JPH0230937Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案はVHFチユーナのように、ローチヤ
ンネルバンドとハイチヤンネルバンドによりフイ
ルタ定数を切換えるようにしたバンドパスフイル
タを有するチユーナに関する。

背景技術とその問題点 例えば、VHFチユーナではこれに設けられた
バンドパスフイルタの定数をローチヤンネルバン
ドとハイチヤンネルバンドとによつて切換えて使
用するようになすと共に、バンドパスフイルタと
ミキサとの間には容量結合回路が設けられる。

第１図はその一例を示すVHFチユーナ１の要
部の一例を示すものであつて、１０は高周波信号
（テレビジヨン信号）の増幅回路、２０はチヤン
ネル切換手段及びバンド切換手段を有するバンド
パスフイルタ、３０はミキサ、４０は容量結合回
路である。

増幅回路１０は高周波信号S_RFの増幅素子とし
てこの例では、４極電界効果トランジスタ
（FET）２が使用され、その第１ゲートG₁には端
子３より高周波信号、この例ではVHF信号S_RFが
供給され、第２ゲートG₂には端子４よりAGC信
号（電圧）V_AGCが供給されて、ドレインＤ側よ
りゲインコントロールされたVHF信号S_RFが出力
される。このVHF信号S_RFはDCカツト用のコン
デンサC₁を介してバンドパスフイルタ２０に供
給される。

バンドパスフイルタ２０は複数の結合コイル
L₁〜L₅で構成されたフイルタ２１を有し、この
フイルタ２１にはスイツチングダイオードD₁，
D₂からなるバンド切換手段２２，２３が設けら
れ、端子２４に供給されたスイツチングパルス
P_SWにてローチヤンネルバンド用とハイチヤンネ
ルバンド用にフイルタ定数が切換えられる。すな
わち、スイツチングダイオードD₁，D₂がオンす
るようなスイツチングパルスP_SWの供給によつ
て、フイルタ２１のインダクタンスが小さくなる
から、このときはハイチヤンネルバンドが通過帯
域となり、それ以外はダイオードD₁，D₂がオフ
してローチヤンネルが通過帯域となる。

フイルタ２１にはその入出力段に夫々可変容量
ダイオードD₃，D₄を有するチヤンネル選局手段
２６，２７が設けられて電子同調チユーナが構成
され、端子２９に供給されるチヤンネル選局電圧
V_CHによつて希望のチヤンネルが選局される。

バンドパスフイルタ２０とミキサ３０との段間
に設けられた容量結合回路４０は、結合コンデン
サC₂と可変容量ダイオードD₅とで構成される。
ダイオードD₅はバンド間でのパワーゲインの格
差（偏差）を補正するために設けられたものであ
つて、このダイオードD₅を設けない場合には、
ローチヤンネルバンドでのゲインが第２図曲線l₁
のようになり、ハイチヤンネルバンドでのゲイン
が同図曲線l₂のようになるため、バンド間でのゲ
イン差ΔG₁が非常に大きい。

これは、高周波増幅用のFET２の増幅度が周
波数依存性があり、ローチヤンネルバンドでその
ゲインが高くなる傾向にあるからである。

結合コンデンサC₂にダイオードD₅を直列接続
し、その容量をチヤンネル選局電圧V_CHによつて
可変すれば、ローチヤンネルバンドでは第２図曲
線l₃のようになり、ハイチヤンネルバンドでは同
図曲線l₄のようになることから、結合コンデンサ
C₂だけを使用する場合よりもバンド間でのゲイ
ン格差を大幅に減らすことができる。

しかし、この構成によつてもまたバンド間での
ゲイン格差を充分に小さくすることができない。

考案の目的 そこで、この考案では従来よりも一層バンド間
でのゲイン格差及び同一バンド内でのゲイン格差
を少なくして、歪特性等の優れたチユーナを提案
するものである。

考案の概要 そのため、この考案においては、容量結合回路
の結合容量をローチヤンネルバンドとハイチヤン
ネルバンドとで、前者よりも後者の方が大きくな
るようにしてバンド間及び同一バンド内でのゲイ
ン格差を第２図曲線l₃，l₄の場合よりもさらに減
少させるようにしたものである。

具体的には、この容量結合回路はゲイン補正用
の可変容量ダイオードと直列又は並列に接続され
た一対のリアクタンス素子とで構成され、これら
一対のリアクタンス素子をバンド切換に応じて選
択することにより、選択されたバンドに応じて異
なる結合容量が得られるようにしたものである。

実施例 続いて、この考案に係るチユーナを上述した
VHFチユーナに適用した場合につき、第３図以
下を参照して説明する。但し、前掲図と対応する
部分には同一符号を付しその説明は省略する。

第３図に示す容量結合回路４０においては、第
１の結合コンデンサC_aとスイツチングダイオー
ドD_aと上述した可変容量ダイオードD₅とで第１
の容量結合手段４１が構成され、これがローチヤ
ンネルバンド選択時の容量結合手段として使用さ
れる。またこの可変容量ダイオードD₅を共通に
使用すると共に、これと第２の結合コンデンサ
C_bとスイツチングダイオードD_bとで第２の容量
結合手段４２が構成され、これがハイチヤンネル
バンド選択時の容量結合手段として使用される。
従つて、第１の結合コンデンサC_aとダイオード
D_aの直列回路と、第２の結合コンデンサC_bとダ
イオードD_bの直列回路とは並列接続される。

可変容量ダイオードD₅のカソード側には上述
の場合と同じくチヤンネル選局電圧V_CHが端子２
９より供給されると共に、上述した直列回路内の
夫々の接続中点q₁，q₂にはバンド切換用のスイツ
チングパルスP_SW（第４図）が端子４４より供給
される。ただし、接続中点q₁側にはインバータ４
５により位相反転されたスイツチングパルス_SW
が供給される。

第１の結合コンデンサC_aは第１図において使
用される結合コンデンサC₂よりも容量値の小さ
なものが使用され、これとは逆に第２の結合コン
デンサC_bは結合コンデンサC_bよりも容量値の大
きなものが使用される。従つて、今第４図に示す
ようなローレベルのスイツチングパルス（バンド
パスフイルタ２０に供給されるスイツチングパル
スと同一のパルス）P_SWが供給されると、ダイオ
ードD_aのみオンするから、第１の容量結合手段
４１が選択される。

C_a〈C₂であるから、第１の容量結合手段４１の
総合結合容量は第１図の場合よりも小さくなるか
ら、そのゲインは第１図の場合よりも低下し、こ
の低下の割合はローチヤンネルバンド内でもロー
エンド（チヤンネル周波数が低い側）の方が大き
く、ハイエンド（チヤンネル周波数が高い側）で
は殆んど変化しないから、ローチヤンネルバンド
内でのゲインは第２図曲線l₅に示すような特性と
なる。

ハイレベルのスイツチングパルスP_SWが供給さ
れると、ハイチヤンネルバンドが選択されると共
に、第２の容量結合段４２が選択される。このと
き、C_b〉C₂の関係にあるから、第２の容量結合
主段４２の総合結合容量は第１図の場合よりも大
きくなつて、そのゲインは逆に第１図の場合より
も増加し、この増加の割合は同じハイチヤンネル
バンド内でもローエンドの方がハイエンドよりも
大きい。そのため、ハイチヤンネルバンド内での
ゲインは第２図曲線l₆に示すような特性となる。

このようなことから、バンド間でのレベル格差
ΔG₂が従来よりもさらに低下する。これと同時に
同一バンド内でも、ローエンドとハイエンド間の
レベル格差が縮まり、チヤンネル間でのゲイン格
差を解消できる。このため、歪特性、Ｓ／Ｎ特性
の優れたチユーナを実現できる。

すなわち、チユーナのパワーゲインは高すぎる
と歪特性が悪化し、逆に低すぎると出力のＳ／Ｎ
が劣化することから、ローチヤンネルバンドのゲ
インを全体として下げ、しかも夫々のバンドにお
いて、各チヤンネル間のゲイン格差を少なくすれ
ば、チユーナの歪特性及びＳ／Ｎ特性をいずれも
改善することができる。

上述の構成によれば、ローチヤンネルバンドの
ゲインを全体的に下げることができ、バンド間で
のゲイン格差が少なくなると共に、同一バンド内
でもチヤンネル間でのゲイン格差が縮まるので、
歪特性及びＳ／Ｎ特性の優れたチユーナを実現で
きるものである。

第５図は容量結合回路４０の他の例を示し、こ
の例ではDCカツト用のコンデンサC_cに対し直列
に結合コンデンサC_dが設けられると共に、この
結合コンデンサC_dに対しスイツチングダイオー
ドD_cが並列に接続されて構成される。そして、
位相反転されたスイツチングパルス_SWがスイツ
チングダイオードD_cのアノード側に供給される。

この構成によれば、ローチヤンネルバンドに切
換えられるとダイオードD_cがオフするので、可
変容量ダイオードD₅と一対のコンデンサC_c，C_d
が第１の容量結合手段４１として作用し、またハ
イチヤンネルバンドに切換えられると、ダイオー
ドD_cがオンして、可変容量ダイオード₅とコンデ
ンサC_cが第２の容量結合手段４２として作用する
から、前者よりも後者の方が結合容量が大きくな
つて上述したとほぼ同様の作用効果が得られるも
のである。この構成では第３図の場合よりも回路
構成を簡略化できる。

考案の効果 以上説明したようにこの考案では容量結合手段
の結合容量をローチヤンネルバンドとハイチヤン
ネルバンドとで、前者よりも後者の方が大きくな
るようにしたから、バンド間及び同一バンド内で
のパワーゲインの格差を大幅に縮めることができ
る。そのため、この考案によれば、バンド内での
ゲインのばらつきがなくなると共に、歪特性及び
Ｓ／Ｎ特性がともに優れたチユーナを構成簡単に
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のチユーナの一例を示す接続図、
第２図はその動作説明に供するゲイン特性図、第
３図及び第５図は夫々この考案に係るチユーナの
要部の一例を示す接続図、第４図はバンド切換用
スイツチングパルスの波形図である。 １０は高周波信号増幅回路、２０はバンドパス
フイルタ、３０はミキサ、４０は容量結合回路、
４１，４２は第１及び第２の容量結合手段、C_a
〜C_dはリアクタンス素子である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. チヤンネル選局用の可変容量ダイオードと、ロ
   ーチヤンネルバンドとハイチヤンネルバンドとの
   バンド切換手段とを備えたバンドパスフイルタを
   有し、このバンドパスフイルタとミキサとの間に
   容量結合回路が設けられ、この容量結合回路はゲ
   イン補正用の可変容量ダイオードと直列又は並列
   に接続された一対のリアクタンス素子とで構成さ
   れ、これら一対のリアクタンス素子をバンド切換
   に応じて選択することにより、同一バンド内での
   各チヤンネル間のゲインを補正するようにしたチ
   ユーナ。