JPH02305012A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH02305012A JPH02305012A JP12562489A JP12562489A JPH02305012A JP H02305012 A JPH02305012 A JP H02305012A JP 12562489 A JP12562489 A JP 12562489A JP 12562489 A JP12562489 A JP 12562489A JP H02305012 A JPH02305012 A JP H02305012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ion beam
- thin film
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性表面波装置に関し、特に弾性表面波デバイ
スに使用する金属薄膜の膜形成法に特徴を有する弾性表
面波装置に関する。
スに使用する金属薄膜の膜形成法に特徴を有する弾性表
面波装置に関する。
従来、この種の弾性表面波装置の膜形成は、真空蒸着あ
るいはりアクティブスパッタによって行なわれていた。
るいはりアクティブスパッタによって行なわれていた。
第３図に従来の真空蒸着法で蒸着された金属薄膜でパタ
ーンニングされた弾性表面波素子用交叉指状電極の電極
指３１を示すが、薄膜の粒３２の径がパターン幅とほぼ
同一のため抵抗損失が大きく、性能を劣化されていた。
ーンニングされた弾性表面波素子用交叉指状電極の電極
指３１を示すが、薄膜の粒３２の径がパターン幅とほぼ
同一のため抵抗損失が大きく、性能を劣化されていた。
上述した従来の弾性表面波装置の膜形成において、真空
蒸着法で形成される薄膜の粒径は０．３μｍ程度と大き
く、弾性表面波装置の超高遅波に必要であるサブミクロ
ンパターンにおいて、その線幅と薄膜の粒径が同程度の
大きさになるため、サブミクロンパターンが大きな抵抗
を持ったり、電気的に断線に至ることがあり、実用上重
大な欠点があった。また、リアクティブスパッタは元々
、半導体製造用に開発されたもので高速に形成できるが
、２０００Å以下の超薄膜形成においては膜厚のコント
ロールが難しく、製造に適用が困難という欠点があった
。
蒸着法で形成される薄膜の粒径は０．３μｍ程度と大き
く、弾性表面波装置の超高遅波に必要であるサブミクロ
ンパターンにおいて、その線幅と薄膜の粒径が同程度の
大きさになるため、サブミクロンパターンが大きな抵抗
を持ったり、電気的に断線に至ることがあり、実用上重
大な欠点があった。また、リアクティブスパッタは元々
、半導体製造用に開発されたもので高速に形成できるが
、２０００Å以下の超薄膜形成においては膜厚のコント
ロールが難しく、製造に適用が困難という欠点があった
。
本発明は圧電基板上に少なくとも交叉指状電極で構成さ
れた弾性表面波装置において、該交叉指電極を形成する
金属薄膜がイオンビームスパッタ装置で成膜され且つ該
金属薄膜の膜厚が３０００Å以下であることを特徴とす
る。
れた弾性表面波装置において、該交叉指電極を形成する
金属薄膜がイオンビームスパッタ装置で成膜され且つ該
金属薄膜の膜厚が３０００Å以下であることを特徴とす
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に用いるイオンビームスパッ
タ装置の基本構成図、第２図は本実施例により形成した
交叉指状電極の平面図である。
タ装置の基本構成図、第２図は本実施例により形成した
交叉指状電極の平面図である。
本実施例に用いるイオンビームスパッタ装置は、イオン
ビームソース１１．ターゲット１２及び成膜するための
基板１３から構成され、形成される金属膜の単位時間あ
たりの形成速度が遅く、膜厚による交叉指状電極の電極
指２１を示すが、従来のような大きな粒径はなく、電極
がサブミクロンに及んでも性能は良好に特性を示してい
る。また他のスバツタエ法に比べ、形成速度が遅いため
、金属薄膜の膜厚が３０００Å以下と薄くでき、かつ精
度よく形成できるため歩留りの良い弾性表面波素子の製
造が可能である。
ビームソース１１．ターゲット１２及び成膜するための
基板１３から構成され、形成される金属膜の単位時間あ
たりの形成速度が遅く、膜厚による交叉指状電極の電極
指２１を示すが、従来のような大きな粒径はなく、電極
がサブミクロンに及んでも性能は良好に特性を示してい
る。また他のスバツタエ法に比べ、形成速度が遅いため
、金属薄膜の膜厚が３０００Å以下と薄くでき、かつ精
度よく形成できるため歩留りの良い弾性表面波素子の製
造が可能である。
以上説明したように米発明は、交叉指状電極の金Ｒ薄膜
をイオンビームスパッタ装置によって成膜することによ
り、粒径が小さくて良好な特性を示し、且つ超薄膜形成
を精度良くまた歩留り良〈実施できる効果がある。
をイオンビームスパッタ装置によって成膜することによ
り、粒径が小さくて良好な特性を示し、且つ超薄膜形成
を精度良くまた歩留り良〈実施できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例に用いるイオンビームスパッ
タ装置の基本構成図、第２図は本実施例により形成した
交叉指状電極の平面図、第３図は従来の真空蒸着法によ
り形成した交叉指状電極の平面図である。 １１・・・・・・イオンビームソース、１２・・・・・
・ターゲット、１３・・・・・・基板、２１・・・・・
・電極指、３１・・川・電極指、３２・・・・・・粒。
タ装置の基本構成図、第２図は本実施例により形成した
交叉指状電極の平面図、第３図は従来の真空蒸着法によ
り形成した交叉指状電極の平面図である。 １１・・・・・・イオンビームソース、１２・・・・・
・ターゲット、１３・・・・・・基板、２１・・・・・
・電極指、３１・・川・電極指、３２・・・・・・粒。
Claims (1)
- 圧電基板上に少なくとも交叉指状電極で構成された弾性
表面波装置において、該交叉指状電極を形成する金属薄
膜がイオンビームスパッタ装置で成膜され且つ該金属薄
膜の膜厚が３０００Å以下であることを特徴とする弾性
表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12562489A JPH02305012A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12562489A JPH02305012A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305012A true JPH02305012A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14914669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12562489A Pending JPH02305012A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02305012A (ja) |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12562489A patent/JPH02305012A/ja active Pending
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