JPH02308530A - プラズマ処理方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子等の製造工程で行われるプラズマ処
理の方法とその装置にかかわり、特に。

大面積の被処理物で、高速な処理を行うとともに、均一
、特に表面形状の均一を得るのに好適なプラズマ処理方
法およびその装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のプラズマ処理装置は、例えば麻蒔立男著「薄膜作
成の基礎」、日刊工業新聞社列、昭和５２年なる文献の
第１７９頁に記載されているように、被処理物を載置し
た電極に対向して別の電極を配置し、両電極に直流ある
いは高周波電力を印加することで被処理物上にプラズマ
を発生させるものがあった（以下、平行平板型と記す）
。また、同じ文献の第１４１頁〜第１４２頁に記載され
ているように、前記装置において、電極の裏面に磁石を
設置することでプラズマを拘束し、プラズマ密度を高め
たものもあった（以下、マグネトロン型と記す）また、
マイクロ波を利用したプラズマ処理方法としては、特開
昭５６−１５５５３５号公報に記載されているように、
マイクロ波の進行方向に対して強磁場（マイクロ波周波
数が２．４５ＧＩ（ｚの場合、８．７５　Ｘ１Ｏ−２Ｔ
以上）を発生させ、電子サイクロトロン周波数とマイク
ロ波の周波数を一致させてマイクロ波エネルギーを共鳴
的にプラズマに吸収させるＥ　ＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）法がある
。さらに、マイクロ波の真空への導入法として、前記発
明はマイクロ波のモードに対して配慮をしていないのに
比べ、マイクロ波を真空に導入する前に空胴共振器を設
け、特定のモードのマイクロ波をスロット（細隙）に使
うことが、特開昭６２−１３５７５号公報に記載されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術のうち、平行平板型の場合は、発生したプ
ラズマが拡散してしまい、プラズマ密度が増加しないの
で、高速処理には不適であった。

これに対し、プラズマ密度の増加のために、磁場によっ
てプラズマの拡散を防止したのが、前記マグネトロン型
である。しかし、この技術は、電極裏面に設置した磁石
から電極表面側に漏洩する閉じた磁場を利用するため、
プラズマ発生領域は小さく、またその位置も限定されて
しまうので、均一処理を確保するのが難しく、さらに゛
、プラズマ密度の増加のために被処理物を載置した電極
に印加する電力を大きくすると、プラズマと被処理物と
の間の電位差を増加させることになり、プラズマから被
処理物にとび込む荷電粒子のエネルギーが大きくなって
、被処理物の過熱あるいはダメージ誘起を生じさせる可
能性があった。

一方、被処理物を電極とすることなく高密度プラズマを
発生させる方法としては、前記特開昭５６−１５５５３
５号公報に記載されたように、マイクロ波を利用したも
のがある。これは、被処理物を有する室と隣接したプラ
ズマ発生室の周囲に磁石を設置し、該磁石によりプラズ
マ発生室では、電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ　ＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ、以下Ｅ
ＣＲと記す）条件（マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨ
ｚのとき、８．７５　Ｘ　１０−”　Ｔ以上）を満足さ
せることにより、低圧力で高密度プラズマを発生させる
ものである。

しかし、上記技術では、被処理基板が大きくなると、該
被処理基板を均一にプラズマ処理するためには、前記プ
ラズマ発生室の拡大が必要となり、そのプラズマ発生室
全体でＥＣＲ条件を得るためには磁石を大型にしなけれ
ばならず、装置の大型化、取り扱いの困難さが生じる。

さらに、プラズマ発生室が大きくなると、該プラズマ発
生室内の磁場は、中央が弱く周辺部が強いという不均一
性が拡大される。そのため、該プラズマ発生室内のプラ
ズマ密度も不均一となり、その結果、大面積の被処理物
への均一なプラズマ処理は非常に困難となる。また、上
記のＥＣＲを発生させる磁力線が被処理物と交差すると
、該磁力線と該被処理物との交わる角度が被処理基板上
の位置によって異なるため、例えば、イオンを表面加工
に利用するりアクティブイオンエツチング（Ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ　ＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ、以下ＲＩＥと記す）の
場合、被処理基板上の位置に依存した不均一な表面形状
しか得られない。

次に、従来技術のうち、特開昭６２−１３５７５号公報
に記載されているように、マイクロ波共振器のスロット
により真空中にプラズマを発生させる方式を考える。磁
場を用いる場合は上記と同様な問題があり、無磁場の場
合、マイクロ波プラズマはスロット位置に局在しやすい
。従って、反応ガスを効率よく励起するためには、該ス
ロット近傍に反応ガスを通過させるようにする必要があ
る。しかし、例えば、ＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　
Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉ−ｔｉｏｎ）の場合を考える
と、被処理物表面近傍のよどみに起因するオーバハング
の低減、気相中での析出反応の低減、という観点から、
成膜の低圧力化は今後不可欠であるが、そのため、前記
したような反応ガス導入方法では、低圧力では平均自由
行程が長くなることから、被処理物上以外へ流れる反応
ガスが増加し、反応ガスの利用効率および処理効率の低
下を招来することになる。

本発明の目的は、大面積の被処理物を高速かつ均一に、
特に被処理物上の位置に依存することなく均一な表面形
状が得られるようなプラズマ処理方法と、該方法の実施
に供せられるプラズマ処理装置とを提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明は、プラズマによって
効率よく励起した高濃度の励起種を、低圧力の状態で、
被処理基板の全面にわたってほぼ垂直に均一速度、均一
濃度で供給するようにしたものである。

すなわち、被処理基板の面積を越える大面積にわたって
高密度のプラズマを発生させ、このプラズマによって所
定の反応ガスを励起する前あるいは後に、この反応ガス
を被処理基板に対して垂直にその方向をもたせて送り込
み、被処理基板に到達する前に極力衝突をしない条件の
下で、被処理基板の処理を行うものである。

〔作用〕

上記構成において、まず、プラズマの発生にはマイクロ
波を使用する。マイクロ波は、通常ＲＦと呼ばれる高周
波（一般に１．３．５６ＭＩ（ｚが使用される）に比べ
て約１０３倍も高い周波数を有するため、低圧力におい
ても、雰囲気中の分子、原子を効率よくイオン化し、高
密度のプラズマを得ることができる。通常は前記したＥ
ＣＲ条件を用いるため、コイル等で磁場を形成している
が、その場合は、コイル内側で均等な磁場強度をもたせ
ることは不可能であるから′、磁場強度に起因するプラ
ズマ不均一が残る。一方、無磁場の場合、プラズマ密度
は、ＥＣＲ条件を満足する有磁場の場合と異なり、７Ｘ
１０１ｏ／個とその最大値を制限されるが、この数値は
通常のプラズマ処理では十分な値であり、反応ガスを効
率よく励起できる。

次に、上記プラズマを被処理物の大きさに合わせて大面
積に発生させるには、導波管に設けた細隙（スロット）
からのマイクロ波放出を利用したスロット方式を使用す
る。このスロットは、導波管の内壁を流れる表面電流に
直交するように設け。

その長さをマイクロ波の半波長とすることにより、マイ
クロ波は共鳴的に空間に放出する。大面積に上記スロッ
トを設けるため、所定のモード以外のマイクロ波が発生
しないように、テーバ状に導波管寸法を広げるか、ある
いは、導波管を複数個並列に配置してもよい。

次に、反応ガスの導入については、反応ガスを被処理基
板とほぼ同面積を有するガスバッファに入れた後、被処
理基板に対して垂直に複数の細孔が設けられた一定の厚
みを有するガス吹き出し板を通して行うことで、被処理
基板全面にわたって均一濃度かつ均一速度で該被処理基
板に対してほぼ垂直にガス導入を行うことができる。

以上のようにして被処理基板上の位置に依存することな
く反応ガスを一定方向から導入できることにより、被処
理基板全面にわたって、シャドウィング効果等による段
差部の不均一処理が生じたり、あるいは高いアスペクト
比の段差部で底面に反応ガスがほとんど入らず処理が進
行しない、などの問題がなくなる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図ないし第９図により説明
する。

第１図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第１の実施例の構成を示す縦断面図で
ある。

本実施例の装置は、第１図に示すように、スロット１を
有するマイクロ波共振部２とプラズマ処理部３とを主要
部分として構成されている。

プラズマ処理部３のマイクロ波共振部２と対向する面に
は、被処理基板４を載置する基板ホルダ５が配置されて
いる。該基板ホルダ５は、温度制御機構６を介して電源
７と接続されており、また、プラズマ処理チャンバ８と
は絶縁物、９によって熱的、電気的に分離されている。

また、該プラズマ処理チャンバ８の前記基板ホルダ５周
囲の部分には１図示しない真空系が接続される引き口１
０が配設されている。

マイクロ波共振部２には、導入口１１．導波管１２を介
して、マイクロ波発振器、アイソレータ、チューナ、パ
ワーモニタを有するマイクロ波発振部１３が接続されて
いる。該マイクロ波共振部２のプラズマ処理部３と反対
側の面には、ガス供給管１４に接続されたガスバッファ
部１５が配設されている。

そして、該ガスバッファ部Ｉ５の内部と上記プラズマ処
理部３の内部とは細管１６で結合するようになっており
、従って、マイクロ波共振部２の内部を満たしているマ
イクロ波透過材１７（例えば石英）にも細管１６が開け
られており、また、プラズマ処理部３側ではスロット１
の内部に細管１６の一方の口を有する構造となっている
。

次に、訪記プラズマ処理装置の動作に関連して本発明の
プラズマ処理方法の一例を説明する。

まず、基板ホルダ５の上面に、被処理基板４をａ置する
。次に、引き口１０を介して真空排気系（図示せず）に
より、プラズマ処理部３、細管１６およびガスバッファ
部１５の内部を所定の真空度まで真空排気する。その間
、基板ホルダ５内の温度制御機構６によって、被処理基
板４を設定温度に制御する。続いて１反応ガスを、ガス
供給管１４からガスバッファ部１５に導き、ここで均一
圧力にした後、細管１６を通ってプラズマ処理部３へ導
入する。このとき、反応ガスは、細管１６中の圧力勾配
により、細管１６と平行方向に力を受けて加速される。

次いで、マイクロ波発振部１３によりマイクロ波を発生
させ、そのマイクロ波を導入管１２．導入口１１を通し
てマイクロ波共振部２へ送る。ここで、マイクロ波共振
部２はマイクロ波の空胴共振条件の寸法を満足するよう
になされており、これにより、マイクロ波共振部２内に
蓄えられるマイクロ波のエネルギーが増加し、これに応
じてマイクロ波共振部２の内壁を流れる表面電流も増加
する。

一般に、マイクロ波発振部１３から発振されるマイクロ
波のモードはＴＥ、□モードであり、マイクロ波の進行
方向には電界成分をもっておらず（第９図のＡ面に平行
）、その表面電流分布は第９図のようになる。ただし、
第９図は、マイクロ波の進行方向には半波要分を閉じ込
めた場合を示している。

ここで、スロット１は、マイクロ波を効率よく放出する
ため、スロットにより遮断する表面電流密度を高める位
置に設ける。すなわち、第９図のＡ面では、電流方向が
常に一定で、スロット１ｂの向きではほとんど表面電流
が遮断できず、スロット１ａの向きが最適となる。また
、Ｂ面をスロットを設ける面とする際は、表面電流の向
きがその位置によって異なり最適スロットの向きも変わ
ってくるが、第９図の表面電流はマイクロ波の半波長ご
とに繰り返されるため、Ｂ面の端部に沿ってスロットを
設けるのがよい。

マイクロ波共振部２については、マイクロ波進行方向に
対しては、共振マイクロ波の波長を増加することにより
、容易に該マイクロ波共振部２の寸法を拡大できる。ま
た、マイクロ波の進行方向と直角な方向に対しては、不
整合に起因する異なるモードの発生を防止するため、導
波管１２をテーパ状にして徐々に広げていくか、複数の
それぞれ独立のマイクロ波共振部２を並列に配置するこ
とにより、マイクロ波共振部２の寸法を拡大する。

上記マイクロ波共振部２のスロット１から放出されたマ
イクロ波は、所定の圧力になされたプラズマ処理部３内
でプラズマ１８を発生する。

ここで、細管１６内はプラズマ処理部３に比べて圧力が
高く、プラズマが維持しない条件で該細管１６の径等を
決めるが、第９図のＢ面にスロット１を設けると、マイ
クロ波の電界は細管１６に沿って生じるため、処理条件
（圧力、反応ガス流量等）を変えると、細管１６中で電
子が十分なエネルギーをもちプラズマを発生させる可能
性もある。このときは、第９図のＡ面にスロット１を設
け、電界方向と細管１６の向きを直交させればよい。

細管１６中を通過した反応ガスは、該細管１６に沿った
方向に十分な速度をもち、前記プラズマ１８中の電子か
らエネルギーを受は取り、励起（ラジカル化あるいはイ
オン化）する。ここで、マイクロ波共振部２のスロット
１を設けた面と被処理基板４との間隔を処理圧力の平均
自由行程以下にすると、励起した反応ガスは、被処理基
板４にほぼ垂直に入射し、反応する。なお、電源７は、
プラズマ１８中のイオンを任意に引き込み、膜質の改善
や表面形状の制御を行う際に使用する。

従来のプラズマ処理の場合のように、励起反応ガスが無
作為の方向から被処理基板にくると、反応ガスが段差深
部に入りにくく表面近傍でのみ反応が進行してしまい、
ＣＶＤでは表面近傍にのみ膜が形成されて空胴が発生す
る可能性があり、また、被処理基板上の位置に対して励
起した反応ガスの供給方向が異なると、処理の進行度が
不均一となり、信頼性が低下する。これに対し、本実施
例は、大面積の被処理基板全面で均一な処理を高速で行
なえるので、信頼性、生産性の点で優れている。

第２図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第２の実施例の構成を示す縦断面図で
ある。本実施例の構成は、前記第１の実施例とほぼ同じ
であるが、プラズマ処理部３で発生させたプラズマ１８
の周囲に磁石１９を配置している点が異なっている。

低圧力になると、プラズマ１８の拡散が大きくなり、プ
ラズマ周囲の密度は低くなるため１通常。

被処理基板４の面積に対してプラズマ発生面積を広くと
らないと被処理基板４の均一処理が難しくなる。そこで
、本実施例のように、プラズマ１８の周囲にプラズマを
閉じ込める磁石１９を配置して、プラズマの拡散を防止
すると、プラズマ発生領域を縮小でき、装置の小型化が
図れるとともに、プラズマの低圧力での安定発生および
高密度化にも効果がある。

上記磁石１９の構成を第３図に示す。すなわち、この磁
石１９は、極性を異にする偶数個の小片を円周方向に交
互に配列して、リング形状に形成したもので、この磁石
１９からは、図のごとく内側に凸形状の磁力線２０を発
生する、ここに形成される磁場は、一般に多重力ブス磁
場と呼ばれているものである。

また、上記磁石の他の例として、第４図に示すように、
リング形状の両面を磁化した磁石２１を用いることもで
きる。

第５図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第３の実施例の構成を示す縦断面図で
ある。第５図は、非常に反応性のよい複数のガスを使っ
てプラズマ処理を行う場合の装置構成を示している。

本実施例では、ガスバッファ部１５に反応ガスを導入す
るためのガス供給管１４ａとは別にガス供給管１４ｂが
設けられており、該ガス供給管１４ｂから導入した反応
ガスを、マイクロ波共振部２のスロット１を有する面の
、スロットとスロットとの間から被処理基板４に向かっ
て供給する。例えば。

５ｉｎ２のＣＶＤ膜を形成する際、使用するＳｉＨ４と
０２とを混合すると容易に反応してしまうため、例えば
ｏ２をガス供給管１４ａから、またＳｉＨ，をガス供給
管１４ｂから、それぞれ供給すると、気相反応を生じる
ことなく被処理基板４表面でＳｉｎ。

の成膜を行うことができる。

第６図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第４の実施例の構成を示す縦断面図で
ある。本実施例は、ガス供給管１４からの反応ガスを、
マイクロ波共振部２のスロット１を有する面の、スロッ
トとスロットの間から被処理基板４に向かって供給する
ようにしたものである。本実施例では、反応ガスをマイ
クロ波共振部２内を通過させておらず、従って、スロッ
ト１の直下で発生したプラズマ１８中には反応ガスを供
給できないために、反応ガスの励起の割合は減少するが
、装置として簡易小型化が図れるという利点がある。

第７図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第５の実施例の構成を示す縦断面図で
ある。これまで述べた第１〜４の実施例は、被処理基板
４にプラズマ１８中のイオンの効果を与えることを考慮
したものであるのに対し、本実施例は、ラジカルガスの
みで被処理基板４の処理を行うことを考慮したものであ
る。

第７図において、マイクロ波共振部２のスロット１を有
する面に接してマイクロ波透過材１７が設けられ、該マ
イクロ波透過材１７の逆の面側にはプラズマ発生室２２
が設置されている。プラズマ発生室２２の周囲には、ガ
ス供給管１４に接続されたガスバッファ部２３が配置さ
れ、また、該プラズマ発生室２２は複数の細管１６を通
してプラズマ処理部３と空間的に結合している。

上記装置において、共振状態のマイクロ波からスロット
１を通して放出されたマイクロ波によって、プラズマ発
生室２２にプラズマ１８が発生し、このプラズマ１８性
反応ガスを励起する。細管１６を通して流れる励起した
反応ガスのうち、寿命の短い励起種は消滅するが、特定
の励起種は、細管１６にて細管方向に加速され、被処理
基板４にほぼ垂直に供給されて反応する。

第８図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第６の実施例の構成を示す縦断面図で
ある。本実施例の装置は、第７図に示した第５の実施例
の装置に、被処理基板４にプラズマで励起した反応ガス
を送り込む手段とは独立して、ガス供給器２４を付加し
たものであり、反応性の高い複数のガスを利用するプラ
ズマ処理に使用し、励起エネルギーの低いガスを前記ガ
ス供給器２４から被処理基板４上に導入するようにした
ものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、以下の効果がある。

（ｉ）被処理基板の大面積化にかかわりなく、被処理基
板上の位置に依存せずに励起した反応ガスを該処理基板
に対してほぼ垂直に供給することができるので、（イ）
ＣＶＤにおける段差間での空胴部の発生、（ロ）エツチ
ングに際しての段差上部でのオーバエッチの発生、等が
ない処・理を行うことができる。

（ｎ）上記処理を行う励起反応ガスを高濃度で供給でき
ることから、本発明によるプラズマ処理方法は、生産性
、信頼性の点で特に優れている。

（ｉｉｉ）奥の深い段差を有する被処理基板においても
、励起反応ガスを最奥部まで供給することが可能なため
、従来技術では対応できなかった基板に対しても処理が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の第１の実施例の構成を示す縦断面図、
第２図は同じく第２の実施例の構成を示す縦断面図、第
３図は第２の実施例中の磁場発生手段としての磁石の一
例を示す平面図、第４図は同じく磁石の他の例を示す断
面図、第５図は本発明のプラズマ処理方法を実施するた
めのプラズマ処理装置の第３の実施例の構成を示す縦断
面図、第６図は同じく第４の実施例の構成を示す縦断面
図、第７図は同じく第５の実施例の構成を示す縦断面図
、第８図は同じく第６の実施例の構成を示す縦断面図、
第９図は本発明で用いるマイクロ波のモードとスロット
との関係を説明するための図である６ 符号の説明 １・・・スロット　　　　　２・・・マイクロ波共振部
３・・・プラズマ処理部　　４・・・被処理基板５・・
・基板ホルダ　　　　６・・・温度制御機構７・・・電
源 ８・・・プラズマ処理チャンバ ９・・・絶縁物　　　　　　１０・・・引き口１１・・
・導入口　　　　　　１２・・・導波管１３・・・マイ
クロ波発振部 １４．１４ａ、１４ｂ−・・ガス供給管１５・・・ガス
バッファ部　　１６・・・細管１７・・・マイクロ波透
過材　１８・・・プラズマ１９、２１・・・磁石　　　
　　２０・・・磁力線２２・・・プラズマ発生室　　２
３・・・ガスバッファ部２４・・・ガス供給器 代理人弁理士　　中　村　純之助 ８−−−−・アラス゛マ久１ｙ里ティンバ＋７−−−−
−マイクロラ皮遥■Ｅ才才９−−−−一象とａ彩η　　
　　　　　　　　　　１８−−−−−７’ラス・′マ第
１５！Ｊ 第２図 第　３　図　　　　　２ｌ−−−−−ｒ一覧石１４ａ、
　１４ｂ−−−−Ｊ・スイπ給管第５図 １３　　　＋２　　１＋　　　　　　　　　　　２第６
図 ２３−−−−一力゛°スバ７ファ杼 第７図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プラズマで励起した反応ガスにより、被処理基板表
   面の処理を行うプラズマ処理方法において、励起した反
   応ガスを、被処理基板の全面にわたって一定方向から供
   給することを特徴とするプラズマ処理方法。 ２、請求項１に記載のプラズマ処理方法において、反応
   ガスの供給方向が、被処理基板表面に対し垂直であるこ
   とを特徴とするプラズマ処理方法。 ３、プラズマで励起した反応ガスにより、被処理基板表
   面の処理を行うためのプラズマ処理装置であって、外部
   との電磁的結合部となるスロットを少なくとも１個設け
   たマイクロ波共振器を少なくとも１個有してなるプラズ
   マ発生手段と、被処理基板に対向して該基板表面に対し
   垂直に開けた複数の細孔を有する反応ガス供給手段とを
   具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 ４、請求項３に記載のプラズマ処理装置において、反応
   ガス供給手段の有する細孔を、プラズマ発生手段である
   マイクロ波共振器のスロットの内側に設けたことを特徴
   とするプラズマ処理装置。 ５、請求項３に記載のプラズマ処理装置において、反応
   ガス供給手段の有する細孔を、プラズマ発生手段である
   マイクロ波共振器のスロットの周囲に設けたことを特徴
   とするプラズマ処理装置。 ６、請求項３ないし５のいずれか１項に記載のプラズマ
   処理装置において、プラズマ発生手段であるマイクロ波
   共振器に使用するマイクロ波モードが、矩形モードのＴ
   Ｅ＿０＿１＿ｎ（ｎ：整数）であることを特徴とするプ
   ラズマ処理装置。 ７、請求項６に記載のプラズマ処理装置において、プラ
   ズマ発生手段に使用するマイクロ波の矩形モードのＴＥ
   ＿０＿１＿ｎのうちの電界に平行な面に、スロットを設
   けることを特徴とするプラズマ処理装置。 ８、請求項３ないし７のいずれか１項に記載のプラズマ
   処理装置において、プラズマ発生手段により発生させる
   プラズマの周囲に、該プラズマを閉じ込める磁場発生手
   段を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。 ９、請求項８に記載のプラズマ処理装置において、プラ
   ズマを閉じ込める磁場発生手段が、極性の異なる偶数個
   の小片を円周上に交互に配列して、リング形状に形成し
   たものであることを特徴とするプラズマ処理装置。 １０、請求項３ないし９のいずれか１項に記載のプラズ
   マ処理装置において、プラズマ発生手段と被処理基板と
   の間に、該被処理基板表面に対して垂直方向に複数の細
   孔を有する平板を設けたことを特徴とするプラズマ処理
   装置。 １１、請求項３ないし１０のいずれか１項に記載のプラ
   ズマ処理装置において、反応ガス供給手段が、複数の反
   応ガスをそれぞれ独立に供給できるものであることを特
   徴とするプラズマ処理装置。 １２、請求項１１に記載のプラズマ処理装置において、
   反応ガス供給手段として、スロットの内側とスロットの
   周囲に、それぞれ独立に反応ガスを供給するための細孔
   を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 １３、請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載のプ
   ラズマ処理装置において、反応ガス供給手段として、細
   孔を有する平板に、被処理基板に対向する側に反応ガス
   を供給するための細孔を設けたことを特徴とするプラズ
   マ処理装置。