JPH02308584A - レーザダイオードの光出力制御回路 - Google Patents
レーザダイオードの光出力制御回路Info
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- JPH02308584A JPH02308584A JP1128707A JP12870789A JPH02308584A JP H02308584 A JPH02308584 A JP H02308584A JP 1128707 A JP1128707 A JP 1128707A JP 12870789 A JP12870789 A JP 12870789A JP H02308584 A JPH02308584 A JP H02308584A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は光通信用レーザダイオードの光出力を周囲温度
に対応して制御するレーザダイオードの光出力制御回路
に関するものである。
に対応して制御するレーザダイオードの光出力制御回路
に関するものである。
（従来の技術）
一般に光通信用レーザダイオードは駆動電流とバイアス
電流とを重畳した電流によってドライブされる。駆動電
流は伝送データに基づくパルス電流であり、バイアス電
流は誘導放出によってレーザダイオードを発光させるた
めの基底電流である。
電流とを重畳した電流によってドライブされる。駆動電
流は伝送データに基づくパルス電流であり、バイアス電
流は誘導放出によってレーザダイオードを発光させるた
めの基底電流である。
レーザダイオードのドライブ回路の従来の一例を第３図
に示す。
に示す。
第３図において、ＬＤはレーザダイオード、Ｑ４〜Ｑ４
はトランジスタ、 Ｒ１，Ｒ２は抵抗、−ＶＲは基準電
圧、−ＶはレーザダイオードＬＤの電源電圧であり、レ
ーザダイオードＬＤのアノードはグランドに接続され、
カソードはＱ２のコレクタに接続され、カソードには駆
動電流が印加される。
はトランジスタ、 Ｒ１，Ｒ２は抵抗、−ＶＲは基準電
圧、−ＶはレーザダイオードＬＤの電源電圧であり、レ
ーザダイオードＬＤのアノードはグランドに接続され、
カソードはＱ２のコレクタに接続され、カソードには駆
動電流が印加される。
また旧の両端はグランドとＱ、のコレクタに接続され、
Ｑ□のベースにはプリバイアス信号が印加され、Ｑ、の
ベースには基準電圧（−Ｖ尺）が印加される。
Ｑ□のベースにはプリバイアス信号が印加され、Ｑ、の
ベースには基準電圧（−Ｖ尺）が印加される。
またＱ、のエミッタ、Ｑ２のエミッタ、およびＱ、のコ
レクタは相互に接続されると共に、Ｑ、のベース、Ｑ４
のベース、Ｑ４のコレクタおよびＲ２は相互に接続され
、さらにＲ２の他端はグランドに接続され、Ｑ□のエミ
ッタおよびＱ４のエミッタは共に電源電圧（−Ｖ）に接
続されている。
レクタは相互に接続されると共に、Ｑ、のベース、Ｑ４
のベース、Ｑ４のコレクタおよびＲ２は相互に接続され
、さらにＲ２の他端はグランドに接続され、Ｑ□のエミ
ッタおよびＱ４のエミッタは共に電源電圧（−Ｖ）に接
続されている。
またＱ３．Ｑ、およびＲ２は所謂カレントミラー回路を
構成し、［Ｖ−（ペースエミッタ間電圧）］／Ｒ２で計
算される電流Ｉｓを０３のコレクタに吸込み、これによ
ってＱよと０２のエミッタに定電流源が接続されたと同
等の効果をあたえている。
構成し、［Ｖ−（ペースエミッタ間電圧）］／Ｒ２で計
算される電流Ｉｓを０３のコレクタに吸込み、これによ
ってＱよと０２のエミッタに定電流源が接続されたと同
等の効果をあたえている。
プリバイアス信号の電圧が基準電圧（’ＶＲ）より小さ
いときをイネーブル、基準電圧（−ＶＲ）より大きいと
きをディスエーブルとすると、プリバイアス信号がディ
スエーブルのときＱｌはＯＮ、 ＱｚはＯＦＦとなっ
て定電流■ｓがＲ１を流れ、プリバイアス信号がイネー
ブルのときＱ、はＯＦＦ、 ＱｌはＯＮとなって定電
流１．がバイアス電流としてＱｌを流れる。
いときをイネーブル、基準電圧（−ＶＲ）より大きいと
きをディスエーブルとすると、プリバイアス信号がディ
スエーブルのときＱｌはＯＮ、 ＱｚはＯＦＦとなっ
て定電流■ｓがＲ１を流れ、プリバイアス信号がイネー
ブルのときＱ、はＯＦＦ、 ＱｌはＯＮとなって定電
流１．がバイアス電流としてＱｌを流れる。
駆動電流はプリバイアス信号がディスエーブルのときゼ
ロ、プリバイアス信号がイネーブルのとき伝送データに
基づいてゼロとある値Ｉ、との間で変化するパルス電流
となり、レーザダイオードＬＤはプリバイアス信号がデ
ィスエーブルのときはドライブされず、プリバイアス信
号がイネーブルのときＩ８と（Ｉｓ ＋ Ｉｏ）との間
で変化する電流でドライブされる。
ロ、プリバイアス信号がイネーブルのとき伝送データに
基づいてゼロとある値Ｉ、との間で変化するパルス電流
となり、レーザダイオードＬＤはプリバイアス信号がデ
ィスエーブルのときはドライブされず、プリバイアス信
号がイネーブルのときＩ８と（Ｉｓ ＋ Ｉｏ）との間
で変化する電流でドライブされる。
レーザダイオードに電流が流れるとレーザダイオードは
発光するが、その電流−光出力特性は一般に自然放出時
の特性と誘導放出時の特性とで示され１両方の電流−光
出力特性は第２図に示すようにそれぞれ直線で近似する
ことができるが、直線の傾きは前者よりも後者の方が大
きい。
発光するが、その電流−光出力特性は一般に自然放出時
の特性と誘導放出時の特性とで示され１両方の電流−光
出力特性は第２図に示すようにそれぞれ直線で近似する
ことができるが、直線の傾きは前者よりも後者の方が大
きい。
またレーザダイオードの電流−光出力は温度に依存し、
レーザダイオードに流れる電流を固定して温度を下げる
と光出力は増加し、温度を上げると光出力は減少し、温
度をｔｘｔｈｔ仁３ （ｔ工〈ｔ２〈ｔｘ）としたとき
の電流−光出力特性は例えば第２図に示す通りとなる。
レーザダイオードに流れる電流を固定して温度を下げる
と光出力は増加し、温度を上げると光出力は減少し、温
度をｔｘｔｈｔ仁３ （ｔ工〈ｔ２〈ｔｘ）としたとき
の電流−光出力特性は例えば第２図に示す通りとなる。
レーザダイオードに流れる電流が電流値１．と（Ｉ＋＋
Ｉｏ）との間で変化するとき１周囲部度がｔ２であれば
、電流値Ｉａのときの光出力はＰＬｚ、電流値（Ｉｓ
＋ Ｉｏ）のときの光出力はＰＬＩｚ （ＰＬｉ ＜Ｐ
ｕｔ）となり、電流の強弱が光の強弱に変えられる。
Ｉｏ）との間で変化するとき１周囲部度がｔ２であれば
、電流値Ｉａのときの光出力はＰＬｚ、電流値（Ｉｓ
＋ Ｉｏ）のときの光出力はＰＬＩｚ （ＰＬｉ ＜Ｐ
ｕｔ）となり、電流の強弱が光の強弱に変えられる。
この場合、周囲温度変化が微小であれば電流値Ｉｓのと
きの光出力はＰＬｚにほぼ等しく、電流値（Ｉｓ＋Ｉｏ
）のときの光出力はほぼＰｕｚに等しいので、電流の強
弱は同様に光の強弱に変えられる。
きの光出力はＰＬｚにほぼ等しく、電流値（Ｉｓ＋Ｉｏ
）のときの光出力はほぼＰｕｚに等しいので、電流の強
弱は同様に光の強弱に変えられる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら周囲温度がｔ２からｔ４に大きく低下する
と、電流値１．のときの光出力Ｐｕｔ、電流値（Ｉｓ＋
Ｉｏ）のときの光出力はＰｕｔ（ＰＬ□〈Ｐυ、）と
なり、第２図に示すようにＰＬｔ＜Ｐ＋ｇとなって、ｔ
ｌのときの光出力強レベルＰＬ工がｔ２のときの光出力
強レベルＰＬＩｚより大きくなる不具合が発生し、さら
にＰυ１の値が大きくなり過ぎて伝送システムの上限値
を超える恐れがある。
と、電流値１．のときの光出力Ｐｕｔ、電流値（Ｉｓ＋
Ｉｏ）のときの光出力はＰｕｔ（ＰＬ□〈Ｐυ、）と
なり、第２図に示すようにＰＬｔ＜Ｐ＋ｇとなって、ｔ
ｌのときの光出力強レベルＰＬ工がｔ２のときの光出力
強レベルＰＬＩｚより大きくなる不具合が発生し、さら
にＰυ１の値が大きくなり過ぎて伝送システムの上限値
を超える恐れがある。
また周囲温度がｔ２からｔ３に大きく上昇すると。
電流値Ｉｓのときの光出力はＰＣＩ、電流値（Ｉｓ ＋
Ｉｏ）のときの光出力はＰＣＩ） （ＰＣＩ ＜Ｐυ
、）となり、第２図に示すようにＰυｉ＜ＰＬｚとなっ
て、シ、のときの光出力強レベルＰＵ３がｔ２のときの
光出力弱レベルＰＬａより小さくなる不具合が発生し、
さらにＰＬ３近傍では自然放出によるレーザダイオー
ド発光のため伝送システムの下限値を下まわる不具合も
生ずる。
Ｉｏ）のときの光出力はＰＣＩ） （ＰＣＩ ＜Ｐυ
、）となり、第２図に示すようにＰυｉ＜ＰＬｚとなっ
て、シ、のときの光出力強レベルＰＵ３がｔ２のときの
光出力弱レベルＰＬａより小さくなる不具合が発生し、
さらにＰＬ３近傍では自然放出によるレーザダイオー
ド発光のため伝送システムの下限値を下まわる不具合も
生ずる。
上述のようにレーザダイオードの電流−光出力特性は周
囲温度に依存するので、温度環境の良くない場所へ設置
する場合には、これに対する考慮が必要となる。
囲温度に依存するので、温度環境の良くない場所へ設置
する場合には、これに対する考慮が必要となる。
本発明は上記の問題を考慮してなされたもので、バイア
ス電流を周囲温度に対応した電流値に制御することによ
って、レーザダイオードの光出力が周囲温度に影響され
ることなく明確に駆動電流に対応できるようにした合理
的なレーザダイオードの光出力制御回路を提供すること
を目的としている。
ス電流を周囲温度に対応した電流値に制御することによ
って、レーザダイオードの光出力が周囲温度に影響され
ることなく明確に駆動電流に対応できるようにした合理
的なレーザダイオードの光出力制御回路を提供すること
を目的としている。
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、シー２ザダイオードを駆動電流とバイアス電
流とを重畳した電流でドライブし、駆動電流に対応する
光出力を発生させるレーザダイオードの光出力制御回路
において、周囲温度を検出する温度センサと、上記レー
ザダイオードの電流−光出力特性の温度依存データを記
憶するメモリと、上記温度センサの出力に対応する上記
メモリのデータに基づいて上記バイアス電流を調整する
電流制御回路を備え、周囲温度が変化するとこれに対応
してバイアス電流を自動調整し、これによって周囲温度
が変化しても駆動電流に対応した一定の光出力が得られ
るようにしたものである。
流とを重畳した電流でドライブし、駆動電流に対応する
光出力を発生させるレーザダイオードの光出力制御回路
において、周囲温度を検出する温度センサと、上記レー
ザダイオードの電流−光出力特性の温度依存データを記
憶するメモリと、上記温度センサの出力に対応する上記
メモリのデータに基づいて上記バイアス電流を調整する
電流制御回路を備え、周囲温度が変化するとこれに対応
してバイアス電流を自動調整し、これによって周囲温度
が変化しても駆動電流に対応した一定の光出力が得られ
るようにしたものである。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図に示す。
第１図において、１１は温度センサ、１２はＡ／Ｄコン
バータ、１３はメモリ、 １４はＤ／Ａコンバータ、１
５は電流制御回路であり、第３図と同じトランジスタＱ
、、Ｑ、と共に本発明による光出力制御回路１を構成し
ている。
バータ、１３はメモリ、 １４はＤ／Ａコンバータ、１
５は電流制御回路であり、第３図と同じトランジスタＱ
、、Ｑ、と共に本発明による光出力制御回路１を構成し
ている。
すなわち光出力制御回路１内のトランジスタＱ１のベー
スにはプリバイアス信号が印加され、Ｑ２のコレクタは
ＬＤのカソードに接続され、その中間に駆動電流が印加
される。
スにはプリバイアス信号が印加され、Ｑ２のコレクタは
ＬＤのカソードに接続され、その中間に駆動電流が印加
される。
温度センサ１１は周囲温度に対応する電圧を発生し、温
度信号としてＡ／Ｄコンバータ１２に出力し、Ａ／Ｄコ
ンバータＩ２はこの温度信号をアナログ−ディジタル変
換し、アドレスとしてメモリ１３に出力する。
度信号としてＡ／Ｄコンバータ１２に出力し、Ａ／Ｄコ
ンバータＩ２はこの温度信号をアナログ−ディジタル変
換し、アドレスとしてメモリ１３に出力する。
メモリ１３は対応するアドレスに記憶されたディジタル
値をデータとしてＤ／Ａコンバータ１４に出力し、Ｄ／
＾コンバータ１４はこのディジタルデータをディジタル
−アナログ変換し、アナログ値として電流制御回路１５
に出力する。
値をデータとしてＤ／Ａコンバータ１４に出力し、Ｄ／
＾コンバータ１４はこのディジタルデータをディジタル
−アナログ変換し、アナログ値として電流制御回路１５
に出力する。
電流制御回路１５はＤ／Ａコンバータ１４からのアナロ
グ信号を用いてＱ、、Ｑ、の共通のエミッタ電流Ｉ。
グ信号を用いてＱ、、Ｑ、の共通のエミッタ電流Ｉ。
を周囲温度に対応して調整する。
Ｑｘ ｒ Ｑｓ ＋ Ｒ１＋ ＬＤ＋ −Ｖ＋ｔｏ
プリバイアス信号オヨび駆動電流は、ＱよおよびＱ２の
エミッタが電流制御回路１５に接続されている以外は第
３図の場合と同じであり、プリバイアス信号がディスエ
ーブルのときＱ、はＯＮ、 Ｑ、はＯＦＦとなってＬ
Ｄはドライブされず、プリバイアス信号がイネーブルの
ときＱ４はＯＦＦ、 ＱｚはＯＮとなってＬＤは駆動
電流と電流制御回路１５の発生する電流とを重畳した電
流、すなわち■ｓとＩｓ十Ｉ◎の間で変化する電流でド
ライブされる。
プリバイアス信号オヨび駆動電流は、ＱよおよびＱ２の
エミッタが電流制御回路１５に接続されている以外は第
３図の場合と同じであり、プリバイアス信号がディスエ
ーブルのときＱ、はＯＮ、 Ｑ、はＯＦＦとなってＬ
Ｄはドライブされず、プリバイアス信号がイネーブルの
ときＱ４はＯＦＦ、 ＱｚはＯＮとなってＬＤは駆動
電流と電流制御回路１５の発生する電流とを重畳した電
流、すなわち■ｓとＩｓ十Ｉ◎の間で変化する電流でド
ライブされる。
メモリ１３には周囲温度に対応したバイアス電流のデー
タが記憶されているので、Ａ／Ｄコンバータ１２からア
ドレスラインに周囲温度信号をアナログ−ディジタル変
換したデータが入力されることによって、メモリ１３は
データラインに所望のバイアス電流のデータを出力する
。
タが記憶されているので、Ａ／Ｄコンバータ１２からア
ドレスラインに周囲温度信号をアナログ−ディジタル変
換したデータが入力されることによって、メモリ１３は
データラインに所望のバイアス電流のデータを出力する
。
Ｄ／Ａコンバータ１４はデータラインに出力されたバイ
アス電流のデータをディジタル−アナログ変換して電流
制御回路１５に出力し、電流制御回路１５はＤ／Ａコン
バータ１４の出力するアナログ信号に従ってトランジス
タＱ□ｔ ＱＺのエミッタ電流工ｓを制御する。
アス電流のデータをディジタル−アナログ変換して電流
制御回路１５に出力し、電流制御回路１５はＤ／Ａコン
バータ１４の出力するアナログ信号に従ってトランジス
タＱ□ｔ ＱＺのエミッタ電流工ｓを制御する。
すなわち周囲温度が変化するとアドレスライン上のデー
タが変化してデータライン上に新しいバイアス電流のデ
ータが現われ、Ｄ／Ａコンバータ１４はデータライン上
のデータをディジタル−アナログ変換し、電流制御回路
１５はＤ／Ａコンバータ１４の出力する信号を電流に変
換するので、これによって新しいバイアス電流のデータ
が新しい周囲温度に対応したバイアス電流に変換される
。
タが変化してデータライン上に新しいバイアス電流のデ
ータが現われ、Ｄ／Ａコンバータ１４はデータライン上
のデータをディジタル−アナログ変換し、電流制御回路
１５はＤ／Ａコンバータ１４の出力する信号を電流に変
換するので、これによって新しいバイアス電流のデータ
が新しい周囲温度に対応したバイアス電流に変換される
。
このときプリバイアス信号がイネーブルになると、レー
ザダイオードＬＤはこの新しいバイアス電流に駆動電流
を重畳した電流でドライブされる。
ザダイオードＬＤはこの新しいバイアス電流に駆動電流
を重畳した電流でドライブされる。
メモリ１３上のバイアス電流データは周囲温度に対応し
て駆動電流に対する光出力が一定となるように定められ
ているので、周囲温度が変化しても駆動電流に対するＬ
Ｄの光出力は変動しない。
て駆動電流に対する光出力が一定となるように定められ
ているので、周囲温度が変化しても駆動電流に対するＬ
Ｄの光出力は変動しない。
第１図における各部の具体的な数値例を示すと下記の通
りとなる。
りとなる。
すなわち温度センサ１１は０〜５１℃の温度を感知して
これをＯＮ５．１ｖの電圧に変換して出力し、Ａ／ロコ
ンバータ１２は温度センサ１１の出力する電圧を８ビツ
トのディジタル値に変換してアドレスとして出力し、
メモリ１３はＡ／Ｄコンバータ１２の出力するアドレス
に記憶されている８ビツトのディジタル値をデータとし
て出力し、Ｄ／＾コンバータ１４はメモリ１３の出力す
るデータを１〜６．ＩＶの電圧に変換して出力し、１！
流制御回路１５はＤ／Ａコンバータ１４の出力する電圧
をトランジスタＱ、、Ｑ、のエミッタ電流１５〜９１．
５ｍＡに変換し、トランジスタＱ２を介してレーザダイ
オードＬＤにバイアス電流を流す。
これをＯＮ５．１ｖの電圧に変換して出力し、Ａ／ロコ
ンバータ１２は温度センサ１１の出力する電圧を８ビツ
トのディジタル値に変換してアドレスとして出力し、
メモリ１３はＡ／Ｄコンバータ１２の出力するアドレス
に記憶されている８ビツトのディジタル値をデータとし
て出力し、Ｄ／＾コンバータ１４はメモリ１３の出力す
るデータを１〜６．ＩＶの電圧に変換して出力し、１！
流制御回路１５はＤ／Ａコンバータ１４の出力する電圧
をトランジスタＱ、、Ｑ、のエミッタ電流１５〜９１．
５ｍＡに変換し、トランジスタＱ２を介してレーザダイ
オードＬＤにバイアス電流を流す。
Ｑ工ｌ ＱｌはＮＰＮ ）−ランジスタであり、また−
ｖＲは基準電圧であり、その値はプリバイアス信号がデ
ィスエーブルのときＱｌがＯＮ、 ＱｌがＯＦＦとな
り、プリバイアス信号がイネーブルのときＱ工がＯＦＦ
、 ＱｌがＯＮとなるように選ばれており、また抵抗
Ｒ１は９１．５ｍＡの電流容量をもっている。
ｖＲは基準電圧であり、その値はプリバイアス信号がデ
ィスエーブルのときＱｌがＯＮ、 ＱｌがＯＦＦとな
り、プリバイアス信号がイネーブルのときＱ工がＯＦＦ
、 ＱｌがＯＮとなるように選ばれており、また抵抗
Ｒ１は９１．５ｍＡの電流容量をもっている。
またメモリ１３にはレーザダイオードの周囲温度に対応
するバイアス電流値が記憶されており、上記の数値例で
は周囲温度が０℃のとき１５ｍＡ、５１”Ｃのとき９１
、５ｍＡであり、 第２図においてｔ□＝０℃、ｔ３
＝５１℃となる。
するバイアス電流値が記憶されており、上記の数値例で
は周囲温度が０℃のとき１５ｍＡ、５１”Ｃのとき９１
、５ｍＡであり、 第２図においてｔ□＝０℃、ｔ３
＝５１℃となる。
この場合、電流−光出力特性曲線を温度に関して等間隔
で２５６本設けておくと、光出力ＰＬＩｚを得るための
電流値は８ビツトのディジタル値に対応させることがで
き、電流−光出力特性曲線が等間隔で２５６本ない場合
には比例計算によって対応する電流値を求め、これによ
ってメモリ１３に周囲温度に対応するバイアス電流値を
記憶させることができる。
で２５６本設けておくと、光出力ＰＬＩｚを得るための
電流値は８ビツトのディジタル値に対応させることがで
き、電流−光出力特性曲線が等間隔で２５６本ない場合
には比例計算によって対応する電流値を求め、これによ
ってメモリ１３に周囲温度に対応するバイアス電流値を
記憶させることができる。
温度センサ１１は０〜５１’Ｃの温度を０〜５．ＩＶの
電圧に変換し、Ａ／Ｄコンバータ１２は温度センサ１１
の出力する０〜５．１ｖの電圧を８ビツトのディジタル
値に変換して出力するので、メモリ１３のアドレスライ
ンには周囲温度が８ビツトのデータとして存在し、例え
ば２０℃を２進法で表現すると０１１００１００となる
。
電圧に変換し、Ａ／Ｄコンバータ１２は温度センサ１１
の出力する０〜５．１ｖの電圧を８ビツトのディジタル
値に変換して出力するので、メモリ１３のアドレスライ
ンには周囲温度が８ビツトのデータとして存在し、例え
ば２０℃を２進法で表現すると０１１００１００となる
。
メモリＩ３はアドレスライン上のデータが示すエリアに
記憶する８ビツトのデータをデータラインに出力し、Ｄ
／＾コンバータ１４はメモリ１３の出力する８ビツトの
ディジタル値を１〜６．１ｖの電圧に変換し、電流制御
回路１５はＤ／Ａコンバータ１４の出力する電圧を１５
〜９１．５ａＡの電流に変換し、トランジスタＱ１また
はＱｌを介して負荷を駆動する。
記憶する８ビツトのデータをデータラインに出力し、Ｄ
／＾コンバータ１４はメモリ１３の出力する８ビツトの
ディジタル値を１〜６．１ｖの電圧に変換し、電流制御
回路１５はＤ／Ａコンバータ１４の出力する電圧を１５
〜９１．５ａＡの電流に変換し、トランジスタＱ１また
はＱｌを介して負荷を駆動する。
上述のように、メモリ１３に周囲温度に対応するバイア
ス電流値を記憶しておけば、電流制御回路１５はレーザ
ダイオードの光出力がＰＵ２ どなるのに必要なバイア
ス電流を発生する。
ス電流値を記憶しておけば、電流制御回路１５はレーザ
ダイオードの光出力がＰＵ２ どなるのに必要なバイア
ス電流を発生する。
プリバイアス信号がディスエーブルのとき電流制御回路
１５の発生する電流はＱｌを介してＲ１を流れ、プリバ
イアス信号がイネーブルのとき電流制御回路１５の発生
する電流はトランジスタＱ２を介してバイアス電流■ｓ
としてレーザダイオードＬＤを流れる。
１５の発生する電流はＱｌを介してＲ１を流れ、プリバ
イアス信号がイネーブルのとき電流制御回路１５の発生
する電流はトランジスタＱ２を介してバイアス電流■ｓ
としてレーザダイオードＬＤを流れる。
なおメモリ１３に記憶させるデータは、当該レーザダイ
オードＬＤの標準の電流−光出力特性の温度依存データ
に基づいて作成されるが、製造上のばらつきやバイアス
電流データ作成時の計算誤差などによって所定の温度範
囲で一定の光出力が得られない場合にも、データを適宜
修正することによって容易に対応することができる。
オードＬＤの標準の電流−光出力特性の温度依存データ
に基づいて作成されるが、製造上のばらつきやバイアス
電流データ作成時の計算誤差などによって所定の温度範
囲で一定の光出力が得られない場合にも、データを適宜
修正することによって容易に対応することができる。
以上説明したように本発明によれば、周囲温度の変化に
対応してレーザダイオードのバイアス電流を、レーザダ
イオードの電流−光出力特性の温度依存データに基づい
て自動的に調整しているので、周囲温度が変化しても駆
動電流に対応する一定の光出力が得られ、これによって
温度環境の不良な場所で使用してもレーザダイオードに
よる電流−光出力変換を安定に行うことが可能となる。
対応してレーザダイオードのバイアス電流を、レーザダ
イオードの電流−光出力特性の温度依存データに基づい
て自動的に調整しているので、周囲温度が変化しても駆
動電流に対応する一定の光出力が得られ、これによって
温度環境の不良な場所で使用してもレーザダイオードに
よる電流−光出力変換を安定に行うことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はレー
ザダイオードの電流−光出力特性の温度による変化の一
例を示す図、第３図は従来のレーザダイオードのドライ
ブ回路の一例を示す図である。 １・・・光出力制御回路 １１・・・温度センサ１２
・・・Ａ／Ｄコンバータ １３・・・メモリ１４・
・・Ｄ／Ａコンバータ １５・・・電流制御回路０
１〜Ｑ４・・・トランジスタ Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗 ＬＤ・・・レーザダイ
オード代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第１図 第２図
ザダイオードの電流−光出力特性の温度による変化の一
例を示す図、第３図は従来のレーザダイオードのドライ
ブ回路の一例を示す図である。 １・・・光出力制御回路 １１・・・温度センサ１２
・・・Ａ／Ｄコンバータ １３・・・メモリ１４・
・・Ｄ／Ａコンバータ １５・・・電流制御回路０
１〜Ｑ４・・・トランジスタ Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗 ＬＤ・・・レーザダイ
オード代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第１図 第２図
Claims (1)
- レーザダイオードを駆動電流とバイアス電流とを重畳し
た電流でドライブし、駆動電流に対応する光出力を発生
させるレーザダイオードの光出力制御回路において、周
囲温度を検出する温度センサと、上記レーザダイオード
の電流−光出力特性の温度依存データを記憶するメモリ
と、上記温度センサの出力に対応する上記メモリのデー
タに基づいて上記バイアス電流を調整する電流制御回路
を備えたことを特徴とするレーザダイオードの光出力制
御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128707A JPH02308584A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | レーザダイオードの光出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128707A JPH02308584A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | レーザダイオードの光出力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308584A true JPH02308584A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14991440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128707A Pending JPH02308584A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | レーザダイオードの光出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02308584A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537066A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光中継器 |
| US6292497B1 (en) | 1997-10-28 | 2001-09-18 | Nec Corporation | Laser diode driving method and circuit |
| JP2014158181A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Phi Microtech Inc | 温度補償回路 |
| JP2014158182A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Phi Microtech Inc | 温度補償回路 |
| CN104078841A (zh) * | 2014-07-08 | 2014-10-01 | 成都新易盛通信技术股份有限公司 | 一种光模块激光器数字开环温度补偿系统 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP1128707A patent/JPH02308584A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537066A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光中継器 |
| US6292497B1 (en) | 1997-10-28 | 2001-09-18 | Nec Corporation | Laser diode driving method and circuit |
| EP0913896A3 (en) * | 1997-10-28 | 2002-04-03 | Nec Corporation | Laser diode driving method and circuit |
| JP2014158181A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Phi Microtech Inc | 温度補償回路 |
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| CN104078841A (zh) * | 2014-07-08 | 2014-10-01 | 成都新易盛通信技术股份有限公司 | 一种光模块激光器数字开环温度补偿系统 |
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