JPH0234366B2 - Kukanhenchosochi - Google Patents
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- JPH0234366B2 JPH0234366B2 JP16183181A JP16183181A JPH0234366B2 JP H0234366 B2 JPH0234366 B2 JP H0234366B2 JP 16183181 A JP16183181 A JP 16183181A JP 16183181 A JP16183181 A JP 16183181A JP H0234366 B2 JPH0234366 B2 JP H0234366B2
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 85
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 101100261999 Rattus norvegicus Tpsab1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100129592 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mcp7 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/501—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気光学結晶板を用いた空間変調装
置に関する。
置に関する。
記録媒体として用いるマイクロチヤンネルプレ
ートを用いた空間光変調装置（以下MSLMとい
う）は1976年のSPIE177巻67−70頁のワード等の
論文に示されている。まずこのMSLMについて
原理と動作を略述する。
ートを用いた空間光変調装置（以下MSLMとい
う）は1976年のSPIE177巻67−70頁のワード等の
論文に示されている。まずこのMSLMについて
原理と動作を略述する。
第１図は前記MSLMの構成を示す略図である。
この装置は光電面２２、マイクロチヤンネルプレ
ート（MCP）２４、および電気光学結晶板２８
を基本的に備えており、それ等は入射窓２１およ
び出射窓３０を有する真空容器内に封入されてい
る。２３，２５はそれぞれMCPの入、出力電極
である。電気光学結晶板２８の前面は誘電体鏡面
２７を形成しており、後面には透明電極２９が設
けられている。電気光学結晶板２８の前記誘電体
鏡面２７は、面に沿つてきわめて高い低抗を持つ
ている。
この装置は光電面２２、マイクロチヤンネルプレ
ート（MCP）２４、および電気光学結晶板２８
を基本的に備えており、それ等は入射窓２１およ
び出射窓３０を有する真空容器内に封入されてい
る。２３，２５はそれぞれMCPの入、出力電極
である。電気光学結晶板２８の前面は誘電体鏡面
２７を形成しており、後面には透明電極２９が設
けられている。電気光学結晶板２８の前記誘電体
鏡面２７は、面に沿つてきわめて高い低抗を持つ
ている。
書込光ａが光電面２２に入射して、電子像が形
成されると、その電子像はMCP２４により増幅
される。そして増幅された電子像は誘電体鏡面２
７に入射させられる。その結果の表面の電荷分布
が電気光学結晶板２８内に屈折率の空間的な変化
を生ぜしめる。左下方から投射された書込光は半
透明鏡３１により反射され電気光学結晶に達し、
誘電体鏡面２７で反射されて戻される。電気光学
結晶板２８の屈折率は、表面電荷像に依存するの
で、反射光ｄは位相または強度の変調を受けるこ
とになる。
成されると、その電子像はMCP２４により増幅
される。そして増幅された電子像は誘電体鏡面２
７に入射させられる。その結果の表面の電荷分布
が電気光学結晶板２８内に屈折率の空間的な変化
を生ぜしめる。左下方から投射された書込光は半
透明鏡３１により反射され電気光学結晶に達し、
誘電体鏡面２７で反射されて戻される。電気光学
結晶板２８の屈折率は、表面電荷像に依存するの
で、反射光ｄは位相または強度の変調を受けるこ
とになる。
前記構成に係るMSLMは、電荷像を長時間記
憶しておくのには適しているが、再利用のため
に、電荷像を消去するのには、若干の問題がある
ように思われる。
憶しておくのには適しているが、再利用のため
に、電荷像を消去するのには、若干の問題がある
ように思われる。
本発明の主目的は多くの使用モードを選択可能
であり、書込まれた電荷像を消去し、あるいは一
定な均一な電荷分布状態を形成して、再書込みを
可能にする空間変調装置を提供することにある。
であり、書込まれた電荷像を消去し、あるいは一
定な均一な電荷分布状態を形成して、再書込みを
可能にする空間変調装置を提供することにある。
前記主目的を達成するために本発明による空間
変調装置は、電子像発生手段と電気光学結晶板を
含み、前記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発
生源からの電子により電荷像を形成し、前記電荷
像と他面に設けられている透明電極間の電界によ
り結晶板内の屈折率の２次元分布を変化させる放
射線像変換管を用いた空間変調装置において、前
記結晶板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷
像形成を妨げないように配置され、前記鏡面で発
生した２次電子を捕集するための２次電子捕集電
極と、前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電
極電源と、前記透明電極に鏡面の２次電子放出比
を１よりも大きくするための第１の電圧、前記放
出比を実質的に１とするための第２の電圧を切換
接続可能な結晶板電極電源または前記第２の電圧
と前記放出比を１より小とするための第３の電圧
を切換接続可能な結晶板電極電源とを設けて構成
されている。
変調装置は、電子像発生手段と電気光学結晶板を
含み、前記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発
生源からの電子により電荷像を形成し、前記電荷
像と他面に設けられている透明電極間の電界によ
り結晶板内の屈折率の２次元分布を変化させる放
射線像変換管を用いた空間変調装置において、前
記結晶板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷
像形成を妨げないように配置され、前記鏡面で発
生した２次電子を捕集するための２次電子捕集電
極と、前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電
極電源と、前記透明電極に鏡面の２次電子放出比
を１よりも大きくするための第１の電圧、前記放
出比を実質的に１とするための第２の電圧を切換
接続可能な結晶板電極電源または前記第２の電圧
と前記放出比を１より小とするための第３の電圧
を切換接続可能な結晶板電極電源とを設けて構成
されている。
以下図面等を参照して、本発明による空間変調
装置をさらに詳しく説明する。
装置をさらに詳しく説明する。
第１図は本発明による空間変調装置の実施例を
示す図である。図において１は被写体、２は対物
レンズ、３は対物レンズ２により形成された被写
体の光学像である。４はガラス気密容器および容
器に内蔵される構成を含めて光像変換管全体を指
称する。前記容器内には光電面５、集束電極６、
マイクロチヤンネルプレート（以下MCPという）
７、２次電子捕集電極８、電気光学結晶板９がこ
の順に配されている。前記捕集電極８は銅メツシ
ユで、30本／mmの格子間隔をもち開口比は60％で
ある。
示す図である。図において１は被写体、２は対物
レンズ、３は対物レンズ２により形成された被写
体の光学像である。４はガラス気密容器および容
器に内蔵される構成を含めて光像変換管全体を指
称する。前記容器内には光電面５、集束電極６、
マイクロチヤンネルプレート（以下MCPという）
７、２次電子捕集電極８、電気光学結晶板９がこ
の順に配されている。前記捕集電極８は銅メツシ
ユで、30本／mmの格子間隔をもち開口比は60％で
ある。
そしてこの捕集電極８は電気光学結晶板９と平
行に間隔0.5mmを保たされている。
行に間隔0.5mmを保たされている。
容器の後端面は情報取出窓となつている。
MSC７の前面にはMCPの電子入射側の電極で
ある入力電極７１、後面には電子出射側の電極で
ある出力電極７２が設けられている。電気光学結
晶板９として例えばLiNbO3の結晶または
LiTaO3の結晶等を利用することができる。
ある入力電極７１、後面には電子出射側の電極で
ある出力電極７２が設けられている。電気光学結
晶板９として例えばLiNbO3の結晶または
LiTaO3の結晶等を利用することができる。
この結晶９の前面は鏡面に仕上げられ以下鏡面
９２ということになる。また結晶板９の後面に
は、透明な結晶板電極９１が設けられている。
９２ということになる。また結晶板９の後面に
は、透明な結晶板電極９１が設けられている。
なお、この実施例では光電面を用いるようにし
てあるが、Ｘ線のように直接MCP７を励起でき
るような像源の場合には、光電面は不可欠な構成
でなくなる。MCP以前の構成が電子像発生手段
の実施例であると理解されたい。
てあるが、Ｘ線のように直接MCP７を励起でき
るような像源の場合には、光電面は不可欠な構成
でなくなる。MCP以前の構成が電子像発生手段
の実施例であると理解されたい。
Ａ・Ｂ・Ｃ・Ｄ・Ｅ・Ｆ・Ｇはそれぞれ電源で
あつて、電源Ａは光電面５と集電極６間のバイヤ
ス電圧を提供し、電源Ｂは集束電極６とMCPの
入射側電極７１間に電圧を提供し、電源Ｃは
MCP７のバイヤス電圧を提供する。
あつて、電源Ａは光電面５と集電極６間のバイヤ
ス電圧を提供し、電源Ｂは集束電極６とMCPの
入射側電極７１間に電圧を提供し、電源Ｃは
MCP７のバイヤス電圧を提供する。
この実施例装置では、これ等の電源により、光
電面５は基準電位であるMCPの出射側の電極の
電位（０Ｖ）に対して−0.4KVに保たれている。
同様に集束電極は−3.7KVにMCPの入射側の電
極７１は−1.0KVに保たれている。電源Ｄは２次
電子捕集電極８の電源を構成し２次電子捕集電極
８は4.0KVに保たれている。電源Ｅ，Ｆ，Ｇはそ
れぞれ電気光学結晶板９の電極９１の電位を決定
するための電源で結晶板電極電源の要素である。
スイツチ１５の切換えにより、前記電極９１に接
続され、１５ａに接続されたときは0.1KV、１５
ｂに接続されたときは4KV、１５ｃに接続され
たときは8KVの電圧が電極９１に供給される。
電面５は基準電位であるMCPの出射側の電極の
電位（０Ｖ）に対して−0.4KVに保たれている。
同様に集束電極は−3.7KVにMCPの入射側の電
極７１は−1.0KVに保たれている。電源Ｄは２次
電子捕集電極８の電源を構成し２次電子捕集電極
８は4.0KVに保たれている。電源Ｅ，Ｆ，Ｇはそ
れぞれ電気光学結晶板９の電極９１の電位を決定
するための電源で結晶板電極電源の要素である。
スイツチ１５の切換えにより、前記電極９１に接
続され、１５ａに接続されたときは0.1KV、１５
ｂに接続されたときは4KV、１５ｃに接続され
たときは8KVの電圧が電極９１に供給される。
半透明鏡１０、単色フイルタ１１、コリメータ
レンズ１２、点光源１３、および写真フイルム１
４は読出しのための装置である。
レンズ１２、点光源１３、および写真フイルム１
４は読出しのための装置である。
光源１３としてレーザ光源を用いれば、可干渉
光による光学像が得られる。この光学像は画像演
算に用いることができる。
光による光学像が得られる。この光学像は画像演
算に用いることができる。
第３図は電気光学結晶板９の鏡面９２の２次電
子放出比δを入射電子の加速電圧を横軸にとつて
示したグラフである。
子放出比δを入射電子の加速電圧を横軸にとつて
示したグラフである。
ここで、結晶特有の入射電子の加速電圧E1以
下で放出比δが１より小さく、上記E1と結晶特
有の入射電子の加速電圧E2との間で放出比δが
１より大きく、上記E2より大きいと再び放出比
δが１より小さくなる特性を持つ。
下で放出比δが１より小さく、上記E1と結晶特
有の入射電子の加速電圧E2との間で放出比δが
１より大きく、上記E2より大きいと再び放出比
δが１より小さくなる特性を持つ。
加速電圧E1またはE2のとき、２次電子放出比
は実湿的に１となる。
は実湿的に１となる。
加速電圧はこの実施例ではMCP７の出力電極
と鏡面９２間の電位差によつて与えられ、鏡面９
２の電位は表面に電荷が存在しないときは、透明
電極９１の電位と略等しい。
と鏡面９２間の電位差によつて与えられ、鏡面９
２の電位は表面に電荷が存在しないときは、透明
電極９１の電位と略等しい。
本発明ではこのE2の前後でδの符号が変化す
ることを利用して、電荷像の形成および消去また
は均一な電荷分布状態を形成するようにしたもの
である。
ることを利用して、電荷像の形成および消去また
は均一な電荷分布状態を形成するようにしたもの
である。
そのため、２次電子捕集電極電圧をほぼE2に
設定して、MCP７の出力電極電圧と、電気光学
結晶板９の透明電極９１の電圧との差が第３図に
示すE2より大きくなるように透明電極９１に電
圧を与えた時は、電気光学結晶板９の鏡面９２に
２次電子捕集電極の電圧と等しい電圧となるよう
に電子が付着して（δ＜１）負電荷像が形成され
る。
設定して、MCP７の出力電極電圧と、電気光学
結晶板９の透明電極９１の電圧との差が第３図に
示すE2より大きくなるように透明電極９１に電
圧を与えた時は、電気光学結晶板９の鏡面９２に
２次電子捕集電極の電圧と等しい電圧となるよう
に電子が付着して（δ＜１）負電荷像が形成され
る。
負電荷による電位が前記２次電子捕集電極の電
位E2と等しくなつた時は、その後に電子が飛来
しても電荷は変化しない。
位E2と等しくなつた時は、その後に電子が飛来
しても電荷は変化しない。
またMCP７の出力電極電圧と電気光学結晶の
透明電極９１の電圧との差が第３図に示すE1と
E2との間になるように、上記透明電極９１に電
圧を与えた時は、電気光学結晶板９の鏡面９２に
到達した電子により発生させられる２次電子（δ
＞１）が前記２次電子捕集電極３２に捕捉される
ことにより、当該部分に結果的に正電荷像が形成
される。
透明電極９１の電圧との差が第３図に示すE1と
E2との間になるように、上記透明電極９１に電
圧を与えた時は、電気光学結晶板９の鏡面９２に
到達した電子により発生させられる２次電子（δ
＞１）が前記２次電子捕集電極３２に捕捉される
ことにより、当該部分に結果的に正電荷像が形成
される。
本発明による装置の動作モードは次の，，
，に大別できる。第４図に前記，の動作
モードを第３図に示した２次電子放出比と対比し
て示してある。第５図には同様な第、第の動
作モードを示してある。客図において、縦軸は鏡
面９２の電位を示し、ｅ（ｏ），ｅ（＋），ｅ（−）
はそれぞれ、電荷の存在しないこと、正の電荷が
存在していること、および負の電荷が存在してい
ることを示す。またWrは書込、Erは消去、Prは
準備を意味する。
，に大別できる。第４図に前記，の動作
モードを第３図に示した２次電子放出比と対比し
て示してある。第５図には同様な第、第の動
作モードを示してある。客図において、縦軸は鏡
面９２の電位を示し、ｅ（ｏ），ｅ（＋），ｅ（−）
はそれぞれ、電荷の存在しないこと、正の電荷が
存在していること、および負の電荷が存在してい
ることを示す。またWrは書込、Erは消去、Prは
準備を意味する。
また、各図において書込まれた像はそれぞれ特
殊な形状を想定し２次元像の１次元方向のみを横
軸により略図示したものである。
殊な形状を想定し２次元像の１次元方向のみを横
軸により略図示したものである。
（） まず第１の動作モードから説明する（第
４図参照）。
４図参照）。
このモードでは書込Wr時にスイツチ１５を
接点１５ａに接続し電気光学結晶板９の透明電
極９１の電圧を0.1KVとする。被写体１からの
書込み光により光電面５に被写体１の像が形成
される。光電変換された電子像はMCP７増倍
され、電気光学結晶板９に増倍電子が入射させ
られる。その結果電気光学結晶板９の鏡面９２
上に正電荷像ｅ（＋）が形成される。
接点１５ａに接続し電気光学結晶板９の透明電
極９１の電圧を0.1KVとする。被写体１からの
書込み光により光電面５に被写体１の像が形成
される。光電変換された電子像はMCP７増倍
され、電気光学結晶板９に増倍電子が入射させ
られる。その結果電気光学結晶板９の鏡面９２
上に正電荷像ｅ（＋）が形成される。
電気光学結晶板９の鏡面６２には当初電荷が
存在しないので、透明電荷像９１と略同電位で
0.1KVに保たれている。すなわち鏡面９２の電
位はMCP７の出力電極７２より0.1KV高いの
で、第４図左側に示すように２次電子放出比δ
はδ＞１である。したがつてこの面への１次電
子の入射量に応じて正に帯電される。放出され
た２次電子は鏡面９２より高い電位E2＝4KV
の２次電子捕集電極８に捕集される。読取時に
もスイツチ１５は接点１５ａに接続されてい
る。点光源１３からの光はコリメータレンズ１
２で平行光化される。
存在しないので、透明電荷像９１と略同電位で
0.1KVに保たれている。すなわち鏡面９２の電
位はMCP７の出力電極７２より0.1KV高いの
で、第４図左側に示すように２次電子放出比δ
はδ＞１である。したがつてこの面への１次電
子の入射量に応じて正に帯電される。放出され
た２次電子は鏡面９２より高い電位E2＝4KV
の２次電子捕集電極８に捕集される。読取時に
もスイツチ１５は接点１５ａに接続されてい
る。点光源１３からの光はコリメータレンズ１
２で平行光化される。
そしてフイルタ１１で単色化される。この単
色化平行光は電気光学結晶板９で変調される。
すなわち前記単色化平行光は、電気光学結晶板
９がその鏡面９２上の正電荷像により結晶中の
光路長が変化しているので干渉により強められ
る部分と、弱められる部分が生じ光学像に対応
する変調が行なわれる。
色化平行光は電気光学結晶板９で変調される。
すなわち前記単色化平行光は、電気光学結晶板
９がその鏡面９２上の正電荷像により結晶中の
光路長が変化しているので干渉により強められ
る部分と、弱められる部分が生じ光学像に対応
する変調が行なわれる。
変調された光は半透明鏡１０で反射され写真
フイルム１４上に記録媒体される。
フイルム１４上に記録媒体される。
消去Er時にはスイツチ１５を１５ｂに接続
し、電極９１を4KVにする。図示しない消去
用の光源を用いて、光電面５全面に一様な強さ
の光を照射する。光電変換により得られた均一
な分布の電子はMCP７で増倍され電気光学結
晶板９に入射し、鏡面９２上の電荷を０にして
消去を終了する。
し、電極９１を4KVにする。図示しない消去
用の光源を用いて、光電面５全面に一様な強さ
の光を照射する。光電変換により得られた均一
な分布の電子はMCP７で増倍され電気光学結
晶板９に入射し、鏡面９２上の電荷を０にして
消去を終了する。
前述したように電気光学結晶板９の鏡面は、
透明電極の電位は4KVに正の帯電による電位
上昇分が部分的に加わつた電位となつている。
そのため、鏡面９２の電位は第４図左側に示す
ようにE2（＝4KV）より高いので鏡面９２のδ
はδ＜１となる。したがつて、E2になるまで
は負電荷が加えられる傾向にあり、E2に達す
るとδ＝１となり帯電は０となり鏡面９２の電
位は4KVとなる。
透明電極の電位は4KVに正の帯電による電位
上昇分が部分的に加わつた電位となつている。
そのため、鏡面９２の電位は第４図左側に示す
ようにE2（＝4KV）より高いので鏡面９２のδ
はδ＜１となる。したがつて、E2になるまで
は負電荷が加えられる傾向にあり、E2に達す
るとδ＝１となり帯電は０となり鏡面９２の電
位は4KVとなる。
（） 次に第２の動作モードについて説明する
（第４図参照）。
（第４図参照）。
このモードは、準備、書込、消去の順に実行
され、準備の工程では、スイツチ１５は接点１
５ａに接続され電気光学結晶板の電極９１は
0.1KVに保たれる。書込工程ではスイツチ１５
は１５ｂに接続され、電気光学結晶板の電極９
１は4.0KVに保たれる。また消去の工程ではス
イツチ１５は接点１５ａに接続され、電極９１
は0.1KVに保たれる。
され、準備の工程では、スイツチ１５は接点１
５ａに接続され電気光学結晶板の電極９１は
0.1KVに保たれる。書込工程ではスイツチ１５
は１５ｂに接続され、電気光学結晶板の電極９
１は4.0KVに保たれる。また消去の工程ではス
イツチ１５は接点１５ａに接続され、電極９１
は0.1KVに保たれる。
準備Prの際に、光電面５の全面に一様な強
さの光を照射する。光電変換により得られた電
子像はMCP７により増倍され、増倍された電
子像は電気光学結晶板９に入射させられる。鏡
面９２の電荷を正（ｅ（＋））にする。
さの光を照射する。光電変換により得られた電
子像はMCP７により増倍され、増倍された電
子像は電気光学結晶板９に入射させられる。鏡
面９２の電荷を正（ｅ（＋））にする。
前述したように電気光学結晶板９の鏡面９２
の電位は当初0.1KVにある。
の電位は当初0.1KVにある。
このとき、鏡面９２の２次電子放出比δはδ
＞１であるから、結晶板の鏡面９２は一様に正
に帯電される。その結果鏡面９２の電位はE2
（＝4KV）に近づいて均一な正電位分布とな
る。
＞１であるから、結晶板の鏡面９２は一様に正
に帯電される。その結果鏡面９２の電位はE2
（＝4KV）に近づいて均一な正電位分布とな
る。
書込Wr時には、光電面５に被写体１の像３
を投影する。光電変換により得られた電子像
は、MCP７で増倍され電気光学結晶板に投射
される。
を投影する。光電変換により得られた電子像
は、MCP７で増倍され電気光学結晶板に投射
される。
そして鏡面９２上に正電荷中に反転像を形成
する。すなわち、書込は前述した準備の工程で
電気光学結晶板９の鏡面９２はあらかじめ一様
に正に帯電されているところから開始する。電
気光学結晶板９の鏡面９２は書込当初電極９１
によつて与えられた電位（＝4KV）に上記正
電荷ｅ（＋）による電位上昇（E2＝4KVに近
い）を加えてほぼ4KV＋E2＝8KVである。こ
こでは第４図左側に示すようにδはδ＜１であ
るから、光学像に対応する鏡面９２への１次電
子の入射量に応じて負の電荷がたまる傾向にあ
る。すなわち、一様な正の電荷ｅ（＋）に像に
対応する分布の負の電荷が重なるので正電荷中
に反転像が形成されるのである。
する。すなわち、書込は前述した準備の工程で
電気光学結晶板９の鏡面９２はあらかじめ一様
に正に帯電されているところから開始する。電
気光学結晶板９の鏡面９２は書込当初電極９１
によつて与えられた電位（＝4KV）に上記正
電荷ｅ（＋）による電位上昇（E2＝4KVに近
い）を加えてほぼ4KV＋E2＝8KVである。こ
こでは第４図左側に示すようにδはδ＜１であ
るから、光学像に対応する鏡面９２への１次電
子の入射量に応じて負の電荷がたまる傾向にあ
る。すなわち、一様な正の電荷ｅ（＋）に像に
対応する分布の負の電荷が重なるので正電荷中
に反転像が形成されるのである。
読取は前述した第１の動作モードと変らな
い。
い。
消去Erはこのモードの準備Prと同じである。
電気光学結晶板９の鏡面９２は、0.1KV〜E2
（＝4KV）の間にある（像の形成されていない
部分はE2）。
電気光学結晶板９の鏡面９２は、0.1KV〜E2
（＝4KV）の間にある（像の形成されていない
部分はE2）。
電気光学結晶板９の鏡面９２のδはδ＞１で
あるから結晶板の鏡面９２は正に帯電される傾
向にある。その結果、鏡面９２の電位がE2に
なるまでは正電荷が増加してE2に達するとδ
＝１となり、一様に帯電させられて反転像が消
去されたことになる。
あるから結晶板の鏡面９２は正に帯電される傾
向にある。その結果、鏡面９２の電位がE2に
なるまでは正電荷が増加してE2に達するとδ
＝１となり、一様に帯電させられて反転像が消
去されたことになる。
消去終了により、次の書込が可能となる。
（） 次に第３の動作モードについて説明する
（第５図参照）。
（第５図参照）。
この動作モードでは、書込時、スイツチ１５
は接点１５ｃに接続され電気光学結晶板９の透
明電極９１は8.0KVに保たれる。消去のさいは
スイツチ１５は接点１５ｂに接続され透明電極
９１は4.0KVに保たれる。
は接点１５ｃに接続され電気光学結晶板９の透
明電極９１は8.0KVに保たれる。消去のさいは
スイツチ１５は接点１５ｂに接続され透明電極
９１は4.0KVに保たれる。
書込Wr時に光電面５に被写体１の像を投影
すると、光電変換により像に対応する電子像が
形成される。この像はMCP７で増倍される。
増培された電子像は電気光学結晶板９に入射さ
せられる。その結果、電気光学結晶板９の鏡面
９２上に負電荷像ｅ（−）が形成される。
すると、光電変換により像に対応する電子像が
形成される。この像はMCP７で増倍される。
増培された電子像は電気光学結晶板９に入射さ
せられる。その結果、電気光学結晶板９の鏡面
９２上に負電荷像ｅ（−）が形成される。
この負電荷像形成の原理は次のとおりであ
る。電気光学結晶の鏡面９２は当初前述したよ
うに8.0KVである。ここでは第５図左側に示す
ように２次電子放出比δはδ＜１である。その
ため鏡面９２への１次電子の入射量に応じて鏡
面は負に帯電される。
る。電気光学結晶の鏡面９２は当初前述したよ
うに8.0KVである。ここでは第５図左側に示す
ように２次電子放出比δはδ＜１である。その
ため鏡面９２への１次電子の入射量に応じて鏡
面は負に帯電される。
読取は先に第１のモードで説明したところと
変らない。
変らない。
消去Erは光電面全体に一様な強さの光を照
射することにより行なわれる。
射することにより行なわれる。
光電変換により得られた一様な電子流は
MCP７で増倍される。
MCP７で増倍される。
増倍された電子は、電気光学結晶板９の鏡面
９２に入射させられe0となる。その結果、鏡面
９２の電荷は消去される。消去前に電気光学結
晶板９の鏡面９２は、4KVに負の帯電ｅ（−）
による電位下降分が重畳された状態にある。負
電荷ｅ（−）の存在する部分の表面電位はE2よ
りも低いので、鏡面９２の２次電子放出比δは
δ＞１である。このためE2になるまでは正電
荷が加わる。E2に達すると、δ＝１となり帯
電は均一に消去されe0となる。
９２に入射させられe0となる。その結果、鏡面
９２の電荷は消去される。消去前に電気光学結
晶板９の鏡面９２は、4KVに負の帯電ｅ（−）
による電位下降分が重畳された状態にある。負
電荷ｅ（−）の存在する部分の表面電位はE2よ
りも低いので、鏡面９２の２次電子放出比δは
δ＞１である。このためE2になるまでは正電
荷が加わる。E2に達すると、δ＝１となり帯
電は均一に消去されe0となる。
（） 次に第４の動作モードについて説明する
（第５図参照）。
（第５図参照）。
このモードにおいて、スイツチ１５は準備の
さい１５ｃに接続され結晶板の電極９１は
8KVに保たれている。書込のさいはスイツチ
１５は１５ｂに接続され結晶の電極９１は
4KVに保たれる。消去のさいはスイツチ１５
は１５ｃに接続され結晶板の電極９１は8KV
に保たれている。
さい１５ｃに接続され結晶板の電極９１は
8KVに保たれている。書込のさいはスイツチ
１５は１５ｂに接続され結晶の電極９１は
4KVに保たれる。消去のさいはスイツチ１５
は１５ｃに接続され結晶板の電極９１は8KV
に保たれている。
準備prは光電面５全面に一様な強さの光を照
射することにより開始される。
射することにより開始される。
光電変換により得られた一様な電子はNCP
７により増倍され、結晶板９に入射させられ
る。電気光学結晶板９の鏡面９２は当初8.0KV
であるから、２次電子放出比δはδ＜１したが
つて鏡面には負電荷ｅ（−）が一様に付着する。
７により増倍され、結晶板９に入射させられ
る。電気光学結晶板９の鏡面９２は当初8.0KV
であるから、２次電子放出比δはδ＜１したが
つて鏡面には負電荷ｅ（−）が一様に付着する。
書込Wrは結晶板の電極９１の電圧を4.0KV
にしてから行なわれ、鏡面９２の２次電子放出
比δはδ＞１であるから負電荷ｅ（−）の中に
反転像が形成される。
にしてから行なわれ、鏡面９２の２次電子放出
比δはδ＞１であるから負電荷ｅ（−）の中に
反転像が形成される。
読取は第１のモードで説明したところと変ら
ない。
ない。
消去Erは電極９１の電圧を8.0KVにして鏡
面９２をδ＜１の領域にもたらして前面に一様
に負電荷ｅ（−）を付着させる。
面９２をδ＜１の領域にもたらして前面に一様
に負電荷ｅ（−）を付着させる。
以上詳しく説明したように、本発明による装
置では２次電子捕集電極を設け、かつ電気光学
結晶板の電極電源を多様に切換可能にしたの
で、消去または準備が容易となつた。
置では２次電子捕集電極を設け、かつ電気光学
結晶板の電極電源を多様に切換可能にしたの
で、消去または準備が容易となつた。
第１図は従来のMSLMの構成を示す略図、第
２図は本発明によるMSLMの実施例を示す図、
第３図は電気光学結晶の２次電子放出特性を示す
グラフ、第４図は前記実施例装置の第１および第
２の動作モードを説明するためのグラフ、第５図
は前記実施例装置の第３および第４の動作モード
を説明するためのグラフである。 １……被写体、２……対物レンズ、３……光学
像、４……光学像変換管、５……光電面、６……
集束電極、７……マイクロチヤンネルプレート
（＝MCP）、７１……MCPの電子入射側の電極、
７２……MCPの電子出射側の電極、８……２次
電子捕集電極、９……電気光学結晶板、９１……
電気光学結晶板の電極、９２……電気光学結晶板
の鏡面、１０……半透明鏡、１１……単色フイル
タ、１２……コリメータレンズ、１３……点光
源、１４……写真フイルム、１５……切換スイツ
チ、２１……入射窓、２２……光電面、２３……
MCP入力電極、２４……MCP、２５……MCP
出力電極、２６……ギヤツプ、２７……誘電体鏡
面、２８……電気光学結晶板、２９……透明電
極、３０……出射窓、３１……半透明鏡、Ａ〜Ｇ
……電源。
２図は本発明によるMSLMの実施例を示す図、
第３図は電気光学結晶の２次電子放出特性を示す
グラフ、第４図は前記実施例装置の第１および第
２の動作モードを説明するためのグラフ、第５図
は前記実施例装置の第３および第４の動作モード
を説明するためのグラフである。 １……被写体、２……対物レンズ、３……光学
像、４……光学像変換管、５……光電面、６……
集束電極、７……マイクロチヤンネルプレート
（＝MCP）、７１……MCPの電子入射側の電極、
７２……MCPの電子出射側の電極、８……２次
電子捕集電極、９……電気光学結晶板、９１……
電気光学結晶板の電極、９２……電気光学結晶板
の鏡面、１０……半透明鏡、１１……単色フイル
タ、１２……コリメータレンズ、１３……点光
源、１４……写真フイルム、１５……切換スイツ
チ、２１……入射窓、２２……光電面、２３……
MCP入力電極、２４……MCP、２５……MCP
出力電極、２６……ギヤツプ、２７……誘電体鏡
面、２８……電気光学結晶板、２９……透明電
極、３０……出射窓、３１……半透明鏡、Ａ〜Ｇ
……電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子像発生手段と電気光学結晶板を含み、前
記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発生源から
の電子により、電荷像を形成し、前記電荷像と他
面に設けられている透明電極間の電界により結晶
板内の屈折率の２次元分布を変化させる放射線像
変換管を用いた空間変調装置において、前記結晶
板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷像形成
を妨げないように配置され、前記鏡面で発生した
２次元電子を捕集するための２次電子捕集電極
と、前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電極
電源と、前記透明電極に鏡面の２次電子放出比を
１よりも大きくするための第１の電圧、前記放出
比を実質的に１とするための第２の電圧を切換接
続可能な結晶板電極電源とを設けたことを特徴と
する空間変調装置。 ２ 前記結晶板電極電源により、第１の電圧を接
続して正電荷像を形成して書込を行ない、第２の
電圧を接続して一様な電子流で結晶板鏡面を照射
して消去を行なうように構成した特許請求の範囲
第１項記載の空間変調装置。 ３ 前記結晶板電極電源により、第１の電圧を接
続して一様な電子流で結晶板鏡面を照射すること
により正電荷を一様に形成して準備を行ない、第
２の電圧を接続して正電荷中に反転像を形成する
書込みを行ない、第１の電圧を接続して前記準備
に相当する消去を行なうように構成した特許請求
の範囲第１項記載の空間変調装置。 ４ 電子像発生手段と電気光学結晶板を含み、前
記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発生源から
の電子により、電荷像を形成し、前記電荷像と他
面に設けられている透明電極間の電界により結晶
板内の屈折率の２次元分布を変化させる放射線像
変換管を用いた空間変調装置において、前記結晶
板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷像形成
を妨げないように配置され、前記鏡面で発生した
２次電子を捕集するための２次電子捕集電極と、
前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電極電源
と、前記透明電極に鏡面の２次電子放出比を実質
的に１とするための第２の電圧、前記放出比を１
よりも小とするための第３の電圧を切換接続可能
な結晶板電極電源とを設けたことを特徴とする空
間変調装置。 ５ 前記結晶板電極電源により、第３の電圧を接
続して負電荷像を形成して書込みを行ない、第２
の電圧を接続して前記負電荷像を消去するように
構成した特許請求の範囲第４項記載の空間変調装
置。 ６ 前記結晶板電極電源により第３の電圧を接続
して一様な電子流で結晶板上に一様な負電荷を形
成して準備を行ない、第２の電圧を接続して前記
一様な負電荷中に反転像を形成し、第３の電圧を
接続して消去を行なうように構成した特許請求の
範囲第４項記載の空間変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16183181A JPH0234366B2 (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | Kukanhenchosochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16183181A JPH0234366B2 (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | Kukanhenchosochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864742A JPS5864742A (ja) | 1983-04-18 |
| JPH0234366B2 true JPH0234366B2 (ja) | 1990-08-02 |
Family
ID=15742742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16183181A Expired - Lifetime JPH0234366B2 (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | Kukanhenchosochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0234366B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608823A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
| JPS608822A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調管 |
| JPS6091328A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
| JPS60117223A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像の否定論理を求める否定論理演算装置 |
| JPS60117221A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像間の論理和を求める論理和演算装置 |
| JPS60117222A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像間の否定論理和を求める否定論理和演算装置 |
| JPS60184226A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置における書込み方法 |
| JPS60207114A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像の論理積を求める論理積演算装置 |
| JPS60212728A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像間の差を求める論理演算装置 |
| JPS6170525A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調管 |
| JPS61156222A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子像投影装置 |
| JPH024235A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
| JP2592962B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1997-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調器の駆動方法 |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16183181A patent/JPH0234366B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5864742A (ja) | 1983-04-18 |
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