JPH1124285A - レジスト用現像液 - Google Patents
レジスト用現像液Info
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- JPH1124285A JPH1124285A JP9172115A JP17211597A JPH1124285A JP H1124285 A JPH1124285 A JP H1124285A JP 9172115 A JP9172115 A JP 9172115A JP 17211597 A JP17211597 A JP 17211597A JP H1124285 A JPH1124285 A JP H1124285A
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- developer
- block copolymer
- ethylene oxide
- propylene oxide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】現像均一性、残膜特性、パターン形状の良好な
レジストパターンを得ることができ、現像のプロセス依
存性が少ないレジスト用現像液を提供する。 【解決手段】金属イオンを含まない有機塩基を主剤とす
るレジスト用現像液に、プロピレンオキサイドエチレン
オキサイドブロック共重合系界面活性剤を10〜500
ppm添加したレジスト用現像液である。プロピレンオ
キサイドエチレンオキサイドブロック共重合系界面活性
剤としては、一般式(I):HO(C2 H4 O)k −
(C3 H6 O)m −(C2 H4 O)n H 或いは一般式
(II):HO(C3 H6 O)p −(C2 H4 O)q −
(C3 H6 O)r H(式中、k、m、n、p、q,rは
それぞれ同じか異なる整数を表わす。)で示される共重
合体が良好に用いられる。また、この現像液は、ポジ型
レジストの現像に好ましく使用できる。
レジストパターンを得ることができ、現像のプロセス依
存性が少ないレジスト用現像液を提供する。 【解決手段】金属イオンを含まない有機塩基を主剤とす
るレジスト用現像液に、プロピレンオキサイドエチレン
オキサイドブロック共重合系界面活性剤を10〜500
ppm添加したレジスト用現像液である。プロピレンオ
キサイドエチレンオキサイドブロック共重合系界面活性
剤としては、一般式(I):HO(C2 H4 O)k −
(C3 H6 O)m −(C2 H4 O)n H 或いは一般式
(II):HO(C3 H6 O)p −(C2 H4 O)q −
(C3 H6 O)r H(式中、k、m、n、p、q,rは
それぞれ同じか異なる整数を表わす。)で示される共重
合体が良好に用いられる。また、この現像液は、ポジ型
レジストの現像に好ましく使用できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト用現像
液、更に詳しくは、レジスト膜への濡れ性が良好で、泡
の発生がなく、現像液の少量使用による現像においても
現像均一性、残膜特性、パターン形状の良好なレジスト
パターンを得ることができ、かつレジストの性能に悪影
響を与えない、好ましくはポジ型フォトレジストの現像
に用いることができるレジスト用現像液に関する。
液、更に詳しくは、レジスト膜への濡れ性が良好で、泡
の発生がなく、現像液の少量使用による現像においても
現像均一性、残膜特性、パターン形状の良好なレジスト
パターンを得ることができ、かつレジストの性能に悪影
響を与えない、好ましくはポジ型フォトレジストの現像
に用いることができるレジスト用現像液に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路素子、集積回路製
造用マスク、液晶表示素子、カラーフィルター、プリン
ト配線板、印刷板などを製造する場合、基板に対する選
択的エッチング或いは拡散処理等のため、或いは画素の
形成等のため、フォトリソグラフィー技術が用いられて
いる。フォトリソグラフィー技術を用いてレジスト画像
を形成する方法としては、通常紫外線、X線、電子線な
どの活性光線に感応する放射線感応性組成物、いわゆる
フォトレジストを基板にスピンコート、ローラーコー
ト、浸漬法等周知あるいは公知の方法で塗布し、紫外
線、電子線、X線等の放射線により露光した後、アルカ
リ性現像液を用いて現像する方法がとられている。この
フォトレジストにはポジ型とネガ型があり、前者は露光
部が現像液に溶解するが、非露光部が溶解しないタイプ
であり、後者は逆のタイプである。近年電子工業が目覚
ましく発展し、これに伴い半導体素子の高集積度化が要
求されるようになり、レジストも高解像度のものが要求
され、レジストとして解像力の優れたポジ型レジストが
多用されるようになっている。ポジ型フォトレジストの
代表的なものとしては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物とからなる
キノンジアジドタイプのフォトレジスト、化学増幅型レ
ジストが挙げられる。一方、半導体素子などを製造する
場合には、現像液として金属イオンを含有するアルカリ
性水溶液を用いると製品特性に悪影響がでるため、金属
イオンを含まない塩基、例えば水酸化テトラメチルアン
モニウム(IBM 「Technical Disclosure Bulletin 」第
13巻、第7号、第2009頁、1970年)や水酸化2−ヒドロ
キシエチルトリメチルアンモニウム(コリン)(米国特
許第4239661号)などの有機塩基の水溶液が現像
液として用いられている。
造用マスク、液晶表示素子、カラーフィルター、プリン
ト配線板、印刷板などを製造する場合、基板に対する選
択的エッチング或いは拡散処理等のため、或いは画素の
形成等のため、フォトリソグラフィー技術が用いられて
いる。フォトリソグラフィー技術を用いてレジスト画像
を形成する方法としては、通常紫外線、X線、電子線な
どの活性光線に感応する放射線感応性組成物、いわゆる
フォトレジストを基板にスピンコート、ローラーコー
ト、浸漬法等周知あるいは公知の方法で塗布し、紫外
線、電子線、X線等の放射線により露光した後、アルカ
リ性現像液を用いて現像する方法がとられている。この
フォトレジストにはポジ型とネガ型があり、前者は露光
部が現像液に溶解するが、非露光部が溶解しないタイプ
であり、後者は逆のタイプである。近年電子工業が目覚
ましく発展し、これに伴い半導体素子の高集積度化が要
求されるようになり、レジストも高解像度のものが要求
され、レジストとして解像力の優れたポジ型レジストが
多用されるようになっている。ポジ型フォトレジストの
代表的なものとしては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物とからなる
キノンジアジドタイプのフォトレジスト、化学増幅型レ
ジストが挙げられる。一方、半導体素子などを製造する
場合には、現像液として金属イオンを含有するアルカリ
性水溶液を用いると製品特性に悪影響がでるため、金属
イオンを含まない塩基、例えば水酸化テトラメチルアン
モニウム(IBM 「Technical Disclosure Bulletin 」第
13巻、第7号、第2009頁、1970年)や水酸化2−ヒドロ
キシエチルトリメチルアンモニウム(コリン)(米国特
許第4239661号)などの有機塩基の水溶液が現像
液として用いられている。
【0003】ところで、フォトレジストの現像法には、
浸漬現像法、スプレー現像法、パドル現像法、揺動現像
法、静止現像法等種々の方法が知られており、集積回路
の製造においては現像法としてパドル現像法が広く採用
されている。パドル現像法では現像液のレジスト膜に対
する濡れ性が重要であり、特に近年ウエハーが大口径化
し、大口径のウエハーで均質、かつ良質の微細レジスト
画像を得るためには、更に現像液の濡れ特性の重要性が
増している。また、良質の微細レジスト画像を得るため
には、レジスト膜と現像液との現像時間を厳しく制御す
ることも極めて重要である。なぜなら、短時間の現像で
は本来現像によって除去されるべき露光部が十分に除去
されず、膜残りが発生し、反対に長時間の現像ではレジ
ストと基板との接着性が低下し、未露光部の基板界面で
のアンダーカットが入り、歩留りが急速に低下するから
である。また現像液の濡れ性が悪いと、ウエハー全体に
おいて現像剤とレジスト膜との接触時間を同一にするこ
とことが難しく、このためウエハー全体の均一な現像が
難しいという問題もある。通常レジスト現像液にはアル
カリ水溶液が用いられているが、界面活性剤を用いない
場合現像液のレジストに対する濡れ性は良くなく、この
ため現像液の濡れ性を改善する目的で現像液中に界面活
性剤を添加することが提案され(例えば特開昭58−5
7128号公報、特開昭62−32453号公報、特開
平1−257846号公報等)、実用化もされている。
しかし、現像液に界面活性剤を添加した場合泡が生じ易
く、この泡によりレジストと現像液との接触が阻害さ
れ、膜残りなど現像不良が発生することがある。この泡
の消泡のために消泡剤を現像液に添加することも行われ
ている(例えば、特開昭49−91177号、特開昭5
9−182444号)が、シリコン系消泡剤のように効
果の著しいものは、現像不良を起こし易い、或いは一時
的な消泡効果は認められるものの持続性がないという問
題がある。また、ポジ型フォトレジスト用現像液に界面
活性剤を加えた場合感度が高くなり、未露光部の減膜量
も多くなるという問題がある。また界面活性剤の添加に
より現像液の溶解力が向上し、未露光部の溶解速度が速
くなり、結果的にレジスト膜の露光部と未露光部との溶
解度差が落ち、溶解コントラストの低下が起こり、結果
として現像後のレジスト形状が矩形でなく台形となり、
画像品質が損なわれるという問題点もある。更に、添加
する界面活性剤の溶解性も重要な要件である。これは、
界面活性剤が未溶解のまま現像液中に存在すると、固体
状或いはゲル状物の未溶解物が、半導体回路作成時の汚
染(所謂コンタミ)源となったり、レジストパターンの
欠陥の原因となったりするからである。
浸漬現像法、スプレー現像法、パドル現像法、揺動現像
法、静止現像法等種々の方法が知られており、集積回路
の製造においては現像法としてパドル現像法が広く採用
されている。パドル現像法では現像液のレジスト膜に対
する濡れ性が重要であり、特に近年ウエハーが大口径化
し、大口径のウエハーで均質、かつ良質の微細レジスト
画像を得るためには、更に現像液の濡れ特性の重要性が
増している。また、良質の微細レジスト画像を得るため
には、レジスト膜と現像液との現像時間を厳しく制御す
ることも極めて重要である。なぜなら、短時間の現像で
は本来現像によって除去されるべき露光部が十分に除去
されず、膜残りが発生し、反対に長時間の現像ではレジ
ストと基板との接着性が低下し、未露光部の基板界面で
のアンダーカットが入り、歩留りが急速に低下するから
である。また現像液の濡れ性が悪いと、ウエハー全体に
おいて現像剤とレジスト膜との接触時間を同一にするこ
とことが難しく、このためウエハー全体の均一な現像が
難しいという問題もある。通常レジスト現像液にはアル
カリ水溶液が用いられているが、界面活性剤を用いない
場合現像液のレジストに対する濡れ性は良くなく、この
ため現像液の濡れ性を改善する目的で現像液中に界面活
性剤を添加することが提案され(例えば特開昭58−5
7128号公報、特開昭62−32453号公報、特開
平1−257846号公報等)、実用化もされている。
しかし、現像液に界面活性剤を添加した場合泡が生じ易
く、この泡によりレジストと現像液との接触が阻害さ
れ、膜残りなど現像不良が発生することがある。この泡
の消泡のために消泡剤を現像液に添加することも行われ
ている(例えば、特開昭49−91177号、特開昭5
9−182444号)が、シリコン系消泡剤のように効
果の著しいものは、現像不良を起こし易い、或いは一時
的な消泡効果は認められるものの持続性がないという問
題がある。また、ポジ型フォトレジスト用現像液に界面
活性剤を加えた場合感度が高くなり、未露光部の減膜量
も多くなるという問題がある。また界面活性剤の添加に
より現像液の溶解力が向上し、未露光部の溶解速度が速
くなり、結果的にレジスト膜の露光部と未露光部との溶
解度差が落ち、溶解コントラストの低下が起こり、結果
として現像後のレジスト形状が矩形でなく台形となり、
画像品質が損なわれるという問題点もある。更に、添加
する界面活性剤の溶解性も重要な要件である。これは、
界面活性剤が未溶解のまま現像液中に存在すると、固体
状或いはゲル状物の未溶解物が、半導体回路作成時の汚
染(所謂コンタミ)源となったり、レジストパターンの
欠陥の原因となったりするからである。
【0004】このように、レジスト用現像液には、
(1)露光部と未露光部との溶解コントラストが高く、
(2)レジスト表面に対する濡れ性が良く、(3)現像
域全体にわたる現像均一性に優れ、(4)泡が発生しに
くく、また発生したとしても速やかに消泡し、(5)現
像時の温度、時間、方法等のプロセス依存性が少なく、
(6)レジストの特性に悪影響を与えず、(7)現像液
添加成分の溶解性が良好であり、(8)少量の添加成分
の使用によって良好な特性を得ることができる等種々の
条件を満たすことが必要である。更に近年環境問題の意
識の高まりがあり、これに対処すべく廃液の絶対量を減
らす観点から、また経済的観点からも出来るだけ使用現
像液量を削減するという要求も強くなってきている。
(1)露光部と未露光部との溶解コントラストが高く、
(2)レジスト表面に対する濡れ性が良く、(3)現像
域全体にわたる現像均一性に優れ、(4)泡が発生しに
くく、また発生したとしても速やかに消泡し、(5)現
像時の温度、時間、方法等のプロセス依存性が少なく、
(6)レジストの特性に悪影響を与えず、(7)現像液
添加成分の溶解性が良好であり、(8)少量の添加成分
の使用によって良好な特性を得ることができる等種々の
条件を満たすことが必要である。更に近年環境問題の意
識の高まりがあり、これに対処すべく廃液の絶対量を減
らす観点から、また経済的観点からも出来るだけ使用現
像液量を削減するという要求も強くなってきている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はこのよ
うな上記レジスト用現像液に要求される諸特性を満たす
現像液を提供すること、即ちレジスト膜への濡れ性、露
光部と非露光部の溶解選択性が良好で、泡の発生がな
く、現像液の少量使用による現像においても現像均一
性、残膜特性、パターン形状の良好なレジストパターン
を得ることができ、よって現像のプロセス依存性が少な
く、かつレジストの性能に悪影響を与えない、少ない使
用量で現像可能なレジスト用現像液を提供することにあ
る。
うな上記レジスト用現像液に要求される諸特性を満たす
現像液を提供すること、即ちレジスト膜への濡れ性、露
光部と非露光部の溶解選択性が良好で、泡の発生がな
く、現像液の少量使用による現像においても現像均一
性、残膜特性、パターン形状の良好なレジストパターン
を得ることができ、よって現像のプロセス依存性が少な
く、かつレジストの性能に悪影響を与えない、少ない使
用量で現像可能なレジスト用現像液を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、金属イオンを含まない有機塩基を主剤とす
るレジスト用現像液に対し、プロピレンオキサイドエチ
レンオキサイドブロック共重合系界面活性剤を特定量添
加することにより、上記目的が達成できることを見出
し、本発明をなしたものである。
重ねた結果、金属イオンを含まない有機塩基を主剤とす
るレジスト用現像液に対し、プロピレンオキサイドエチ
レンオキサイドブロック共重合系界面活性剤を特定量添
加することにより、上記目的が達成できることを見出
し、本発明をなしたものである。
【0007】すなわち、本発明の請求項1の発明は、金
属イオンを含まない有機塩基を主剤とするレジスト用現
像液に、プロピレンオキサイドエチレンオキサイドブロ
ック共重合系界面活性剤を10〜500ppm添加する
ことを特徴とするレジスト用現像液である。
属イオンを含まない有機塩基を主剤とするレジスト用現
像液に、プロピレンオキサイドエチレンオキサイドブロ
ック共重合系界面活性剤を10〜500ppm添加する
ことを特徴とするレジスト用現像液である。
【0008】また、本発明の請求項2の発明は、上記請
求項1のレジスト用現像液において、プロピレンオキサ
イドエチレンオキサイドブロック共重合系界面活性剤
が、下記一般式(I)で示されるプロピレンオキサイド
エチレンオキサイドブロック共重合体であることを特徴
とするレジスト用現像液である。
求項1のレジスト用現像液において、プロピレンオキサ
イドエチレンオキサイドブロック共重合系界面活性剤
が、下記一般式(I)で示されるプロピレンオキサイド
エチレンオキサイドブロック共重合体であることを特徴
とするレジスト用現像液である。
【0009】一般式(I) HO(C2 H4 O)k −(C3 H6 O)m −(C2 H4
O)n H (式中 k、m、nはそれぞれ同じか異なる整数を表わ
す。) また、本発明の請求項3の発明は、上記請求項1のレジ
スト用現像液において、プロピレンオキサイドエチレン
オキサイドブロック共重合系界面活性剤が、下記一般式
(II)で示されるプロピレンオキサイドエチレンオキサ
イドブロック共重合体であることを特徴とするレジスト
用現像液である。
O)n H (式中 k、m、nはそれぞれ同じか異なる整数を表わ
す。) また、本発明の請求項3の発明は、上記請求項1のレジ
スト用現像液において、プロピレンオキサイドエチレン
オキサイドブロック共重合系界面活性剤が、下記一般式
(II)で示されるプロピレンオキサイドエチレンオキサ
イドブロック共重合体であることを特徴とするレジスト
用現像液である。
【0010】一般式(II) HO(C3 H6 O)p −(C2 H4 O)q −(C3 H6
O)r H (式中、p、q、rはそれぞれ同じか異なる整数を表わ
す。) また、本発明の請求項4の発明は、上記一般式(I)で
表わされるプロピレンオキサイドエチレンオキサイドブ
ロック共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分子量
が900〜3500であり、かつポリエチレンオキサイ
ドの割合が10〜30重量%であることを特徴とする請
求項2記載のレジスト用現像液である。
O)r H (式中、p、q、rはそれぞれ同じか異なる整数を表わ
す。) また、本発明の請求項4の発明は、上記一般式(I)で
表わされるプロピレンオキサイドエチレンオキサイドブ
ロック共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分子量
が900〜3500であり、かつポリエチレンオキサイ
ドの割合が10〜30重量%であることを特徴とする請
求項2記載のレジスト用現像液である。
【0011】また、本発明の請求項5の発明は、レジス
ト用現像液が、ポジ型レジスト用現像液であることを特
徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のレジスト
用現像液である。
ト用現像液が、ポジ型レジスト用現像液であることを特
徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のレジスト
用現像液である。
【0012】以下本発明を更に詳細に説明する。
【0013】本発明のレジスト用現像液においては、ア
ルカリ成分として金属イオンを含まない有機塩基が用い
られる。レジスト用現像液のアルカリ成分として金属イ
オンを含まない有機塩基を用いることは、従来から公知
であり、本発明においては、これら公知の金属イオンを
含まない有機塩基の何れをも用いることができる。本発
明において用いることができる金属イオンを含まない有
機塩基を例示すると、水酸化テトラメチルアンモニウム
(TMAH)、水酸化2−ヒドロキシエチルトリメチル
アンモニウム(コリン)などの低級アルキル第四級アン
モニウム塩基;モノメチルアミン、ジメチルアミン、ト
リメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、
トリエチルアミンなどの直鎖または分岐状のアルキル基
あるいはアリール基置換の第一級、第二級または第三級
アミン;エタノールアミンのようなアルカノールアミ
ン;1,3−ジアミノプロパンのようなアルキレンジア
ミン;4,4’−ジアミノジフェニルアミンのようなア
リールアミン;ビス−(ジアルキルアミノ)イミンのよ
うなイミン類;ピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピ
リジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、オキサゾ
ール、チアゾールのような複素環式塩基などが挙げら
れ、これらの中で特に好ましいものは、水酸化テトラメ
チルアンモニウム及び水酸化2−ヒドロキシエチルトリ
メチルアンモニウムである。これら金属イオンを含まな
い有機塩基は、それぞれ単独で用いても、2種以上を組
み合わせて用いてもよい。またその濃度は、1重量%〜
10重量%、好ましくは1.5重量%〜5.5重量%の
範囲で使用することができる。
ルカリ成分として金属イオンを含まない有機塩基が用い
られる。レジスト用現像液のアルカリ成分として金属イ
オンを含まない有機塩基を用いることは、従来から公知
であり、本発明においては、これら公知の金属イオンを
含まない有機塩基の何れをも用いることができる。本発
明において用いることができる金属イオンを含まない有
機塩基を例示すると、水酸化テトラメチルアンモニウム
(TMAH)、水酸化2−ヒドロキシエチルトリメチル
アンモニウム(コリン)などの低級アルキル第四級アン
モニウム塩基;モノメチルアミン、ジメチルアミン、ト
リメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、
トリエチルアミンなどの直鎖または分岐状のアルキル基
あるいはアリール基置換の第一級、第二級または第三級
アミン;エタノールアミンのようなアルカノールアミ
ン;1,3−ジアミノプロパンのようなアルキレンジア
ミン;4,4’−ジアミノジフェニルアミンのようなア
リールアミン;ビス−(ジアルキルアミノ)イミンのよ
うなイミン類;ピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピ
リジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、オキサゾ
ール、チアゾールのような複素環式塩基などが挙げら
れ、これらの中で特に好ましいものは、水酸化テトラメ
チルアンモニウム及び水酸化2−ヒドロキシエチルトリ
メチルアンモニウムである。これら金属イオンを含まな
い有機塩基は、それぞれ単独で用いても、2種以上を組
み合わせて用いてもよい。またその濃度は、1重量%〜
10重量%、好ましくは1.5重量%〜5.5重量%の
範囲で使用することができる。
【0014】本発明のレジスト用現像液に用いられる界
面活性剤は、プロピレンオキサイドエチレンオキサイド
ブロック共重合系界面活性剤である。プロピレンオキサ
イドエチレンオキサイドブロック共重合系界面活性剤と
しては、代表的には、一般式: HO(C2 H4 O)k −(C3 H6 O)m −(C2 H4 O)n H (I) で示されるノーマルタイプのプロピレンオキサイドエチ
レンオキサイドブロック共重合体と、一般式: HO(C3 H6 O)p −(C2 H4 O)q −(C3 H6 O)r H (II) で示されるリバースタイプのプロピレンオキサイドエチ
レンオキサイドブロック共重合体が挙げられ、本発明に
おいては、これらのいずれのものをも用いることができ
る。なお、ここでk〜rはそれぞれ同じか異なる整数を
表わす。また、本発明においては、本発明の目的を達成
することができれば、上記一般式で示されたもの以外の
プロピレンオキサイドエチレンオキサイドブロック共重
合体を用いてもよい。
面活性剤は、プロピレンオキサイドエチレンオキサイド
ブロック共重合系界面活性剤である。プロピレンオキサ
イドエチレンオキサイドブロック共重合系界面活性剤と
しては、代表的には、一般式: HO(C2 H4 O)k −(C3 H6 O)m −(C2 H4 O)n H (I) で示されるノーマルタイプのプロピレンオキサイドエチ
レンオキサイドブロック共重合体と、一般式: HO(C3 H6 O)p −(C2 H4 O)q −(C3 H6 O)r H (II) で示されるリバースタイプのプロピレンオキサイドエチ
レンオキサイドブロック共重合体が挙げられ、本発明に
おいては、これらのいずれのものをも用いることができ
る。なお、ここでk〜rはそれぞれ同じか異なる整数を
表わす。また、本発明においては、本発明の目的を達成
することができれば、上記一般式で示されたもの以外の
プロピレンオキサイドエチレンオキサイドブロック共重
合体を用いてもよい。
【0015】上記一般式(I)又は(II)で示されるプ
ロピレンオキサイドエチレンオキサイド共重合体は、ポ
リプロピレンオキサイドとポリエチレンオキサイドの各
重合度(分子量) により、界面活性剤の現像液への溶解
性、現像液の起泡性、レジスト表面の濡れ性等が影響を
受ける。これら特性の影響は、界面活性剤の添加量によ
っても異なるが、例えば添加量を100ppm程度とす
る場合、一般式(I)で示される共重合体においては、
一般的には共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分
子量が900〜3500で、かつポリエチレンオキサイ
ドの割合が10〜30重量%であるものが好ましい結果
を与える。共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分
子量が900より少ないとレジストへの濡れ性が劣り、
また分子量が3500を越えると現像液への溶解性が悪
くなる。また、共重合体中のポリエチレンオキサイドに
関しては、共重合体中10重量%未満であると現像液へ
の溶解性、濡れ性などの問題が生じ、また30重量%を
越えると現像液への溶解性は良好であるが消泡性に問題
が生じ、現像均一性、残膜特性、レジスト特性、レジス
トパターン形状、感度、最少現像液量のいずれかに問題
が発生し、好ましくない。また、一般式(II)で示され
るリバースタイプのものにおいては、ポリエチレンオキ
サイドが分子の中央部に位置するためと思われるが、ノ
ーマルタイプのものに比べ、分子内のポリエチレンオキ
サイドの含有割合が更に多くても、例えば添加量50p
pmとした場合、50重量%以上となった場合にも消泡
性が良好で、好ましい結果を得ることができる。なお、
リバースタイプのプロピレンオキサイドエチレンオキサ
イド共重合体は、耐薬品性がノーマルタイプのものに比
べ優れているという特徴も有している。何れにしても、
共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分子量及びポ
リエチレンオキサイドの含有割合は、共重合体の添加量
により最適の結果が得られるように適宜選択すればよ
い。
ロピレンオキサイドエチレンオキサイド共重合体は、ポ
リプロピレンオキサイドとポリエチレンオキサイドの各
重合度(分子量) により、界面活性剤の現像液への溶解
性、現像液の起泡性、レジスト表面の濡れ性等が影響を
受ける。これら特性の影響は、界面活性剤の添加量によ
っても異なるが、例えば添加量を100ppm程度とす
る場合、一般式(I)で示される共重合体においては、
一般的には共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分
子量が900〜3500で、かつポリエチレンオキサイ
ドの割合が10〜30重量%であるものが好ましい結果
を与える。共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分
子量が900より少ないとレジストへの濡れ性が劣り、
また分子量が3500を越えると現像液への溶解性が悪
くなる。また、共重合体中のポリエチレンオキサイドに
関しては、共重合体中10重量%未満であると現像液へ
の溶解性、濡れ性などの問題が生じ、また30重量%を
越えると現像液への溶解性は良好であるが消泡性に問題
が生じ、現像均一性、残膜特性、レジスト特性、レジス
トパターン形状、感度、最少現像液量のいずれかに問題
が発生し、好ましくない。また、一般式(II)で示され
るリバースタイプのものにおいては、ポリエチレンオキ
サイドが分子の中央部に位置するためと思われるが、ノ
ーマルタイプのものに比べ、分子内のポリエチレンオキ
サイドの含有割合が更に多くても、例えば添加量50p
pmとした場合、50重量%以上となった場合にも消泡
性が良好で、好ましい結果を得ることができる。なお、
リバースタイプのプロピレンオキサイドエチレンオキサ
イド共重合体は、耐薬品性がノーマルタイプのものに比
べ優れているという特徴も有している。何れにしても、
共重合体中のポリプロピレンオキサイドの分子量及びポ
リエチレンオキサイドの含有割合は、共重合体の添加量
により最適の結果が得られるように適宜選択すればよ
い。
【0016】また、界面活性剤の添加量としては10〜
500ppmの添加量である場合上記諸特性を満たす現
像液を得ることができるが、一般的には10〜200p
pmが好ましい。
500ppmの添加量である場合上記諸特性を満たす現
像液を得ることができるが、一般的には10〜200p
pmが好ましい。
【0017】更に、本発明の現像液には、従来からレジ
スト用現像液に用いられることが知られている、湿潤
剤、安定剤、溶解助剤、残膜あるいはスカム防止剤など
の添加剤を適宜使用することができる。これらの添加剤
としては、例えば、プロピレンオキサイドエチレンオキ
サイドブロック共重合系界面活性剤以外のノニオン、ア
ニオン、カチオン界面活性剤、一価アルコール、ポリヒ
ドロキシ化合物などが挙げられる。
スト用現像液に用いられることが知られている、湿潤
剤、安定剤、溶解助剤、残膜あるいはスカム防止剤など
の添加剤を適宜使用することができる。これらの添加剤
としては、例えば、プロピレンオキサイドエチレンオキ
サイドブロック共重合系界面活性剤以外のノニオン、ア
ニオン、カチオン界面活性剤、一価アルコール、ポリヒ
ドロキシ化合物などが挙げられる。
【0018】本発明の現像液は、従来より公知のポジ型
或いはネガ型フォトレジストのいずれにも適用すること
ができるが、ポジ型フォトレジストに対して特に好まし
く用いることができる。本発明の現像液が適用できるフ
ォトレジストの代表的なものを挙げると、ポジ型として
は、ノボラック樹脂のようなアルカリ可溶性樹脂とキノ
ンジアジド系感光剤を含む組成物、化学増幅型レジスト
などが、またネガ型としては、ポリケイ皮酸ビニル等の
感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジ
ド化合物を含有するもの、或いは環化ゴムとビスアジド
化合物からなるようなアジド化合物含有組成物、ジアゾ
樹脂を用いるもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重
合性組成物、化学増幅型ネガレジスト等が挙げられる。
或いはネガ型フォトレジストのいずれにも適用すること
ができるが、ポジ型フォトレジストに対して特に好まし
く用いることができる。本発明の現像液が適用できるフ
ォトレジストの代表的なものを挙げると、ポジ型として
は、ノボラック樹脂のようなアルカリ可溶性樹脂とキノ
ンジアジド系感光剤を含む組成物、化学増幅型レジスト
などが、またネガ型としては、ポリケイ皮酸ビニル等の
感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジ
ド化合物を含有するもの、或いは環化ゴムとビスアジド
化合物からなるようなアジド化合物含有組成物、ジアゾ
樹脂を用いるもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重
合性組成物、化学増幅型ネガレジスト等が挙げられる。
【0019】また、本発明の現像液は、従来公知の現像
法のいずれの現像法においても使用することができる
が、特にパドル現像法、静止現像法等において使用する
場合においてより改善された特性が示されるため好まし
い。
法のいずれの現像法においても使用することができる
が、特にパドル現像法、静止現像法等において使用する
場合においてより改善された特性が示されるため好まし
い。
【0020】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を更に
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。なお、以下において、%はいずれも重
量%を表わす。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。なお、以下において、%はいずれも重
量%を表わす。
【0021】実施例1〜11 水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を、濃度
が2.38%となるように純水に溶解し、この液に共重
合体中のポリプロピレンオキサイドの分子量とエチレン
オキサイドの含有割合が表1に記載のプロピレンオキサ
イドエチレンオキサイドブロック共重合体(ノーマルタ
イプ)を100ppm添加して、現像液を作成した。
が2.38%となるように純水に溶解し、この液に共重
合体中のポリプロピレンオキサイドの分子量とエチレン
オキサイドの含有割合が表1に記載のプロピレンオキサ
イドエチレンオキサイドブロック共重合体(ノーマルタ
イプ)を100ppm添加して、現像液を作成した。
【0022】これら現像液の表面張力、起泡性、濁り、
レジスト相対感度、現像後のレジスト形状、露光マージ
ン、現像均一性について以下の条件で試験を行って、現
像液の評価を行い、表1に記載の結果を得た。
レジスト相対感度、現像後のレジスト形状、露光マージ
ン、現像均一性について以下の条件で試験を行って、現
像液の評価を行い、表1に記載の結果を得た。
【0023】(レジスト膜サンプルの作成)現像液の評
価のために用いたサンプルは、レジストとして、ナフト
キノンジアジド系感光剤とノボラック樹脂を基本構成に
したポジ型フォトレジストAZ−7800(ヘキスト社
製)を用い、HMDS処理をした6インチシリコンウエ
ハー基板に、プレベーク後の膜厚が1.07μmとなる
ようにスピンコートし、90℃で60秒間ホットプレー
ト上でベークし、NA:0.50のi線ステッパーを用
いて露光し、110℃で60秒間ホットプレート上でポ
ストエクスポージャーベーク(PEB)した。
価のために用いたサンプルは、レジストとして、ナフト
キノンジアジド系感光剤とノボラック樹脂を基本構成に
したポジ型フォトレジストAZ−7800(ヘキスト社
製)を用い、HMDS処理をした6インチシリコンウエ
ハー基板に、プレベーク後の膜厚が1.07μmとなる
ようにスピンコートし、90℃で60秒間ホットプレー
ト上でベークし、NA:0.50のi線ステッパーを用
いて露光し、110℃で60秒間ホットプレート上でポ
ストエクスポージャーベーク(PEB)した。
【0024】(現像条件及び現像後処理)現像は、上記
サンプルを、60秒間23℃においてパドル現像により
処理した後、純水によるリンス、スピン乾燥を行った。
なお、現像液の使用量は15mLとした。
サンプルを、60秒間23℃においてパドル現像により
処理した後、純水によるリンス、スピン乾燥を行った。
なお、現像液の使用量は15mLとした。
【0025】(表面張力)現像液サンプルの表面張力
は、表面張力測定装置(協和界面科学社製)を用いて、
標準条件にて測定した。
は、表面張力測定装置(協和界面科学社製)を用いて、
標準条件にて測定した。
【0026】(起泡性、消泡性)現像液を同一条件にて
振盪後静置し、起泡の状態及び消泡性を目視にて観察し
た。
振盪後静置し、起泡の状態及び消泡性を目視にて観察し
た。
【0027】(濁り)現像液に界面活性剤を添加し、4
0℃における透明性を目視にて観察した。
0℃における透明性を目視にて観察した。
【0028】(レジスト相対感度)約1cm平方の露光
エリア(レチクルを介することなく露光)のレジストが
完全に溶解した時の露光エネルギーを感度(Eth)と
し、以下に示す実施例1の現像液の感度を100とし、
相対比として表わした。
エリア(レチクルを介することなく露光)のレジストが
完全に溶解した時の露光エネルギーを感度(Eth)と
し、以下に示す実施例1の現像液の感度を100とし、
相対比として表わした。
【0029】(レジスト形状)スピン乾燥後のレジスト
の断面形状を、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し
た。
の断面形状を、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し
た。
【0030】(露光マージン)レジストをレチクルを介
して露光し、PEB、現像処理を行った後、0.50μ
mのパターンをSEMで観察し、寸法を測定する。0.
50μmの寸法が得られた時の露光量(Eop)をEthで
割った数値により露光マージンを判断した。このとき数
値が1.5を越えたものを「良好」と判断した。
して露光し、PEB、現像処理を行った後、0.50μ
mのパターンをSEMで観察し、寸法を測定する。0.
50μmの寸法が得られた時の露光量(Eop)をEthで
割った数値により露光マージンを判断した。このとき数
値が1.5を越えたものを「良好」と判断した。
【0031】(現像均一性)Eth−5%Ethの露光量で
ウエハー全面を露光したときの現像仕上がり(ウエハー
全体の現像ムラの状態)を目視にて観察した。
ウエハー全面を露光したときの現像仕上がり(ウエハー
全体の現像ムラの状態)を目視にて観察した。
【0032】比較例1〜7 現像液として、界面活性剤を添加しない現像液(比較例
1)或いは表1の比較例2〜7に記載のプロピレンオキ
サイドエチレンオキサイドブロック共重合体(ノーマル
タイプ)を100ppm添加して得た現像液を用いるこ
とを除き、実施例1〜11と同様の方法により試験を行
い、表1に記載される結果を得た。
1)或いは表1の比較例2〜7に記載のプロピレンオキ
サイドエチレンオキサイドブロック共重合体(ノーマル
タイプ)を100ppm添加して得た現像液を用いるこ
とを除き、実施例1〜11と同様の方法により試験を行
い、表1に記載される結果を得た。
【0033】なお、以下の表中において、○は良好を、
△はやや劣るが使用可能を、×は不良を示す。また、以
下表中の「PO分子量」は、共重合体中のポリプロピレ
ンオキサイドの分子量、「EO含有率」は、共重合体の
エチレンオキサイドの含有割合である。
△はやや劣るが使用可能を、×は不良を示す。また、以
下表中の「PO分子量」は、共重合体中のポリプロピレ
ンオキサイドの分子量、「EO含有率」は、共重合体の
エチレンオキサイドの含有割合である。
【0034】
【表1】
【0035】比較例1は界面活性剤を含有していないた
め表面張力の値も高く、レジスト面に対する濡れ性が悪
く、15mLの現像液使用量では6インチウエハー全面
に現像液が均一にいきわたらない、或いは均一にいきわ
たったとしても現像時間を厳密に制御できないなどの理
由で、現像均一性で劣る結果となった。
め表面張力の値も高く、レジスト面に対する濡れ性が悪
く、15mLの現像液使用量では6インチウエハー全面
に現像液が均一にいきわたらない、或いは均一にいきわ
たったとしても現像時間を厳密に制御できないなどの理
由で、現像均一性で劣る結果となった。
【0036】また、表中「濁り」が「×」とされたもの
(比較例5、6)は、現像液中に濁りの原因となる未溶
解物があり、これが現像残渣、或いはパターン欠陥の原
因となるため試験をするまでもなく現像液として用いる
ことができないものである。
(比較例5、6)は、現像液中に濁りの原因となる未溶
解物があり、これが現像残渣、或いはパターン欠陥の原
因となるため試験をするまでもなく現像液として用いる
ことができないものである。
【0037】このため、表中「濁り」が「×」とされた
ものについては、各特性についての試験は特に行わなか
った。
ものについては、各特性についての試験は特に行わなか
った。
【0038】更に、表中「起泡性、消泡性」が「×」と
なったもの(比較例2、3、4、7)については、レジ
スト表面と現像液との間に気泡が存在し、この気泡がす
ぐに消失しないため、その部分のレジストが現像されな
いか、或いは他の部分と現像時間が異なるため現像均一
性が不良となった。
なったもの(比較例2、3、4、7)については、レジ
スト表面と現像液との間に気泡が存在し、この気泡がす
ぐに消失しないため、その部分のレジストが現像されな
いか、或いは他の部分と現像時間が異なるため現像均一
性が不良となった。
【0039】実施例12〜16 現像液として、水酸化テトラメチルアンモニウム(TM
AH)を2.38%含有する純水に、共重合体中のポリ
プロピレンオキサイドの分子量が1750で、かつポリ
エチレンオキサイドの含有割合が20%であるプロピレ
ンオキサイドエチレンオキサイドブロック共重合体(ノ
ーマルタイプ)を、表2に記載の添加量で添加したもの
を用いることを除き、実施例1〜11と同様の方法によ
り試験を行い、表2に記載される結果を得た。
AH)を2.38%含有する純水に、共重合体中のポリ
プロピレンオキサイドの分子量が1750で、かつポリ
エチレンオキサイドの含有割合が20%であるプロピレ
ンオキサイドエチレンオキサイドブロック共重合体(ノ
ーマルタイプ)を、表2に記載の添加量で添加したもの
を用いることを除き、実施例1〜11と同様の方法によ
り試験を行い、表2に記載される結果を得た。
【0040】比較例8及び9 界面活性剤の添加量が1000ppm(比較例8)、2
000ppm(比較例9)であることを除き実施例12
〜16と同じ現像液を用い、実施例1〜11と同様の方
法により試験を行い、表2に記載される結果を得た。
000ppm(比較例9)であることを除き実施例12
〜16と同じ現像液を用い、実施例1〜11と同様の方
法により試験を行い、表2に記載される結果を得た。
【0041】
【表2】
【0042】表中「濁り」が「×」とされたもの(比較
例8、9)については、比較例5、6と同様の理由によ
り、各特性についての試験は特に行わなかった。
例8、9)については、比較例5、6と同様の理由によ
り、各特性についての試験は特に行わなかった。
【0043】実施例17及び18 水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を、濃度
が2.38%となるように純水に溶解し、この液に表3
に記載のプロピレンオキサイドエチレンオキサイドブロ
ック共重合体(リバースタイプ)を50ppm添加し
て、実施例17及び18の現像液を作成した。この現像
液を用い実施例1〜11と同様の方法により試験を行
い、表3に記載される結果を得た。
が2.38%となるように純水に溶解し、この液に表3
に記載のプロピレンオキサイドエチレンオキサイドブロ
ック共重合体(リバースタイプ)を50ppm添加し
て、実施例17及び18の現像液を作成した。この現像
液を用い実施例1〜11と同様の方法により試験を行
い、表3に記載される結果を得た。
【0044】
【表3】
【0045】上記各実施例及び比較例から明らかなよう
に、本発明の現像液においては、少量の界面活性剤の添
加により、従来からレジスト用現像液に要求されていた
諸特性を満たす現像液を得ることができることが分か
る。また、界面活性剤無添加の現像液と比べ、本発明の
現像液の表面張力は著しく改良され、現像液のレジスト
膜に対する濡れ性が改善されたことにより、本発明の現
像液を用いた場合には、界面活性剤を含まない現像液を
用いる場合に比べ現像液の使用量は約1/3程度で済む
ことがわかった。
に、本発明の現像液においては、少量の界面活性剤の添
加により、従来からレジスト用現像液に要求されていた
諸特性を満たす現像液を得ることができることが分か
る。また、界面活性剤無添加の現像液と比べ、本発明の
現像液の表面張力は著しく改良され、現像液のレジスト
膜に対する濡れ性が改善されたことにより、本発明の現
像液を用いた場合には、界面活性剤を含まない現像液を
用いる場合に比べ現像液の使用量は約1/3程度で済む
ことがわかった。
【0046】
【発明の効果】上記したように、本発明のフォトレジス
ト用現像液は、泡の発生がなくまた泡が発生したとして
も速やかに消泡し、かつ界面活性剤の溶解性、現像均一
性、残膜特性、レジストパターン形状、感度を良好に保
ちつつ、現像液使用量の低減が可能となるという効果を
有する。
ト用現像液は、泡の発生がなくまた泡が発生したとして
も速やかに消泡し、かつ界面活性剤の溶解性、現像均一
性、残膜特性、レジストパターン形状、感度を良好に保
ちつつ、現像液使用量の低減が可能となるという効果を
有する。
Claims (5)
- 【請求項1】金属イオンを含まない有機塩基を主剤とす
るレジスト用現像液に、プロピレンオキサイドエチレン
オキサイドブロック共重合系界面活性剤を10〜500
ppm添加することを特徴とするレジスト用現像液。 - 【請求項2】上記プロピレンオキサイドエチレンオキサ
イドブロック共重合系界面活性剤が、下記一般式(I)
で表わされるプロピレンオキサイドエチレンオキサイド
ブロック共重合体であることを特徴とする請求項1記載
のレジスト用現像液。 一般式(I) HO(C2 H4 O)k −(C3 H6 O)m −(C2 H4
O)n H (式中、k、m、nはそれぞれ同じか異なる整数を表わ
す。) - 【請求項3】上記プロピレンオキサイドエチレンオキサ
イドブロック共重合系界面活性剤が、下記一般式(II)
で表わされるプロピレンオキサイドエチレンオキサイド
ブロック共重合体であることを特徴とする請求項1記載
のレジスト用現像液。 一般式(II) HO(C3 H6 O)p −(C2 H4 O)q −(C3 H6
O)r H (式中、p、q、rはそれぞれ同じか異なる整数を表わ
す。) - 【請求項4】上記一般式(I)で表わされるプロピレン
オキサイドエチレンオキサイドブロック共重合体中のポ
リプロピレンオキサイドの分子量が900〜3500で
あり、かつポリエチレンオキサイドの割合が10〜30
重量%であることを特徴とする請求項2記載のレジスト
用現像液。 - 【請求項5】レジスト用現像液が、ポジ型レジスト用現
像液であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1
項に記載のレジスト用現像液。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9172115A JPH1124285A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | レジスト用現像液 |
| PCT/JP1998/002667 WO1999000707A1 (fr) | 1997-06-27 | 1998-06-17 | Revelateur pour agents de reserve |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9172115A JPH1124285A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | レジスト用現像液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1124285A true JPH1124285A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15935841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9172115A Pending JPH1124285A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | レジスト用現像液 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1124285A (ja) |
| WO (1) | WO1999000707A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006115013A1 (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 現像液組成物およびその製造方法、ならびにレジストパターンの形成方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001107081A (ja) | 1999-10-06 | 2001-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
| JP2002351094A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物及び画像形成方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111246A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版の現像液 |
| JPS61167948A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型感光性組成物用現像液 |
| JPH01129250A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Tama Kagaku Kogyo Kk | ポジ型フォトレジスト用現像液 |
| JP2543742B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1996-10-16 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト用現像液 |
| JP2915167B2 (ja) * | 1991-05-23 | 1999-07-05 | 株式会社トクヤマ | ホトレジスト用現像液 |
| JPH06332195A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
| JP2937801B2 (ja) * | 1994-03-31 | 1999-08-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用現像原液 |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP9172115A patent/JPH1124285A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-17 WO PCT/JP1998/002667 patent/WO1999000707A1/ja not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006115013A1 (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 現像液組成物およびその製造方法、ならびにレジストパターンの形成方法 |
| KR100899320B1 (ko) | 2005-04-22 | 2009-05-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 현상액 조성물 및 그 제조 방법, 그리고 레지스트 패턴의형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1999000707A1 (fr) | 1999-01-07 |
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| JPH0451020B2 (ja) | ||
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