JPH0230632B2 - - Google Patents

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JPH0230632B2
JPH0230632B2 JP56134445A JP13444581A JPH0230632B2 JP H0230632 B2 JPH0230632 B2 JP H0230632B2 JP 56134445 A JP56134445 A JP 56134445A JP 13444581 A JP13444581 A JP 13444581A JP H0230632 B2 JPH0230632 B2 JP H0230632B2
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JP
Japan
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signal
accumulation time
output
circuit
level
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Shinji Sakai
Nobuhiko Shinoda
Takao Kinoshita
Mitsuya Hosoe
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH0230632B2 publication Critical patent/JPH0230632B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換手段の信号蓄積時間(以後蓄
積時間と称する)の制御方式に係り、特に上記光
電変換手段への入射光量の急激な増大等により、
信号レベルの異常、特にCCD等の自己走査形光
電変換素子で生じるいわゆる信号のブルーミング
の際にこれを正しく検知し、かつ速やかに適正な
信号レベルに復帰せしめるための信号蓄積時間の
制御方式に関するものである。 通常か様な光電変換素子の蓄積時間の制御方式
で知られているものは、信号を読み出したとき、
同信号レベルが所定の範囲内にある場合は蓄積時
間を変えず、上記レベルが所定の範囲を越えた場
合は短い蓄積時間を設定し、逆に所定の範囲を下
回る場合は長い蓄積時間を設定する方法である。
本方法では予じめ決められた複数個の離散的な蓄
積時間に沿つて、一回の信号読み出しの結果によ
り、逐次蓄積時間を伸長又は短縮するものであり
(これを追従制御型と名付ける)、急激な入射光量
の変化がある場合、適正な信号レベルの得られる
蓄積時間が設定される迄に相当の時間を必要と
し、素早い応答が出来ない欠点がある。 本発明ではこの様な欠点を除去するためにブル
ーミングを正しく検知し、かつか様な光電変換素
子の蓄積時間制御の高速化を実現し、同上素子を
用いた装置、たとえば画像処理装置又は光学系の
合焦位置検知装置の応答性を向上させることを目
的とするものであり、その方法は通常の状態では
例えば上述の如き追従制御型の蓄積時間制御モー
ド(第1の制御モード)にあり、ブルーミングを
検出すると蓄積時間制御モードを変更し(第2の
制御モード)蓄積時間を1度に大巾に変更した
り、又は逐次近似的に制御する等の手段を含むも
のである。 以下添付図面に従つて本発明の詳細を説明する
が本発明に係る蓄積時間制御方式の好適なる応用
例と考えられるカメラ等の合焦検知装置を例とす
る。しかし乍ら、もとより本発明は以下の例にの
み有用であるものではなく、CCD等の固体撮像
素子を用いる装置には、ことごとく有用である。 第1図は本発明を用いるに適した合焦位置検知
方式の一例の焦点検出方法の原理を示す模式図で
あり、同図中1はその光軸を1′とする結像レン
ズであり、2は同光軸1′中に配設され、半透過
部2′及び2″及び全反射部2を有するビーム・
スプリツタである。か様なビーム・スプリツタの
半透過部2′に上記結像レンズからの光束が入射
し、他方の半透過部2″及び全反入射部2で3
本の光束3,4及び5に分割される様子が示され
ている。半透過部2′は入射光束の1/3を透過し、
2/3を反入射する特性を有し、他の半透過部2″は
1/2を透過し、1/2を反入射する特性を付与せられ
たものとすれば、上記の3分割光束のエネルギー
は等しくなることは明らかである。6は3個の受
光部6′,6″及び6を有する固体撮像素子等の
光電変換素子である。いま結像レンズによる光束
の収れん点が7で示す点にあるとすると他の分割
光束の収れん点は7′及び7″となることは容易に
理解出来る。もし受光部6″上に半透過部2″で反
射され分割される光束4の収れん点が一致してい
るものとすれば、受光部6′に入射する光束3の
収れん点7は受光部6′より後方にあり、受光部
6に入射する光束5の収れん点7″は受光部6
より前方にあることになり、それぞれのずれ量
は半透過部2′,2″及び全反入射部2相互の間
隔が等しいとすれば同一になり、その結果受光部
6″上の像の鮮明度が最大で、他の受光部上の像
は低いが同様の鮮明度となる。もし結像レンズ1
を光軸1′に沿つて移動されるとすれば3個の受
光部上の像の鮮明度は同図cの如く変化する。す
なわち受光部6′,6″及び6上の像の鮮明度及
びその変化を夫々8′,8″及び8で表わすもの
とすれば、横軸に結像レンズ1の移動量(右方移
動するときは横軸方向で右方とする)たて軸に鮮
明度をとれば3個の山形の曲線が並んだものとな
る。同図aに示す状態は同図cでは9で示す点に
対応している。光電変換素子6の受光部6″を結
像レンズ1の予定焦点面に配設すれば同図aの状
態すなわち、各受光部の鮮明度の関係が同図c中
9で示される場合に結像レンズ1の合焦位置の検
知が為されることになり、同レンズによる結像面
が受光部6″の前方あるいは後方にある場合に応
じて、鮮明度8′と8の大小関係が反転するこ
とは同図cにおいて明らかであり、この結果結像
レンズ1の予定焦点面に対する、いわゆる前ピン
状態、後ピン状態が検知可能となる。同図bは光
電変換素子6の正面図であり、同図では各受光部
6′,6″及び6は細い帯状のたとえばリニアー
CCD等であるが、その形状は本例に限られるも
のではない。 か様にしてビームスプリツタと3個の受光部を
有する光電変換素子を用いた合焦位置検知方式が
成立する訳であるが、各受光部からの画像信号を
読み出し、同信号から像鮮明度信号を抽出し、更
に、3個の鮮明度の大小関係を判別する作用を有
する電気回路のブロツクダイヤグラムを第2図に
示す。同図に於ける各ブロツクの多くは一般に公
知の回路構成の可なるものもあり、更に、本件出
願人に係る特開昭55―18652号等一連の出願件に
その内容の詳細が開示されているため、詳細な回
路構成は本件発明に係る部分を中心に示すものと
する。同図に於て6は第1図に示す3個の受光部
を有するCCD等の光電変換素子(以後CCDと称
する)であり、同素子を動作させるための一連の
クロツク信号はクロツクドライバーCLKDから与
えられており、これらのクロツク信号は予じめ決
められた順序でCCD6の電荷の蓄積、転送、リ
セツト等の一連の動作を行なわしめるものであ
る。CCD中で所定時間蓄積され、転送されて来
る電荷は同じCCDの出力部で電荷―電圧変換が
行なわれた後、画像信号として雑音抑圧用コンデ
ンサCを介してバランス調整回路BAに入力され
る。このときCCDの3個の受光部に対応した画
像信号はCCDの構成によつて定まつた順序で時
系列的に読み出される。バランス調整回路BAは
第3図に示す如く、公知のマルチプレクサーと3
個の可変抵抗器を接続したものである。すなわち
第3図において端子10へ上述の画像信号が入力
され、可変抵抗器12,13,14を経てマルチ
プレクサー11に供給される。マルチプレクサー
11は各受光部に対応した画像信号が入力される
タイミングを与える信号を端子16から受けて
夫々の受光部に対応した画像信号を夫々可変抵抗
器12,13及び14を経て増巾器17に出力す
る。可変抵抗器12,13,14は各受光部から
の画像信号のバランス調整を為すものである。そ
れらの出力は共通して増巾器17に入力され、帰
還抵抗18との比で決まる各像のゲインが調整さ
れて次の電気回路に入力される。この様な画像信
号のバランス調整はビームスプリツタ2によつて
分割される3光束のエネルギーに不均衡がある場
合に有用なものである。端子16から与えられる
同期信号は後述するタイミング・ゼネレータから
供給される。本例では3個の可変抵抗器の例を示
したが、2個を用い、それで他の1個にバランス
させることももとより可能である。本回路系は各
種信号処理が一連の同期信号に基づいて行なわれ
る必要があるためそれらの同期信号をタイミン
グ・ゼネレータTMGEにより得ている。タイミ
ング・ゼネレータは本系の動作指令信号SWAF
(カメラで云えばシヤツタボタンの第1押下動作
に連動して発生される信号)及びパワーアツプク
リヤ信号PUCを受けて、予じめ決められた順序
で各回路ブロツクに供給される各種の同期信号を
発生させる作用を為すものであり、その具体的回
路は公知の技術で可なるものであり、ただ本例の
回路系の動作形態に適合した同期信号群を発生す
べく設計されるものである。上記のクロツク・ド
ライバーCLKDもタイミング・ゼネレータ
TMGEからの同期信号を受けて動作する。 バランス調整回路BAにて、バランス調整され
た各画像信号は第1のサンプルホールド回路
SHA及び第2のサンプルホールド回路SHBに入
力される。第1のサンプルホールド回路はCCD
の各要素の画像信号の整形作用を為すものであ
り、各要素信号がCCDから出力されるタイミン
グに同期したサンプリング・パルスをタイミン
グ・ゼネレータTMGEから受けて、各要素信号
のレベルをサンプルホールドするものである。一
方、実際のCCDは半導体であるためいわゆる暗
電流の影響を温度、蓄積時間に関して受けるた
め、画像信号は実際に受光した光量に対応した信
号に上記の暗電流レベルが重畳したものとなり、
換言すればこのまゝでは雑音の多い信号となるた
めに、CCDの受光部の一部をアルミマスク等で
遮光しておき、ここから出力される信号レベルを
暗電流レベルに対応するものと見なして、遮光さ
れた部分(以後、これを暗電流ビツトと称する)
の出力すなわち暗電流レベルと受光部からの出力
信号レベルの差をとることによつて、上記の如き
暗電流の影響を除くことを行なう。本例のCCD
の受光部の端部には図示しない暗電流ビツトがあ
り、同ビツトの出力が最初に出力される如くに為
されているものとする。第2のサンプルホールド
回路SHBはこれら暗電流ビツトの出力レベルを
サンプルホールドする作用を有する様に配設され
るもので、タイミング・ゼネレータからは同信号
を所定時間だけホールドする指令信号をも受け
る。第1のサンプルホールド回路SHAの出力信
号と第2のサンプルホールド回路SHBの出力信
号の差をとるために、両出力信号は差動増巾器
DIFに入力される。か様にして、差動増巾器DIF
の出力である画像信号は上述の暗電流レベルが相
殺された受光光量に正確に比例した信号となる。
差動増巾器の出力は次いで、一方ではハイパスフ
イルターHPFに入力されると共に他方では2個
のコンパレータCOMPA,COMPBに入力され
る。コンパレータCOMPAには参照電圧VA
COMPBには参照電圧VBが与えられており、こ
れらにより、いわゆるウインドウ・コンパレータ
を構成する。同ウインドウ・コンパレータの作用
を第4図を用いて説明する。第4図a,b,cは
横軸を時間軸にとり、たて軸を電圧にとつて上記
の暗電流補償された画像信号(以後これを暗電流
補償信号と称する)のピーク値と、上記参照電圧
VA,VBとの関係を示すものであり、同図a中の
矢印6,6″及び6′はCCD6の各受光部6,
6″及び6′からの画像信号が出力されているタイ
ミングを表わすものとする。同図aでは暗電流補
償信号の一部(6″の一部)がVA,VBを共に過え
ていて、信号レベルが過大であることを示す。こ
のときは、両コンパレータCOMPA,COMPBの
出力は共にハイになる。同図bは暗電流補償信号
が全ての領域でVBを下回り、信号レベルが過少
であることを示している。このときは両コンパレ
ータCOMPA,COMPBの出力は共にローにな
る。同図cは、暗電流補償信号のピークがVA
VBの間にあり、適正レベルであることを示して
いる。このときはコンパレータCOMPBの出力の
みがハイとなる。VA及びVBが本回路系における
暗電流補償信号の適正レベル範囲を設定する如く
に選択されているものとすれば、両コンパレータ
出力のハイ,ローの組合わせが暗電流補償信号レ
ベルの適正,不適正を表わすものとなる。本例で
はVA>VBと設定すれば両コンパレータの出力が
共にハイのときには、上記信号レベルが飽和状態
も含めて過大であり、逆に両コンパレータの出力
が共にローのときには、上記信号レベルが過少で
あり、コンパレータCOMPAの出力がローであ
り、コンパレータCOMPBの出力がハイであると
きのみ、上記信号レベルが適正状態にあることを
示す。尚、両コンパレータ出力は図示しないラツ
チ回路で所定時間保持されているものとする。 暗電流補償信号の過大なるときはCCDの蓄積
時間を短縮し、逆に過少なるときは同蓄積時間を
伸長し、常に同出力レベルの適正化を図るために
両コンパレータの出力は蓄積時間制御回路AGC
に供給される。蓄積時間制御回路AGCは各受光
部における暗電流補償信号が出力されているタイ
ミングで両コンパレータの出力レベルを判定可能
な様にタイミング・ゼネレータTMGEよりの同
期信号を受けて動作し、暗電流補償信号のレベル
によつて、蓄積時間の短縮又は伸長の指令信号を
タイミング・ゼネレータに入力する。タイミン
グ・ゼネレータは、これを受けて次回のCCD出
力の読み出し時に、CCDの蓄積時間が短縮又は
伸長される様にクロツクドライバーCLKDの動作
を規定するものである。BLMSで示されるブロ
ツクは前記した如く、CCDからの画像信号が何
らかの理由でいわゆるブルーミングを発生したと
き、これを検知し、その結果としてAGC動作を
変更して、速やかに画像信号レベルを適切にする
ために設けられたブルーミング・センサーであ
る。同ブルーミング・センサーBLMSはCCD6
の出力、バランス調整回路BAの出力、及び第2
のサンプルホールド回路SHBの出力の少なくと
も1出力を受け、一方、タイミングゼネレータ
TMGEからのタイミングで信号を受けて蓄積時
間制御回路AGCにAGC改更指令信号を与える如
く結像されている。同ブルーミング・センサ
BLMSの構成の詳細は第6図に於て詳述する。
CCD6、バランス調整回路BA、第2のサンプル
ホールド回路SHBの内どの信号をブルーミン
グ・センサーBLMSに入力するかは、どの様に
してブルーミングを検出するかに関わるのである
が、第2図には説明の便のために、上記3信号を
とり込む如き結果として示してある。ハイパスフ
イルタHPFは画像信号の変化の程度を評価する
もので画像信号の高周波成分を抽出し、本方式の
像群明度評価の第1歩を構成するものである。ハ
イパスフイルターHPFにはCCDの各受光部に対
応した画像信号が入力されるタイミングに同期し
た同期信号がタイミング・ゼネレータTMGEか
ら供給される。これは各画像信号の開始時点での
信号の急激な変化によつて生じる像の鮮明度とは
無関係なHPFの出力の発生を防止するためのも
ので、上記同期信号により、HPFが一時的にリ
セツト状態に為されるものである。ハイパスフイ
ルターHPFの出力は絶対値回路ABS次いで2乗
回路SQRに送られる。絶対値回路ABSはハイパ
スフイルターHPFの出力の絶対値化を図るため
のもので画像信号の変化は正、負存在する(明か
ら暗、暗から明)ために、このままでは後述する
積分回路を通したとき、像パターンによつては出
力が相殺されて、結果的に鮮明度の信号が0にな
ることを防ぐものである。2乗回路SQRは例え
ば半導体の非線形入出力特性を用いて実現可能な
ものであるが、本系に於ける機能はハイパスフイ
ルターHPFの出力の大なるもの、すなわち画像
信号の時間的変化が急激であり、したがつてより
高い鮮明度の状態と強調評価するためのものであ
る。2乗回路SQRにはCCD受光部、すなわち測
定視野の端部付近の画像の鮮明度の評価のウエイ
トを下げることにより、視野外の像がデフオーカ
ス時に、視野内にデフオーカスした像の一部とし
て入り込み、正規の鮮明度評価に対する誤差要因
となつたり、結像レンズのブレにより、測定視野
内に別の像が出入りして、過渡的な誤差を発生さ
せることを抑止するために窓関数発生器WLNが
設けられ、同発生器の出力により、2乗回路のゲ
インが視野端部は低く、中央部では高くなる様に
制御される。このために、各受光部の開始及び
CCDの各要素の読み出しに同期したタイミング
信号をタイミング・ゼネレータTMGEから供給
され、同信号入力時から各要素が読み出される番
地(視野内の番地)に対応して予じめ定められた
関係で2乗回路のゲインを制御するものである。
か様にして、強調された鮮明度情報を含む2乗回
路SQRの出力は、受光部全域に亘る積分により、
各受光部の像の鮮明度を出力するための積分回路
LNTに入力される。積分回路LNTには、各受光
部に対応したタイミングで積分及び積分リセツト
を行なわれる様にタイミング・ゼネレータ
TMGEからの同期信号が供給される。か様にし
て、積分回路LNTの出力はCCDから読み出され
る各受光部の順序に応じた各像の鮮明度の電気出
力に相当するものである。積分回路LNTの出力
はアナログ出力であるため、後述の結像レンズの
合焦、前ピン、後ピンを判定する論理演算回路
CPUでの信号処理を容易ならしめるために、A
―D変換するためにA―D変換回路A/Dに供給
され、デイジタル値に変換される。 第5図は、以上説明したCCDの各受光部すな
わち3像の測定視野からの画像信号の読み出しか
ら積分回路LNTに至る一連のいわば像鮮明度信
号処理過程の内のアナログ処理の内容を一層明ら
かならしめるために、各回路ブロツクの出力波形
を示す図である。同図では全て横軸は時刻を示
し、たて軸は電圧又は電流出力を任意単位で示し
てある。図中の矢印6′,6″,6はCCDの各
受光部6′,6″及び6に対応した信号が読み出
され、処理される時間的タイミングを示してい
る。また各像の状態は受光部6″の像が最も鮮明
度の高い状態すなわち第1図cの9で示される如
き、結像レンズの合焦状態を示してある。また図
はCCDからの一回分の信号読み出しの状態であ
り、実際はか様な信号がくり返し読み出されるも
のである。同図aはCCDから読み出され、サン
プルホールド回路SHAを通した後の画像信号を
示す。読み出される順番は受光部6,6″及び
6′であるとしている。図中Dで示す電圧は暗電
流レベルであり、同レベルが最初に読み出され、
サンプルホールド回路SHBでホールドされるも
のである。同図bは差動増巾器DIFの出力すなわ
ち暗電流補償信号を示し、暗電流レベルDは相殺
されている。同図cはハイパスフイルターHPF
の出力、同図dは絶対値回路ABSの出力である。
同図eは2乗回路SQRの出力を示す図であり、
図中破線で示す等脚台形は先述した窓関数発生器
WLNにて発生する窓形状に応じて2乗回路SQR
のゲインが測定視野内で変化する様子を示すもの
である。同図fは積分回路LNTの出力信号を示
し、A(8),B(8″)及びC(8′)は夫々の受
光部6,6″及び6′中の像の鮮明度に対応した
レベルでこれをA,B,Cと名付ける。A,B,
Cは第1図cに示す8,8″及び8′のカーブの
9で示す点のレベルに対応している。か様なA,
B,Cは先述のA―D変換回路A/Dを介してデ
イジタル化され論理演算回路CPUに入力される。
同回路CPUでは予じめ設定された合焦、前ピン、
後ピンあるいは判断停止の条件に従つてA,B,
Cのレベルの大小関係及び演算を行なう。基本的
には合焦状態ではB>A,B>CかつA≒C、前
ピン状態ではC>A、後ピン状態ではA>Cとな
り、これらの条件の内どれが成立するかを判定
し、論理演算回路CPUが3状態に対応した出力
を後述の表示回路DLSPに供給する。表示回路は
その基本構成として、論理回路及びLED等の表
示素子の駆動を司どる駆動回路から成るもので、
CPUからの指令に応じて本例では、合焦状態で
は発光ダイオードLEDBを点灯せしめ、前ピン、
後ピンの状態に対しては発光ダイオードLEDC及
び発光ダイオードLEDAをそれぞれ点灯せしめて
撮影者に結像レンズの焦点調節状態を視認せしめ
るものである。Rは電源電圧Vを発光ダイオード
に供給する際の保護抵抗である。本例では表示素
子として発光ダイオードの例を示すが、表示素子
として本発明に適するものは、液晶、エレクトロ
クロミー等でも何ら差しつかえない。 第6図は前記のブルーミング検出の詳細を示す
図であり、同図aはCCDのリセツトレベルと光
電変換部をもたない転送部からの出力を比較し、
比較出力が所定値以上になつたときにブルーミン
グと認識する方法であり、同図bは光電変換部の
一部にアルミ・マスクを施した個所の出力レベル
とリセツトレベルを比較し、比較出力が所定値以
上になつたときにブルーミングを認識する方法で
あり、これらの方法は共に、信号出力がブルーミ
ングを生じた場合には上記特定部所の信号レベル
すなわち暗時出力レベルに相当するレベルが上昇
することを利用している。同図a,bに於て、1
9は光電変換部であり、同変換部に蓄積された電
荷は図中矢印で示す方向に移送され、転送部20
に移り、図中右方へ順次公知の方法で転送され、
右端に示す個個の光電変換部に対応した信号が発
生する。同出力信号中RSで示す上部の平担各部
はCCDのリセツト・レベルであり、DLで示す左
端下部の平担部は同図aについては、光電変換部
をもたない転送部20′の出力を、同図bについ
てはアルミマスク21を施こされた光電変換部の
出力レベルを示すものである。これらのDLのレ
ベルとリセツトレベルRSの相違がブルーミング
によつて拡大することを検知して、ブルーミン
グ・センシングを行なうものである。同図cは以
上の方法とは異なり、電源電圧レベルVocとOレ
ベルの間に判定レベルSLを設け、画像信号レベ
ルがSLより過大になつた場合にブルーミングが
発生したと認知する方法である。 第7図は第6図で述べたブルーミング検出法に
基づいたブルーミング・センサーBLMSの構成
例であり、同図aは第6図a,bに対応し、同図
bは第6図cに対応するものである。第7図aに
おいて、コンパレータ22は第2図示のバランス
調整回路BA及び第2のサンプルホールド回路
SHBからの信号を受けてその差すなわち、暗時
出力レベルとCCDのリセツト・レベルの大小に
対応した信号を発生する。23は両者の所定のレ
ベル差を設け、ブルーミングと認識するしきい値
を設定するためのバイアス電源である。SHBが
BA出力よりバイアスレベルで決まる差だけ大き
くなるとANDゲート224の一方の入力がハイ
になる。同ゲートの他方の入力はタイミングゼネ
レータTMGEよりサンプルホールド回路の信号
を受容しているときにハイになる信号であり、し
たがつてブルーミングが発生しているとフリツプ
フロツプ25がセツトされ、蓄積時間制御回路
AGCへブルーミング信号が供給される。同フリ
ツプフロツプ25は画像信号の1回読み出しが終
了し、次の読み出しのはじめでリセツトされる様
にタイミングゼネレータTMGEからタイミング
信号を受けている。第7図bにおいては、ブルー
ミングセンサーBLMSにはCCD6から直接取り
出す画像信号が入力され、一方に、しきい値に対
応した電圧をバイアスするための電源27の電圧
を入力可能なコンパレータ26があり、CCD出
入力がしきい値に比して低い、すなわち第6図c
で右側の信号の如く過大なレベルである場合は
ANDゲート28の一方入力がハイとなる。以下、
タイミングゼネレータTMGEの信号、フリツプ
フロツプ29の作用は全く第7図aと同一である
ので説明を省略する。 第8図、第9図は前記の如きブルームミング・
センサBLMSからのブルーミング検知信号BLM
を受けて通常の第1の制御モードと異なる第2の
制御モードに移行し、速やかに適正な画像信号レ
ベルに到達させることの可能な蓄積時間制御回路
AGCの実施例を示す。 第8図において、1点鎖線で囲んだ蓄積時間制
御回路AGCはそれへの入力信号として、コンパ
レータCOMPA,COMPBの出入力信号及びブル
ーミング・センサBLMSからのBLM信号を受け
る。通常BLMがロー、すなわち、ブルーミング
が発生しないときは COMPA,COMPB共にハイ、すなわち、信
号レベルが過大である場合はANDゲート30
はロー、ANDゲート31はハイとなり、した
がつて、ANDゲート33はロー、ORゲート3
2はハイとなり、アンプダウンカウンタ35は
DOWN指令信号を受けて蓄積時間レベルが1
段シフト(短縮)されて、タイミングゼネレー
タTMGEへ指令される。 COMPA,COMPB共にロー、すなわち、信
号レベルが過少である場合は、ANDゲート3
0はハイ、ANDゲート31はローとなり、し
たがつてORゲート32はロー、インバータ3
4はハイ、よつて、ANDゲート33がハイと
なり、アツプダウンカウンタ35はUP指令を
受けて、蓄積時間レベルが1段シフト(伸長)
されて、タイミング・ゼネレータTMGEに指
令される。 COMPBのみがハイ、すなわち信号レベルが
適切である場合は、ANDゲート30,31は
共にロー、ORゲート32はロー、ANDゲート
33もローとなり、アツプダウンカウンタ35
はUP又はDOWNの指令を受けることなく、従
前の蓄積時間が維持される。 以上の様な場合にもしブルーミングが発生した
とするとORゲート32がハイとなり、無条件に
アツプダウンカウンタがDOWNモードになり、
タイミング・ゼネレータTMGEよりの各サイク
ル毎のタイミング信号に応じて、BLM信号がハ
イである限りは蓄積時間が短縮されて、ブルーミ
ングを防止して適切な信号レベルが速やかに達成
される。 第9図において、COMPA,COMPBの信号を
受けてANDゲート36,37がアツプダウンカ
ウンタ39のUP又はダウン指令を行なう方法は
第8図示例と全く同様であり、かく、極めて容易
に理解されることであるから説明を省く。今、
BLM信号がハイになるとインバータ38を介し、
クリヤー信号がアツプダウンカウンタに入力され
瞬時に最小の蓄積時間に設定されるものである。
か様にしてBLM信号が発生すると速やかに画像
信号が適切なレベルに設定されることが容易に理
解される。なお、アツプダウンカウンタ35,3
9には説明はしないが上、下眼のカウント数スト
ツパを設定することは当然のことである。又、タ
イミング・ゼネレータTMGEから同カウンタ3
5,39へるタイミングパルスは所定の時間、
AGC出力をラツチするためのものである。 第10図は、たとえば合焦位置検知方式におい
て、高速なる蓄積時間制御を行ない得る蓄積時間
制御AGCの異なる具体例を示す図である。同図
に於て、破線で示すブロツクが第2図示の蓄積時
間制御回路AGCに対応するものであり、コンパ
レータCOMPA,COMPB及びブルーミングセン
サBLMSの出力をとり込み、その出力としての
AGC信号を出力線40を介してタイミング・ゼ
ネレータTMGEに与えるものである。タイミン
グ・ゼネレータTMGEからはパワーアツプクリ
ヤ信号を入力線41を介し更にAGCレベルすな
わち蓄積時間更新のためのストローブパルスを入
力線42を介して受容している。43はROM
(Read Ouly Memory)、44は6ビツトDフリ
ツプフロツプである。ROM43の端子A0〜A5
Dフリツプフロツプ44の出力を受ける様になさ
れており、A6,A7は先述のコンパレータ
COMPAとCOPPBの出力を受容する様になされ
ており、A8はBLM信号を受ける様になつてい
る。ROM43の出力端子D0〜D4はCOMPA,
COMPB,BLMの出力状態とA0〜A4の状態によ
つて決定される出力データを発生する。D5は逐
次近似又は追従制御の指令を行なう出力端子であ
る。D0〜D5は6ビツトDフリツプフロツプ44
の入力に接続され、タイミング・ゼネレータ
TMGEからの蓄積時間更新ストローブ毎にD6
D5の信号を出力端にラツチし、これをAGC信号
として信号線40を介してタイミング・ゼネレー
タTMGEに送ると共にその状態をROM43のA0
〜A5入力情報としてROM43に入力する。信号
線41を介して送られるパワーアツプクリヤ信号
はシステムの電源投入時の信号で同信号により6
ビツトDフリツプフロツプ44はクリヤーされ、
ROM43にはパワーアツプクリヤ信号が入力さ
れたときはA0〜A5信号としては全て0の状態が
与えられる。以上の構成から成る蓄積時間制御回
路AGCの動作は第1表の状態遷移表によつて理
解される。
【表】 第1表に於て、COMPA(ADR7)及び
COMPB(ADR6)はコンパレータCOMPA,
COMPBの出力状態を示す。すなわち共に0のと
きは蓄積時間が短かすぎて画像信号が不十分なレ
ベルの場合、共に1のときは逆に蓄積時間が長す
ぎて画像信号が飽和気味である場合、COMPB=
1,COMPA=0は適正な画像信号が得られてい
ることを示す。またBLOOM=1はブルーミング
発生をBLOOM=0は非発生を示す。まず、
BLOOM=0の場合の動作を説明する。UD/
(ADR5)は逐次近似又は追従制御のモードを表
わし、0は逐次近似モードを、1は追従制御モー
ドを示すものとする。各行のOLDDATA
(ADRO―4)=i(i=0,1,2,…31)は
ROM43のA0〜A4の入力状態すなわち、蓄積時
間更新の前回のストローブによつて設定された蓄
積時間に対応しており各iには適当な長さの蓄積
時間がiが大なる程長蓄積時間として対応してい
る。各行、列の要素は前回のストローブによつて
設定された蓄積時間状態に対して、COMPA,
COMPBの今回の情報及びUD/で表わされる
モードにより、どの蓄積時間に移行すべきかを示
すものであり、同要素に付属の括孤内のD5=0
又はD5=1の記号は前者の場合は逐次近似モー
ドを保持する命令を示し、後者は追従制御モード
に移行する命令を示している。たとえば、システ
ム動作開始時にパワーアツプクリヤ信号が6ビツ
トDフリツプフロツプ44に与えられるとA0
A4は全て0になる。(第1行OLD DATA
(ADRO―4)=0)。この状態ではD5=0となる
から必らず遂次近似モードになつている。ここで
COMPAとCOMPBの状態のいかんにかかわら
ず、次のストローブで逐次近似モードのまま16
に蓄積時間が伸ばされる。この状態でCOMPA=
COMPB=0であるとすると、すなわち蓄積時間
が短かすぎると次のストローブでは24に蓄積時
間が伸ばされる。か様にしてこの様な場合には蓄
積時間が1ステツプずつ伸長されるのではなく、
全ステツプ32の中央にとび、次に中央から長い
方への半分、すなわち、24に移行するようにな
つている。もしこの状態で、次のストローブで
COMPA=COMPB=1すなわち蓄積時間が長過
ぎる状態になつたとすると図より以下のストロー
ブで20の蓄積時間に設定される。これは、前回
24と前々回16の中央値であり、遂次近似的に
蓄積時間が制御される。この状態で、COMPA=
0,COMPB=1すなわち適切な蓄積時間が設定
されたとすると図より次のストローブでは蓄積時
間は同じく20で、D5=1となり、追従制御モ
ードに移行する。一旦追従制御モードに移行すれ
ば、後はコンパレータの出力の組合わせに応じ
て、蓄積時間は1ステツプずつ制御されることは
第1表をか様な具合に読むことにより容易に理解
できる。 以上はブルーミングが生じないときの本AGC
の動作の説明であつた。すなわち、ブルーミング
が発生しない場合はパワーアツプ時には遂次近
似、その後は追従制御モードで蓄積時間が切換え
られているが、ブルーミングが発生した場合の本
回路の動作を、 遂次近似モード時にBLM=1となつた場合
と 追従制御モード時にBLM=1となつた場合 に分けて説明する。)の場合は第11図で右端
より2列目の個所に対応しており、この場合は
BLM=1となるとただちに追従制御モード(D5
=1)に移行し、かつ最短蓄積時間に無条件に遷
移することが理解できる。)の場合は同図で右
端の列に対応しており、BLM=1になると直ち
に、遂次近似モードにり、無条件に蓄積時間設定
を初期状態からやり直す動作が行なわれるもので
ある。但し、初期状態では16(中央)である
が、この値はシステムの条件に従つて適宜(例え
ば8にも)定め得るものである。何となれば、1
6を初期状態にするのは明る過ぎる可能性がある
ためで、多少短かめに設定するのが良いものであ
る。 第2表は上述の状態遷移に対応する動作を得る
ためのROM43のプログラム内容を示すもので
ある。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 以上の第1表及び第2表により、第10図示の
蓄積時間制御回路AGCの全動作が理解できる。 以上述べた様に本発明の方式によれば、システ
ムのパワーオン時から正しいシステム動作が行な
われる迄の時間が、所定の初期蓄積時間から1ス
テツプ毎に蓄積時間を伸長又は短縮する場合に比
して、極めて、短時間で適正な蓄積時間に到達で
きるのみならず動作中のブルーミングに際しても
速やかに適正信号レベルが得られることにより、
本発明を用いるに適したたとえば合焦検知装置等
の動作の高速化をはかることができるものであ
る。なお、本発明の方式は、必らずしもROMを
用いる必要は無く、PLA(Programmable Logic
Array)でも、あるいは、ワイアードロジツクで
も実現可能であり、更には、TI社製型番74LS502
で指定されるアクセシブ・アプロキシメイシヨ
ン・レジスタ(Success―ive Approaximation
Register)と同じくたとえば型番74LS161で指定
されるプリセツタブル・アツプダウン・カウンタ
との組合わせにても、同様の方法が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を適用可能な合焦位置検知装置
の一例の合焦位置検知の原理を説明するための模
式図で、aは該装置の光学的配置構成を、bはa
に於ける光電変換素子の受光部の構成を、cはa
に於ける3点での像の鮮明度の変化の様子を示
す。第2図は第1図で説明した原理に従う、本発
明の一実施例を採用した合焦位置検知装置の電気
回路系の構成を示すブロツクダイアグラム、第3
図は第2図示回路系に於けるバランス調整回路の
一例を示す部分回路図、第4図は第2図示回路系
に於ける蓄積時間適否判定用ウインド・コンパレ
ータの作用関係を説明するための信号波形図、第
5図は第2図示回路系に於ける主要回路ブロツク
の出力を示す出力波形図、第6図は第2図示回路
系に於けるブルーミング・センサーのブルーミン
グ検出の原理を説明するための図、第7図は第6
図で説明したブルーミング検出法に従う上記ブル
ーミング・センサーの具体例を示すブロツクダイ
アグラム、第8図及び第9図は第7図示ブルーミ
ング・センサーと共に使用可能な蓄積時間制御回
路の具体例を示すブロツクダイアグラム、第10
図は第2図示回路系に於ける蓄積時間制御回路の
具体例を示すブロツクダイアグラムである。 6…信号蓄積型光電変換手段(CCD)、19…
光電変換部、20…転送部、20′…空転送部、
21…遮光部、BLMS…ブルーミング・センサ
ー、AGC…信号蓄積時間制御回路、35,39
…アツプ・ダウン・カウンタ、43…ROM、4
4…Dフリツプフロツプ、TMGE…タイミン
グ・ゼネレータ、SHB…サンプルホールド回路、
COMPA,COMPB…コンパレータ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 入射光に応じた電気信号を蓄積可能な信号蓄
    積型光電変換素子、 該信号蓄積型光電変換素子からの電気信号に応
    じて該信号蓄積型光電変換素子の信号蓄積時間を
    制御する際に、前記電気信号のレベルが所定のレ
    ベルとなるように蓄積時間を所定の1ステツプず
    つ可変制御する第1のモードと、前記電気信号の
    レベルが所定のレベルとなるように蓄積時間を少
    なくとも最初は複数スチツプずつ可変制御する第
    2のモードとを有する蓄積時間制御手段、 前記信号蓄積時間が入射光量に対して著しく長
    い場合にこれを検出する検出手段、 前記第1のモード中に前記検出手段の出力が得
    られた場合に前記蓄積時間制御手段による信号蓄
    積時間の制御を第2のモードとする切り換え手
    段、 を有することを特徴とする信号蓄積型光電変換素
    子の信号蓄積時間制御方式。 2 前記蓄積時間制御手段は前記第2のモードに
    おいて蓄積時間を制御するにあたり前記複数ステ
    ツプの数を漸次減少させることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項の信号蓄積型光電変換素子の信
    号蓄積時間制御方式。 3 前記蓄積時間制御手段は少なくとも電源投入
    に際して前記第2のモードにより信号蓄積時間を
    制御開始することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項の信号蓄積型光電変換素子の信号蓄積時間制
    御方式。
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