JPH0234028B2 - - Google Patents
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- JPH0234028B2 JPH0234028B2 JP59113851A JP11385184A JPH0234028B2 JP H0234028 B2 JPH0234028 B2 JP H0234028B2 JP 59113851 A JP59113851 A JP 59113851A JP 11385184 A JP11385184 A JP 11385184A JP H0234028 B2 JPH0234028 B2 JP H0234028B2
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
- G03G5/08228—Silicon-based comprising one or two silicon based layers at least one with varying composition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線，可
視光線，赤外線，Ｘ線，γ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある電子写真用光受容部材に関す
る。さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性
光を用いるのに適した電子写真用光受容部材に関
する。 〔従来の技術〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像、必要に
応じて転写、定着などの処理を行ない、画像を記
録する方法がよく知られている。中でも電子写真
用法を使用した画像形成法では、レーザーとして
は小型で安価なHe―Neレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は650〜820nmの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。 特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電
子写真用の光受容部材としては、その光感度領域
の整合性が他の種類の光受容部材と比べて格段に
優れている点に加えて、ビツカース硬度が高く、
社会的には無公害である点で、例えば特開昭54−
86341号公報や特開昭56−83746号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後「Ａ
―Si」と略記する）から成る光受容部材が注目さ
れている。 而乍ら、感光層を単層構成のＡ―Si層とする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用とし
て要求される1012Ωcm以上の暗抵抗を確保するに
は、水素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加え
てボロン原子とを特定の量範囲で層中に制御され
た形で構造的に含有させる必要性がある為に、層
形成のコントロールを厳密に行う必要がある等、
光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限
がある。 この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある
程度低暗抵抗であつても、その高光感度を有効に
利用出来る様にしたものとしては、例えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報に記載されてある様に光受容
層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層
構成として、光受容層内部に空乏層を形成した
り、或いは特開昭57−52178号、同52179号、同
52180号、同58159号、同58160号、同58161号の各
公報に記載されてある様に光受容層を支持体と感
光層の間、又は／及び感光層の上部表面に障壁層
を設けた多層構造としたりして、見掛け上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。 この様な提案によつて、Ａ―Si系光受容部材は
その商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造
上の管理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進
展し、商品化に向けての開発スピードが急速化し
ている。 この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用
いてレーザー記録を行う場合、各層の層厚に斑が
ある為に、レーザー光が可干渉性の単色光である
ので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光
受容層を構成する各層及び支持体と光受容層との
層界面（以後、この自由表面及び層界面の両者を
併せた意味で「界面」と称す）より反射して来る
反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の要因となる、殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合には、画線の見悪くさは顕著とな
る。まして、使用する半導体レーザー光の波長領
域が長波長になるにつれ感光層に於ける該レーザ
ー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象は
顕著である。 この点を図面を以つて説明する。 第１図に、光受容部材の光受容層を構成するあ
る層に入射した光I0と上部界面１０２で反射した
反射光R1、下部界面１０１で反射した反射光R2
を示している。 層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ
として、ある層の層厚がなだらかにλ／2n以上の層 厚差で不均一であると、反射光R1、R2が2nd＝
mλ（ｍは整数、反射光は強め合う）と2nd＝（ｍ
＋１／２）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件 のどちらに合うかによつて、ある層の吸収光量お
よび透過光量に変化を生じる。 多層構成の光受容部材においては、第１図に示
す干渉効果が各層で起り、第２図に示すように、
それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。そ
の為に該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材
上に転写、定着された可視画像に現われ、不良画
像の原因となつていた。 この不都合を解消する方法としては、支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜±10000Å
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば
特開昭58−162975号公報），アルミニウム支持体
表面を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭57−165845号
公報）、アルミニウム支持体表面を梨地状のアル
マイト処理したり、サンドブラストにより、砂目
状の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散
乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭57−
16554号公報）等が提案されている。 而乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現わ
れる干渉縞模様を完全に解消することが出来なか
つた。 即ち、第１の方法は支持体表面に特定の大きさ
の凹凸が多数設けられただけである為、確かに光
散乱効果による干渉縞模様の発現防止にはなつて
いるが、光散乱としては依然として正反射光成分
が現存している為に、該正反射光による干渉縞模
様が残存することに加えて、支持体表面での光散
乱効果の為に照射スポツトに拡がりが生じ、実質
的な解像度低下の要因となつていた。 第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、
完全吸収は無理であつて、支持体表面での反射光
は残存する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場
合はＡ―Si感光層を形成する際、樹脂層よりの脱
気現象が生じ、形成される感光層の層品質が著し
く低下すること、樹脂層がＡ―Si系感光層形成の
際のプラズマによつてダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化に
よるその後のＡ―Si系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合がある。 支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３
図に示す様に、例えば入射光I0は、光受容層３０
２の表面でその一部が反射されて反射光R1とな
り、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光I1となる。透過光I1は、支持体３０２の表面
に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光K1，
K2，K3…となり、残りが正反射されて反射光R2
となり、その一部が出射光R3となつて外部に出
て行く。従つて、反射光R1と干渉する成分であ
る出射光R3が残留する為、依然として干渉縞模
様は完全に消すことが出来ない。 又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射
を防止する為に支持体３０１の表面の拡散性を増
加させると、光受容層内で光が拡散してハレーシ
ヨンを生ずる為解像度が低下するという欠点もあ
つた。 特に、多層構成の光受容部材においては、第４
図に示すように、支持体４０１表面を不規則的に
荒しても、第１層４０２での反射光R2，第２層
での反射光R1，支持体４０１面での正反射光R3
の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたが
つて干渉縞模様が生じる。従つて、多層構成の光
受容部材においては、支持体４０１表面を不規則
に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能であつた。 又、サンドブラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツト間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても粗面度に不均一があつて、製造管理上具合が
悪かつた。加えて、比較的大きな突起がランダム
に形成される機会が多く、斯かる大きな突起が光
受容層の局所的ブレークダウンの原因となつてい
た。 又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場
合、第５図に示すように通常、支持体５０１表面
の凹凸形状に沿つて、光受容層５０２が堆積する
ため、支持体５０１の凹凸の傾斜面と光受容層５
０２の凹凸の傾斜面とが平行になる。 したがつて、その部分では入射光は2nd1＝mλ
または2nd1＝（ｍ＋1/2）λが成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。又、光受容層全体では光受容層
の層厚d1，d2，d3，d4の夫々の差の中の最大が
λ／2n以上である様な層厚の不均一性があるため明 暗の縞模様が現われる。 従つて、支持体５０１表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を堆積させた場合にも、第３図におい
て、一層構成の光受容部材で説明した支持体表面
での正反射光と、光受容層表面での反射光との干
渉の他に、各層間の界面での反射光による干渉が
加わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様
発現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感
受性のある新規な電子写真用光受容部材を提供す
ることである。 本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる
画像形成に適すると共に製造管理が容易である電
子写真用光受容部材を提供することである。 本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出す
る干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時に
しかも完全に解消することができる電子写真用光
受容部材を提供することでもある。 本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用
するデジタル画像記録、取分け、ハーフトーン情
報を有するデジタル画像記録が鮮明に且つ高解像
度、高品質で行える電子写真用光受容部材を提供
することでもある。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とでもある。 本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性の
ほか、更に、耐久性、連続繰返し特性、電気的耐
圧性、使用環境特性、機械的耐圧性及び光受容特
性に優れた電子写真用光受容部材を提供すること
でもある。 〔発明の概要〕 本発明の電子写真用光受容部材（以後、「光受
容部材」と称す）は、 所定の切断位置での断面形状が0.3μm〜5μmピ
ツチで0.1μm〜5μmの最大深さの主ピークに副ピ
ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面
に形成されている支持体と、 シリコン原子と水素原子及び／又はハロゲン原
子と伝導性を支配する物質とからなる非晶質材料
で構成された電荷注入防止層と、シリコン原子と
水素原子及び／又はハロゲン原子とを含む非晶質
材料で構成された単一層構成の感光層と、シリコ
ン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成され
た表面層とからなる光受容層と、 を有し、 該光受容層はシヨートレンジ内に少なくとも１
対以上の非平行な界面を有することを特徴とす
る。 以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。 第６図は、本発明の基本原理を説明するための
説明図である。 本発明において装置の要求解像力よりも微小な
凹凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹
凸の傾斜面に沿つて、１つ以上の感光層を有する
多層構成の光受容層は、第６図Ａに拡大して示さ
れるように、第２層６０２の層d5からd6と連続的
に変化している為に、界面６０３と界面６０４と
は互いに傾向きを有している。従つて、この微小
部分（シヨートレンジ）ｌに入射した可干渉性光
は、該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。 又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７
０２の界面７０３と第２層７０２の自由表面７０
４とが非平行であると、第７図のＡに示す様に入
射光I0による反射光R1と出射光R3とはその進行
方向が互いに異る為、界面７０３と７０４とが平
行な場合（第７図の「Ｂ」に較べて干渉の度合が
減少する。 従つて、第７図のＣに示す様に、一対の界面が
平行な関係にある場合「Ｂ」よりも非平行な場合
「Ａ」は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視
し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。 このことは、第６図に示す様に、第２層６０２
の層厚がマクロ的にも不均一（d7≠d8）でも同様
に云える為、全層領域に於て入射光量が均一にな
る（第６図の「Ｄ」参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照
射側から第２層まで可干渉性光が透過した場合に
就いて本発明の効果を述べれば、第８図に示す様
に、入射光I0に対して、反射光R1，R2，R3，R4，
R5が存在する。その為各々の層で第７図を以つ
て前記に説明したことが生ずる。 その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリ
ツトとして働き、そこで回折現像を生じる。 そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉
と層界面の回折による干渉との積として効果が現
われる。 従つて、光受容層全体で考えると干渉は夫々の
層での相乗効果となる為、本発明によれば、光受
容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉効果を防止することが出来る。 又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部
分の大きさが照射光スポツト径より小さい為、即
ち、解像度限界より小さい為、画像に現われるこ
とはない。又、仮に画像に現われているとしても
眼の分解能以下なので実質的には何等支障を生じ
ない。 本発明に於て、凹凸の傾射面は反射光を一方向
へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望
ましい。 本発明に適した微小部分の同きさｌ（凹凸形状
の一周期分）は、照射光のスポツト径をＬとすれ
ば、ｌ≦Ｌである。 又、本発明の目的をより効果的に達成する為に
は微小部分ｌに於ける層厚の差（d5―d6）は、照
射光の波長をλとすると、 d5―d6≧λ／2n（ｎ：第２層６０２の屈折率）で あるのが望ましい。 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部
分ｌの層厚内（以後「微小カラム」と称す）に於
て、少なくともいずれか２つの層界面が非平行な
関係にある様に各層の層厚が微小カラム内に於て
制御されるが、この条件を満足するならば該微小
カラム内にいずれか２つの層界面が平行な関係に
あつても良い。 但し、平行に層界面を形成する層は、任意の２
つの位置に於る層厚の差が、 λ／2n （ｎ：層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成さ
れるのが望ましい。 光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、
電気絶縁性材料からなる障壁層等の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する
為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できるこ
とからプラズマ気相法（PCVD法）、光CVD法、
熱CVD法が採用される。 本発明の目的を達するための支持体の加工方法
としては、化学エツチング、電気メツキなどの化
学的方法、蒸着、スパツタリングなどの物理的方
法、旋盤加工などの機械的方法などが利用でき
る。しかし、生産管理を容易に行うために、旋盤
などの機械的加工方法が好ましいものである。 たとえば、支持体を旋盤等で加工する場合、第
１７図に示す様に、Ｖ字形状の切刃を有するバイ
トをダイヤモンドパウダーで擦り所望の形状とし
た切刃を有するバイト１をフライス盤、旋盤等の
切削加工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状
支持体を予め所望に従つて設計されたプログラム
に従つて回転させながら規則的に所望方向に移動
させることにより、支持体表面を正確に切削加工
することで所望の凹凸形状、ピツチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によつて形成される
凹凸が作りだす線状突起部は、円筒状支持体の中
心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺
旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉
螺旋構造とされても差支えない。 或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿つた遅線
構造を導入しても良い。 本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明
の効果を高めるためと、加工管理を容易にするた
めに、一次近似的に同一形状とすることが好まし
い。 又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために
規則的または、周期的に配列されていることが好
ましい。又、更に、前記凸部は、本発明の効果を
一層高め、光受容層と支持体との密着性を高める
ために、副ピークを複数有することが好ましい。 これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方
向に散乱するために、前記凸部が主ピークを中心
に対称（第９図Ａ）または非対称形（第９図Ｂ）
に統一されていることが好ましい。しかし、支持
体の加工管理の自由度を高める為には両方が混在
しているのが良い。 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面
に設けられる凹凸の各デイメンジヨンは、以下の
点を考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成
出来る様に設定される。 即ち、第１には感光層を構成するＡ―Si層は、
層形成される表面の状態に構造敏感であつて、表
面状態に応じて層品質は大きく変化する。 従つて、Ａ―Si感光層の層品質の低下を招来し
ない様に支持体表面に設けられる凹凸のデイメン
ンジヨンを設定する必要がある。 第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があ
ると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニ
ングを完全に行なうことが出来なくなる。 また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレ
ードのいたみが早くなるという問題がある。 上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロ
セス上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を
検討した結果、支持体表面の凹部のピツチは、好
ましくは500μm〜0.3μm、より好ましくは200μm
〜1μm、最適には50μm〜5μmであるのが望まし
い。 又凹部の最大の深さは、好ましくは0.1μm〜
5μm、より好ましくは0.3μm〜3μm、最適には
0.6μm〜2μmとされるのが望ましい。支持体表面
の凹部のピツチと最大深さが上記の範囲にある場
合、凹部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、
好ましくは１度〜20度、より好ましくは３度〜15
度、最適には４度〜10度とされるのが望ましい。 又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚
の不均一に基く層厚差の最大は、同一ピツチ内で
好ましくは0.1μm〜2μm、より好ましくは0.1μm
〜1.5μm、最適には0.2μm〜1μmとされるのが望
ましい。 次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具
体例を示す。 第１０図に示される光受容部材１０００は、本
発明の目的を達成する様に表面切削加工された支
持体１００１上に、光受容層１００２を有し、該
光受容層１００２は支持体１００１側より電荷注
入防止層１００３，感光層１００４，表面層１０
０５で構成されている。 支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁
性であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr，ステンレス，Al，Cl，Mo，Au，
Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこれ等
の合金があげられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルロース，ア
セテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポ
リ塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラ
ミツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側の他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面にNiCr，Al，
Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd，
In2O2，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から成る
薄膜を設けることによつて導電性が付与され、或
いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイルム
であればNiCr，Al，Ag，Pd，Zn，Ni，Au，
Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，等の金属
の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタリ
ング等でその表面に設け、又は、前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１０図
の光受容部材１０００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が十
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。しかしながら、この様な場合、支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは10μ以上とされる。 電荷注入防止層１００３は、感光層１００４へ
の支持体１００１側からの電荷の注入を防いで見
掛上の高抵抗化を計る目的で設けられる。 電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を含有するＡ―Si（以後
「Ａ―Si（Ｈ，Ｓ）」と記す）で構成されると共に
伝導性を支配する物質(C)が含有される。電荷注入
防止層１００３に含有される伝導性を支配する物
質(C)としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Siに
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導性を与えるｎ型不純物を挙げることができ
る。具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）例えばＢ（硼
素），Al（アルミニウム），Ga（ガリウム），In（イ
ンジウム），Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては周期律表第族に属する原
子（第族原子）、例えばＰ（燐），As（砒素），Sb
（アンチモン），Bi（ビスマス）等であり、殊に好
適に用いられるのは、Ｐ，As，である。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有
される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、
要求される電荷注入防止特性、或いは該電荷注入
防止層１００３が支持体１００１上に直に接触し
て設けられる場合には、該支持体１００１との接
触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於て、適宜選択することが出来る。又、前記電荷
注入防止層に直に接触して設けられる他の層領域
の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特
性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物
質の含有量が適宜選択される。 本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される
伝導性を制御する物質の含有量としては、好適に
は、0.001〜５×104atomic ppm，より好適には
0.5〜１×104atomic ppm，最適には１〜５×
103atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於け
る物質(C)の含有量は、好ましくは、30atomic
ppm以上，より好適には50atomic ppm以上，最
適には100atomic ppm以上とすることによつて、
例えば含有させる物質(C)が前記のｐ型不純物の場
合には光受容層の自由表面が極性に帯電処理を
受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電
子の移動を、より効果的に阻止することが出来、
又、前記含有させる物質(C)が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面が極性に帯電処
理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入され
る正孔の移動を、より効果的に阻止することが出
来る。 電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは
30Å〜10μ，より好適には40Å〜8μ，最適には50
Å〜5μとされるのが望ましい。 感光層１００４は、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ、レーザー光の照射によつてフオトキヤリアを
発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両者を有する。 感光層１００４は層厚としては、好ましくは、
１〜100μm，より好ましくは１〜80μm，最適に
は２〜50μmとされるのが望ましい。 感光層１００４には、電荷注入防止層１００３
に含有される伝導特性を支配する物質の極性とは
別の極性の伝導特性を支配する物質を含有させて
も良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する
物質を、電荷注入防止層１００３に含有される実
際の量よりも一段と少ない量として含有させても
良い。 この様な場合、前記感光層１００４中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、電荷注入防止層１００３に含有される前記物
質の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm，より好適には0.05〜
500atomic ppm，最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４に同種の伝導性を支配する物質を含
有させる場合には、感光層１００４に於ける含有
量としては、好ましくは30atomic ppm以下とす
るのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜
40atomic％，より好適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましい。 ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ，Cl，Br，
Ｉが挙げられ、これ等の中でもＦ，Clが好ましい
ものとして挙げられる。 第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入
防止層１００３の代りに電気絶縁性材料から成
る、いわゆる障壁層を設けても良い。或いは、該
障壁層と電荷注入防止層１００３とを併用しても
差支えない。 障壁層形成材料としては、Al2O3，SiO2，
Si3N4等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。 第１０図に示される光受容部材１０００におい
ては、感光層１００４上に形成される表面層１０
０５は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し
特性、電気的耐圧性、使用環境特性，機械的耐久
性、光受容特性において本発明の目的を達成する
為に設けられる。 本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原
子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非
晶質材料（以後、「ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y」
と記す。但し、０＜Ｘ＜１で、０＜ｙ≦１）で構
成される。 ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される表面
層１００５の形成はグロー放電法のようなプラズ
マ気相法（PCVD法）、あるいは光CVD法、熱
CVD法、スパツタリング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。これ等の製造法は、製
造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作
製される光導電部材に所望される特性等の要因に
よつて適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光受容部材を製造するための作製条件
の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に
炭素原子及びハロゲン原子を、作製する表面層１
００５中に導入するのが容易に行える等の利点か
らグロー放電法或はスパツターリング法が好適に
採用される。更に、本発明に於いては、グロー放
電法とスパツターリング法とを同一装置系内で併
用して表面層１００５を形成してもよい。 グロー放電法によつて表面層１００５を形成す
るにはａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y 形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと
所定量の混合比で混合して、支持体の設置してあ
る真空堆積室に導入し、導入されたガスを、グロ
ー放電を生起させることでガスプラズマ化して、
前記支持体上に形成されてある層上に ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを堆積させれば良
い。 本発明に於いて、ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子(C)、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）
の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中
の大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとして、Siを構成原
子とする原料ガスを使用する場合は、例えば、Si
を構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とす
る原料ガスと、必要に応じて、Ｈを構成原子とす
る原子ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガ
スとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
Siを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成
原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原
子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比
で、混合するか、或いは、Siを構成原子とする原
料ガスと、Si、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする
原料ガス又は、Si、Ｃ及びＸの３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができ
る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
してもよい。 本発明に於いて、表面層１００５中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明に於いて、表面層１００５を形成するの
に有効に使用される原料ガスと成り得るものとし
ては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易
にガス化し得る物質を挙げることができる。 本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨとを構
成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の
シラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨ
とを構成原子とする、例えば、炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロ
ゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素
化硅素等を挙げる事ができる。具体的には、飽和
炭化水素としてはメタン（CH4）、エタン
（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ―ブタン（ｎ―
C4H10）、ペンタン（C5H12）、エチレン炭化水素
としては、エチレン（C2H4）、プロピレン
（C3H6）、ブテン―１（C4H8）、ブテン―２
（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブ
チン（C4H6）、ハロゲン単体としては、フツ素、
塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化
水素としては、FH，HI，HCl，HBr，ハロゲン
間化合物としては、BrF，ClF，ClF3，ClF5，
BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr，ハロゲン化
硅素としては、SiF4，Si2F6，SiCl3Br，
SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4，ハロゲン置
換水素化硅素としては、SiH2F2，SiH2Cl3，
SiH3Cl，SiH3Br，SiH3Br，SiH2Br2，SiHBr3、
水素化硅素としては、SiH4，Si2H8，Si3H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とができる。 これ等の他にCF4，CCl4，CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3F，CH3Cl，CH3Br，CH3I，
C2H5Cl，等のハロゲン置換パラフイン系炭化水
素、SF4，SF6のフツ素化硫黄化合物、Si
（CH3）4，Si（C2H5）4、等のケイ化アルキルやSiCl
（CH3）3，SiCl2（CH3）2，SiCl3CH3等のハロゲン
含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なも
のとして挙げることができる。 これ等の表面層１００５形成物質は形成される
表面層１００５中に、所定の組成比でシリコン原
子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水
素原子とが含有される様に、表面層１０５の形成
の際に所望に従つて選択されて使用される。例え
ば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有
が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され
得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有されるも
のとしてのSiHCl3，SiH2Cl2，SiCl4、或いは、
SiH3Cl等を所定の混合比にして、ガス状態で表
面層１００５形成用の装置内に導入してグロー放
電を生起させることによつてａ―（SixC1-x）y
（Cl＋Ｘ）1-yから成る表面層１００５を形成する
ことができる。 スパツターリング法によつて表面層１００５を
形成するには、単結晶又は、多結晶のSiウエーハ
ー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有
されているウエーハーをターゲツトとして、これ
らを必要に応じてハロゲン原子又は／及び水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原
料ガスを、必要に応じて稀釈して、スパツター用
の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハーをスパツターリン
グすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中
で、スパツターリングすることによつて成され
る。Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質
としては、先述したグロー放電の例で示した表面
層１００５形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えば、
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
ができる。 本発明に於ける表面層１００５は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注意深く形
成される。 即ち、Si，Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質を、各々示すので、本発明に於いては、
目的に応じた所望の特性を有するａ―（SixC1-x）
y（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所望に従つて
その作成条件の選択が厳密に成される。例えば、
表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。又、連続繰返し使用
特性や使用環境特性の向上を主たる目的として表
面層１００５が設けられる場合には上記の電気絶
縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対してある程度の感度を有する非晶質材料として
ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y作成がされる。 第２の層表面にａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yか
ら成る表面層１００５を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であつて、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ―（SixC1-x）y（Ｈ，
Ｘ）1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れるための表面層１００５の形成法に併せて適宜
最適範囲が選択されて、表面層１００５の形成が
実行されるが好ましくは、20〜400℃、より好適
には50〜350℃、最適には100〜300℃とされるの
が望ましいものである。表面層１００５の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて、比較的容易である
事等のために、グロー放電法やスパツターリング
法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で表
面層１００５を形成する場合には前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成される
ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yの特性を左右する重
要な因子の一つである。 本発明に於ける目的が達成されるための特性を
有するａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件として
は好ましくは10〜1000W、より好適には20〜
750W、最適には50〜650Wとされるのが望ましい
ものである。 堆積室のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、よ
り好適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望まし
い。 本発明に於いては、表面層１００５を作成する
ための支持体温度、放電パワーの望ましい数値範
囲として前記した範囲の値が挙げられるが、これ
等の層作成フアクターは、独立的に別々に、決め
られるものではなく、所望特性のａ―（SixC1-x）
y（Ｈ，Ｘ）1-yから成る表面層１００５が形成さ
れる様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成
フアクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に
含有される炭素原子の量は、表面層１００５の作
成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特
性が得られる表面層１００５が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける表面層１００５に含有される炭
素原子の量は、表面層１００５を構成する非晶質
材料の種類及びその特性に応じて適宜所望に応じ
て決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1-b）cH1-cと記
す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と炭
素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、「ａ−（SidC1-d）
e（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す。但し０＜ｄ，ｅ＜１）、
に分類される。 本発明に於いて、表面層１００５がａ−Sia
C1-aで構成される場合、表面層１００５に含有さ
れる炭素原子の量は好ましくは、１×10- 3〜
90atomic％、より好適には１〜80atomic％、最
適には10〜75atomic％とされるのが望ましいも
のである。即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示で
行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好適
には0.2〜0.99、最適には、0.25〜0.9である。 本発明に於いて、表面層１００５がａ−（Sib
C1-b）cH1-cで構成される場合、表面層１００５に
含有される炭素原子の量は、好ましくは１×10-3
〜90atomic％とされ、より好ましくは、１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、好ましくは１〜40atomic％、より好まし
くは２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有
量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて優れたものとして充分適用させ得る。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行なえ
ばｂが好ましくは、0.1〜0.99999、より好適に
は、0.1〜0.99、最適には、0.15〜0.9、ｃが好ま
しくは、0.6〜0.99、より好適には0.65〜0.98、最
適には0.7〜0.95であるのが望ましい。 表面層１００５が、ａ−（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1
−ｅで構成される場合には、表面層１００５中に含
有される炭素原子の含有量としては、好ましく
は、１×10-3〜90atomic％、より好適には、１
〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とされ
るのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、１〜20atomic％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子
含有量がある場合に作成される光受容部材を実際
面に充分適用させ得るものである。必要に応じて
含有される水素原子の含有量としては、好ましく
は19atomic％以下、より好適には13atomic％と
されるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行なえば、ｄが好ましくは、0.1〜
0.99999、より好適には、0.1〜0.99、最適には
0.15〜0.9、ｅが好ましくは、0.8〜0.99、より好
適には0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98であるの
が望ましい。 本発明に於ける表面層１００５の層厚の数値範
囲は本発明の目的を効果的に達成するための重要
な因子の一つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有さ
れる炭素原子の量や第１の層、第２層の層厚との
関係に於いても、各々の層領域に要求される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従つて適宜
決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける表面層１００５の層厚としては、好
ましくは0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、最適
には、0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 表面層１００５には、機械的耐久性に対する保
護層としての働き、及び光学的には反射防止層と
しての働きを主に荷わせることができる。 表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射
防止層としての機能を果すのに適している。 即ち、表面層１００５の屈折率をｎ、層厚を
ｄ、入射光の波長をλとすると、 ｄ＝λ／4n のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射
防止層として適している。又、感光層の屈折率を
naとした場合、表面層の屈折率ｎが ｎ＝√ を満し、且つ表面層の層厚ｄが ｄ＝λ／4n 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止
層として最適である。ａ―Si：Ｈを感光層として
用いる場合、ａ―Si：Ｈの屈折率は、約3.3であ
るので、表面層としては、屈折率1.82の材料が適
している。ａ―Si：ＨはＣの量を調整することに
より、このような値の屈折率とすることができ、
かつ機械的耐久性、層間の密着性及び電気的特性
も十分に満足させることができるので、表面層の
材料としては最適なものである。 また表面層１００５を反射防止層としての役割
に重点を置く場合には、表面層の層厚としては、
0.05〜2μmとされるのがより望ましい。 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 本実施例ではスポツト系80μmの半導体レーザ
ー（波長780nm）を使用した。したがつてＡ―
Si：Ｈを堆積させる円筒状のAl支持体（長さ
（Ｌ）357nm，径（ｒ）80mm）上に旋盤で螺線状
の溝を作成した。このときの溝の断面形状を第１
１図Ｂに示す。 このAl支持体上に第１２図の装置で電荷注入
防止層，感光層，を次の様にして堆積した。 まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波
電源、１２０２はマツチングボツクス、１２０３
は拡散ポンプおよびメカニカルブースターポン
プ、１２０４はAl支持体回転用モータ、１２０
５はAl支持体、１２０６はAl支持体加熱用ヒー
タ、１２０７ガス導入管、１２０８は高周波導入
用カソード電極、１２０９はシールド板、１２１
０はヒータ用電極、１２２１〜〜１２２５，１２
４１〜１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５は
マスフロコントローラー、１２５１〜１２５５は
レギユレーター、１２６１は水素（H2）ボンベ、
１２６２はシラン（SiH4）ボンベ、１２６３は
ジボラン（B2H6）ボンベ、１２６４は酸化窒素
（NO）ボンベ、１２６５はメタン（CH4）ボン
ベである。 次に作製手順を説明する。１２６１〜１２６５
のボンベの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロ
コントローラおよびバルブを開け、１２０３の拡
散ポンプにより堆積装置内を10-7Torrまで減圧
した。それと同時に１２０６のヒータにより１２
０５のAl支持体250℃まで加熱し250℃で一定に
保つた。１２０５のAl支持体の温度が250℃で一
定になつた後１２２１〜１２２５，１２４１〜１
２４５，１２５１〜１２５５のバルブを閉じ、１
２６１〜１２６５のボンベの元栓を開け、１２０
３の拡散ポンプをメカニカルブースターポンプに
代える。１２５１〜１２５５のレギユーレーター
付きバルブの二次圧を1.5Kg／cm2に設定した。１
２３１のマスフロコントローラーを300SCCMに
設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブを
順に開き堆積装置内にH2ガスを導入した。 次に１２６２のSiH4ガスを１２３２のマスフ
ロコントローラーの設定を150SCCMに設定して、
H2ガスの導入と同様の操作でSiH4ガスを堆積装
置に導入した。次に１２６３のB2H6ガス流量を
SiH4ガス流量に対して、1600Volppmになるよう
に１２３３のマスフローコントローラーを設定し
て、H2ガスの導入を同様な操作でB2H6ガスを堆
積装置内に導入した。 そして堆積装置内の内圧が0.2Torrで安定した
ら、１２０１の高周波電源のスイツチを入れ１２
０２のマツチングボツクスを調節して、１２０５
のAl支持体と１２０８のカソード電極間にグロ
ー放電を生じさせ、高周波電力を150wとし5μm
厚でＡ―Si：Ｈ層（Ｂを含むＰ型のＡ―Si：Ｈ層
となる）を堆積した（電荷注入防止層）。5μm厚
のＡ―Si：Ｈ（Ｐ型）を堆積したのち放電を切ら
ずに、１２２３のバルブを閉めB2H6の流入を止
める。 そして高周波電力150Wで20μm厚のＡ―Si：Ｈ
層（non―doped）を堆積した（感光層）。 その後、１２３２のマスフロコントローラーの
設定を35SCCMに変え、１２６２のCH4ガス流量
がSiH4ガス流量に対して流量比がSiH4／CH4＝
１／30となる様にあらかじめ設定されている１２
３５のマスフロコントローラーから、バルブ１２
２５を開けることによつてCH4ガスを導入し、高
周波電力150Wで0.5μm厚のａ―SiC（Ｈ）を堆積
した（表面層）。 高周波電源及びガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Al支持体の温度を室温まで下げ
て、光受容層を形成した支持体を取り出した。 この光受容部材は第１１図Ｂ，Ｃのように感光
層の表面と支持体の表面とは非平行であつた。こ
の場合Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚
の層厚差は2μmであつた。 以上の電子写真用の光受容部材について、波長
780nmの半導体レーザーをスポツト径80μmで第
１３図に示す装置で画像露光し、作像、現像、ク
リーニング工程を約５万回繰り返した後、画像評
価を行なつたところ、干渉縞模様は観察されず、
実用に十分な電子写真特性を示すものであつた。 実施例 ２ 実施例１と同様な方法で、支持体上に感光層ま
で形成したものを７本作成した。 次に、１２６１の水素（H2）ボンベをアルゴ
ン（Ar）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清
掃し、カソード電極上に、第１表No.101に示す表
面層材料を一面にはる。前記感光層まで形成した
ものの１本を設置し、堆積装置内を、拡散ポンプ
で十分に減圧する。その後、アルゴンガスを
0.015Torrまで導入し、高周波電力150Wでグロ
ー放電を起こし、表面材料をスパツタリングし
て、前記支持体上に、第１表No.101の条件で表面
層を堆積した（試料No.101）。同様に残りの６本に
ついて、第１表No.102〜107の条件で表面層を堆積
した（試料No.102〜107）。 これらは第１１図Ｂ，Ｃのように感光層の表面
と支持体の表面とは非平行であつた。この場合
Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚
差は2μmであつた。 以上７種類の電子写真用の光受容部材につい
て、波長780nmの半導体レーザーをスポツト径
80μmで第１３図に示す装置で画像露光を行い、
作像、現像、クリーニング工程を約５万回繰り返
した後、画像評価を行なつたところ第１表の如き
結果を得た。 実施例 ３ 表面層の形成時、SiH4ガスとCH4ガスとの流
量比を変えて、表面層におけるシリコン原子と炭
素原子の含有量を変化させる以外は実施例１と全
く同様な方法によつて電子写真用の光受容部材の
それぞれを作成した。こうして得られた電子写真
用光受容部材のそれぞれにつき、実施例１と同様
にレーザーで画像露光し、転写までの工程を約５
万回繰り返した後、画像評価を行なつたところ、
第２表の如き結果を得た。 実施例 ４ 表面層の形成時、SiH4ガス、SiF4ガス、CH4
ガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコン
原子と炭素原子の含有量を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によつて電子写真用の光受
容部材のそれぞれを作成した。こうして得られた
電子写真用光受容部材のそれぞれにつき、実施例
１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なつた
ところ、第３表の如き結果を得た。 実施例 ５ 表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同
様な方法によつて電子写真用の光受容部材のそれ
ぞれを作成した。こうして得られた電子写真用光
受容部材のそれぞれにつき、実施例１と同様にレ
ーザーで画像露光し、転写までの工程を繰り返
し、画像評価を行なつたところ、第４表の如き結
果を得た。 実施例 ６ 表面層の作製時の放電電力を300Wとし、平均
層厚を2μmとする以外は実施例１と全く同様な方
法によつて電子写真用光受容部材を作製した。該
光受容部材の表面層の平均層厚差は、中央と両端
で0.5μmであつた。また微少部分での層厚差は
0.1μmであつた。 この様な電子写真用光受容部材では、干渉縞模
様は観察されず、また実施例１と同様な装置で作
像、現像、クリーニング工程を繰り返し行なつた
が、実用は十分なものであつた。 実施例 ７ シリンダー状Al支持体の表面を旋盤で、第１
４図のように加工した。 このシリンダー状Al支持体を用いて実施例１
と同様な条件でＡ―Si：Ｈの電子写真用光受容部
材を作製した。 この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に
第１３図の装置で画像露光を行い、現像、転写し
て画像を得た。この場合の転写画像には、干渉縞
はみられず実用上十分な特性であつた。 参考例 １ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第５表に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材については、実施
例１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画像
を得た。この様な画像形成プロセスを10万回連続
繰返し行つた。 この場合、得られた画像の総てに於て干渉縞は
見られず、実用に十分な特性であつた。又、初期
の画像と10万回目の画像の間には、何等差違はな
く、高品質の画像であつた。 参考例 ２ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第６表に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な、画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画
像を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 参考例 ３ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第７表に示条件で電子写
真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な、画像、露光装置を用いて、画像露光
を行い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画
像を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 参考例 ４ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第８表に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な、画像露光を用いて、画像露光をい行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 ［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、
可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管
理が容易であり、且つ画像形成時に現出する干渉
縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも
完全に解消することができ、しかも機械的耐久
性、特に耐摩耗性、及び光受容特性に優れた光受
容部材を提供することができる。
視光線，赤外線，Ｘ線，γ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある電子写真用光受容部材に関す
る。さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性
光を用いるのに適した電子写真用光受容部材に関
する。 〔従来の技術〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像、必要に
応じて転写、定着などの処理を行ない、画像を記
録する方法がよく知られている。中でも電子写真
用法を使用した画像形成法では、レーザーとして
は小型で安価なHe―Neレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は650〜820nmの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。 特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電
子写真用の光受容部材としては、その光感度領域
の整合性が他の種類の光受容部材と比べて格段に
優れている点に加えて、ビツカース硬度が高く、
社会的には無公害である点で、例えば特開昭54−
86341号公報や特開昭56−83746号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後「Ａ
―Si」と略記する）から成る光受容部材が注目さ
れている。 而乍ら、感光層を単層構成のＡ―Si層とする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用とし
て要求される1012Ωcm以上の暗抵抗を確保するに
は、水素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加え
てボロン原子とを特定の量範囲で層中に制御され
た形で構造的に含有させる必要性がある為に、層
形成のコントロールを厳密に行う必要がある等、
光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限
がある。 この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある
程度低暗抵抗であつても、その高光感度を有効に
利用出来る様にしたものとしては、例えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報に記載されてある様に光受容
層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層
構成として、光受容層内部に空乏層を形成した
り、或いは特開昭57−52178号、同52179号、同
52180号、同58159号、同58160号、同58161号の各
公報に記載されてある様に光受容層を支持体と感
光層の間、又は／及び感光層の上部表面に障壁層
を設けた多層構造としたりして、見掛け上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。 この様な提案によつて、Ａ―Si系光受容部材は
その商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造
上の管理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進
展し、商品化に向けての開発スピードが急速化し
ている。 この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用
いてレーザー記録を行う場合、各層の層厚に斑が
ある為に、レーザー光が可干渉性の単色光である
ので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光
受容層を構成する各層及び支持体と光受容層との
層界面（以後、この自由表面及び層界面の両者を
併せた意味で「界面」と称す）より反射して来る
反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の要因となる、殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合には、画線の見悪くさは顕著とな
る。まして、使用する半導体レーザー光の波長領
域が長波長になるにつれ感光層に於ける該レーザ
ー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象は
顕著である。 この点を図面を以つて説明する。 第１図に、光受容部材の光受容層を構成するあ
る層に入射した光I0と上部界面１０２で反射した
反射光R1、下部界面１０１で反射した反射光R2
を示している。 層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ
として、ある層の層厚がなだらかにλ／2n以上の層 厚差で不均一であると、反射光R1、R2が2nd＝
mλ（ｍは整数、反射光は強め合う）と2nd＝（ｍ
＋１／２）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件 のどちらに合うかによつて、ある層の吸収光量お
よび透過光量に変化を生じる。 多層構成の光受容部材においては、第１図に示
す干渉効果が各層で起り、第２図に示すように、
それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。そ
の為に該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材
上に転写、定着された可視画像に現われ、不良画
像の原因となつていた。 この不都合を解消する方法としては、支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜±10000Å
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば
特開昭58−162975号公報），アルミニウム支持体
表面を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭57−165845号
公報）、アルミニウム支持体表面を梨地状のアル
マイト処理したり、サンドブラストにより、砂目
状の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散
乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭57−
16554号公報）等が提案されている。 而乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現わ
れる干渉縞模様を完全に解消することが出来なか
つた。 即ち、第１の方法は支持体表面に特定の大きさ
の凹凸が多数設けられただけである為、確かに光
散乱効果による干渉縞模様の発現防止にはなつて
いるが、光散乱としては依然として正反射光成分
が現存している為に、該正反射光による干渉縞模
様が残存することに加えて、支持体表面での光散
乱効果の為に照射スポツトに拡がりが生じ、実質
的な解像度低下の要因となつていた。 第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、
完全吸収は無理であつて、支持体表面での反射光
は残存する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場
合はＡ―Si感光層を形成する際、樹脂層よりの脱
気現象が生じ、形成される感光層の層品質が著し
く低下すること、樹脂層がＡ―Si系感光層形成の
際のプラズマによつてダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化に
よるその後のＡ―Si系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合がある。 支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３
図に示す様に、例えば入射光I0は、光受容層３０
２の表面でその一部が反射されて反射光R1とな
り、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光I1となる。透過光I1は、支持体３０２の表面
に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光K1，
K2，K3…となり、残りが正反射されて反射光R2
となり、その一部が出射光R3となつて外部に出
て行く。従つて、反射光R1と干渉する成分であ
る出射光R3が残留する為、依然として干渉縞模
様は完全に消すことが出来ない。 又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射
を防止する為に支持体３０１の表面の拡散性を増
加させると、光受容層内で光が拡散してハレーシ
ヨンを生ずる為解像度が低下するという欠点もあ
つた。 特に、多層構成の光受容部材においては、第４
図に示すように、支持体４０１表面を不規則的に
荒しても、第１層４０２での反射光R2，第２層
での反射光R1，支持体４０１面での正反射光R3
の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたが
つて干渉縞模様が生じる。従つて、多層構成の光
受容部材においては、支持体４０１表面を不規則
に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能であつた。 又、サンドブラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツト間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても粗面度に不均一があつて、製造管理上具合が
悪かつた。加えて、比較的大きな突起がランダム
に形成される機会が多く、斯かる大きな突起が光
受容層の局所的ブレークダウンの原因となつてい
た。 又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場
合、第５図に示すように通常、支持体５０１表面
の凹凸形状に沿つて、光受容層５０２が堆積する
ため、支持体５０１の凹凸の傾斜面と光受容層５
０２の凹凸の傾斜面とが平行になる。 したがつて、その部分では入射光は2nd1＝mλ
または2nd1＝（ｍ＋1/2）λが成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。又、光受容層全体では光受容層
の層厚d1，d2，d3，d4の夫々の差の中の最大が
λ／2n以上である様な層厚の不均一性があるため明 暗の縞模様が現われる。 従つて、支持体５０１表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を堆積させた場合にも、第３図におい
て、一層構成の光受容部材で説明した支持体表面
での正反射光と、光受容層表面での反射光との干
渉の他に、各層間の界面での反射光による干渉が
加わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様
発現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感
受性のある新規な電子写真用光受容部材を提供す
ることである。 本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる
画像形成に適すると共に製造管理が容易である電
子写真用光受容部材を提供することである。 本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出す
る干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時に
しかも完全に解消することができる電子写真用光
受容部材を提供することでもある。 本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用
するデジタル画像記録、取分け、ハーフトーン情
報を有するデジタル画像記録が鮮明に且つ高解像
度、高品質で行える電子写真用光受容部材を提供
することでもある。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とでもある。 本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性の
ほか、更に、耐久性、連続繰返し特性、電気的耐
圧性、使用環境特性、機械的耐圧性及び光受容特
性に優れた電子写真用光受容部材を提供すること
でもある。 〔発明の概要〕 本発明の電子写真用光受容部材（以後、「光受
容部材」と称す）は、 所定の切断位置での断面形状が0.3μm〜5μmピ
ツチで0.1μm〜5μmの最大深さの主ピークに副ピ
ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面
に形成されている支持体と、 シリコン原子と水素原子及び／又はハロゲン原
子と伝導性を支配する物質とからなる非晶質材料
で構成された電荷注入防止層と、シリコン原子と
水素原子及び／又はハロゲン原子とを含む非晶質
材料で構成された単一層構成の感光層と、シリコ
ン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成され
た表面層とからなる光受容層と、 を有し、 該光受容層はシヨートレンジ内に少なくとも１
対以上の非平行な界面を有することを特徴とす
る。 以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。 第６図は、本発明の基本原理を説明するための
説明図である。 本発明において装置の要求解像力よりも微小な
凹凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹
凸の傾斜面に沿つて、１つ以上の感光層を有する
多層構成の光受容層は、第６図Ａに拡大して示さ
れるように、第２層６０２の層d5からd6と連続的
に変化している為に、界面６０３と界面６０４と
は互いに傾向きを有している。従つて、この微小
部分（シヨートレンジ）ｌに入射した可干渉性光
は、該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。 又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７
０２の界面７０３と第２層７０２の自由表面７０
４とが非平行であると、第７図のＡに示す様に入
射光I0による反射光R1と出射光R3とはその進行
方向が互いに異る為、界面７０３と７０４とが平
行な場合（第７図の「Ｂ」に較べて干渉の度合が
減少する。 従つて、第７図のＣに示す様に、一対の界面が
平行な関係にある場合「Ｂ」よりも非平行な場合
「Ａ」は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視
し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。 このことは、第６図に示す様に、第２層６０２
の層厚がマクロ的にも不均一（d7≠d8）でも同様
に云える為、全層領域に於て入射光量が均一にな
る（第６図の「Ｄ」参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照
射側から第２層まで可干渉性光が透過した場合に
就いて本発明の効果を述べれば、第８図に示す様
に、入射光I0に対して、反射光R1，R2，R3，R4，
R5が存在する。その為各々の層で第７図を以つ
て前記に説明したことが生ずる。 その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリ
ツトとして働き、そこで回折現像を生じる。 そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉
と層界面の回折による干渉との積として効果が現
われる。 従つて、光受容層全体で考えると干渉は夫々の
層での相乗効果となる為、本発明によれば、光受
容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉効果を防止することが出来る。 又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部
分の大きさが照射光スポツト径より小さい為、即
ち、解像度限界より小さい為、画像に現われるこ
とはない。又、仮に画像に現われているとしても
眼の分解能以下なので実質的には何等支障を生じ
ない。 本発明に於て、凹凸の傾射面は反射光を一方向
へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望
ましい。 本発明に適した微小部分の同きさｌ（凹凸形状
の一周期分）は、照射光のスポツト径をＬとすれ
ば、ｌ≦Ｌである。 又、本発明の目的をより効果的に達成する為に
は微小部分ｌに於ける層厚の差（d5―d6）は、照
射光の波長をλとすると、 d5―d6≧λ／2n（ｎ：第２層６０２の屈折率）で あるのが望ましい。 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部
分ｌの層厚内（以後「微小カラム」と称す）に於
て、少なくともいずれか２つの層界面が非平行な
関係にある様に各層の層厚が微小カラム内に於て
制御されるが、この条件を満足するならば該微小
カラム内にいずれか２つの層界面が平行な関係に
あつても良い。 但し、平行に層界面を形成する層は、任意の２
つの位置に於る層厚の差が、 λ／2n （ｎ：層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成さ
れるのが望ましい。 光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、
電気絶縁性材料からなる障壁層等の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する
為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できるこ
とからプラズマ気相法（PCVD法）、光CVD法、
熱CVD法が採用される。 本発明の目的を達するための支持体の加工方法
としては、化学エツチング、電気メツキなどの化
学的方法、蒸着、スパツタリングなどの物理的方
法、旋盤加工などの機械的方法などが利用でき
る。しかし、生産管理を容易に行うために、旋盤
などの機械的加工方法が好ましいものである。 たとえば、支持体を旋盤等で加工する場合、第
１７図に示す様に、Ｖ字形状の切刃を有するバイ
トをダイヤモンドパウダーで擦り所望の形状とし
た切刃を有するバイト１をフライス盤、旋盤等の
切削加工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状
支持体を予め所望に従つて設計されたプログラム
に従つて回転させながら規則的に所望方向に移動
させることにより、支持体表面を正確に切削加工
することで所望の凹凸形状、ピツチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によつて形成される
凹凸が作りだす線状突起部は、円筒状支持体の中
心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺
旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉
螺旋構造とされても差支えない。 或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿つた遅線
構造を導入しても良い。 本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明
の効果を高めるためと、加工管理を容易にするた
めに、一次近似的に同一形状とすることが好まし
い。 又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために
規則的または、周期的に配列されていることが好
ましい。又、更に、前記凸部は、本発明の効果を
一層高め、光受容層と支持体との密着性を高める
ために、副ピークを複数有することが好ましい。 これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方
向に散乱するために、前記凸部が主ピークを中心
に対称（第９図Ａ）または非対称形（第９図Ｂ）
に統一されていることが好ましい。しかし、支持
体の加工管理の自由度を高める為には両方が混在
しているのが良い。 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面
に設けられる凹凸の各デイメンジヨンは、以下の
点を考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成
出来る様に設定される。 即ち、第１には感光層を構成するＡ―Si層は、
層形成される表面の状態に構造敏感であつて、表
面状態に応じて層品質は大きく変化する。 従つて、Ａ―Si感光層の層品質の低下を招来し
ない様に支持体表面に設けられる凹凸のデイメン
ンジヨンを設定する必要がある。 第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があ
ると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニ
ングを完全に行なうことが出来なくなる。 また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレ
ードのいたみが早くなるという問題がある。 上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロ
セス上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を
検討した結果、支持体表面の凹部のピツチは、好
ましくは500μm〜0.3μm、より好ましくは200μm
〜1μm、最適には50μm〜5μmであるのが望まし
い。 又凹部の最大の深さは、好ましくは0.1μm〜
5μm、より好ましくは0.3μm〜3μm、最適には
0.6μm〜2μmとされるのが望ましい。支持体表面
の凹部のピツチと最大深さが上記の範囲にある場
合、凹部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、
好ましくは１度〜20度、より好ましくは３度〜15
度、最適には４度〜10度とされるのが望ましい。 又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚
の不均一に基く層厚差の最大は、同一ピツチ内で
好ましくは0.1μm〜2μm、より好ましくは0.1μm
〜1.5μm、最適には0.2μm〜1μmとされるのが望
ましい。 次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具
体例を示す。 第１０図に示される光受容部材１０００は、本
発明の目的を達成する様に表面切削加工された支
持体１００１上に、光受容層１００２を有し、該
光受容層１００２は支持体１００１側より電荷注
入防止層１００３，感光層１００４，表面層１０
０５で構成されている。 支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁
性であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr，ステンレス，Al，Cl，Mo，Au，
Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこれ等
の合金があげられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルロース，ア
セテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポ
リ塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラ
ミツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側の他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面にNiCr，Al，
Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd，
In2O2，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から成る
薄膜を設けることによつて導電性が付与され、或
いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイルム
であればNiCr，Al，Ag，Pd，Zn，Ni，Au，
Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，等の金属
の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタリ
ング等でその表面に設け、又は、前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１０図
の光受容部材１０００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が十
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。しかしながら、この様な場合、支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは10μ以上とされる。 電荷注入防止層１００３は、感光層１００４へ
の支持体１００１側からの電荷の注入を防いで見
掛上の高抵抗化を計る目的で設けられる。 電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を含有するＡ―Si（以後
「Ａ―Si（Ｈ，Ｓ）」と記す）で構成されると共に
伝導性を支配する物質(C)が含有される。電荷注入
防止層１００３に含有される伝導性を支配する物
質(C)としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Siに
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導性を与えるｎ型不純物を挙げることができ
る。具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）例えばＢ（硼
素），Al（アルミニウム），Ga（ガリウム），In（イ
ンジウム），Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては周期律表第族に属する原
子（第族原子）、例えばＰ（燐），As（砒素），Sb
（アンチモン），Bi（ビスマス）等であり、殊に好
適に用いられるのは、Ｐ，As，である。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有
される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、
要求される電荷注入防止特性、或いは該電荷注入
防止層１００３が支持体１００１上に直に接触し
て設けられる場合には、該支持体１００１との接
触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於て、適宜選択することが出来る。又、前記電荷
注入防止層に直に接触して設けられる他の層領域
の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特
性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物
質の含有量が適宜選択される。 本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される
伝導性を制御する物質の含有量としては、好適に
は、0.001〜５×104atomic ppm，より好適には
0.5〜１×104atomic ppm，最適には１〜５×
103atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於け
る物質(C)の含有量は、好ましくは、30atomic
ppm以上，より好適には50atomic ppm以上，最
適には100atomic ppm以上とすることによつて、
例えば含有させる物質(C)が前記のｐ型不純物の場
合には光受容層の自由表面が極性に帯電処理を
受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電
子の移動を、より効果的に阻止することが出来、
又、前記含有させる物質(C)が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面が極性に帯電処
理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入され
る正孔の移動を、より効果的に阻止することが出
来る。 電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは
30Å〜10μ，より好適には40Å〜8μ，最適には50
Å〜5μとされるのが望ましい。 感光層１００４は、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ、レーザー光の照射によつてフオトキヤリアを
発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両者を有する。 感光層１００４は層厚としては、好ましくは、
１〜100μm，より好ましくは１〜80μm，最適に
は２〜50μmとされるのが望ましい。 感光層１００４には、電荷注入防止層１００３
に含有される伝導特性を支配する物質の極性とは
別の極性の伝導特性を支配する物質を含有させて
も良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する
物質を、電荷注入防止層１００３に含有される実
際の量よりも一段と少ない量として含有させても
良い。 この様な場合、前記感光層１００４中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、電荷注入防止層１００３に含有される前記物
質の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm，より好適には0.05〜
500atomic ppm，最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４に同種の伝導性を支配する物質を含
有させる場合には、感光層１００４に於ける含有
量としては、好ましくは30atomic ppm以下とす
るのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜
40atomic％，より好適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましい。 ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ，Cl，Br，
Ｉが挙げられ、これ等の中でもＦ，Clが好ましい
ものとして挙げられる。 第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入
防止層１００３の代りに電気絶縁性材料から成
る、いわゆる障壁層を設けても良い。或いは、該
障壁層と電荷注入防止層１００３とを併用しても
差支えない。 障壁層形成材料としては、Al2O3，SiO2，
Si3N4等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。 第１０図に示される光受容部材１０００におい
ては、感光層１００４上に形成される表面層１０
０５は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し
特性、電気的耐圧性、使用環境特性，機械的耐久
性、光受容特性において本発明の目的を達成する
為に設けられる。 本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原
子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非
晶質材料（以後、「ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y」
と記す。但し、０＜Ｘ＜１で、０＜ｙ≦１）で構
成される。 ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される表面
層１００５の形成はグロー放電法のようなプラズ
マ気相法（PCVD法）、あるいは光CVD法、熱
CVD法、スパツタリング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。これ等の製造法は、製
造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作
製される光導電部材に所望される特性等の要因に
よつて適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光受容部材を製造するための作製条件
の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に
炭素原子及びハロゲン原子を、作製する表面層１
００５中に導入するのが容易に行える等の利点か
らグロー放電法或はスパツターリング法が好適に
採用される。更に、本発明に於いては、グロー放
電法とスパツターリング法とを同一装置系内で併
用して表面層１００５を形成してもよい。 グロー放電法によつて表面層１００５を形成す
るにはａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y 形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと
所定量の混合比で混合して、支持体の設置してあ
る真空堆積室に導入し、導入されたガスを、グロ
ー放電を生起させることでガスプラズマ化して、
前記支持体上に形成されてある層上に ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを堆積させれば良
い。 本発明に於いて、ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子(C)、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）
の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中
の大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとして、Siを構成原
子とする原料ガスを使用する場合は、例えば、Si
を構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とす
る原料ガスと、必要に応じて、Ｈを構成原子とす
る原子ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガ
スとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
Siを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成
原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原
子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比
で、混合するか、或いは、Siを構成原子とする原
料ガスと、Si、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする
原料ガス又は、Si、Ｃ及びＸの３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができ
る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
してもよい。 本発明に於いて、表面層１００５中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明に於いて、表面層１００５を形成するの
に有効に使用される原料ガスと成り得るものとし
ては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易
にガス化し得る物質を挙げることができる。 本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨとを構
成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の
シラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨ
とを構成原子とする、例えば、炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロ
ゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素
化硅素等を挙げる事ができる。具体的には、飽和
炭化水素としてはメタン（CH4）、エタン
（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ―ブタン（ｎ―
C4H10）、ペンタン（C5H12）、エチレン炭化水素
としては、エチレン（C2H4）、プロピレン
（C3H6）、ブテン―１（C4H8）、ブテン―２
（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブ
チン（C4H6）、ハロゲン単体としては、フツ素、
塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化
水素としては、FH，HI，HCl，HBr，ハロゲン
間化合物としては、BrF，ClF，ClF3，ClF5，
BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr，ハロゲン化
硅素としては、SiF4，Si2F6，SiCl3Br，
SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4，ハロゲン置
換水素化硅素としては、SiH2F2，SiH2Cl3，
SiH3Cl，SiH3Br，SiH3Br，SiH2Br2，SiHBr3、
水素化硅素としては、SiH4，Si2H8，Si3H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とができる。 これ等の他にCF4，CCl4，CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3F，CH3Cl，CH3Br，CH3I，
C2H5Cl，等のハロゲン置換パラフイン系炭化水
素、SF4，SF6のフツ素化硫黄化合物、Si
（CH3）4，Si（C2H5）4、等のケイ化アルキルやSiCl
（CH3）3，SiCl2（CH3）2，SiCl3CH3等のハロゲン
含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なも
のとして挙げることができる。 これ等の表面層１００５形成物質は形成される
表面層１００５中に、所定の組成比でシリコン原
子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水
素原子とが含有される様に、表面層１０５の形成
の際に所望に従つて選択されて使用される。例え
ば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有
が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され
得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有されるも
のとしてのSiHCl3，SiH2Cl2，SiCl4、或いは、
SiH3Cl等を所定の混合比にして、ガス状態で表
面層１００５形成用の装置内に導入してグロー放
電を生起させることによつてａ―（SixC1-x）y
（Cl＋Ｘ）1-yから成る表面層１００５を形成する
ことができる。 スパツターリング法によつて表面層１００５を
形成するには、単結晶又は、多結晶のSiウエーハ
ー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有
されているウエーハーをターゲツトとして、これ
らを必要に応じてハロゲン原子又は／及び水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原
料ガスを、必要に応じて稀釈して、スパツター用
の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハーをスパツターリン
グすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中
で、スパツターリングすることによつて成され
る。Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質
としては、先述したグロー放電の例で示した表面
層１００５形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えば、
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
ができる。 本発明に於ける表面層１００５は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注意深く形
成される。 即ち、Si，Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質を、各々示すので、本発明に於いては、
目的に応じた所望の特性を有するａ―（SixC1-x）
y（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所望に従つて
その作成条件の選択が厳密に成される。例えば、
表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。又、連続繰返し使用
特性や使用環境特性の向上を主たる目的として表
面層１００５が設けられる場合には上記の電気絶
縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対してある程度の感度を有する非晶質材料として
ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y作成がされる。 第２の層表面にａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yか
ら成る表面層１００５を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であつて、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ―（SixC1-x）y（Ｈ，
Ｘ）1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れるための表面層１００５の形成法に併せて適宜
最適範囲が選択されて、表面層１００５の形成が
実行されるが好ましくは、20〜400℃、より好適
には50〜350℃、最適には100〜300℃とされるの
が望ましいものである。表面層１００５の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて、比較的容易である
事等のために、グロー放電法やスパツターリング
法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で表
面層１００５を形成する場合には前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成される
ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yの特性を左右する重
要な因子の一つである。 本発明に於ける目的が達成されるための特性を
有するａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件として
は好ましくは10〜1000W、より好適には20〜
750W、最適には50〜650Wとされるのが望ましい
ものである。 堆積室のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、よ
り好適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望まし
い。 本発明に於いては、表面層１００５を作成する
ための支持体温度、放電パワーの望ましい数値範
囲として前記した範囲の値が挙げられるが、これ
等の層作成フアクターは、独立的に別々に、決め
られるものではなく、所望特性のａ―（SixC1-x）
y（Ｈ，Ｘ）1-yから成る表面層１００５が形成さ
れる様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成
フアクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に
含有される炭素原子の量は、表面層１００５の作
成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特
性が得られる表面層１００５が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける表面層１００５に含有される炭
素原子の量は、表面層１００５を構成する非晶質
材料の種類及びその特性に応じて適宜所望に応じ
て決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1-b）cH1-cと記
す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と炭
素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、「ａ−（SidC1-d）
e（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す。但し０＜ｄ，ｅ＜１）、
に分類される。 本発明に於いて、表面層１００５がａ−Sia
C1-aで構成される場合、表面層１００５に含有さ
れる炭素原子の量は好ましくは、１×10- 3〜
90atomic％、より好適には１〜80atomic％、最
適には10〜75atomic％とされるのが望ましいも
のである。即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示で
行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好適
には0.2〜0.99、最適には、0.25〜0.9である。 本発明に於いて、表面層１００５がａ−（Sib
C1-b）cH1-cで構成される場合、表面層１００５に
含有される炭素原子の量は、好ましくは１×10-3
〜90atomic％とされ、より好ましくは、１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、好ましくは１〜40atomic％、より好まし
くは２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有
量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて優れたものとして充分適用させ得る。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行なえ
ばｂが好ましくは、0.1〜0.99999、より好適に
は、0.1〜0.99、最適には、0.15〜0.9、ｃが好ま
しくは、0.6〜0.99、より好適には0.65〜0.98、最
適には0.7〜0.95であるのが望ましい。 表面層１００５が、ａ−（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1
−ｅで構成される場合には、表面層１００５中に含
有される炭素原子の含有量としては、好ましく
は、１×10-3〜90atomic％、より好適には、１
〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とされ
るのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、１〜20atomic％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子
含有量がある場合に作成される光受容部材を実際
面に充分適用させ得るものである。必要に応じて
含有される水素原子の含有量としては、好ましく
は19atomic％以下、より好適には13atomic％と
されるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行なえば、ｄが好ましくは、0.1〜
0.99999、より好適には、0.1〜0.99、最適には
0.15〜0.9、ｅが好ましくは、0.8〜0.99、より好
適には0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98であるの
が望ましい。 本発明に於ける表面層１００５の層厚の数値範
囲は本発明の目的を効果的に達成するための重要
な因子の一つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有さ
れる炭素原子の量や第１の層、第２層の層厚との
関係に於いても、各々の層領域に要求される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従つて適宜
決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける表面層１００５の層厚としては、好
ましくは0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、最適
には、0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 表面層１００５には、機械的耐久性に対する保
護層としての働き、及び光学的には反射防止層と
しての働きを主に荷わせることができる。 表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射
防止層としての機能を果すのに適している。 即ち、表面層１００５の屈折率をｎ、層厚を
ｄ、入射光の波長をλとすると、 ｄ＝λ／4n のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射
防止層として適している。又、感光層の屈折率を
naとした場合、表面層の屈折率ｎが ｎ＝√ を満し、且つ表面層の層厚ｄが ｄ＝λ／4n 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止
層として最適である。ａ―Si：Ｈを感光層として
用いる場合、ａ―Si：Ｈの屈折率は、約3.3であ
るので、表面層としては、屈折率1.82の材料が適
している。ａ―Si：ＨはＣの量を調整することに
より、このような値の屈折率とすることができ、
かつ機械的耐久性、層間の密着性及び電気的特性
も十分に満足させることができるので、表面層の
材料としては最適なものである。 また表面層１００５を反射防止層としての役割
に重点を置く場合には、表面層の層厚としては、
0.05〜2μmとされるのがより望ましい。 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 本実施例ではスポツト系80μmの半導体レーザ
ー（波長780nm）を使用した。したがつてＡ―
Si：Ｈを堆積させる円筒状のAl支持体（長さ
（Ｌ）357nm，径（ｒ）80mm）上に旋盤で螺線状
の溝を作成した。このときの溝の断面形状を第１
１図Ｂに示す。 このAl支持体上に第１２図の装置で電荷注入
防止層，感光層，を次の様にして堆積した。 まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波
電源、１２０２はマツチングボツクス、１２０３
は拡散ポンプおよびメカニカルブースターポン
プ、１２０４はAl支持体回転用モータ、１２０
５はAl支持体、１２０６はAl支持体加熱用ヒー
タ、１２０７ガス導入管、１２０８は高周波導入
用カソード電極、１２０９はシールド板、１２１
０はヒータ用電極、１２２１〜〜１２２５，１２
４１〜１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５は
マスフロコントローラー、１２５１〜１２５５は
レギユレーター、１２６１は水素（H2）ボンベ、
１２６２はシラン（SiH4）ボンベ、１２６３は
ジボラン（B2H6）ボンベ、１２６４は酸化窒素
（NO）ボンベ、１２６５はメタン（CH4）ボン
ベである。 次に作製手順を説明する。１２６１〜１２６５
のボンベの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロ
コントローラおよびバルブを開け、１２０３の拡
散ポンプにより堆積装置内を10-7Torrまで減圧
した。それと同時に１２０６のヒータにより１２
０５のAl支持体250℃まで加熱し250℃で一定に
保つた。１２０５のAl支持体の温度が250℃で一
定になつた後１２２１〜１２２５，１２４１〜１
２４５，１２５１〜１２５５のバルブを閉じ、１
２６１〜１２６５のボンベの元栓を開け、１２０
３の拡散ポンプをメカニカルブースターポンプに
代える。１２５１〜１２５５のレギユーレーター
付きバルブの二次圧を1.5Kg／cm2に設定した。１
２３１のマスフロコントローラーを300SCCMに
設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブを
順に開き堆積装置内にH2ガスを導入した。 次に１２６２のSiH4ガスを１２３２のマスフ
ロコントローラーの設定を150SCCMに設定して、
H2ガスの導入と同様の操作でSiH4ガスを堆積装
置に導入した。次に１２６３のB2H6ガス流量を
SiH4ガス流量に対して、1600Volppmになるよう
に１２３３のマスフローコントローラーを設定し
て、H2ガスの導入を同様な操作でB2H6ガスを堆
積装置内に導入した。 そして堆積装置内の内圧が0.2Torrで安定した
ら、１２０１の高周波電源のスイツチを入れ１２
０２のマツチングボツクスを調節して、１２０５
のAl支持体と１２０８のカソード電極間にグロ
ー放電を生じさせ、高周波電力を150wとし5μm
厚でＡ―Si：Ｈ層（Ｂを含むＰ型のＡ―Si：Ｈ層
となる）を堆積した（電荷注入防止層）。5μm厚
のＡ―Si：Ｈ（Ｐ型）を堆積したのち放電を切ら
ずに、１２２３のバルブを閉めB2H6の流入を止
める。 そして高周波電力150Wで20μm厚のＡ―Si：Ｈ
層（non―doped）を堆積した（感光層）。 その後、１２３２のマスフロコントローラーの
設定を35SCCMに変え、１２６２のCH4ガス流量
がSiH4ガス流量に対して流量比がSiH4／CH4＝
１／30となる様にあらかじめ設定されている１２
３５のマスフロコントローラーから、バルブ１２
２５を開けることによつてCH4ガスを導入し、高
周波電力150Wで0.5μm厚のａ―SiC（Ｈ）を堆積
した（表面層）。 高周波電源及びガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Al支持体の温度を室温まで下げ
て、光受容層を形成した支持体を取り出した。 この光受容部材は第１１図Ｂ，Ｃのように感光
層の表面と支持体の表面とは非平行であつた。こ
の場合Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚
の層厚差は2μmであつた。 以上の電子写真用の光受容部材について、波長
780nmの半導体レーザーをスポツト径80μmで第
１３図に示す装置で画像露光し、作像、現像、ク
リーニング工程を約５万回繰り返した後、画像評
価を行なつたところ、干渉縞模様は観察されず、
実用に十分な電子写真特性を示すものであつた。 実施例 ２ 実施例１と同様な方法で、支持体上に感光層ま
で形成したものを７本作成した。 次に、１２６１の水素（H2）ボンベをアルゴ
ン（Ar）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清
掃し、カソード電極上に、第１表No.101に示す表
面層材料を一面にはる。前記感光層まで形成した
ものの１本を設置し、堆積装置内を、拡散ポンプ
で十分に減圧する。その後、アルゴンガスを
0.015Torrまで導入し、高周波電力150Wでグロ
ー放電を起こし、表面材料をスパツタリングし
て、前記支持体上に、第１表No.101の条件で表面
層を堆積した（試料No.101）。同様に残りの６本に
ついて、第１表No.102〜107の条件で表面層を堆積
した（試料No.102〜107）。 これらは第１１図Ｂ，Ｃのように感光層の表面
と支持体の表面とは非平行であつた。この場合
Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚
差は2μmであつた。 以上７種類の電子写真用の光受容部材につい
て、波長780nmの半導体レーザーをスポツト径
80μmで第１３図に示す装置で画像露光を行い、
作像、現像、クリーニング工程を約５万回繰り返
した後、画像評価を行なつたところ第１表の如き
結果を得た。 実施例 ３ 表面層の形成時、SiH4ガスとCH4ガスとの流
量比を変えて、表面層におけるシリコン原子と炭
素原子の含有量を変化させる以外は実施例１と全
く同様な方法によつて電子写真用の光受容部材の
それぞれを作成した。こうして得られた電子写真
用光受容部材のそれぞれにつき、実施例１と同様
にレーザーで画像露光し、転写までの工程を約５
万回繰り返した後、画像評価を行なつたところ、
第２表の如き結果を得た。 実施例 ４ 表面層の形成時、SiH4ガス、SiF4ガス、CH4
ガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコン
原子と炭素原子の含有量を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によつて電子写真用の光受
容部材のそれぞれを作成した。こうして得られた
電子写真用光受容部材のそれぞれにつき、実施例
１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なつた
ところ、第３表の如き結果を得た。 実施例 ５ 表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同
様な方法によつて電子写真用の光受容部材のそれ
ぞれを作成した。こうして得られた電子写真用光
受容部材のそれぞれにつき、実施例１と同様にレ
ーザーで画像露光し、転写までの工程を繰り返
し、画像評価を行なつたところ、第４表の如き結
果を得た。 実施例 ６ 表面層の作製時の放電電力を300Wとし、平均
層厚を2μmとする以外は実施例１と全く同様な方
法によつて電子写真用光受容部材を作製した。該
光受容部材の表面層の平均層厚差は、中央と両端
で0.5μmであつた。また微少部分での層厚差は
0.1μmであつた。 この様な電子写真用光受容部材では、干渉縞模
様は観察されず、また実施例１と同様な装置で作
像、現像、クリーニング工程を繰り返し行なつた
が、実用は十分なものであつた。 実施例 ７ シリンダー状Al支持体の表面を旋盤で、第１
４図のように加工した。 このシリンダー状Al支持体を用いて実施例１
と同様な条件でＡ―Si：Ｈの電子写真用光受容部
材を作製した。 この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に
第１３図の装置で画像露光を行い、現像、転写し
て画像を得た。この場合の転写画像には、干渉縞
はみられず実用上十分な特性であつた。 参考例 １ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第５表に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材については、実施
例１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画像
を得た。この様な画像形成プロセスを10万回連続
繰返し行つた。 この場合、得られた画像の総てに於て干渉縞は
見られず、実用に十分な特性であつた。又、初期
の画像と10万回目の画像の間には、何等差違はな
く、高品質の画像であつた。 参考例 ２ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第６表に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な、画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画
像を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 参考例 ３ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第７表に示条件で電子写
真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な、画像、露光装置を用いて、画像露光
を行い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画
像を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 参考例 ４ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体を用いて、第８表に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な、画像露光を用いて、画像露光をい行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 ［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、
可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管
理が容易であり、且つ画像形成時に現出する干渉
縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも
完全に解消することができ、しかも機械的耐久
性、特に耐摩耗性、及び光受容特性に優れた光受
容部材を提供することができる。
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用上充分である
×：画像欠陥を生ずる
×：画像欠陥を生ずる
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用上充分である
×：画像欠陥を生ずる
×：画像欠陥を生ずる
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用上充分である
×：画像欠陥を生ずる
×：画像欠陥を生ずる
【表】
【表】
【表】
【表】
第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第
２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明
図である。第３図は散乱光による干渉縞の説明図
である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散
乱光による干渉縞の説明図である。第５図は、光
受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉縞の説
明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が
非平行な場合に干渉縞が現われないことの説明図
である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平
行である場合と非平行である場合の反射光強度の
比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非
平行である場合の干渉縞が現われないことの説明
図である。第９図Ａ，Ｂはそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受
容部材の層構成の説明図である。第１２図は、実
施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図であ
る。第１３図は、実施例で使用した画像露光装置
である。第１１図、第１４図、第１５図、第１６
図は、実施例で使用したAl支持体の表面状態の
説明図である。第１７図は、支持体の加工を説明
するための説明図である。 １０００…光受容部材、１００２…光受容層、
１００１…Al支持体、１００３…電荷注入防止
層、１００４…感光層、１００５…表面層、１３
０１…電子写真用光受容部材、１３０２…半導体
レーザー、１３０３…fθレンズ、１３０４…ポリ
ゴンミラー、１３０５…露光装置の平面図、１３
０６…露光装置の側面図。
２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明
図である。第３図は散乱光による干渉縞の説明図
である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散
乱光による干渉縞の説明図である。第５図は、光
受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉縞の説
明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が
非平行な場合に干渉縞が現われないことの説明図
である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平
行である場合と非平行である場合の反射光強度の
比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非
平行である場合の干渉縞が現われないことの説明
図である。第９図Ａ，Ｂはそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受
容部材の層構成の説明図である。第１２図は、実
施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図であ
る。第１３図は、実施例で使用した画像露光装置
である。第１１図、第１４図、第１５図、第１６
図は、実施例で使用したAl支持体の表面状態の
説明図である。第１７図は、支持体の加工を説明
するための説明図である。 １０００…光受容部材、１００２…光受容層、
１００１…Al支持体、１００３…電荷注入防止
層、１００４…感光層、１００５…表面層、１３
０１…電子写真用光受容部材、１３０２…半導体
レーザー、１３０３…fθレンズ、１３０４…ポリ
ゴンミラー、１３０５…露光装置の平面図、１３
０６…露光装置の側面図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の切断位置での断面形状が0.3μm〜
500μmピツチで0.1μm〜5μmの最大深さの主ピー
クに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、 シリコン原子と水素原子及び／又はハロゲン原
子と伝導性を支配する物質とからなる非晶質材料
で構成された電荷注入防止層と、シリコン原子と
水素原子及び／又はハロゲン原子とを含む非晶質
材料で構成された単一層構成の感光層と、シリコ
ン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成され
た表面層とからなる光受容層と、 を有し、 該光受容層はシヨートレンジ内に少なくとも１
対以上の非平行な界面を有することを特徴とする
電子写真用光受容部材。 ２ 前記感光層が、光導電性を有する特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。 ３ 前記光受容層が多層構造を有する特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。 ４ 前記凸部が規則的に配列されている特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。 ５ 前記凸部が周期的に配列されている特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。 ６ 前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を
有する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
光受容部材。 ７ 前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。 ８ 前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして対称形状である特許請求の範囲第１項に記
載の電子写真用光受容部材。 ９ 前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして非対称形状である特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真用光受容部材。 １０ 前記凸部は、機械的加工によつて形成され
た特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光受
容部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113851A JPS60257455A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 電子写真用光受容部材 |
| AU43284/85A AU589126C (en) | 1984-06-05 | 1985-06-04 | Light-receiving member |
| CA000483204A CA1258394A (en) | 1984-06-05 | 1985-06-05 | Light-receiving member |
| DE8585304011T DE3580939D1 (de) | 1984-06-05 | 1985-06-05 | Lichtempfangselement. |
| EP85304011A EP0165743B1 (en) | 1984-06-05 | 1985-06-05 | Light-receiving member |
| US06/740,714 US4705734A (en) | 1984-06-05 | 1985-06-30 | Member having substrate with irregular surface and light receiving layer of amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113851A JPS60257455A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 電子写真用光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257455A JPS60257455A (ja) | 1985-12-19 |
| JPH0234028B2 true JPH0234028B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=14622654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113851A Granted JPS60257455A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 電子写真用光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257455A (ja) |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP59113851A patent/JPS60257455A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60257455A (ja) | 1985-12-19 |
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| JPH0238944B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |