JPH02308227A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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- JPH02308227A JPH02308227A JP1131105A JP13110589A JPH02308227A JP H02308227 A JPH02308227 A JP H02308227A JP 1131105 A JP1131105 A JP 1131105A JP 13110589 A JP13110589 A JP 13110589A JP H02308227 A JPH02308227 A JP H02308227A
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- electrode
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- insulating film
- layer electrode
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に利
用され、特にスイッチング素子としてＭＩＭ（金属−絶
縁物−金属）素子を用いたＭＩＭ型のアクティブマトリ
クス基板に関する。
用され、特にスイッチング素子としてＭＩＭ（金属−絶
縁物−金属）素子を用いたＭＩＭ型のアクティブマトリ
クス基板に関する。
本発明は、スイッチング素子としてＭＩＭ素子を用いた
ＭＩＭ型のアクティブマトリクス基板において、 前記ＭＩＭ素子を、下層電極が信号電極に、上層電極が
表示電極にそれぞれ接続された第一のＭ−Ｉ Ｍ素子と
、下層電極が表示電極に、上層電極が信号電極にそれぞ
れ接続された第二のＭＩＭ素子とが並列に接続された構
成とすることにより、表示むらのない高画質の液晶表示
装置が得られるようにしたものである。
ＭＩＭ型のアクティブマトリクス基板において、 前記ＭＩＭ素子を、下層電極が信号電極に、上層電極が
表示電極にそれぞれ接続された第一のＭ−Ｉ Ｍ素子と
、下層電極が表示電極に、上層電極が信号電極にそれぞ
れ接続された第二のＭＩＭ素子とが並列に接続された構
成とすることにより、表示むらのない高画質の液晶表示
装置が得られるようにしたものである。
従来のＭＩＭ型のアクティブマトリクス基板は、第３図
に示すように、表示電極２に接続された下層電極８と、
下層電極８と絶縁膜７を介して対向し信号電極１に接続
された上層電極９とからなっていた。
に示すように、表示電極２に接続された下層電極８と、
下層電極８と絶縁膜７を介して対向し信号電極１に接続
された上層電極９とからなっていた。
前述した従来のＭＩＭ型のアクティブマ）ＩＪクス基板
は、下層電極８と絶縁膜７と上層電極９とからなるＭＩ
Ｍ素子の電気的対称性や特性の均一性を保持するのが困
難である欠点があった。このため、従来のＭＩＭ型のア
クティブマトリクス基板を用いて液晶表示装置を作成す
ると、ＭＩＭ素子の特性のばらつきにより表示にむらが
でき画質が低下する欠点があった。
は、下層電極８と絶縁膜７と上層電極９とからなるＭＩ
Ｍ素子の電気的対称性や特性の均一性を保持するのが困
難である欠点があった。このため、従来のＭＩＭ型のア
クティブマトリクス基板を用いて液晶表示装置を作成す
ると、ＭＩＭ素子の特性のばらつきにより表示にむらが
でき画質が低下する欠点があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、表
示むらのない高画質の液晶表示装置を作ることができる
ＭＩＭ型のアクティブマトリクス基板を提供することに
ある。
示むらのない高画質の液晶表示装置を作ることができる
ＭＩＭ型のアクティブマトリクス基板を提供することに
ある。
本発明は、信号電極と、表示電極と、前記信号電極と前
記表示電極との間に設けられたＭＩＭ素子とを備えたア
クティブマトリクス基板において、前記ＭＩＭ素子は、
前記信号電極に接続された第一下層電極と、前記表示電
極に接続された第二下層電極と、前記第一および第二下
層電極上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に前記第
一下層電極と対向して設けられ前記表示電極および前記
第二下層電極にそれぞれ接続された第一上層配線と、前
記絶縁膜上に前記第二下層電極と対向して設けられ前記
信号電極および前記第一下層電極にそれぞれ接続された
第二上層配線とを含んで構成されたことを特徴とする。
記表示電極との間に設けられたＭＩＭ素子とを備えたア
クティブマトリクス基板において、前記ＭＩＭ素子は、
前記信号電極に接続された第一下層電極と、前記表示電
極に接続された第二下層電極と、前記第一および第二下
層電極上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に前記第
一下層電極と対向して設けられ前記表示電極および前記
第二下層電極にそれぞれ接続された第一上層配線と、前
記絶縁膜上に前記第二下層電極と対向して設けられ前記
信号電極および前記第一下層電極にそれぞれ接続された
第二上層配線とを含んで構成されたことを特徴とする。
本発明におけるＭＩＭ素子は、下層電極が信号電極に、
上層電極が表示電極にそれぞれ接続された第一のＭＩＭ
素子と、下層電極が表示電極に、上層電極が信号電極に
それぞれ接続された第二のＭＩＭ素子とが並列に接続さ
れた構成をなしている。
上層電極が表示電極にそれぞれ接続された第一のＭＩＭ
素子と、下層電極が表示電極に、上層電極が信号電極に
それぞれ接続された第二のＭＩＭ素子とが並列に接続さ
れた構成をなしている。
従って、第一および第二のＭＩＭ素子が、下層電極と上
層電極との材料の違いや、製造法およびプロセス順序に
より特性が非対称になっても、全体の特性は一画素に対
しては完全に対称となり、表示むらのない高画質の液晶
表示装置を作ることが可能となる。
層電極との材料の違いや、製造法およびプロセス順序に
より特性が非対称になっても、全体の特性は一画素に対
しては完全に対称となり、表示むらのない高画質の液晶
表示装置を作ることが可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す平面図である
。
。
本第−実施例は、信号電極１と、表示電極２と、信号電
極１と表示電極２との間に設けられたＭＩＭ素子とを備
えたアクティブマトリクス基板において、 前記ＭＩＭ素子は、本発明の特徴とするところの、信号
電極１に接続された第一下層電極３と、表示電極２に接
続された第二下層電極４と、第一および第二下層電極３
および４上に設けられた絶縁膜７と、この絶縁膜７上に
第一下層電極３と対向して設けられ表示電極２および第
二下層電極４にそれぞれ接続された第一上層配線５と、
絶縁膜７上に第二下層電極４と対向して設けられ信号電
極２および第一下層電極３にそれぞれ接続された第二上
層配線６とを含んで構成される。
極１と表示電極２との間に設けられたＭＩＭ素子とを備
えたアクティブマトリクス基板において、 前記ＭＩＭ素子は、本発明の特徴とするところの、信号
電極１に接続された第一下層電極３と、表示電極２に接
続された第二下層電極４と、第一および第二下層電極３
および４上に設けられた絶縁膜７と、この絶縁膜７上に
第一下層電極３と対向して設けられ表示電極２および第
二下層電極４にそれぞれ接続された第一上層配線５と、
絶縁膜７上に第二下層電極４と対向して設けられ信号電
極２および第一下層電極３にそれぞれ接続された第二上
層配線６とを含んで構成される。
本第−実施例は次のようにして製造されたものである。
まず始めに、信号電極１と、信号電極１に接続された第
一下層電極３と、表示電極２と、表示電極２に接続され
た第二下層電極４とを、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）
１０００人をスパッタ法により形成した後パターニン
グする。次に、絶縁膜７として窒化シリコン膜１０００
人をプラズマＣＶＤ法により形成した後パターニングす
る。次いで、第一下層電極３と絶縁膜７を介して対向さ
せた第一上層電極５を表示電極２と第二下層電極４とに
接続させ、第二下層電極４と絶縁膜７を介して対向させ
た第二上層電極６を信号電極１と第一下層電極３と接続
させるように、クロム膜１０００ Ａをスパッタ法によ
り形成した後パターニングして、本第−実施例のＭＩＭ
型のアクティブマトリクス基板が製造された。
一下層電極３と、表示電極２と、表示電極２に接続され
た第二下層電極４とを、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）
１０００人をスパッタ法により形成した後パターニン
グする。次に、絶縁膜７として窒化シリコン膜１０００
人をプラズマＣＶＤ法により形成した後パターニングす
る。次いで、第一下層電極３と絶縁膜７を介して対向さ
せた第一上層電極５を表示電極２と第二下層電極４とに
接続させ、第二下層電極４と絶縁膜７を介して対向させ
た第二上層電極６を信号電極１と第一下層電極３と接続
させるように、クロム膜１０００ Ａをスパッタ法によ
り形成した後パターニングして、本第−実施例のＭＩＭ
型のアクティブマトリクス基板が製造された。
このように製造されたＭＩＭ素子は、下層電極と上層電
極の材質の違いや製造法およびプロセスの順序により特
性が非対称であるが、本発明では１表示画素に対して構
造が逆の２素子を並列に接続してるため、１表示画素に
対しては特性が完全に対称となる。このＭＩＭ型のアク
ティブマトリクス基板を用いて液晶ディスプレイを作成
したところ、表示均一性の良い高画質の液晶表示装置が
得られた。
極の材質の違いや製造法およびプロセスの順序により特
性が非対称であるが、本発明では１表示画素に対して構
造が逆の２素子を並列に接続してるため、１表示画素に
対しては特性が完全に対称となる。このＭＩＭ型のアク
ティブマトリクス基板を用いて液晶ディスプレイを作成
したところ、表示均一性の良い高画質の液晶表示装置が
得られた。
第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図である
。
。
本第二実施例は、構成は第一実施例と同じであるが、製
造方法が異なり、次のようにして製造されたものである
。
造方法が異なり、次のようにして製造されたものである
。
まず始めに、信号電極１と、信号電極１に接続された第
一下層電極３と、第二下層電極４とを、クロム膜１００
０人をスパッタ法により形成した後パターニングする。
一下層電極３と、第二下層電極４とを、クロム膜１００
０人をスパッタ法により形成した後パターニングする。
次に、絶縁膜７として窒化シリコン膜１０００人をプラ
ズマＣＶＤ法により形成した後パターニングする。次い
で、第二下層電極４と接続された表示電極２と、表示電
極２および第二下層電極４とそれぞれ接続され第一の下
層電極３と絶縁膜７を介して対向する第一の上層電極５
と、信号電極ｌおよび第一下層電極３とそれぞれ接続さ
れ第二下層電極４と絶縁膜７を介して対向する第二上層
電極６とを、ＩＴＯ膜１０００ Ａをスパッタ法により
形成した後パターニングして、本第二実施例のＭＩＭ型
のアクティブマ） ＩＪクス基板が製造された。
ズマＣＶＤ法により形成した後パターニングする。次い
で、第二下層電極４と接続された表示電極２と、表示電
極２および第二下層電極４とそれぞれ接続され第一の下
層電極３と絶縁膜７を介して対向する第一の上層電極５
と、信号電極ｌおよび第一下層電極３とそれぞれ接続さ
れ第二下層電極４と絶縁膜７を介して対向する第二上層
電極６とを、ＩＴＯ膜１０００ Ａをスパッタ法により
形成した後パターニングして、本第二実施例のＭＩＭ型
のアクティブマ） ＩＪクス基板が製造された。
本第二実施例では、信号電極１と表示電極２とを別々に
形成しているため、信号電極１の配線抵抗を防ぐことが
できる利点がある。本第二実施例も第一実施例と同じ理
由で、１表示画素に対するＭｒＭ特性が完全に対称とな
る。
形成しているため、信号電極１の配線抵抗を防ぐことが
できる利点がある。本第二実施例も第一実施例と同じ理
由で、１表示画素に対するＭｒＭ特性が完全に対称とな
る。
以上説明したように、本発明によれば、ＭＩＭ素子が下
層電極と上層電極の材質の違いや製造法およびプロセス
の順序により特性が非対称になっても、１表示画素に対
しては構造が逆の２素子を並列に接続しているため、１
表示画素に対しては特性が完全に対象となり、製造工程
数を増やすことなく、表示むらのない高画質の液晶表示
装置を得ることができるＭＩＭ型のアクティブマトリク
ス基板を提供することができ、その効果は大である。
層電極と上層電極の材質の違いや製造法およびプロセス
の順序により特性が非対称になっても、１表示画素に対
しては構造が逆の２素子を並列に接続しているため、１
表示画素に対しては特性が完全に対象となり、製造工程
数を増やすことなく、表示むらのない高画質の液晶表示
装置を得ることができるＭＩＭ型のアクティブマトリク
ス基板を提供することができ、その効果は大である。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す平面図。
第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図。
第３図は従来例の要部を示す平面図。
ｌ・・・信号電極、２・・・表示電極、３・・・第一下
層電極、４・・・第二下層電極、５・・・第一上層電極
、６・・・第二上層電極、７・・・絶縁膜、８・・・下
層電極、９・・・上層電極。 特許出願人 日本電気株式会社 ４ 代理人 弁理士 井 出 直 孝 ３：だ一下層１１＆ 冒 １ 口 話−笑込例 Ｉ：信’！＠他 ４：島−下層電極 ７：紀鶴２：＆
示１ｉ暑 ５：ハー上１電極 ３ニー−下１電鴇 ６：篤２ヱ畳電袖 菖 ２ 口 菖二夾２例 １：１８号＠ｐｉｉ８：下看電橘 ２：五本電極 ９：ヱ看電亀 ７：総緑屓
層電極、４・・・第二下層電極、５・・・第一上層電極
、６・・・第二上層電極、７・・・絶縁膜、８・・・下
層電極、９・・・上層電極。 特許出願人 日本電気株式会社 ４ 代理人 弁理士 井 出 直 孝 ３：だ一下層１１＆ 冒 １ 口 話−笑込例 Ｉ：信’！＠他 ４：島−下層電極 ７：紀鶴２：＆
示１ｉ暑 ５：ハー上１電極 ３ニー−下１電鴇 ６：篤２ヱ畳電袖 菖 ２ 口 菖二夾２例 １：１８号＠ｐｉｉ８：下看電橘 ２：五本電極 ９：ヱ看電亀 ７：総緑屓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、信号電極と、表示電極と、前記信号電極と前記表示
電極との間に設けられたＭＩＭ素子とを備えたアクティ
ブマトリクス基板において、 前記ＭＩＭ素子は、 前記信号電極に接続された第一下層電極と、前記表示電
極に接続された第二下層電極と、前記第一および第二下
層電極上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に前記第
一下層電極と対向して設けられ前記表示電極および前記
第二下層電極にそれぞれ接続された第一上層配線と、前
記絶縁膜上に前記第二下層電極と対向して設けられ前記
信号電極および前記第一下層電極にそれぞれ接続された
第二上層配線とを含んで構成された ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13110589A JP2527032B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13110589A JP2527032B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308227A true JPH02308227A (ja) | 1990-12-21 |
| JP2527032B2 JP2527032B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=15050095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13110589A Expired - Lifetime JP2527032B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527032B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552910A (en) * | 1993-11-29 | 1996-09-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having zinc sulfide switching elements and method for producing the same |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211185A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP13110589A patent/JP2527032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211185A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552910A (en) * | 1993-11-29 | 1996-09-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having zinc sulfide switching elements and method for producing the same |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2527032B2 (ja) | 1996-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090614 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |