JPH0230937Y2 - - Google Patents
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- JPH0230937Y2 JPH0230937Y2 JP2774484U JP2774484U JPH0230937Y2 JP H0230937 Y2 JPH0230937 Y2 JP H0230937Y2 JP 2774484 U JP2774484 U JP 2774484U JP 2774484 U JP2774484 U JP 2774484U JP H0230937 Y2 JPH0230937 Y2 JP H0230937Y2
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案はVHFチユーナのように、ローチヤ
ンネルバンドとハイチヤンネルバンドによりフイ
ルタ定数を切換えるようにしたバンドパスフイル
タを有するチユーナに関する。[Detailed Description of the Invention] Industrial Field of Application This invention relates to a tuner, such as a VHF tuner, that has a bandpass filter in which the filter constant is switched between a low channel band and a high channel band.
背景技術とその問題点
例えば、VHFチユーナではこれに設けられた
バンドパスフイルタの定数をローチヤンネルバン
ドとハイチヤンネルバンドとによつて切換えて使
用するようになすと共に、バンドパスフイルタと
ミキサとの間には容量結合回路が設けられる。BACKGROUND TECHNOLOGY AND PROBLEMS For example, in a VHF tuner, the constant of a bandpass filter provided therein is switched between low channel band and high channel band, and the constant between the bandpass filter and mixer is changed. is provided with a capacitive coupling circuit.
第1図はその一例を示すVHFチユーナ1の要
部の一例を示すものであつて、10は高周波信号
(テレビジヨン信号)の増幅回路、20はチヤン
ネル切換手段及びバンド切換手段を有するバンド
パスフイルタ、30はミキサ、40は容量結合回
路である。 FIG. 1 shows an example of the essential parts of a VHF tuner 1, in which 10 is a high frequency signal (television signal) amplification circuit, 20 is a bandpass filter having channel switching means and band switching means. , 30 is a mixer, and 40 is a capacitive coupling circuit.
増幅回路10は高周波信号SRFの増幅素子とし
てこの例では、4極電界効果トランジスタ
(FET)2が使用され、その第1ゲートG1には端
子3より高周波信号、この例ではVHF信号SRFが
供給され、第2ゲートG2には端子4よりAGC信
号(電圧)VAGCが供給されて、ドレインD側よ
りゲインコントロールされたVHF信号SRFが出力
される。このVHF信号SRFはDCカツト用のコン
デンサC1を介してバンドパスフイルタ20に供
給される。 The amplifier circuit 10 uses a quadrupole field effect transistor (FET) 2 in this example as an amplification element for the high frequency signal SRF , and its first gate G1 receives a high frequency signal from the terminal 3, in this example the VHF signal SRF. is supplied to the second gate G2 , an AGC signal (voltage) V AGC is supplied from the terminal 4, and a gain-controlled VHF signal SRF is output from the drain D side. This VHF signal SRF is supplied to a bandpass filter 20 via a DC cut capacitor C1.
バンドパスフイルタ20は複数の結合コイル
L1〜L5で構成されたフイルタ21を有し、この
フイルタ21にはスイツチングダイオードD1,
D2からなるバンド切換手段22,23が設けら
れ、端子24に供給されたスイツチングパルス
PSWにてローチヤンネルバンド用とハイチヤンネ
ルバンド用にフイルタ定数が切換えられる。すな
わち、スイツチングダイオードD1,D2がオンす
るようなスイツチングパルスPSWの供給によつ
て、フイルタ21のインダクタンスが小さくなる
から、このときはハイチヤンネルバンドが通過帯
域となり、それ以外はダイオードD1,D2がオフ
してローチヤンネルが通過帯域となる。 The bandpass filter 20 has a plurality of coupled coils.
It has a filter 21 composed of L1 to L5 , and this filter 21 includes switching diodes D1,
Band switching means 22 and 23 consisting of D 2 are provided, and the switching pulse supplied to the terminal 24
The filter constant can be switched between low channel band and high channel band using P SW . That is, by supplying the switching pulse P SW that turns on the switching diodes D 1 and D 2 , the inductance of the filter 21 becomes smaller, so in this case, the high channel band becomes the pass band, and the other areas are the diodes. D 1 and D 2 are turned off, and the roach channel becomes a passband.
フイルタ21にはその入出力段に夫々可変容量
ダイオードD3,D4を有するチヤンネル選局手段
26,27が設けられて電子同調チユーナが構成
され、端子29に供給されるチヤンネル選局電圧
VCHによつて希望のチヤンネルが選局される。 The filter 21 is provided with channel selection means 26 and 27 having variable capacitance diodes D 3 and D 4 at its input and output stages to constitute an electronic tuning tuner, and the channel selection voltage supplied to the terminal 29 is
The desired channel is selected by V CH .
バンドパスフイルタ20とミキサ30との段間
に設けられた容量結合回路40は、結合コンデン
サC2と可変容量ダイオードD5とで構成される。
ダイオードD5はバンド間でのパワーゲインの格
差(偏差)を補正するために設けられたものであ
つて、このダイオードD5を設けない場合には、
ローチヤンネルバンドでのゲインが第2図曲線l1
のようになり、ハイチヤンネルバンドでのゲイン
が同図曲線l2のようになるため、バンド間でのゲ
イン差ΔG1が非常に大きい。 A capacitive coupling circuit 40 provided between the bandpass filter 20 and the mixer 30 includes a coupling capacitor C2 and a variable capacitance diode D5 .
Diode D5 is provided to correct the disparity (deviation) in power gain between bands, and if this diode D5 is not provided,
The gain in the roach channel band is the curve l 1 in Figure 2.
Since the gain in the Haitian channel band is as shown by the curve l2 in the figure, the gain difference ΔG1 between the bands is very large.
これは、高周波増幅用のFET2の増幅度が周
波数依存性があり、ローチヤンネルバンドでその
ゲインが高くなる傾向にあるからである。 This is because the amplification degree of the FET 2 for high frequency amplification is frequency dependent, and the gain tends to be high in the low channel band.
結合コンデンサC2にダイオードD5を直列接続
し、その容量をチヤンネル選局電圧VCHによつて
可変すれば、ローチヤンネルバンドでは第2図曲
線l3のようになり、ハイチヤンネルバンドでは同
図曲線l4のようになることから、結合コンデンサ
C2だけを使用する場合よりもバンド間でのゲイ
ン格差を大幅に減らすことができる。 If a diode D5 is connected in series with the coupling capacitor C2 and its capacitance is varied by the channel selection voltage V CH , the curve L3 in Figure 2 will be obtained in the low channel band, and the same figure will be obtained in the high channel band. From the curve l 4 , the coupling capacitor
Gain disparity between bands can be significantly reduced compared to using only C2 .
しかし、この構成によつてもまたバンド間での
ゲイン格差を充分に小さくすることができない。 However, even with this configuration, the gain difference between bands cannot be made sufficiently small.
考案の目的
そこで、この考案では従来よりも一層バンド間
でのゲイン格差及び同一バンド内でのゲイン格差
を少なくして、歪特性等の優れたチユーナを提案
するものである。Purpose of the invention Therefore, in this invention, the present invention proposes a tuner with excellent distortion characteristics and the like by reducing the gain difference between bands and the gain difference within the same band even more than in the past.
考案の概要
そのため、この考案においては、容量結合回路
の結合容量をローチヤンネルバンドとハイチヤン
ネルバンドとで、前者よりも後者の方が大きくな
るようにしてバンド間及び同一バンド内でのゲイ
ン格差を第2図曲線l3,l4の場合よりもさらに減
少させるようにしたものである。Summary of the invention Therefore, in this invention, the coupling capacitance of the capacitive coupling circuit is made larger in the low channel band and in the high channel band than in the former, thereby reducing the gain difference between bands and within the same band. This is a further reduction than in the case of curves l 3 and l 4 in Figure 2.
具体的には、この容量結合回路はゲイン補正用
の可変容量ダイオードと直列又は並列に接続され
た一対のリアクタンス素子とで構成され、これら
一対のリアクタンス素子をバンド切換に応じて選
択することにより、選択されたバンドに応じて異
なる結合容量が得られるようにしたものである。 Specifically, this capacitive coupling circuit is composed of a variable capacitance diode for gain correction and a pair of reactance elements connected in series or parallel, and by selecting these pair of reactance elements according to band switching, Different coupling capacities can be obtained depending on the selected band.
実施例
続いて、この考案に係るチユーナを上述した
VHFチユーナに適用した場合につき、第3図以
下を参照して説明する。但し、前掲図と対応する
部分には同一符号を付しその説明は省略する。Example Next, the tuner according to this invention is described above.
The application to a VHF tuner will be explained with reference to FIG. 3 and subsequent figures. However, the same reference numerals are given to the parts corresponding to those in the previous figure, and the explanation thereof will be omitted.
第3図に示す容量結合回路40においては、第
1の結合コンデンサCaとスイツチングダイオー
ドDaと上述した可変容量ダイオードD5とで第1
の容量結合手段41が構成され、これがローチヤ
ンネルバンド選択時の容量結合手段として使用さ
れる。またこの可変容量ダイオードD5を共通に
使用すると共に、これと第2の結合コンデンサ
CbとスイツチングダイオードDbとで第2の容量
結合手段42が構成され、これがハイチヤンネル
バンド選択時の容量結合手段として使用される。
従つて、第1の結合コンデンサCaとダイオード
Daの直列回路と、第2の結合コンデンサCbとダ
イオードDbの直列回路とは並列接続される。 In the capacitive coupling circuit 40 shown in FIG.
A capacitive coupling means 41 is constructed, which is used as a capacitive coupling means when selecting a low channel band. In addition, this variable capacitance diode D5 is used in common, and this and the second coupling capacitor
C b and the switching diode D b constitute a second capacitive coupling means 42, which is used as a capacitive coupling means when selecting a high channel band.
Therefore, the first coupling capacitor C a and the diode
The series circuit of D a and the series circuit of the second coupling capacitor C b and diode D b are connected in parallel.
可変容量ダイオードD5のカソード側には上述
の場合と同じくチヤンネル選局電圧VCHが端子2
9より供給されると共に、上述した直列回路内の
夫々の接続中点q1,q2にはバンド切換用のスイツ
チングパルスPSW(第4図)が端子44より供給
される。ただし、接続中点q1側にはインバータ4
5により位相反転されたスイツチングパルスSW
が供給される。 Channel selection voltage V CH is connected to terminal 2 on the cathode side of variable capacitance diode D 5 as in the above case.
At the same time, a switching pulse P SW (FIG. 4) for band switching is supplied from a terminal 44 to the connecting midpoints q 1 and q 2 in the above-mentioned series circuit. However, inverter 4 is connected to the connection midpoint q 1 side.
Switching pulse SW whose phase is inverted by 5
is supplied.
第1の結合コンデンサCaは第1図において使
用される結合コンデンサC2よりも容量値の小さ
なものが使用され、これとは逆に第2の結合コン
デンサCbは結合コンデンサCbよりも容量値の大
きなものが使用される。従つて、今第4図に示す
ようなローレベルのスイツチングパルス(バンド
パスフイルタ20に供給されるスイツチングパル
スと同一のパルス)PSWが供給されると、ダイオ
ードDaのみオンするから、第1の容量結合手段
41が選択される。 The first coupling capacitor C a has a smaller capacitance than the coupling capacitor C 2 used in Fig. 1, and conversely, the second coupling capacitor C b has a smaller capacitance than the coupling capacitor C b . The one with the highest value is used. Therefore, when a low-level switching pulse (the same pulse as the switching pulse supplied to the bandpass filter 20) P SW as shown in FIG. 4 is supplied, only the diode D a is turned on. The first capacitive coupling means 41 is selected.
Ca〈C2であるから、第1の容量結合手段41の
総合結合容量は第1図の場合よりも小さくなるか
ら、そのゲインは第1図の場合よりも低下し、こ
の低下の割合はローチヤンネルバンド内でもロー
エンド(チヤンネル周波数が低い側)の方が大き
く、ハイエンド(チヤンネル周波数が高い側)で
は殆んど変化しないから、ローチヤンネルバンド
内でのゲインは第2図曲線l5に示すような特性と
なる。 Since C a <C 2 , the total coupling capacitance of the first capacitive coupling means 41 is smaller than in the case of FIG. 1, so its gain is lower than in the case of FIG. 1, and the rate of this reduction is Even within the low channel band, the gain is larger at the low end (the side where the channel frequency is low), and there is almost no change at the high end (the side where the channel frequency is high), so the gain within the low channel band is shown in curve 5 in Figure 2. The characteristics are as follows.
ハイレベルのスイツチングパルスPSWが供給さ
れると、ハイチヤンネルバンドが選択されると共
に、第2の容量結合段42が選択される。このと
き、Cb〉C2の関係にあるから、第2の容量結合
主段42の総合結合容量は第1図の場合よりも大
きくなつて、そのゲインは逆に第1図の場合より
も増加し、この増加の割合は同じハイチヤンネル
バンド内でもローエンドの方がハイエンドよりも
大きい。そのため、ハイチヤンネルバンド内での
ゲインは第2図曲線l6に示すような特性となる。 When the high level switching pulse P SW is supplied, the high channel band is selected and the second capacitive coupling stage 42 is also selected. At this time, since the relationship C b > C 2 exists, the total coupling capacitance of the second capacitive coupling main stage 42 becomes larger than in the case of FIG. The rate of increase is larger in the low end than in the high end even within the same Haiti channel band. Therefore, the gain within the channel band has a characteristic as shown in curve l6 in FIG. 2.
このようなことから、バンド間でのレベル格差
ΔG2が従来よりもさらに低下する。これと同時に
同一バンド内でも、ローエンドとハイエンド間の
レベル格差が縮まり、チヤンネル間でのゲイン格
差を解消できる。このため、歪特性、S/N特性
の優れたチユーナを実現できる。 For this reason, the level difference ΔG 2 between bands is further reduced than before. At the same time, even within the same band, the level disparity between low-end and high-end is reduced, and gain disparity between channels can be eliminated. Therefore, a tuner with excellent distortion characteristics and S/N characteristics can be realized.
すなわち、チユーナのパワーゲインは高すぎる
と歪特性が悪化し、逆に低すぎると出力のS/N
が劣化することから、ローチヤンネルバンドのゲ
インを全体として下げ、しかも夫々のバンドにお
いて、各チヤンネル間のゲイン格差を少なくすれ
ば、チユーナの歪特性及びS/N特性をいずれも
改善することができる。 In other words, if the power gain of the tuner is too high, the distortion characteristics will deteriorate, and if it is too low, the output S/N will deteriorate.
Therefore, by lowering the gain of the lower channel band as a whole and reducing the gain difference between each channel in each band, both the distortion characteristics and S/N characteristics of the tuner can be improved. .
上述の構成によれば、ローチヤンネルバンドの
ゲインを全体的に下げることができ、バンド間で
のゲイン格差が少なくなると共に、同一バンド内
でもチヤンネル間でのゲイン格差が縮まるので、
歪特性及びS/N特性の優れたチユーナを実現で
きるものである。 According to the above configuration, the gain of the lower channel band can be lowered as a whole, and the gain difference between bands is reduced, and the gain difference between channels even within the same band is reduced.
A tuner with excellent distortion characteristics and S/N characteristics can be realized.
第5図は容量結合回路40の他の例を示し、こ
の例ではDCカツト用のコンデンサCcに対し直列
に結合コンデンサCdが設けられると共に、この
結合コンデンサCdに対しスイツチングダイオー
ドDcが並列に接続されて構成される。そして、
位相反転されたスイツチングパルスSWがスイツ
チングダイオードDcのアノード側に供給される。 FIG. 5 shows another example of the capacitive coupling circuit 40. In this example, a coupling capacitor Cd is provided in series with the DC cut capacitor Cc , and a switching diode Dc is connected to the coupling capacitor Cd . are connected in parallel. and,
The phase-inverted switching pulse SW is supplied to the anode side of the switching diode D c .
この構成によれば、ローチヤンネルバンドに切
換えられるとダイオードDcがオフするので、可
変容量ダイオードD5と一対のコンデンサCc,Cd
が第1の容量結合手段41として作用し、またハ
イチヤンネルバンドに切換えられると、ダイオー
ドDcがオンして、可変容量ダイオード5とコンデ
ンサCcが第2の容量結合手段42として作用する
から、前者よりも後者の方が結合容量が大きくな
つて上述したとほぼ同様の作用効果が得られるも
のである。この構成では第3図の場合よりも回路
構成を簡略化できる。 According to this configuration, the diode D c is turned off when switched to the low channel band, so the variable capacitance diode D 5 and the pair of capacitors C c and C d
acts as the first capacitive coupling means 41, and when switched to the high channel band, the diode D c turns on and the variable capacitance diode 5 and the capacitor C c act as the second capacitive coupling means 42. The latter has a larger coupling capacity than the former, and almost the same effect as described above can be obtained. With this configuration, the circuit configuration can be simplified compared to the case of FIG.
考案の効果
以上説明したようにこの考案では容量結合手段
の結合容量をローチヤンネルバンドとハイチヤン
ネルバンドとで、前者よりも後者の方が大きくな
るようにしたから、バンド間及び同一バンド内で
のパワーゲインの格差を大幅に縮めることができ
る。そのため、この考案によれば、バンド内での
ゲインのばらつきがなくなると共に、歪特性及び
S/N特性がともに優れたチユーナを構成簡単に
得ることができる。Effects of the invention As explained above, in this invention, the coupling capacitance of the capacitive coupling means is made larger in the lower channel band and the higher channel band than in the former, so that the coupling capacity between bands and within the same band is It is possible to significantly reduce the disparity in power gain. Therefore, according to this invention, it is possible to easily construct a tuner that eliminates variation in gain within a band and has excellent distortion characteristics and S/N characteristics.
第1図は従来のチユーナの一例を示す接続図、
第2図はその動作説明に供するゲイン特性図、第
3図及び第5図は夫々この考案に係るチユーナの
要部の一例を示す接続図、第4図はバンド切換用
スイツチングパルスの波形図である。
10は高周波信号増幅回路、20はバンドパス
フイルタ、30はミキサ、40は容量結合回路、
41,42は第1及び第2の容量結合手段、Ca
〜Cdはリアクタンス素子である。
Figure 1 is a connection diagram showing an example of a conventional tuner.
Figure 2 is a gain characteristic diagram to explain its operation, Figures 3 and 5 are connection diagrams showing an example of the main parts of the tuner according to this invention, and Figure 4 is a waveform diagram of switching pulses for band switching. It is. 10 is a high frequency signal amplification circuit, 20 is a band pass filter, 30 is a mixer, 40 is a capacitive coupling circuit,
41 and 42 are first and second capacitive coupling means, C a
~C d is a reactance element.
Claims (1)
ーチヤンネルバンドとハイチヤンネルバンドとの
バンド切換手段とを備えたバンドパスフイルタを
有し、このバンドパスフイルタとミキサとの間に
容量結合回路が設けられ、この容量結合回路はゲ
イン補正用の可変容量ダイオードと直列又は並列
に接続された一対のリアクタンス素子とで構成さ
れ、これら一対のリアクタンス素子をバンド切換
に応じて選択することにより、同一バンド内での
各チヤンネル間のゲインを補正するようにしたチ
ユーナ。 It has a bandpass filter equipped with a variable capacitance diode for channel selection and a band switching means between a low channel band and a high channel band, and a capacitive coupling circuit is provided between the bandpass filter and the mixer, This capacitive coupling circuit consists of a variable capacitance diode for gain correction and a pair of reactance elements connected in series or parallel.By selecting these pair of reactance elements according to band switching, A tuner that corrects the gain between each channel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2774484U JPS60139349U (en) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Chuyuna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2774484U JPS60139349U (en) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Chuyuna |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60139349U JPS60139349U (en) | 1985-09-14 |
| JPH0230937Y2 true JPH0230937Y2 (en) | 1990-08-21 |
Family
ID=30524976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2774484U Granted JPS60139349U (en) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Chuyuna |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60139349U (en) |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP2774484U patent/JPS60139349U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60139349U (en) | 1985-09-14 |
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