JPH0233641A - 半導体メモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 る。

第１図は本発明の一実施例を示す。図において、１は半
導体メモリ装置、２はＣＰＵである。３はコネクタ４を
介して人力されたデータを格納するメモリ、５はメモリ
３をバックアップするバックアップ電源としてのバック
アップ電池である。

６はバックアップ電池５をオン／オフするスライドスイ
ッチで、スイッチロッド７が第２図（ａ）の状態から右
方向に移動されたときオンされ、第２図（ｂ）の状態か
ら左方向に移動されたとき、オフされる。スライドスイ
ッチ６のスライダは、メモリ３の誤消去を考慮して、通
常は、外部から触れられないようにしである。スイッチ
ロッド７は半導体メモリ装置ｌがデータ記憶再生装置８
に装填されたとき、第２図（ａ）の状態から右方向に移
動され、半導体メモリ装置１がデータ記憶再生装置８か
ら抜脱されても、移動された位置に残留する。また、ス
イッチロッド７は全消去装置９に装填されたとき、第２
図（ａ）の状態から左方向に移動され、半導体メモリ装
置１が全消去装置９から抜脱されても、移動された位置
に残留す２る。ｌＯは接点で、半導体メモリ装置１をデ
ータ記憶再生装置８に装填した場合、データ記憶再生装
置８の接点１１と接触し、全消去装置９に装填した場合
、全消去装置９の接点１２と接触するようになっている
。１３はソレノイドで、全消去装置９に設けてあり、ス
イッチ６がオフするようにスイッチロッド７を移動させ
るものである。

まず、メモリ３に何も記録されていない場合は、第２図
（ａ）に示すように、スライドスイッチ６はオフされて
いる。従って、この状態においてはバックアップ電流は
流れない。

次に、この半導体メモリ装置１をデータ記録再生装置８
に装填すると、スイッチロッド７は第２図（ａ）　にお
いて右方向に突出部８ｔにより移動され、スライドスイ
ッチ６のスライダは閉位置まで移動されてスライドスイ
ッチ６がオンされる。すると、ＣＰＩＩ　２によりメモ
リ３等の初期化が行なわれ、データの記録再生が可能な
状態にされる。他方、半導体メモリ装置１がデータ記録
再生装置８から抜脱されても、スライドスイッチ６のス
ライダは自動復帰せず残留し、スライドスイッチ６はオ
フすることなく、メモリ３のバックアップが続けられる
。半導体メモリ装置１をデータ記録再生装置８に装填し
た状態を第３図に示す。

次に、記ｔｉされているデータを全て消去する場合、半
導体メモリ装置を全消去装置９に装填する。全消去の場
合は、ソレノイド１３の励磁コイルに電流が流れてソレ
ノイド１３が飛び出し、スイッチロット７を第２図（ｂ
）の状態から左方向に移動させ、スライドスイッチ６を
オフする。従って、メモリ３のバックアップかなされな
くなり、メモリ３は全消去されることになる。この状態
を第４図に示す。

本実施例の半導体メモリ装置は、このように構成したの
で、工場から出荷した後、ユーザか実際に使用するまで
の間、電池の消耗を防止することができる。

また、−旦、全データを消去した後、再ひ、使用するま
での間も、電池の消耗を防止することができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、上記のように構
成したので、未記録状態から最初のデータが記録される
までの間のＴＬ源の消耗を防止することができるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の半導体メモリ装置を示すブロッ
ク図、 第２図は実施例におけるスライドスイッチ６のオンオフ
を説明する説明図、 第３図は半導体メモリ装置ｔをデータ記録再生装置８に
装填した状態を示す一部破断断面図、第４図は半導体メ
モリ装置１を全消去装置９に装填した状態を示す断面図
である。 ３・・・メモリ、 ５・・・バックアップ電池、 ６・・・スライドスイッチ。 ６ス斗什゛スイ・干 第１図 第３図 第２図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）データを記憶する半導体メモリと、 該半導体メモリをバックアップするバックアップ電源と を有する半導体メモリ装置であって、 操作力により開から閉または閉から開にされ、閉状態で
   前記バックアップ電源をメモリに電気的に接続し、開状
   態で前記バックアップ電源を半導体メモリから電気的に
   切り離し、かつ、与えた操作力を解除しても、前記開状
   態または閉状態を保持するスイッチ を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。