JPH0230629B2 - - Google Patents
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- JPH0230629B2 JPH0230629B2 JP57042026A JP4202682A JPH0230629B2 JP H0230629 B2 JPH0230629 B2 JP H0230629B2 JP 57042026 A JP57042026 A JP 57042026A JP 4202682 A JP4202682 A JP 4202682A JP H0230629 B2 JPH0230629 B2 JP H0230629B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- clamp circuit
- contact
- diode
- resistor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
- H04N5/16—Circuitry for reinsertion of DC and slowly varying components of signal; Circuitry for preservation of black or white level
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、映像信号等のクランプ回路に関する
ものであり、デイスパーサル変調をかけた映像信
号においても波形の歪がなくクランプできる等、
高性能なクランプ回路を簡単な回路で実現するこ
とを目的とするものである。
ものであり、デイスパーサル変調をかけた映像信
号においても波形の歪がなくクランプできる等、
高性能なクランプ回路を簡単な回路で実現するこ
とを目的とするものである。
以下、従来例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は従来のダイオードを利用したクランプ
回路の回路図である。なお第１図のクランプ回路
はピーク値でクランプするクランプ回路である。
ピーク値でクランプする回路は、クランプするた
めのスイツチングパルスを必要としないので、回
路構成が簡単になる特徴があり、映像信号のクラ
ンプにもよく用いられている。
回路の回路図である。なお第１図のクランプ回路
はピーク値でクランプするクランプ回路である。
ピーク値でクランプする回路は、クランプするた
めのスイツチングパルスを必要としないので、回
路構成が簡単になる特徴があり、映像信号のクラ
ンプにもよく用いられている。
第１図に示すように、ダイオード１のカソード
は接点２に接続し、アノードは接点３に接続して
ある。接点２は抵抗４を介して定電圧電源端子５
に接続し、かつ並列接続した抵抗６及び電解コン
デンサ７を介して接地してある。入力端子８は、
被クランプ信号を入力する端子でありコンデンサ
９を介して接点３に接続してある。また接点３は
クランプされた信号を出力する出力端子１０に接
続してあり、かつ抵抗１１を介して接地してあ
る。
は接点２に接続し、アノードは接点３に接続して
ある。接点２は抵抗４を介して定電圧電源端子５
に接続し、かつ並列接続した抵抗６及び電解コン
デンサ７を介して接地してある。入力端子８は、
被クランプ信号を入力する端子でありコンデンサ
９を介して接点３に接続してある。また接点３は
クランプされた信号を出力する出力端子１０に接
続してあり、かつ抵抗１１を介して接地してあ
る。
第２図ａ，ｂは第１図のクランプ回路の入力端
子８に入力する複合映像信号の波形図、第２図ｃ
は第２図ｂの複合映像信号を入力した場合出力端
子１０から出力する複合映像信号の波形図であ
る。第２図ａ，ｂに示すように複合映像信号には
水平同期信号１２と垂直同期信号１３とが含まれ
ている。
子８に入力する複合映像信号の波形図、第２図ｃ
は第２図ｂの複合映像信号を入力した場合出力端
子１０から出力する複合映像信号の波形図であ
る。第２図ａ，ｂに示すように複合映像信号には
水平同期信号１２と垂直同期信号１３とが含まれ
ている。
第１図のクランプ回路の接点２の電位は、端子
５の電位および抵抗４，６の比によつて定まる。
第１図のクランプ回路では第２図ａの複合映像信
号を入力端子８に入力した際、複合映像信号の下
側ピーク点である水平同期信号１２または垂直同
期信号１３の先端部により接点３の電位が下がり
ダイオード１が導通するように、接点２の電位は
定めてある。ダイオード１が導通するとコンデン
サ９は充電され、接点３の電位は上昇する。接点
３の電位がほぼ接点２の電位にまで上昇するとダ
イオード１はオフの状態となる。その結果、第１
図のクランプ回路は、入力端子８に入力した複合
映像信号の下側ピーク点である同期信号先端部の
電位を、接点２の電位にまで上昇させ固定したこ
とになる。垂直同期信号１２以降複合映像信号の
入力波形が上向くので、ダイオード１はオフ状態
のままになる。コンデンサ９に蓄積した電荷は移
動しないので、次の垂直同期信号１２′までの映
像信号は入力波形の変動分と同じだけ変動して出
力端子１０から出力する。すなわち第１図のクラ
ンプ回路に入力端子８から第２図ａの複合映像信
号を入力すると、出力端子１０から出力する複合
映像信号は、垂直同期信号１２の電位が接点２の
電位に固定された状態で出力する。以上の様にし
て、クランプされた信号が出力端子１０から得ら
れるが、良い特性を得るために次の点に注意すべ
きである。
５の電位および抵抗４，６の比によつて定まる。
第１図のクランプ回路では第２図ａの複合映像信
号を入力端子８に入力した際、複合映像信号の下
側ピーク点である水平同期信号１２または垂直同
期信号１３の先端部により接点３の電位が下がり
ダイオード１が導通するように、接点２の電位は
定めてある。ダイオード１が導通するとコンデン
サ９は充電され、接点３の電位は上昇する。接点
３の電位がほぼ接点２の電位にまで上昇するとダ
イオード１はオフの状態となる。その結果、第１
図のクランプ回路は、入力端子８に入力した複合
映像信号の下側ピーク点である同期信号先端部の
電位を、接点２の電位にまで上昇させ固定したこ
とになる。垂直同期信号１２以降複合映像信号の
入力波形が上向くので、ダイオード１はオフ状態
のままになる。コンデンサ９に蓄積した電荷は移
動しないので、次の垂直同期信号１２′までの映
像信号は入力波形の変動分と同じだけ変動して出
力端子１０から出力する。すなわち第１図のクラ
ンプ回路に入力端子８から第２図ａの複合映像信
号を入力すると、出力端子１０から出力する複合
映像信号は、垂直同期信号１２の電位が接点２の
電位に固定された状態で出力する。以上の様にし
て、クランプされた信号が出力端子１０から得ら
れるが、良い特性を得るために次の点に注意すべ
きである。
１ 入力端子８の前段の出力インピーダンスが十
分低いこと。
分低いこと。
２ 出力端子１０の後段の入力インピーダンスが
十分高いこと。
十分高いこと。
３ 抵抗１１は入力波形の毎回の下側ピーク点で
ある垂直同期信号１２でダイオード１が導通す
るように抵抗値を選び、かつその範囲でなるべ
く大きい値とすること。
ある垂直同期信号１２でダイオード１が導通す
るように抵抗値を選び、かつその範囲でなるべ
く大きい値とすること。
４ ダイオード１は、オン状態のときの抵抗が小
さく立ち上がり特性が急峻であること。
さく立ち上がり特性が急峻であること。
しかし、以上の点に注意しても、第１図のクラ
ンプ回路の特性には不満足な点がある。例えば、
第２図ａの様な複合映像信号をそのままFM変調
すると同期信号先端部のところにスペクトラムが
集中するので、これを防ぐため第２図ｂのように
映像信号にデイスパーサル変調をかけることがあ
る。そしてこのデイスパーサル変調を復調するた
めに、第１図のクランプ回路に映像信号を入力す
ると、第２図ｃのように垂直同期信号１３付近の
波形が歪んでしまう。今後は、垂直帰線区間を利
用した文字多重放送等が一般化すると思われるた
め、前記の波形歪が問題となる。
ンプ回路の特性には不満足な点がある。例えば、
第２図ａの様な複合映像信号をそのままFM変調
すると同期信号先端部のところにスペクトラムが
集中するので、これを防ぐため第２図ｂのように
映像信号にデイスパーサル変調をかけることがあ
る。そしてこのデイスパーサル変調を復調するた
めに、第１図のクランプ回路に映像信号を入力す
ると、第２図ｃのように垂直同期信号１３付近の
波形が歪んでしまう。今後は、垂直帰線区間を利
用した文字多重放送等が一般化すると思われるた
め、前記の波形歪が問題となる。
このような現象は現実に得られるダイオード１
の特性が理想的な特性と異なるからである。第３
図はダイオード１と理想的なダイオードとを比較
した特性図である。第３図のグラフにおいて縦軸
はダイオード１に流れる電流Ｉの電流量を示し、
横軸は第１図のクランプ回路の接点３の電位Ｅを
示す。理想的なダイオードの電流電圧特性１４
は、電圧Ｅが閾値電圧１５にまで落ると急に電流
Ｉが流れ出す。しかしダイオード１の電流電圧特
性１６は、電圧Ｅが閾値電圧１５にまで落ちても
急に電流Ｉが流れるわけではなく電圧Ｅが閾値電
圧１５より低くなるにつれて電流Ｉが多く流れ出
す。以上のように実際に得られるダイオード１の
立上がり特性は理想のダイオードの立ち上がり特
性と大きく異なる。
の特性が理想的な特性と異なるからである。第３
図はダイオード１と理想的なダイオードとを比較
した特性図である。第３図のグラフにおいて縦軸
はダイオード１に流れる電流Ｉの電流量を示し、
横軸は第１図のクランプ回路の接点３の電位Ｅを
示す。理想的なダイオードの電流電圧特性１４
は、電圧Ｅが閾値電圧１５にまで落ると急に電流
Ｉが流れ出す。しかしダイオード１の電流電圧特
性１６は、電圧Ｅが閾値電圧１５にまで落ちても
急に電流Ｉが流れるわけではなく電圧Ｅが閾値電
圧１５より低くなるにつれて電流Ｉが多く流れ出
す。以上のように実際に得られるダイオード１の
立上がり特性は理想のダイオードの立ち上がり特
性と大きく異なる。
本発明は上記欠点に鑑み、従来のクランプ回路
より良い特性を有し、しかも簡単な回路で実現で
きるクランプ回路を提供するものである。
より良い特性を有し、しかも簡単な回路で実現で
きるクランプ回路を提供するものである。
以下本発明の一実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第４図は本発明の基本となるところのクランプ
回路の回路図であり、第１図の回路と同一部分は
同一番号を付して説明を省略する。第４図の回路
の特徴は第１図のダイオード１の代りにNPN型
トランジスタ１６を用い、このトランジスタ１６
のベースを接点２に、エミツタを接点３に接続
し、コレクタを定電圧電源端子５と接続したこと
にある。
回路の回路図であり、第１図の回路と同一部分は
同一番号を付して説明を省略する。第４図の回路
の特徴は第１図のダイオード１の代りにNPN型
トランジスタ１６を用い、このトランジスタ１６
のベースを接点２に、エミツタを接点３に接続
し、コレクタを定電圧電源端子５と接続したこと
にある。
接点２の電位を端子５の電位及び抵抗４，６の
比により定める。そこで第２図ａの映像入力信号
を第４図のクランプ回路の入力端子８に入力する
と、同期信号先端部の部分で接点３の電位が下が
る。接点３の電位が接点２の電位よりある程度低
くなると、トランジスタ１６が動作する。接点２
よりトランジスタ１６のベース電流が流れると、
端子５よりトランジスタ１６のコレクタ電流が前
記ベース電流の数十倍以上の大きさで流れる。そ
して前記ベース電流と前記コレクタ電流との和が
トランジスタ１６のエミツタ電流として接点３に
流れコンデンサ９を充電する。トランジスタ１６
の電流増幅率をhFEとすると、トランジスタ１６
の動作時に接点３に流れコンデンサ９を充電する
電流は、第１図のダイオード１の場合に比べてほ
ぼhFE倍になつたことになる。すなわち、第４図
のクランプ回路と第１図のクランプ回路とを比較
した際、トランジスタ１６の動作時におけるイン
ピーダンスが、ダイオード１に比べてほぼ１／
hFEに改善されたことになる。その結果、第１図
のクランプ回路のダイオード１に比べて第４図の
クランプ回路のトランジスタ１６の方が立ち上が
り特性がよく、従来のクランプ回路に比べて特性
の優れたクランプ回路を簡単な回路で実現するこ
とができる。
比により定める。そこで第２図ａの映像入力信号
を第４図のクランプ回路の入力端子８に入力する
と、同期信号先端部の部分で接点３の電位が下が
る。接点３の電位が接点２の電位よりある程度低
くなると、トランジスタ１６が動作する。接点２
よりトランジスタ１６のベース電流が流れると、
端子５よりトランジスタ１６のコレクタ電流が前
記ベース電流の数十倍以上の大きさで流れる。そ
して前記ベース電流と前記コレクタ電流との和が
トランジスタ１６のエミツタ電流として接点３に
流れコンデンサ９を充電する。トランジスタ１６
の電流増幅率をhFEとすると、トランジスタ１６
の動作時に接点３に流れコンデンサ９を充電する
電流は、第１図のダイオード１の場合に比べてほ
ぼhFE倍になつたことになる。すなわち、第４図
のクランプ回路と第１図のクランプ回路とを比較
した際、トランジスタ１６の動作時におけるイン
ピーダンスが、ダイオード１に比べてほぼ１／
hFEに改善されたことになる。その結果、第１図
のクランプ回路のダイオード１に比べて第４図の
クランプ回路のトランジスタ１６の方が立ち上が
り特性がよく、従来のクランプ回路に比べて特性
の優れたクランプ回路を簡単な回路で実現するこ
とができる。
この第４図に示した構成によれば従来例と比較
した場合には立ち上がり特性が改善されるか、よ
り改善すべき課題として考慮すべき点が第３図の
符号１５の箇所に残される。
した場合には立ち上がり特性が改善されるか、よ
り改善すべき課題として考慮すべき点が第３図の
符号１５の箇所に残される。
第５図は本発明の実施例におけるクランプ回路
の回路図である。第５図のクランプ回路は第４図
のクランプ回路を改良したものである。第５図に
示すように、PNP型トランジスタ１７はベース
を接点１８、抵抗１９を介してトランジスタ１６
のコレクタに接続し、かつ接点１８、抵抗２０を
介して端子５に接続する。またトランジスタ１７
のエミツタも端子５に接続し、コレクタは接点３
に接続してある。そのためトランジスタ１６，１
７と抵抗１９，２０とによりインバーテイドダー
リントン接続のトランジスタが構成されている。
入力端子８に第２図ａの複合映像信号を入力する
と垂直同期信号１２の部分で接点３の電位が下が
る。接点３の電位が接点２の電位に比べてある程
度低くなるとトランジスタ１６が動作する。トラ
ンジスタ１６の動作により抵抗１９，２０に電流
が流れ、接点１８の電位が下がりトランジスタ１
７が動作する。トランジスタ１７の電流増幅率を
hFE′とすると、トランジスタ１６のコレクタ電流
のhFE′倍の電流がトランジスタ１７から接点３に
流れコンデンサ９を充電する。すなわちトランジ
スタ１６の電流増幅率をhFEとしたとき第１図の
クランプ回路におけるダイオード１の場合に比べ
てhFE・hFE′倍の電流が接点３に流れることにな
る。その結果第５図のクランプ回路のトランジス
タ１６，１７の動作時におけるインピーダンス
は、第１図のクランプ回路のダイオード１に比べ
て１／（hFE・hFE′）に改善されたことになる。イ
ンピーダンスが１／（hFE・hFE′）倍と小さくなつ
たことにより、第５図のクランプ回路のトランジ
スタ１６，１７における立上がり特性が、従来の
クランプ回路に比べて大きく向上し、従来のクラ
ンプ回路に比べて特性の優れたクランプ回路を実
現することができる。
の回路図である。第５図のクランプ回路は第４図
のクランプ回路を改良したものである。第５図に
示すように、PNP型トランジスタ１７はベース
を接点１８、抵抗１９を介してトランジスタ１６
のコレクタに接続し、かつ接点１８、抵抗２０を
介して端子５に接続する。またトランジスタ１７
のエミツタも端子５に接続し、コレクタは接点３
に接続してある。そのためトランジスタ１６，１
７と抵抗１９，２０とによりインバーテイドダー
リントン接続のトランジスタが構成されている。
入力端子８に第２図ａの複合映像信号を入力する
と垂直同期信号１２の部分で接点３の電位が下が
る。接点３の電位が接点２の電位に比べてある程
度低くなるとトランジスタ１６が動作する。トラ
ンジスタ１６の動作により抵抗１９，２０に電流
が流れ、接点１８の電位が下がりトランジスタ１
７が動作する。トランジスタ１７の電流増幅率を
hFE′とすると、トランジスタ１６のコレクタ電流
のhFE′倍の電流がトランジスタ１７から接点３に
流れコンデンサ９を充電する。すなわちトランジ
スタ１６の電流増幅率をhFEとしたとき第１図の
クランプ回路におけるダイオード１の場合に比べ
てhFE・hFE′倍の電流が接点３に流れることにな
る。その結果第５図のクランプ回路のトランジス
タ１６，１７の動作時におけるインピーダンス
は、第１図のクランプ回路のダイオード１に比べ
て１／（hFE・hFE′）に改善されたことになる。イ
ンピーダンスが１／（hFE・hFE′）倍と小さくなつ
たことにより、第５図のクランプ回路のトランジ
スタ１６，１７における立上がり特性が、従来の
クランプ回路に比べて大きく向上し、従来のクラ
ンプ回路に比べて特性の優れたクランプ回路を実
現することができる。
以上のように、第１図のクランプ回路における
ダイオード１の代りにトランジスタ１６またはト
ランジスタ１６，１７及び抵抗１９，２０から構
成されるインバーテイドダーリントン接続のトラ
ンジスタを用い、ベースまたはベースに等価な端
子を接点２に接続しコレクタまたはコレクタに等
価な端子を端子５に接続し、エミツタまたはエミ
ツタに等価な端子を接点３に接続することによ
り、簡単な回路で従来のクランプ回路に比べて特
性の優れたクランプ回路が実現できる。
ダイオード１の代りにトランジスタ１６またはト
ランジスタ１６，１７及び抵抗１９，２０から構
成されるインバーテイドダーリントン接続のトラ
ンジスタを用い、ベースまたはベースに等価な端
子を接点２に接続しコレクタまたはコレクタに等
価な端子を端子５に接続し、エミツタまたはエミ
ツタに等価な端子を接点３に接続することによ
り、簡単な回路で従来のクランプ回路に比べて特
性の優れたクランプ回路が実現できる。
なお、以上のクランプ回路は波形の下側ピーク
値でクランプするが、波形の上側ピーク値でクラ
ンプする回路もPNP型トランジスタをNPN型ト
ランジスタにし、NPN型トランジスタをPNP型
トランジスタにすれば実現できる。
値でクランプするが、波形の上側ピーク値でクラ
ンプする回路もPNP型トランジスタをNPN型ト
ランジスタにし、NPN型トランジスタをPNP型
トランジスタにすれば実現できる。
またトランジスタ１６または１７をダーリント
ン接続のトランジスタに置き換えて、等価的電流
増幅率を大きくすることにより、第５図のクラン
プ回路の特性をさらによくすることができる。
ン接続のトランジスタに置き換えて、等価的電流
増幅率を大きくすることにより、第５図のクラン
プ回路の特性をさらによくすることができる。
以上のように本発明は、従来のダイオードを用
いたクランプ回路のダイオードの代りにトランジ
スタまたはダーリントン接続のトランジスタを用
いることにより、簡単な回路で従来のクランプ回
路に比べて高性能にできる。
いたクランプ回路のダイオードの代りにトランジ
スタまたはダーリントン接続のトランジスタを用
いることにより、簡単な回路で従来のクランプ回
路に比べて高性能にできる。
第１図は従来のクランプ回路の回路図、第２図
ａ，ｂ，ｃは複合映像回路の波形図、第３図はダ
イオードの特性図、第４図は本発明の基本となる
クランプ回路の回路図、第５図は本発明の一実施
例におけるクランプ回路の回路図である。 １……ダイオード、４，６，１１，１９，２０
……抵抗、５……定電圧源、７，９……コンデン
サ、８……入力端子、１０……出力端子、１６，
１７……トランジスタ。
ａ，ｂ，ｃは複合映像回路の波形図、第３図はダ
イオードの特性図、第４図は本発明の基本となる
クランプ回路の回路図、第５図は本発明の一実施
例におけるクランプ回路の回路図である。 １……ダイオード、４，６，１１，１９，２０
……抵抗、５……定電圧源、７，９……コンデン
サ、８……入力端子、１０……出力端子、１６，
１７……トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 並列接続した第１の抵抗６と第１のコンデン
サ７の一端を第１の所定電位源に接続し、 この第１の抵抗６とコンデンサ７の他端を第２
の抵抗４を介して第２の所定電位源に接続すると
ともに、 前記第１の抵抗６とコンデンサ７の他端を第１
のトランジスタ１６のベースに接続し、 前記第１のトランジスタ１６のコレクタをイン
バーテイツドダーリントン接続となるように第２
のトランジスタ１７のベースに結合し、 前記第２のトランジスタ１７のベースを第３の
抵抗２０を介して前記第１もしくは第２の所定電
位源に接続し、 前記第２のトランジスタ１７のエミツタを、ベ
ースを結合した前記第１もしくは第２の所定電位
源に接続し、 前記第１のトランジスタ１６のエミツタを前記
第２のトランジスタのコレクタに接続し、この接
続点を第４の抵抗１１を介して、前記第２のトラ
ンジスタ１７のエミツタを第１の所定電位源に接
続した場合には第２の所定電位源に、第２のトラ
ンジスタ１７のエミツタを第２の所定電位源に接
続した場合には第１の所定電位源に接続し、 かつ、前記第１のトランジスタ１６のエミツタ
を第２のコンデンサ９を介して入力端子に接続
し、前記接続点から出力を得るように構成したク
ランプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042026A JPS58159070A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | クランプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042026A JPS58159070A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | クランプ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159070A JPS58159070A (ja) | 1983-09-21 |
| JPH0230629B2 true JPH0230629B2 (ja) | 1990-07-09 |
Family
ID=12624654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042026A Granted JPS58159070A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | クランプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159070A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05300042A (ja) * | 1991-03-11 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換回路 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0736610B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1995-04-19 | ロ−ム株式会社 | ホワイトクリツプ回路 |
| JPS61165465U (ja) * | 1985-04-04 | 1986-10-14 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57042026A patent/JPS58159070A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05300042A (ja) * | 1991-03-11 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58159070A (ja) | 1983-09-21 |
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