JPH02307215A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02307215A JPH02307215A JP1129756A JP12975689A JPH02307215A JP H02307215 A JPH02307215 A JP H02307215A JP 1129756 A JP1129756 A JP 1129756A JP 12975689 A JP12975689 A JP 12975689A JP H02307215 A JPH02307215 A JP H02307215A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- potential
- resist
- alkaline
- resist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＬＳＩなどの製造の際に利用するレジストパ
ターン形成方法に関するものである。
ターン形成方法に関するものである。
従来の技術
現在、一般的なポジ型紫外光（以下ＵＶ光という）レジ
スト（以下ホトレジストという）は、アルカリ溶液（現
像液）に溶解するノボラック樹脂〈ベースポリマー）と
オルソキノンジアジドからなる感光剤の混合物である。
スト（以下ホトレジストという）は、アルカリ溶液（現
像液）に溶解するノボラック樹脂〈ベースポリマー）と
オルソキノンジアジドからなる感光剤の混合物である。
前記感光剤は、Ｕｖ露光されると次式のとおり、最終的
にアルカリ溶液（たとえば水酸化テトラメチルアンモニ
ウムなど）に対して極めて溶解度の高いカルボン酸を生
じる。
にアルカリ溶液（たとえば水酸化テトラメチルアンモニ
ウムなど）に対して極めて溶解度の高いカルボン酸を生
じる。
また、オルソキノンジアジドは、ノボラック樹脂のアル
カリ溶液に対する溶解の抑止剤として働くので、レジス
ト膜は感光していない状態ではアルカリ溶解に対して極
めて溶解度が低い。
カリ溶液に対する溶解の抑止剤として働くので、レジス
ト膜は感光していない状態ではアルカリ溶解に対して極
めて溶解度が低い。
このＵＶ光の照射された領域（露光部）と、ＵＶ光の照
射されていない領域（未露光部）の現像液に対する溶解
度の差を利用して、基板上にレジストパターンを形成す
るのが、現在のリソグラフィー技術である。
射されていない領域（未露光部）の現像液に対する溶解
度の差を利用して、基板上にレジストパターンを形成す
るのが、現在のリソグラフィー技術である。
このレジストパターン形成時の現像は静止パドル法が使
用され、現像時間は一定時間で行われている。
用され、現像時間は一定時間で行われている。
発明が解決しようとする課題
現在のリソグラフィーは、上記のようにＵＶ光の照射さ
れた領域（露光部）とＵＶ光の照射されていない領域（
未露光部）の現像液に対する溶解度の差を利用して基板
上にレジストパターンを形成する。現在の現像方法は、
静止パドル法が主であるが、現象の終結点を検出できな
いため現像時間は一定で行っている。このため、下地の
形状ヤ躾質により、オーバー現像あるいはアンダー現像
になり、レジスト形状あるいはパターン寸法にばらつき
が生じるという問題がある。
れた領域（露光部）とＵＶ光の照射されていない領域（
未露光部）の現像液に対する溶解度の差を利用して基板
上にレジストパターンを形成する。現在の現像方法は、
静止パドル法が主であるが、現象の終結点を検出できな
いため現像時間は一定で行っている。このため、下地の
形状ヤ躾質により、オーバー現像あるいはアンダー現像
になり、レジスト形状あるいはパターン寸法にばらつき
が生じるという問題がある。
本発明は、上記の問題を解決するもので、レジスト寸法
あるいは形状のばらつきが少ないレジストパターンを形
成することかできるレジストパターン形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
あるいは形状のばらつきが少ないレジストパターンを形
成することかできるレジストパターン形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記の課題を解決するために本発明のレジストパターン
形成方法は、基板上にポジ型ホトレジストを塗布し、前
記ポジ型ホトレジストに所定の回路パターンを露光した
のちアルカリ現像する際、アルカリ現像液の電導度の変
化を検出して現像時間を決定するものである。
形成方法は、基板上にポジ型ホトレジストを塗布し、前
記ポジ型ホトレジストに所定の回路パターンを露光した
のちアルカリ現像する際、アルカリ現像液の電導度の変
化を検出して現像時間を決定するものである。
作用
ポジ型ホトレジストにＵＶ光照射すると、上記の （１
）式に示すようにポジ型ホトレジスト中の感光剤のオル
ソキノジアジドが変化してカルボン酸を生成する。この
生成したカルボン酸は（２）式に示すようにたとえば水
酸化テトラメチルアンモニウムのようなアルカリ現像液
に溶解する。
）式に示すようにポジ型ホトレジスト中の感光剤のオル
ソキノジアジドが変化してカルボン酸を生成する。この
生成したカルボン酸は（２）式に示すようにたとえば水
酸化テトラメチルアンモニウムのようなアルカリ現像液
に溶解する。
本発明は、上記のように感光したホトレジス１−をアル
カリ現像液に溶解させる際、アルカリ現像液中の可動イ
オンを電導度の変化で検出するものであり、これにより
現像液の状態を一定にすることで、レジスト形状および
寸法のばらつきを減少することができる。
カリ現像液に溶解させる際、アルカリ現像液中の可動イ
オンを電導度の変化で検出するものであり、これにより
現像液の状態を一定にすることで、レジスト形状および
寸法のばらつきを減少することができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例のレジストパターン形成方法
の説明図である。
の説明図である。
まず、シリコン基板１の上にノボラック樹脂を主成分と
し、感光剤としてオルソキノアジドを含有するポジ型ホ
トレジスト２を塗布する。塗布したのち、ホットプレー
トで１００℃、９０秒間のいわゆるブリベータを行う。
し、感光剤としてオルソキノアジドを含有するポジ型ホ
トレジスト２を塗布する。塗布したのち、ホットプレー
トで１００℃、９０秒間のいわゆるブリベータを行う。
こののち、所定の回路パターンをステッパー（露光波長
４３６ｒｍ）を用いて前記ポジ型ホトレジスト２の上に
転写して露光部２ａと未露光部２ｂとを形成する。この
とき、露光部２ａで上記（１）式の反応がおこり、オル
ソキノンジアジドからカルボン酸が生成する。この後、
アルカリ現像液３で静止パドル現像を行う。このとき、
上記（２）式の反応がおこり露光部２ａは、アルカリ現
像液３に溶解する。この反応は、酸と＠基の中和反応で
ある。このときのアルカリ現像液３の電導度の変化を、
電極４、電圧計５によりその電位の変化として測定する
。電極４は力ロメロ電極のような溶液の電位を測定でき
る電極を使用する。この反応の電位の変化は、露光部２
ａの領域によって異なるが、はぼ数ｍＶ（電源６による
印加電圧１Ｖのとき）の低下が見られる。この反応は強
塩基と弱酸の反応のため、電位の変化は第２図のように
なる。現像時間は、たとえば電位の変化がなくなった時
間ｔ１に１０秒プラスした時間ｔ２に決めた。この現＠
時間の決定は、段差上でレジスト残りをなくするため、
若干オーバー現像となるように行った。７は基板１の回
転用のモータである。
４３６ｒｍ）を用いて前記ポジ型ホトレジスト２の上に
転写して露光部２ａと未露光部２ｂとを形成する。この
とき、露光部２ａで上記（１）式の反応がおこり、オル
ソキノンジアジドからカルボン酸が生成する。この後、
アルカリ現像液３で静止パドル現像を行う。このとき、
上記（２）式の反応がおこり露光部２ａは、アルカリ現
像液３に溶解する。この反応は、酸と＠基の中和反応で
ある。このときのアルカリ現像液３の電導度の変化を、
電極４、電圧計５によりその電位の変化として測定する
。電極４は力ロメロ電極のような溶液の電位を測定でき
る電極を使用する。この反応の電位の変化は、露光部２
ａの領域によって異なるが、はぼ数ｍＶ（電源６による
印加電圧１Ｖのとき）の低下が見られる。この反応は強
塩基と弱酸の反応のため、電位の変化は第２図のように
なる。現像時間は、たとえば電位の変化がなくなった時
間ｔ１に１０秒プラスした時間ｔ２に決めた。この現＠
時間の決定は、段差上でレジスト残りをなくするため、
若干オーバー現像となるように行った。７は基板１の回
転用のモータである。
以上のようにしてレジストパターンを形成したことによ
り、下地の形状や膜質などによってアンダー現像や大幅
なオーバー現像を起こすようなことがなく、レジスト形
状および寸法のばらつきが非常に減少し、良好なレジス
トパターンを形成することができた。
り、下地の形状や膜質などによってアンダー現像や大幅
なオーバー現像を起こすようなことがなく、レジスト形
状および寸法のばらつきが非常に減少し、良好なレジス
トパターンを形成することができた。
発明の効果
以上のように本発明のレジストパターン形成方法によれ
ば、従来の一定時間現象を行う場合と比べて、アルカリ
現像液のｚ ４度の変化を検出して現像時間を決定する
ので、下地の形状や膜質が変動しても非常に簡単にレジ
スト形状あるいは寸法のばらつきを制御でき、その実用
的効果は極めて大である。
ば、従来の一定時間現象を行う場合と比べて、アルカリ
現像液のｚ ４度の変化を検出して現像時間を決定する
ので、下地の形状や膜質が変動しても非常に簡単にレジ
スト形状あるいは寸法のばらつきを制御でき、その実用
的効果は極めて大である。
第１図は本光明の一実施例のレジストパターン形成方法
の説明図、第２図は同レジストパターン形成方法におけ
る現象時間とアルカリ現像液の電圧の関係を示ず図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・ポジ型ホトレジスト、
２ａ・・・露光部、２ｂ・・・未露光部、３・・・アル
カリ現像液。 代理人 森 本 義 私 用１図 ３−−−アルカリチ見づ掟５ｇｌ 第２図 一視壇埼藺ｆｆで２
の説明図、第２図は同レジストパターン形成方法におけ
る現象時間とアルカリ現像液の電圧の関係を示ず図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・ポジ型ホトレジスト、
２ａ・・・露光部、２ｂ・・・未露光部、３・・・アル
カリ現像液。 代理人 森 本 義 私 用１図 ３−−−アルカリチ見づ掟５ｇｌ 第２図 一視壇埼藺ｆｆで２
Claims (1)
- １、基板上にポジ型ホトレジストを塗布し、前記ポジ型
ホトレジストに所定の回路パターンを露光したのち、ア
ルカリ現像する際、アルカリ現像液の電導度の変化を検
出して現像時間を決定することを特徴とするレジストパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129756A JPH02307215A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129756A JPH02307215A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02307215A true JPH02307215A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15017419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129756A Pending JPH02307215A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02307215A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005077781A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toppan Printing Co Ltd | 現像時間の管理装置及び現像時間の管理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169268U (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-04 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1129756A patent/JPH02307215A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169268U (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005077781A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toppan Printing Co Ltd | 現像時間の管理装置及び現像時間の管理方法 |
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