JPH0230496B2 - - Google Patents
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- JPH0230496B2 JPH0230496B2 JP58224879A JP22487983A JPH0230496B2 JP H0230496 B2 JPH0230496 B2 JP H0230496B2 JP 58224879 A JP58224879 A JP 58224879A JP 22487983 A JP22487983 A JP 22487983A JP H0230496 B2 JPH0230496 B2 JP H0230496B2
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0333—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect addressed by a beam of charged particles
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野の説明）
本発明は２つの画像間の否定論理和（NOR）
を求める否定論理和演算装置に関する。
を求める否定論理和演算装置に関する。
（発明の背景）
一つの画像に対する論理演算、または画像間の
論理演算は、電子計算機を用いた画像処理技術を
利用することにより可能である。
論理演算は、電子計算機を用いた画像処理技術を
利用することにより可能である。
単一の画像の情報に対して論理演算、例えば否
定をしたいときは、前記画像の情報を画素に分解
して、各画素に対して論理演算、例えば否定の演
算等を施すことにより、画像に対する論理演算を
施すことができる。
定をしたいときは、前記画像の情報を画素に分解
して、各画素に対して論理演算、例えば否定の演
算等を施すことにより、画像に対する論理演算を
施すことができる。
また２つの画像間の論理演算を施したいとき
は、例えば論理和を求めたいときは、同様に各画
像を画素に分解して、対応する画素同志での論理
和を求めて画像を再構成すれば、画像間の論理演
算の結果を求めることができる。
は、例えば論理和を求めたいときは、同様に各画
像を画素に分解して、対応する画素同志での論理
和を求めて画像を再構成すれば、画像間の論理演
算の結果を求めることができる。
このような演算を行うために、通常テレビジヨ
ン撮像装置と、画像情報を画素単位で蓄積するフ
レームメモリ、演算結果を同様に画素単位で蓄積
するフレームメモリ、論理演算のための演算回路
が必要となる。
ン撮像装置と、画像情報を画素単位で蓄積するフ
レームメモリ、演算結果を同様に画素単位で蓄積
するフレームメモリ、論理演算のための演算回路
が必要となる。
このような演算の過程は多くの直列処理が含ま
れ、画素が多くなるに従つて大形の演算処理装置
が必要となる。
れ、画素が多くなるに従つて大形の演算処理装置
が必要となる。
（発明の目的）
本発明の目的は、前述のような画像処理技術と
は全く異なる新規な構成の画像間の否定論理和
（NOR）を求める否定論理和演算装置を提供する
ことにある。
は全く異なる新規な構成の画像間の否定論理和
（NOR）を求める否定論理和演算装置を提供する
ことにある。
（発明の構成）
前記目的を達成するために本発明による画像間
の否定論理和を求める否定論理和演算装置は、光
電面、第１の面が前記光電面に対向させられてお
り第２の面に透明電極が設けられている電気光学
結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間に設け
られた網目状電極から成る空間光変調管と、前記
空間光変調管の外から前記電気光学結晶の前記第
２の面側から直線偏光されたレーザ光で照射する
レーザ光源装置と、前記空間光変調管の光電面、
網目状電極、前記透明電極に動作電圧を供給する
電圧発生回路と、演算対象である第１および第２
の画像の像を前記空間光変調管の光電面に形成す
る書込み光学装置と、前記空間光変調管の光電面
を一様に照射する照射光学装置と、前記電気光学
結晶の第１の面で反射した光が入射させられる偏
光子とを含み、前記電圧発生回路により、前記網
目状電極、前記透明電極間に半波長電圧の奇数倍
またはそれに近い電圧を印加し、前記光電面に書
込み電圧を印加して、前記照射光学装置により前
記光電面を一様に照射することによつて前記電気
光学結晶の第１の面に一様な電荷を形成し、前記
電圧発生回路により前記網目状電極、前記透明電
極間に半波長電圧の偶数倍またはそれに近い電圧
を印加し、前記光電面に書込み電圧を印加して、
前記光学装置により前記第１の画像を前記光電面
に形成することによつて前記画像に対応する電荷
像を前記電気光学結晶の第１の面に形成し、前記
第１の画像に対応する電荷像を保存した状態で、
前記電圧発生回路により前記網目状電極、前記透
明電極間に半波長電圧の偶数倍またはそれに近い
電圧を印加し、前記光電面に書込み電圧を印加し
て、前記光学装置により前記第２の画像を前記光
電面に形成することによつて第２の画像の書込み
を行い、前記レーザ光源装置により前記電気光学
結晶を照射し前記偏光子を透過した光に前記第１
の画像と第２の画像の画像間の否定論理和を得る
ように構成されている。
の否定論理和を求める否定論理和演算装置は、光
電面、第１の面が前記光電面に対向させられてお
り第２の面に透明電極が設けられている電気光学
結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間に設け
られた網目状電極から成る空間光変調管と、前記
空間光変調管の外から前記電気光学結晶の前記第
２の面側から直線偏光されたレーザ光で照射する
レーザ光源装置と、前記空間光変調管の光電面、
網目状電極、前記透明電極に動作電圧を供給する
電圧発生回路と、演算対象である第１および第２
の画像の像を前記空間光変調管の光電面に形成す
る書込み光学装置と、前記空間光変調管の光電面
を一様に照射する照射光学装置と、前記電気光学
結晶の第１の面で反射した光が入射させられる偏
光子とを含み、前記電圧発生回路により、前記網
目状電極、前記透明電極間に半波長電圧の奇数倍
またはそれに近い電圧を印加し、前記光電面に書
込み電圧を印加して、前記照射光学装置により前
記光電面を一様に照射することによつて前記電気
光学結晶の第１の面に一様な電荷を形成し、前記
電圧発生回路により前記網目状電極、前記透明電
極間に半波長電圧の偶数倍またはそれに近い電圧
を印加し、前記光電面に書込み電圧を印加して、
前記光学装置により前記第１の画像を前記光電面
に形成することによつて前記画像に対応する電荷
像を前記電気光学結晶の第１の面に形成し、前記
第１の画像に対応する電荷像を保存した状態で、
前記電圧発生回路により前記網目状電極、前記透
明電極間に半波長電圧の偶数倍またはそれに近い
電圧を印加し、前記光電面に書込み電圧を印加し
て、前記光学装置により前記第２の画像を前記光
電面に形成することによつて第２の画像の書込み
を行い、前記レーザ光源装置により前記電気光学
結晶を照射し前記偏光子を透過した光に前記第１
の画像と第２の画像の画像間の否定論理和を得る
ように構成されている。
（実施例の説明）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第１図は本発明による画像間の否定論理和を求
める論理和演算装置の基本となる部分の構成を示
すブロツク図である。
める論理和演算装置の基本となる部分の構成を示
すブロツク図である。
空間光変調管３の真空容器３４の入射窓の内面
に光電面３１が形成されている。
に光電面３１が形成されている。
LiNbO3の55゜カツトの結晶を用いた電気光学結
晶３３の第１の面３３ａは前記光電面に対向させ
られており、第２の面に透明電極３３ｂが形成さ
れている。
晶３３の第１の面３３ａは前記光電面に対向させ
られており、第２の面に透明電極３３ｂが形成さ
れている。
前記電気光学結晶３３の第１の面３３ａの前面
に網目状電極３２が配置されている。
に網目状電極３２が配置されている。
前記光電面３１、網目状電極３２、電気光学結
晶３３の第２の面の透明電極３３ｂはそれぞれ接
続端子３１ｃ，３２ｃ，３３ｃから動作電圧が接
続される。
晶３３の第２の面の透明電極３３ｂはそれぞれ接
続端子３１ｃ，３２ｃ，３３ｃから動作電圧が接
続される。
画像Ｉは画像配置台２２に支持されインコヒー
レントな光源１で照明されており画像Ｉの像はレ
ンズ２で前記空間光変調管３の光電面３１上に形
成させられている。
レントな光源１で照明されており画像Ｉの像はレ
ンズ２で前記空間光変調管３の光電面３１上に形
成させられている。
端子３１ｃ，３２ｃ，３３ｃから動作電圧を供
給し、光電面３１の電圧を網目状電極３２、電気
光学結晶３３の第２の面の透明電極３３ｂの電圧
よりも低い電圧（書込み電圧）にし、さらに上記
電圧の範囲内で網目状電極３２、電気光学結晶３
３の第２の面の透明電極３３ｂ間に電圧を与え
て、光電面３１の放出する電子の像に対応する正
または負の電荷像を電気光学結晶３３の第１の面
に形成する。ここに電気光学結晶３３の二次電子
放出特性は、多くの物質と同様に第７図に示すよ
うに、結晶（物質）特有の電圧E1以下で放出比
δが１より小さく、上記E1と結晶特有の電圧E2
との間で放出比δが１より大きく、上記E2より
大きいとき放出比δが１より小さくなるという特
性をもつ。
給し、光電面３１の電圧を網目状電極３２、電気
光学結晶３３の第２の面の透明電極３３ｂの電圧
よりも低い電圧（書込み電圧）にし、さらに上記
電圧の範囲内で網目状電極３２、電気光学結晶３
３の第２の面の透明電極３３ｂ間に電圧を与え
て、光電面３１の放出する電子の像に対応する正
または負の電荷像を電気光学結晶３３の第１の面
に形成する。ここに電気光学結晶３３の二次電子
放出特性は、多くの物質と同様に第７図に示すよ
うに、結晶（物質）特有の電圧E1以下で放出比
δが１より小さく、上記E1と結晶特有の電圧E2
との間で放出比δが１より大きく、上記E2より
大きいとき放出比δが１より小さくなるという特
性をもつ。
網目状電極３２の電圧をほぼE2に設定して光
電面３１の電圧と電気光学結晶３３の第２の面の
透明電極３３ｂの電圧との差が、第７図に示す
E2より大きくなるように上記透明電極３３ｂに
電圧を与えたときは、電気光学結晶３３の第１の
面３３ａが網目状電極３２の電圧と等しい電圧に
なるまでは電子が付着して（δ＜１）負電荷像が
形成される。負電荷による電位が前記網目状電極
３２の電位E2と等しくなつたときは、その後に
電子が飛来してきても電荷は変化しない。電子が
飛来して来ない部分は無電荷の状態にある。
電面３１の電圧と電気光学結晶３３の第２の面の
透明電極３３ｂの電圧との差が、第７図に示す
E2より大きくなるように上記透明電極３３ｂに
電圧を与えたときは、電気光学結晶３３の第１の
面３３ａが網目状電極３２の電圧と等しい電圧に
なるまでは電子が付着して（δ＜１）負電荷像が
形成される。負電荷による電位が前記網目状電極
３２の電位E2と等しくなつたときは、その後に
電子が飛来してきても電荷は変化しない。電子が
飛来して来ない部分は無電荷の状態にある。
光電面３１の電圧と電気光学結晶３３の第２の
面の透明電極３３ｂの電圧との差が第７図に示す
E1とE2との間にあるように上記透明電極３３ｂ
に電圧を与えたときは電気光学結晶３３の第１の
面３３ａに到達した電子により発生させられる二
次電子（δ＞１）が前記網目状電極３２に捕捉さ
れることにより当該部分に結果的に正電荷像が蓄
積される。
面の透明電極３３ｂの電圧との差が第７図に示す
E1とE2との間にあるように上記透明電極３３ｂ
に電圧を与えたときは電気光学結晶３３の第１の
面３３ａに到達した電子により発生させられる二
次電子（δ＞１）が前記網目状電極３２に捕捉さ
れることにより当該部分に結果的に正電荷像が蓄
積される。
正電荷による電位が前記網目状電極３２の電位
E2と等しくなつたときに平衝し、その後に電子
が飛来してきても電荷は変化しない。
E2と等しくなつたときに平衝し、その後に電子
が飛来してきても電荷は変化しない。
電子が飛来して来ない部分は無電荷の状態に保
たれる。
たれる。
電子を入射させなければ、電圧を変えても電気
光学結晶３３の表面の電荷は保存される。
光学結晶３３の表面の電荷は保存される。
この電気光学結晶３３の状態は、レーザ光源装
置からのレーザ光により読み出される。
置からのレーザ光により読み出される。
レーザ光源装置は、レーザ発振器４、偏光子
５、レンズ６、ピンホール７、コリメーテイング
レンズ８から構成されている。
５、レンズ６、ピンホール７、コリメーテイング
レンズ８から構成されている。
レーザ発振器４からの光は偏光子５で結晶のｘ
軸（またはy′軸）から45゜の方向の直線偏光に変
換される。
軸（またはy′軸）から45゜の方向の直線偏光に変
換される。
そしてレンズ６で拡大されピンホール７で余分
な回折光が除去される。
な回折光が除去される。
ピンホール７を透過した光はコリメーテイング
レンズ８で平行光に変換され、ハーフミラー９を
通して電気光学結晶の第２の面から、結晶に入射
させられる。電気光学結晶（LiNbO3）は第６図
のようにウエーハ状に切り出されている。
レンズ８で平行光に変換され、ハーフミラー９を
通して電気光学結晶の第２の面から、結晶に入射
させられる。電気光学結晶（LiNbO3）は第６図
のようにウエーハ状に切り出されている。
LiNbO3の電気光学結晶３３の表面電荷によつ
て、結晶の厚み方向にかかる電界が変化し、結晶
のｘ方向、y′方向の屈折率は次式のように変化す
る。
て、結晶の厚み方向にかかる電界が変化し、結晶
のｘ方向、y′方向の屈折率は次式のように変化す
る。
nx＝nx0−rx・Ｅ ……(1)
ny′＝ny′0−ry′・Ｅ ……(2)
ここで、
nx0，ny′0：電荷の存在しない時のｘ方向、y′方
向の屈折率 Ｅ：電荷の存在により結晶内に生ずる電界 rx，ry′：電気光学定数 電気光学結晶３３に入射した光のｘ方向成分、
y′方向成分の速度が異なるので（結晶のｘ、y′方
向の屈折率が異なるから）結晶表面で反射して房
つてくる光のｘ方向成分、y′方向成分に次式のよ
うな位相差が生じ、一般には楕円偏光となつて出
力してくる。
向の屈折率 Ｅ：電荷の存在により結晶内に生ずる電界 rx，ry′：電気光学定数 電気光学結晶３３に入射した光のｘ方向成分、
y′方向成分の速度が異なるので（結晶のｘ、y′方
向の屈折率が異なるから）結晶表面で反射して房
つてくる光のｘ方向成分、y′方向成分に次式のよ
うな位相差が生じ、一般には楕円偏光となつて出
力してくる。
Γ＝（2π／λ）・（El）・２（ry′−rx） ……(3)
ここで、
λ：レーザ発振器４の出力する光の波長
ｌ：結晶３３の厚さ
この出力光を偏光子１０を通過させれば一つの
偏波方向成分だけが取り出され、出力として入力
像Ｉによつて変調されたコヒーレント光像が得ら
れる。この時出力光強度I0は次の式で与えられ
る。
偏波方向成分だけが取り出され、出力として入力
像Ｉによつて変調されたコヒーレント光像が得ら
れる。この時出力光強度I0は次の式で与えられ
る。
I0＝Asin2Γ／２
＝Asin2（π／２）・（Ｖ／Vπ） ……(4)
ここで、
Ｖ：電荷σに等価な電圧
Vπ：電荷σπに等価な電圧（半波長電圧）
(4)式に基づく曲線を第２図に示す。
第２図に示されているように表面の電荷により
電気光学結晶３３内の電界が変わることにより反
射光の強度が変化する。
電気光学結晶３３内の電界が変わることにより反
射光の強度が変化する。
第２図から次のことが理解できる。
電気光学結晶の表面電荷が０、つまり光電子の
入射がなかつた場合（以下ａの状態と言う）は、
ハーフミラー９を介して電気光学結晶３３に入り
第１面で反射し、ハーフミラー９で反射され、偏
光子１０を通過したレーザ光は０である。
入射がなかつた場合（以下ａの状態と言う）は、
ハーフミラー９を介して電気光学結晶３３に入り
第１面で反射し、ハーフミラー９で反射され、偏
光子１０を通過したレーザ光は０である。
表面電荷が−σπのとき（以下ｂの状態）およ
び表面電荷がσπのとき（以下ｃの状態）では透
過した光は最大となる。
び表面電荷がσπのとき（以下ｃの状態）では透
過した光は最大となる。
表面電荷が−σπ／２のとき（以下ｄの状態）
および表面電荷がσπ／２のとき（以下ｅの状態）
では透過した光は前記最大の光の１／２の光が得
られる。
および表面電荷がσπ／２のとき（以下ｅの状態）
では透過した光は前記最大の光の１／２の光が得
られる。
第３図は本発明による画像間の否定論理和を求
める否定論理和演算装置の実施例を示すブロツク
図である。
める否定論理和演算装置の実施例を示すブロツク
図である。
空間光変調管３およびレーザ光源装置の構成は
第１図を参照して説明した所と変わらない。
第１図を参照して説明した所と変わらない。
空間光変調管３の各部の電極は、電圧発生回路
１１に接続されている。
１１に接続されている。
電圧発生回路１１の出力端子ａは画像書込み電
圧Vaを発生する。Vaは通常は＋3kV（書込み禁
止状態）で０のときが書込み状態である。網目状
電極３２は電圧発生回路１１の出力端子ｂから電
圧Vbが接続され、電気光学結晶３３の第２の面
の透明電極３３ｂは、電圧発生回路１１の出力端
子ｃから電圧Vcが接続される。これらの電圧は
通常正の電圧であつて、 Vb−Vc＜０のときには、電気光学結晶３３の
第１の面３３ａに負電荷による書込み、 Vb−Vc＞０のときには正電荷による書込みが
行われる。
圧Vaを発生する。Vaは通常は＋3kV（書込み禁
止状態）で０のときが書込み状態である。網目状
電極３２は電圧発生回路１１の出力端子ｂから電
圧Vbが接続され、電気光学結晶３３の第２の面
の透明電極３３ｂは、電圧発生回路１１の出力端
子ｃから電圧Vcが接続される。これらの電圧は
通常正の電圧であつて、 Vb−Vc＜０のときには、電気光学結晶３３の
第１の面３３ａに負電荷による書込み、 Vb−Vc＞０のときには正電荷による書込みが
行われる。
この実施例において前述した半波長電圧Vπは、
1.0kVである。
1.0kVである。
演算の対象となる画像は画像配置台２２に載置
されインコヒーレント光源１により、ハーフミラ
ー１６を介して照射され透過光の像はハーフミラ
ー１７、撮像レンズ２を介して空間光変調管３の
光電面３１に形成される。
されインコヒーレント光源１により、ハーフミラ
ー１６を介して照射され透過光の像はハーフミラ
ー１７、撮像レンズ２を介して空間光変調管３の
光電面３１に形成される。
インコヒーレント光源１からの光は前記ハーフ
ミラー１６により、一部分割され、全反射鏡１４
で反射されてシヤツタ１３に向けられる。
ミラー１６により、一部分割され、全反射鏡１４
で反射されてシヤツタ１３に向けられる。
シヤツタ１３が開いているときにシヤツタ１３
を透過した光は全反射鏡１５により反射され、ハ
ーフミラー１７により再度反射されて、レンズ２
により空間光変調管３の光電面３１を一様に照射
する。
を透過した光は全反射鏡１５により反射され、ハ
ーフミラー１７により再度反射されて、レンズ２
により空間光変調管３の光電面３１を一様に照射
する。
シヤツタ１３はシヤツタ駆動回路１２によりそ
の開閉が制御される。
の開閉が制御される。
画像の書込みは前記シヤツタ１３が閉じた状態
で行われる。
で行われる。
次に、第４図Ａに示す画像Ixと、同図Ｂに示す
画像Iy間の否定論理和を求める例について詳しく
説明する。
画像Iy間の否定論理和を求める例について詳しく
説明する。
電圧発生回路１１により、網目状電極の端子３
２ｃにVb＝2kV、電気光学結晶３３の透明電極
にVc＝3kVを印加する。Vb−Vc＝−1.0kVで負
の半波長電圧−Vπが印加されることになる。
２ｃにVb＝2kV、電気光学結晶３３の透明電極
にVc＝3kVを印加する。Vb−Vc＝−1.0kVで負
の半波長電圧−Vπが印加されることになる。
シヤツタ駆動回路１２によりシヤツタ１３を開
いた状態で光電面３１の電圧Vaを＋3kVから０
に変化させて、書込み状態を形成する。
いた状態で光電面３１の電圧Vaを＋3kVから０
に変化させて、書込み状態を形成する。
光電面３１は一様に照射されるので電気光学結
晶３３の第１面に一様な電荷−σπが形成される。
シヤツタ１３を閉じて、光電面３１の電圧Vaを
０から＋3kVに変化させて、一様な電荷−σπの
書込みを終了する。
晶３３の第１面に一様な電荷−σπが形成される。
シヤツタ１３を閉じて、光電面３１の電圧Vaを
０から＋3kVに変化させて、一様な電荷−σπの
書込みを終了する。
〔第１イメージIxの書込み〕
網目状電極の端子３２ｃにVb＝2kV、電気光
学結晶３３の透明電極にVc＝2kVを印加する。
Vb−Vc＝0kVである。
学結晶３３の透明電極にVc＝2kVを印加する。
Vb−Vc＝0kVである。
画像Ixを第３図の画像配置台２２の位置に配置
する。画像Ixはインコヒーレント光源１で照射さ
れており、白丸の部分の像が空間光変調管３の光
電面に形成される。
する。画像Ixはインコヒーレント光源１で照射さ
れており、白丸の部分の像が空間光変調管３の光
電面に形成される。
光電面の電圧Vaを＋3kVから０に変化させて
書込み状態を形成する。
書込み状態を形成する。
第１イメージIxの背景部分（黒地の部分）に相
当する電気光学結晶３３の表面には電子が飛来し
ない。
当する電気光学結晶３３の表面には電子が飛来し
ない。
したがつて、その部分の電荷は変化せず先に書
き込まれた−σπが保存される。
き込まれた−σπが保存される。
その部分の特性は第２図のｂの位置にあたる。
第１イメージIxの信号部分（白丸の部分）には
電子が飛来し、発生した二次電子は網目状電極３
２に捕捉され負の電荷が減少して結果的に電荷は
０となる。この状態は第２図ａの状態に対応する
ことになる。
電子が飛来し、発生した二次電子は網目状電極３
２に捕捉され負の電荷が減少して結果的に電荷は
０となる。この状態は第２図ａの状態に対応する
ことになる。
光電面の電圧Vaを０から＋3kVに変化させて
第１イメージIxの書込みを終了する。
第１イメージIxの書込みを終了する。
〔第２イメージIyの書込み〕
画像Iyを第３図の画像配置台２２の位置に配置
する。画像Iyと画像Ixは中央の白丸の部分が共通
しており、他の白丸の位置は互いにずれている。
網目状電極の端子３２ｃにVb＝2kV、電気光学
結晶３３の透明電極にVc＝2kVを印加した状態
（第１イメージの書込みと同じ状態）で光電面に
書込み電圧Va＝０を印加する。第２イメージIy
の背景部分（黒地の部分）に相当する電気光学結
晶３３の表面には電子が飛来しない。したがつて
第２イメージの黒地の部分に対応する結晶表面は
第１イメージIxにより書き込まれた状態、電荷０
および−σπの状態を維持する。
する。画像Iyと画像Ixは中央の白丸の部分が共通
しており、他の白丸の位置は互いにずれている。
網目状電極の端子３２ｃにVb＝2kV、電気光学
結晶３３の透明電極にVc＝2kVを印加した状態
（第１イメージの書込みと同じ状態）で光電面に
書込み電圧Va＝０を印加する。第２イメージIy
の背景部分（黒地の部分）に相当する電気光学結
晶３３の表面には電子が飛来しない。したがつて
第２イメージの黒地の部分に対応する結晶表面は
第１イメージIxにより書き込まれた状態、電荷０
および−σπの状態を維持する。
つまり、第１イメージの黒地の部分の電荷は−
σπの電荷をもち、第１イメージの白丸の部分は
０の電荷を保つことになる。
σπの電荷をもち、第１イメージの白丸の部分は
０の電荷を保つことになる。
第２イメージの白丸の部分で第１イメージの黒
字の部分の電荷は−σπから０に変化する。
字の部分の電荷は−σπから０に変化する。
第１イメージの中央の白丸の部分はすでに電荷
０の状態にあり、光電面から第２イメージに原因
する電荷が飛来してもこの平衡状態は変化しな
い。書込み電圧Vaを０から＋3kVにして第２イ
メージの書込みを終了する。
０の状態にあり、光電面から第２イメージに原因
する電荷が飛来してもこの平衡状態は変化しな
い。書込み電圧Vaを０から＋3kVにして第２イ
メージの書込みを終了する。
以上のようにして書き込まれた電荷は電圧Va，
Vbを０にしても保存される。
Vbを０にしても保存される。
このようにして書き込まれた電気光学結晶に、
レーザ光源装置のレーザ発振器４からの読み取り
光を与えると、電気光学結晶３３の表面の電荷−
σπの部分は結晶内に半波長電圧による電界が形
成されているので、読み取り光はその電界に対応
して偏光状態が変化する。
レーザ光源装置のレーザ発振器４からの読み取り
光を与えると、電気光学結晶３３の表面の電荷−
σπの部分は結晶内に半波長電圧による電界が形
成されているので、読み取り光はその電界に対応
して偏光状態が変化する。
その結果第４図Ｃに示すように読み出される。
以上説明した実施例では、光電面にイメージを照
射した状態で書込み電圧Vaを変化させて書込み
を行つたが、Vaを書込み状態に保ち、光電面へ
のイメージを光学シヤツタで制御して書込み動作
を行わせることができる。
以上説明した実施例では、光電面にイメージを照
射した状態で書込み電圧Vaを変化させて書込み
を行つたが、Vaを書込み状態に保ち、光電面へ
のイメージを光学シヤツタで制御して書込み動作
を行わせることができる。
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲
内で種々の変形を施すことができる。
内で種々の変形を施すことができる。
第５図に示すように、空間光変調管３の中にマ
イクロチヤンネルプレート３５を挿入しておけ
ば、微弱な画像の否定論理和を求めるときに便利
である。
イクロチヤンネルプレート３５を挿入しておけ
ば、微弱な画像の否定論理和を求めるときに便利
である。
実施例として空間光変調管の電気光学結晶とし
てLiNbO3の55゜カツトの結晶を用いる例を示した
が、KDP，BSOなどの単結晶も同様に利用でき
る。
てLiNbO3の55゜カツトの結晶を用いる例を示した
が、KDP，BSOなどの単結晶も同様に利用でき
る。
（効果の説明）
以上説明したように本発明による装置は電気光
学結晶表面に画像を電荷により書込むことによ
り、画像間の否定論理和を求めることができる。
学結晶表面に画像を電荷により書込むことによ
り、画像間の否定論理和を求めることができる。
本発明による装置は画像間の比較または照合に
広く利用できる。
広く利用できる。
第１図は本発明による画像間の否定論理和を求
める否定論理和演算装置の主要部の構成を示すブ
ロツク図である。第２図は本発明による画像間の
否定論理和を求める否定論理和演算装置の空間光
変調管の電気光学結晶の特性を示すグラフであ
る。第３図は本発明による画像間の否定論理和を
求める否定論理和演算装置の実施例を示すブロツ
ク図である。第４図は論理演算の対象である画像
と論理演算の結果を示す説明図である。第５図は
空間光変調管の他の実施例を示す断面図である。
第６図は電気光学結晶の結晶軸の方向を説明する
ための略図である。第７図は二次電子のエネルギ
ーと二次電子放出比の関係を示すグラフである。 １…インコヒーレント光源、２…レンズ、３…
空間光変調管、３１…光電面、３２…網目状電
極、３３…電気光学結晶、３５…マイクロチヤン
ネルプレート、４…レーザ発振器、５…偏光子、
６…レンズ、７…ピンホール、８…コリメーテイ
ングレンズ、９…ハーフミラー、１０…偏光子、
１１…電圧発生回路、１２…シヤツタ駆動回路、
１３…シヤツタ、１４，１５…反射鏡、１６，１
７…ハーフミラー、２０…再生像面、２２…画像
配置台。
める否定論理和演算装置の主要部の構成を示すブ
ロツク図である。第２図は本発明による画像間の
否定論理和を求める否定論理和演算装置の空間光
変調管の電気光学結晶の特性を示すグラフであ
る。第３図は本発明による画像間の否定論理和を
求める否定論理和演算装置の実施例を示すブロツ
ク図である。第４図は論理演算の対象である画像
と論理演算の結果を示す説明図である。第５図は
空間光変調管の他の実施例を示す断面図である。
第６図は電気光学結晶の結晶軸の方向を説明する
ための略図である。第７図は二次電子のエネルギ
ーと二次電子放出比の関係を示すグラフである。 １…インコヒーレント光源、２…レンズ、３…
空間光変調管、３１…光電面、３２…網目状電
極、３３…電気光学結晶、３５…マイクロチヤン
ネルプレート、４…レーザ発振器、５…偏光子、
６…レンズ、７…ピンホール、８…コリメーテイ
ングレンズ、９…ハーフミラー、１０…偏光子、
１１…電圧発生回路、１２…シヤツタ駆動回路、
１３…シヤツタ、１４，１５…反射鏡、１６，１
７…ハーフミラー、２０…再生像面、２２…画像
配置台。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電面、第１の面が前記光電面に対向させら
れており第２の面に透明電極が設けられている電
気光学結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間
に設けられた網目状電極から成る空間光変調管
と、前記空間光変調管の外から前記電気光学結晶
の前記第２の面側から直線偏光されたレーザ光で
照射するレーザ光源装置と、前記空間光変調管の
光電面、網目状電極、前記透明電極に動作電圧を
供給する電圧発生回路と、演算対象である第１お
よび第２の画像の像を前記空間光変調管の光電面
に形成する書込み光学装置と、前記空間光変調管
の光電面を一様に照射する照射光学装置と、前記
電気光学結晶の第１の面で反射した光が入射させ
られる偏光子とを含み、前記電圧発生回路によ
り、前記網目状電極、前記透明電極間に半波長電
圧の奇数倍またはそれに近い電圧を印加し、前記
光電面に書込み電圧を印加して、前記照射光学装
置により前記光電面を一様に照射することによつ
て前記電気光学結晶の第１の面に一様な電荷を形
成し、前記電圧発生回路により前記網目状電極、
前記透明電極間に半波長電圧の偶数倍またはそれ
に近い電圧を印加し、前記光電面に書込み電圧を
印加して、前記光学装置により前記第１の画像を
前記光電面に形成することによつて前記画像に対
応する電荷像を前記電気光学結晶の第１の面に形
成し、前記第１の画像に対応する電荷像を保存し
た状態で、前記電圧発生回路により前記網目状電
極、前記透明電極間に半波長電圧の偶数倍または
それに近い電圧を印加し、前記光電面に書込み電
圧を印加して、前記光学装置により前記第２の画
像を前記光電面に形成することによつて第２の画
像の書込みを行い、前記レーザ光源装置により前
記電気光学結晶を照射し前記偏光子を透過した光
に前記第１の画像と第２の画像の画像間の否定論
理和を得るように構成した画像間の否定論理和を
求める否定論理和演算装置。 ２ 前記電気光学結晶は、LiNbO3の55゜カツトの
結晶である特許請求の範囲第１項記載の画像間の
否定論理和を求める否定論理和演算装置。 ３ 前記空間光変調管は光電面と網目状電極との
間にマイクロチヤンネルプレートが配置されてい
る特許請求の範囲第１項記載の画像間の否定論理
和を求める否定論理和演算装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22487983A JPS60117222A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 画像間の否定論理和を求める否定論理和演算装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22487983A JPS60117222A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 画像間の否定論理和を求める否定論理和演算装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117222A JPS60117222A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0230496B2 true JPH0230496B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=16820593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22487983A Granted JPS60117222A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 画像間の否定論理和を求める否定論理和演算装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117222A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511693Y2 (ja) * | 1987-04-24 | 1993-03-24 | ||
| JPH0318814A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 光―光変換素子の駆動方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234366B2 (ja) * | 1981-10-09 | 1990-08-02 | Hamamatsu Photonics Kk | Kukanhenchosochi |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP22487983A patent/JPS60117222A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117222A (ja) | 1985-06-24 |
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