JPH0230620A - 高温超伝導体 - Google Patents
高温超伝導体Info
- Publication number
- JPH0230620A JPH0230620A JP63180854A JP18085488A JPH0230620A JP H0230620 A JPH0230620 A JP H0230620A JP 63180854 A JP63180854 A JP 63180854A JP 18085488 A JP18085488 A JP 18085488A JP H0230620 A JPH0230620 A JP H0230620A
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- Japan
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- superconductor
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- equal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高温超伝導体に関し、より詳しくは、４元ある
いは５元系の酸化物超伝導体に関する。
いは５元系の酸化物超伝導体に関する。
［従来の技術］
酸化物超伝導体において、これまで見つけられた物質の
内で最も高い臨界温度１００〜１１０ Ｋを示すＢ ｉ
−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系［Ｈ，）ｆａｅｄａ、 Ｙ
。
内で最も高い臨界温度１００〜１１０ Ｋを示すＢ ｉ
−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系［Ｈ，）ｆａｅｄａ、 Ｙ
。
Ｔａｎａｋａ ｅｔ ａｌ：ＪＤｎ、Ｊ、ＡＤｌ）１．
ＰｈＶｓ、 （１９８８）、 ｔｏ ｂｅｏｕｂｌ １
ｓｈｅｄｌを初め、９０にクラスのＹ−Ｂａ−Ｃｕ−〇
系［Ｈ，に、Ｗｕ、Ｊ、Ｒ，＾５ｈｂｕｒｎ ｅｔ ａ
ｔ ： Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ。
ＰｈＶｓ、 （１９８８）、 ｔｏ ｂｅｏｕｂｌ １
ｓｈｅｄｌを初め、９０にクラスのＹ−Ｂａ−Ｃｕ−〇
系［Ｈ，に、Ｗｕ、Ｊ、Ｒ，＾５ｈｂｕｒｎ ｅｔ ａ
ｔ ： Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ。
しｅｔｔ、５８ （１９８７）９０８ ］ 、４０にク
ラスの１ａ−Ｂａ−Ｃｕ−０，Ｌａ−８ｒ−Ｃｕ−０系
［Ｊ、 Ｇ。
ラスの１ａ−Ｂａ−Ｃｕ−０，Ｌａ−８ｒ−Ｃｕ−０系
［Ｊ、 Ｇ。
Ｂｅｄｎｏｒｚ、に、Ａ、Ｍｉｌｌｅｒ：Ｚ、ＰｈＶｓ
、Ｂ６４（１９８６）１８９］の４元あるいは５元系の
物質については、すでに数多くの研究者たちによって、
結晶構造およびその他物性について調べられて来たが、
瑛在Ｙ−Ｂａ−ＣＵ−Ｏ系が中心となっている。しかし
、この物質は、確かに９０にで電気抵抗がゼロになるが
、安定性に問題がある。例えば、酸素が抜けやすい（真
空中）ことや水に対する影響で超伝導性が悪くなること
である。一方、Ｂ；−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系は、臨界
温度が最も高く水に対する影響がほとんどないが、結晶
構造等の基本的データが完全でなく、高い臨界温度を示
す相（１００〜１１０Ｋ＞と低い臨界温度を示す相（８
０〜８５Ｋ）が共存していて、単相で１００ Ｋクラス
の物質作製が困難である。
、Ｂ６４（１９８６）１８９］の４元あるいは５元系の
物質については、すでに数多くの研究者たちによって、
結晶構造およびその他物性について調べられて来たが、
瑛在Ｙ−Ｂａ−ＣＵ−Ｏ系が中心となっている。しかし
、この物質は、確かに９０にで電気抵抗がゼロになるが
、安定性に問題がある。例えば、酸素が抜けやすい（真
空中）ことや水に対する影響で超伝導性が悪くなること
である。一方、Ｂ；−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系は、臨界
温度が最も高く水に対する影響がほとんどないが、結晶
構造等の基本的データが完全でなく、高い臨界温度を示
す相（１００〜１１０Ｋ＞と低い臨界温度を示す相（８
０〜８５Ｋ）が共存していて、単相で１００ Ｋクラス
の物質作製が困難である。
［発明が解決すべき課題］
本発明は、安定で、臨界温度（Ｔｃ＞が液体窒素の沸点
（７７Ｋ）以上でおり、１００ Ｋ付近で超伝導性を示
す４元から５元系の超伝導体を提供することを解決すべ
き課題とするものである。
（７７Ｋ）以上でおり、１００ Ｋ付近で超伝導性を示
す４元から５元系の超伝導体を提供することを解決すべ
き課題とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、下記一般式：
％式％
（ただし、
Ａは元素周規律表ｍｂ族ＴＩ、ＩＶｂ族Ｐｂ。
ｖｂ族３ｉから選ばれる一元素
Ｂは元素周規律表１ａ族（Ｂｅ、Ｒａを除く）から選ば
れる一元素または二元素 Ｃｕは元素周規律表Ｉｂ族ＣＩＪ Ｏは元素周規律表Ｖｌｂ族Ｏ ｘ、ｙはＯより大きく５以下の実数 ２は２以上４以下の実数 δは１以上１０以下の実数 でおる。） で表わされる高温超伝導体が提供されるものである。
れる一元素または二元素 Ｃｕは元素周規律表Ｉｂ族ＣＩＪ Ｏは元素周規律表Ｖｌｂ族Ｏ ｘ、ｙはＯより大きく５以下の実数 ２は２以上４以下の実数 δは１以上１０以下の実数 でおる。） で表わされる高温超伝導体が提供されるものである。
上記一般式で示される高温超伝導体の具体例としては、
Ｂ １３（Ｃａ、 Ｓ ｒ ）２ ＣＣｌ２０４．２
Ｐｂ２（Ｂａ、Ｃａ）＋ ＣＣｌ２０ｓ、ｓ、Ｔ Ｉ
３８ａｚ Ｃｕｚ ０４ 等があり、いずれも液体窒素の沸点（７７Ｋ＞以上、あ
るいは１００に付近（１００〜１２０Ｋ＞で電気抵抗ゼ
ロ、完全反磁性（マイスナー効果）を示し、安定な物質
であるという特徴を有する。
Ｂ １３（Ｃａ、 Ｓ ｒ ）２ ＣＣｌ２０４．２
Ｐｂ２（Ｂａ、Ｃａ）＋ ＣＣｌ２０ｓ、ｓ、Ｔ Ｉ
３８ａｚ Ｃｕｚ ０４ 等があり、いずれも液体窒素の沸点（７７Ｋ＞以上、あ
るいは１００に付近（１００〜１２０Ｋ＞で電気抵抗ゼ
ロ、完全反磁性（マイスナー効果）を示し、安定な物質
であるという特徴を有する。
本発明の高温超伝導体は、種々の方法で作製することが
可能である。例えば、上述の各元素の酸化物、炭酸化物
などから、乾式法・湿式法により混合微粉末とする。次
に通常の大気雰囲気または酸素分圧を調節した雰囲気を
有する炉により、任意の温度で任意の時間にわたり仮焼
する。室温まで冷却した後、粉砕・混合を入念に行なっ
た後、約３０ｋｇ／ＣＩｉ相当の圧力で加圧成形し、所
定の温度・時間でもって焼成する。
可能である。例えば、上述の各元素の酸化物、炭酸化物
などから、乾式法・湿式法により混合微粉末とする。次
に通常の大気雰囲気または酸素分圧を調節した雰囲気を
有する炉により、任意の温度で任意の時間にわたり仮焼
する。室温まで冷却した後、粉砕・混合を入念に行なっ
た後、約３０ｋｇ／ＣＩｉ相当の圧力で加圧成形し、所
定の温度・時間でもって焼成する。
また、薄膜作製法としてはスクリーン印刷法などの湿式
法、スパッタリング法、分子線エピタキシャル法、プラ
ズマ溶射法などによることもできる。 また、これらの
製法のうちには、製造条件を最適化することにより６５
０℃程度あるいはそれ以下の比較的低い温度で初期の特
性を得ることができるものもある。
法、スパッタリング法、分子線エピタキシャル法、プラ
ズマ溶射法などによることもできる。 また、これらの
製法のうちには、製造条件を最適化することにより６５
０℃程度あるいはそれ以下の比較的低い温度で初期の特
性を得ることができるものもある。
これらの方法においては基板の種類・性状を選択するこ
とによってエピタキシーの効果により生成物の性能を高
めることも可能になる。また生成物は上述の焼成条件の
もと、ざらに熱処理を行なうことによって特性を改善で
きる。
とによってエピタキシーの効果により生成物の性能を高
めることも可能になる。また生成物は上述の焼成条件の
もと、ざらに熱処理を行なうことによって特性を改善で
きる。
このようにして得られる超伝導体は、良好な導電性を有
するとともに、臨界温度以下に冷却する時、超電導性を
呈する。すなわち、この時、完全導電性・完全反磁性・
ジョセフソン効果を示すことになる。
するとともに、臨界温度以下に冷却する時、超電導性を
呈する。すなわち、この時、完全導電性・完全反磁性・
ジョセフソン効果を示すことになる。
［実施例］
次に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例１
ＰｂＯ，ＢａＣＯ３，ＣａＣＯ３，ｃｕｏの各粉末を、
Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝２ ：１ ：１ ：２の比に
なるように混合し、８３０〜８５０℃で１２時間仮焼を
行なった。これを粉砕・混合した後、油圧成形機で約４
０ｋＬ／７の圧力を加えて、直径２０ｍｍ。
Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝２ ：１ ：１ ：２の比に
なるように混合し、８３０〜８５０℃で１２時間仮焼を
行なった。これを粉砕・混合した後、油圧成形機で約４
０ｋＬ／７の圧力を加えて、直径２０ｍｍ。
厚さ３ｍｍに成形した後、今度は、８５０℃で１０時間
焼鈍し、その後室温まで徐冷した。
焼鈍し、その後室温まで徐冷した。
４端子法により電気抵抗を測定したところ、約１０２
Ｋで電気抵抗がＯになり、交流帯磁率を調べたところ、
マイスナー効果が同温度で観察された。
Ｋで電気抵抗がＯになり、交流帯磁率を調べたところ、
マイスナー効果が同温度で観察された。
実施例２
ＴＩ２０３ 、ＢａＣＯ３，ＣｕＯの粉末をＴ１：Ｂａ
：ＣＬＪ＝２：２：３の比になるように秤量し、混合さ
せた。電気炉で８８０℃１０時間仮焼後、よく粉砕し、
混合した。そして、実施例１と同様に成形した。これを
８８０℃で１２時間焼成した後、４＠子法で電気抵抗を
測定したところ、約８５にで電気抵抗Ｏとマイスナー効
果を確認した。
：ＣＬＪ＝２：２：３の比になるように秤量し、混合さ
せた。電気炉で８８０℃１０時間仮焼後、よく粉砕し、
混合した。そして、実施例１と同様に成形した。これを
８８０℃で１２時間焼成した後、４＠子法で電気抵抗を
測定したところ、約８５にで電気抵抗Ｏとマイスナー効
果を確認した。
［発明の効果］
以上の説明で明らかなように本発明によれば、臨界温度
が液体窒素の沸点以上で、電気抵抗Ｏ１完全反磁性（マ
イスナー効果）を示し、安定な高温超伝導体が得られる
。
が液体窒素の沸点以上で、電気抵抗Ｏ１完全反磁性（マ
イスナー効果）を示し、安定な高温超伝導体が得られる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式： Ａ＿ｘＢ＿ｙＣｕ＿ｚＯ＿δ （ただし、 Ａは元素周規律表IIIｂ族Ｔｌ，IVｂ族Ｐｂ，Ｖｂ族Ｂ
ｉから選ばれる一元素 Ｂは元素周規律表IIａ族（Ｂｅ，Ｒａを除く）から選ば
れる一元素または二元素 Ｃｕは元素周規律表 I ｂ族Ｃｕ Ｏは元素周規律表VIｂ族Ｏ ｘ，ｙは０より大きく５以下の実数 ｚは２以上４以下の実数 δは１以上１０以下の実数 である。） で表わされる高温超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180854A JPH0230620A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 高温超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180854A JPH0230620A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 高温超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230620A true JPH0230620A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16090522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63180854A Pending JPH0230620A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 高温超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230620A (ja) |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63180854A patent/JPH0230620A/ja active Pending
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