)
。これにより、フォトレジスト32のパターンは、クロ
ム層64と同様になり、パターンに后ってガラス板30
の表面が露出するようになる。ぞして、この露出したガ
ラス面に対し、CHF3 t”用いてドライエツチング
を行い、例えば1μ溝の溝38を形成し、フォトレジス
ト62全除去する(同図rD)参照)。前述したように
、クロム層34に形成されたパターンはスパイラル状で
あるから、溝パターン38もスパイラル状となる。
次に、ガラス板50の表面上に再度フォトレジスト40
ft、例えば1500Aの厚さにスピンコードする(
同図(E)i照)。そして、ガラス板30の径70ない
し190−の範囲に、1.6μmピッチの溝パターン状
にアルゴンンーサ42による露光を行い(同図(E)参
照)、更にその後現像を行う(同図(F)参照)。以上
のようにしてフォトレジスト40にパターンを形成した
後、再びドライニッチジグを行って深さ700Aのガイ
ド用トラック溝44を形成し、この後にフォトレジスト
40を除去するC同図(G)参照)。以上のようにして
外周側及び内周側端部に溝パターン68を有し、中央部
分にガイドトランク溝44を有するガラス原盤46が完
成する。
ft、例えば1500Aの厚さにスピンコードする(
同図(E)i照)。そして、ガラス板30の径70ない
し190−の範囲に、1.6μmピッチの溝パターン状
にアルゴンンーサ42による露光を行い(同図(E)参
照)、更にその後現像を行う(同図(F)参照)。以上
のようにしてフォトレジスト40にパターンを形成した
後、再びドライニッチジグを行って深さ700Aのガイ
ド用トラック溝44を形成し、この後にフォトレジスト
40を除去するC同図(G)参照)。以上のようにして
外周側及び内周側端部に溝パターン68を有し、中央部
分にガイドトランク溝44を有するガラス原盤46が完
成する。
次に、第6図(C)ないしCF、)において説明したよ
うに、ガラス原盤46に対してニッケルの薄膜ラスバッ
タリングなどの方法で形成し、これを電極として例えば
0.3 mの厚さとなるようにニッケル電鋳が行なわれ
る。そしてニッケル部分をガラス厚盤46から剥離する
と、スタンパ48が形成される(同図(H)参照)。
うに、ガラス原盤46に対してニッケルの薄膜ラスバッ
タリングなどの方法で形成し、これを電極として例えば
0.3 mの厚さとなるようにニッケル電鋳が行なわれ
る。そしてニッケル部分をガラス厚盤46から剥離する
と、スタンパ48が形成される(同図(H)参照)。
次に、適当なガラス基板例えば外径200mm。
内径65W1厚さ1.2 tmのガラス基板50上に、
2P材52Tt介して上記スタンパ48を対峙させ、光
照射を行って溝パターン38及びガイドトラック溝44
に対応する溝を形成する(第2図参照)。
2P材52Tt介して上記スタンパ48を対峙させ、光
照射を行って溝パターン38及びガイドトラック溝44
に対応する溝を形成する(第2図参照)。
そしてガイドトラック溝44に対応したガイド溝[54
上すなわち記録領域となる径が90ないし190■の範
囲金含む60ないし192111+の範囲に、適当なi
スク手段を用いて輪帯状記録膜56を形成する。記録膜
56は、例えば、81C6DOA。
上すなわち記録領域となる径が90ないし190■の範
囲金含む60ないし192111+の範囲に、適当なi
スク手段を用いて輪帯状記録膜56を形成する。記録膜
56は、例えば、81C6DOA。
GdF@Co 500A、 TbFe 500A%5i
ns 1000A及びAt1000A t−真空蒸着な
どの方法により連続して形成したものである。そしてこ
の記録膜56の形成後、この記録膜56側に紫外線硬化
型の接着剤58f、用いてガラス基板50と同じ大きさ
のポリカーボネート板60を保護板として接着し、光デ
ィスクが完成する。なお、ガラス基板50の外周側及び
内周側端部付近には、ガラス原盤46の溝パターン38
に対応する溝パターン62が形成されている。
ns 1000A及びAt1000A t−真空蒸着な
どの方法により連続して形成したものである。そしてこ
の記録膜56の形成後、この記録膜56側に紫外線硬化
型の接着剤58f、用いてガラス基板50と同じ大きさ
のポリカーボネート板60を保護板として接着し、光デ
ィスクが完成する。なお、ガラス基板50の外周側及び
内周側端部付近には、ガラス原盤46の溝パターン38
に対応する溝パターン62が形成されている。
次に、上記実施例の作用について説明する。第2図に示
すように、光ディスクの外周側及び内周側には、溝パタ
ーン62が各々形成されている。
すように、光ディスクの外周側及び内周側には、溝パタ
ーン62が各々形成されている。
このため、別体の表面層の2P材52と接着剤58との
界面部分の長さすなわち界面を通過する記録膜56と外
気との距離が増大している。このため、水分が記録膜5
6に達しにくくなる。
界面部分の長さすなわち界面を通過する記録膜56と外
気との距離が増大している。このため、水分が記録膜5
6に達しにくくなる。
第3図には、時間の経過に対する記録膜56のビットエ
ラーレートが示されており、グラフLAU何ら溝パター
ン62全形成しない場合であり、グラフLBij本実施
例の場合である。このグラフは、光ディスクを、温度6
0℃、相対湿度90%RHの雰囲気中に放置してビット
エラーの発生状態を調べたものである。第3図から明ら
かなように、溝パターン62を設けたことによってビッ
トエラーの発生が低減され、寿宿が長くなっている。
ラーレートが示されており、グラフLAU何ら溝パター
ン62全形成しない場合であり、グラフLBij本実施
例の場合である。このグラフは、光ディスクを、温度6
0℃、相対湿度90%RHの雰囲気中に放置してビット
エラーの発生状態を調べたものである。第3図から明ら
かなように、溝パターン62を設けたことによってビッ
トエラーの発生が低減され、寿宿が長くなっている。
また、上記実施例によれば、ガラス基板50の上の2P
材52に対し、ガイド溝部54t−形成すると同時に溝
パターン62が形成されるので、例えば、接着剤5日で
ポリカーボネート板60t−接着する前にカッターなど
を用いて溝パターンを形成する方法と比較すると、ガイ
ド溝部54や記録[56t−傷つけたりするおそれがな
いという効果がある。
材52に対し、ガイド溝部54t−形成すると同時に溝
パターン62が形成されるので、例えば、接着剤5日で
ポリカーボネート板60t−接着する前にカッターなど
を用いて溝パターンを形成する方法と比較すると、ガイ
ド溝部54や記録[56t−傷つけたりするおそれがな
いという効果がある。
次に、本発明の他の実施例について、第4図及び第5図
tm参照しながら説明する。
tm参照しながら説明する。
第4図(A)には、通常の方法で形成しe=ニッケルス
タンパ70が示されている。このスタンパ70のうち、
ガイドトラック溝形成用の溝72のある範囲すなわち元
ディスクにおいて情報記録領域となる部分を形成する範
囲は、径が90ないし190■の輪帯状領域である。こ
の領域を除いた径40ないし50m、194ないし20
0■の領域に、ダイヤモンドカッ4−74 k用いて1
列えば深さ1μm、幅1.5μ講、ピッチ2μmのスパ
イラル又は同心円状のV形溝パターン76を各々形成す
る(第4図(B)参照)0 この上うにしたスタンパ70f:用いて上述した実tl
lA列と同様の方法で光デイスク全作製する。第5図に
はその断面が示されており、第2図に飛したものと同様
の構成部分については同一の符号が用いられている。光
ディスクの外周側及び内周側には、スタンパ70のvm
axパターン76に対応する逆V字形突条パターン78
が各々形成される。
タンパ70が示されている。このスタンパ70のうち、
ガイドトラック溝形成用の溝72のある範囲すなわち元
ディスクにおいて情報記録領域となる部分を形成する範
囲は、径が90ないし190■の輪帯状領域である。こ
の領域を除いた径40ないし50m、194ないし20
0■の領域に、ダイヤモンドカッ4−74 k用いて1
列えば深さ1μm、幅1.5μ講、ピッチ2μmのスパ
イラル又は同心円状のV形溝パターン76を各々形成す
る(第4図(B)参照)0 この上うにしたスタンパ70f:用いて上述した実tl
lA列と同様の方法で光デイスク全作製する。第5図に
はその断面が示されており、第2図に飛したものと同様
の構成部分については同一の符号が用いられている。光
ディスクの外周側及び内周側には、スタンパ70のvm
axパターン76に対応する逆V字形突条パターン78
が各々形成される。
この@5図に示す元ディスクについてビットエラー発生
の経時変化を調べたところ、はぼags図と同様の結果
が得られ、突条パターン78の作用によって記録膜56
の寿命が長くなっていることが確認された。
の経時変化を調べたところ、はぼags図と同様の結果
が得られ、突条パターン78の作用によって記録膜56
の寿命が長くなっていることが確認された。
また、上記実施例では、ダイヤモンドカッター74に使
用してスタンパ70KV形溝76t−形成したが、ダイ
ヤモンドカッター74のかわりに、例えばサンドベーパ
を用いてスタンパ70に凹凸を形成したものについても
、同様の結果が得られている。
用してスタンパ70KV形溝76t−形成したが、ダイ
ヤモンドカッター74のかわりに、例えばサンドベーパ
を用いてスタンパ70に凹凸を形成したものについても
、同様の結果が得られている。
なお、本発明は何ら、上記実施例に限定されるものでは
なく、上述した各部の寸法などや図示した形状に限定さ
れるものではな(、必要に応じて適宜変更してよい。
なく、上述した各部の寸法などや図示した形状に限定さ
れるものではな(、必要に応じて適宜変更してよい。
また、上記実施例では、2P#を使用したがプラスチッ
クの射出成形を利用するようにしてもよ一部0 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明による光ディスクによれば
、光ディスクの記録領域以外の外周側及び内周側端部領
域に、凹凸パターンを形成し、層界面における外気と記
録領域との距離を実質上増大させることとしたので、水
分の侵入が低減され、耐久性が向上して長寿命化が図ら
れるとともに、接触面積が増大して層間の貼り合せ残置
が増大して密着性も向上するという効果がある。
クの射出成形を利用するようにしてもよ一部0 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明による光ディスクによれば
、光ディスクの記録領域以外の外周側及び内周側端部領
域に、凹凸パターンを形成し、層界面における外気と記
録領域との距離を実質上増大させることとしたので、水
分の侵入が低減され、耐久性が向上して長寿命化が図ら
れるとともに、接触面積が増大して層間の貼り合せ残置
が増大して密着性も向上するという効果がある。
また、かかる凹凸パターンをスタンパにあらかじめパタ
ーンを形成し、これに作成することとしているので、記
録領域に損傷を与えるなどの不都合が生じないという効
果もある。
ーンを形成し、これに作成することとしているので、記
録領域に損傷を与えるなどの不都合が生じないという効
果もある。
第1図(A)ないしくH)は本発明にかかる光ディスク
の形成工程を示す断面図、@2図は本発明の一笑施例を
示す一部破断した断面図、第3図/I′18g2図の実
施例におけるビットエラー発生の経時変化を示すグラフ
、第4図(A)、 (B)は本発明の他の実施例のスタ
ンパの作成工程を示す断面図、第5図は本発明の他の実
施例を示す一部破断した断面図、第6図(A)ないしC
G)は従来の元ディスクの作成工程の一例を示す断面図
、第7図はガラス原盤を示す一部破断した斜視図、第8
図は従来の元ディスクの一例を示す一部破断した断面図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 38・・・溝、46・・・ガラス原盤、48・・・スタ
ンパ、50・・・ガラス基板(円形基板の一例)、52
・・・2P材(別体表面層の一例)、56・・・記録膜
、58・・・接着剤、62・・・溝ハ゛ター・ン、78
・・・突条パターン。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第3図 第4図 第5図 (巳) (F) 第6図
の形成工程を示す断面図、@2図は本発明の一笑施例を
示す一部破断した断面図、第3図/I′18g2図の実
施例におけるビットエラー発生の経時変化を示すグラフ
、第4図(A)、 (B)は本発明の他の実施例のスタ
ンパの作成工程を示す断面図、第5図は本発明の他の実
施例を示す一部破断した断面図、第6図(A)ないしC
G)は従来の元ディスクの作成工程の一例を示す断面図
、第7図はガラス原盤を示す一部破断した斜視図、第8
図は従来の元ディスクの一例を示す一部破断した断面図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 38・・・溝、46・・・ガラス原盤、48・・・スタ
ンパ、50・・・ガラス基板(円形基板の一例)、52
・・・2P材(別体表面層の一例)、56・・・記録膜
、58・・・接着剤、62・・・溝ハ゛ター・ン、78
・・・突条パターン。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第3図 第4図 第5図 (巳) (F) 第6図
Claims (1)
- 別体又は一体の表面層を有する円形基板上に輪帯状の記
録膜を形成してなる光ディスクに於いて、前記表面層の
うち記録膜の外周側又は内周側領域に円周方向の溝又は
突条パターンを形成したことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116652A JPS61276140A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116652A JPS61276140A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276140A true JPS61276140A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14692532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60116652A Pending JPS61276140A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304735A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nec Corp | 光ディスク媒体 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60116652A patent/JPS61276140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304735A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nec Corp | 光ディスク媒体 |
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