JPH0234022B2

JPH0234022B2 -

Info

Publication number: JPH0234022B2
Application number: JP59084703A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; Masahiro Kanai; Tetsuo Sueda; Teruo Misumi; Yoshio Tsuezuki; Kyosuke Ogawa
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-04-26
Filing date: 1984-04-26
Publication date: 1990-08-01
Also published as: JPS60227263A

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある電子写真用光受容部材に関す
る。さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性
光を用いるのに適した電子写真用光受容部材に関
する。〔従来の技術〕デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像、必要に
応じて転写、定着などの処理を行ない、画像を記
録する方法がよく知られている。中でも電子写真
法を使用した画像形成法では、レーザーとしては
小型で安価なHe―Neレーザーあるいは半導体レ
ーザー（通常は650〜820nmの発光波長を有する）
で像記録を行なうことが一般である。特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電
子写真用の光受容部材としては、その光感度領域
の整合性が他の種類の光受容部材と比べて格段に
優れている点に加えて、ビツカース硬度が高く、
社会的には無公害である点で、例えば特開昭54−
86341号公報や特開昭56−83746号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後「Ａ
―Si」と略記する）から成る感光層を有する光受
容部材が注目されている。而乍ら、感光層を単層構成のＡ―Si層とする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用とし
て要求される10¹²Ωcm以上の暗抵抗を確保するに
は、水素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加え
てボロン原子とを特定の量範囲で層中に制御され
た形で構造的に含有させる必要性がある為に、層
形成のコントロールを厳密に行う必要がある等、
光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限
がある。この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある
程度低暗低抗であつても、その高光感度を有効に
利用出来る様にしたものとしては、例えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報に記載されてある様に光受容
層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層
構成として、光受容層内部に空乏層を形成した
り、或いは特開昭57−52178号、同52179号、同
52180号、同58159号、同58160号、同58161号の各
公報に記載されてある様に光受容層を支持体と感
光層の間、又は／及び感光層の上部表面に障壁層
を設けた多層構造としたりして、見掛け上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。この様な提案によつて、Ａ―Si系光受容部材は
その商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造
上の管理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進
展し、商品化に向けての開発スピードが急速化し
ている。この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用
いてレーザー記録を行う場合、各層の層厚に斑が
ある為に、レーザー光が可干渉性の単色光である
ので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光
受容層を構成する各層及び支持体と光受容層との
層界面（以後、この自由表面及び層界面の両者を
併せた意味で「界面」と称す）より反射して来る
反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の要因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合には、画像の見悪くさは顕著とな
る。まして、使用する半導体レーザー光の波長領域
が長波長になるにつれ感光層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象は顕
著である。この点を図面を以つて説明する。第１図に、光受容部材の光受容層を構成するあ
る層に入射した光I₀と上部界面１０２で反射した
反射光R₁、下部界面１０１で反射した反射光R₂
を示している。層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ
として、ある層の層厚がなだらかにλ／2n以上の層厚差で不均一であると、反射光R₁，R₂が2nd＝
mλ（ｍは整数、この場合反射光は強め合う）と
2nd＝（ｍ＋1/2）λ（ｍは整数、この場合反射光
は弱め合う）の条件のどちらに合うかによつて、
ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じ
る。多層構成の光受容部材においては、第１図に示
す干渉効果が各層で起り、第２図に示すように、
それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。そ
の為に該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材
上に転写、定着された可視画像に現われ、不良画
像の原因となつていた。この不都合を解消する方法としては、支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜±10000Å
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば
特開昭58−162975号公報）アルミニウム支持体表
面を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭57−165845号公
報）、アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したり、サンドブラストにより砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反
射防止層を設ける方法（例えば特開昭57−16554
号公報）等が提案されている。而乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現わ
れる干渉縞模様を完全に解消することが出来なか
つた。即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさ
の凹凸が多数設けられただけである為、確かに光
散乱効果による干渉縞模様の発現を低減させては
いるが、光散乱としては依然として正反射光成分
が残存している為に、該正反射光による干渉縞模
様が残存することに加えて、支持体表面での光散
乱効果の為に照射スポツトに拡がりが生じ（所
謂、滲み現象）、実質的な解像度低下の要因とな
つていた。第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、
完全吸収は無理であつて、支持体表面での反射光
は残存する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場
合はＡ―Si感光層を形成する際、樹脂層よりの脱
気現象が生じ、形成される感光層の層品質が著し
く低下すること、樹脂層がＡ―Si系感光層形成の
際のプラズマによつてダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化に
よるその後のＡ―Si系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合さを有する。支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合に
は、第３図に示す様に、例えば入射光I₀は、光受
容層３０２の表面でその一部が反射されて反射光
R₁となり、残りは、光受容層３０２の内部に進
入して透過光I₁となる。透過光I₁は、支持体３０
２の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡
散光K₁，K₂，K₃……となり、残りが正反射され
て反射光R₂となり、その一部が出射光R₃となつ
て外部に出て行く。従つて、反射光R₁と干渉す
る成分である出射光R₃が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射
を防止する為に支持体３０１の表面の拡散性を増
加させると、光受容層内で光が拡散してハレーシ
ヨンを生ずる為解像度が低下するという欠点もあ
つた。特に、多層構成の光受容部材においては、第４
図に示すように、支持体４０１表面を不規則的に
荒しても、第１層４０２の表面での反射光R₂、
第２層４０３の表面での反射光R₁、支持体４０
１の表面での正反射光R₃の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがつて干渉縞模様が生じ
る。従つて、多層構成の光受容部材においては、
支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉
縞を完全に防止することは不可能であつた。又、サンドブラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツト間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても粗面度に不均一性があつて、製造管理上具合
が悪かつた。加えて、比較的大きな突起がランダ
ムに形成される機会が多く、斯かる大きな突起が
光受容層の局所的な電気的ブレークダウンの原因
となつていた。又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場
合、第５図に示すように、通常、支持体５０１表
面の凹凸形状に沿つて、光受容層５０２が堆積す
るため、支持体５０１の凹凸の傾斜面５０３と光
受容層５０２の凹凸の傾斜面５０４とが平行にな
る。したがつて、その部分では入射光は2nd₁＝mλ
または2nd₁＝（ｍ＋1/2）λが成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。又、光受容層全体では光受容層
の層厚d₁，d₂，d₃，d₄の夫々の差の中の最大が
λ／2n以上である様な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。従つて、支持体５０１表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を推積させた場合にも、第３図におい
て、一層構成の光受容部材で説明した支持体表面
での正反射光と、光受容層表面での反射光との干
渉の他に、各層間の界面での反射光による干渉が
加わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様
発現度合より一層複雑となる。〔発明の目的〕本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感
受性のある新規な電子写真用光受容部材を提供す
ることである。本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる
画像形成に適すると共に製造管理が容易である電
子写真用光受容部材を提供することである。本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出す
る干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時に
しかも完全に解消することができる電子写真用光
受容部材を提供することでもある。本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用
するデジタル画像記録、取分けハーフトーン情報
を有するデジタル画像記録が鮮明に且つ高解像
度、高品質で行える電子写真用光受容部材を提供
することでもある。本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とでもある。〔発明の概要〕本発明の電子写真用光受容部材（以後、「光受
容部材」と称す）は、所定の切断位置での断面形
状が0.3μｍ〜500μｍピツチで、0.1μｍ〜5μｍの最
大深さの主ピークに副ピークが重畳された凸状形
状である凸部が多数表面に形成されている支持体
と、シリコン原子と水素原子及び／又はハロゲン
原子を含有する非晶質材料で構成された単一層構
成の自由表面を有する光受容層とからなり、前記
光受容層は、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を層厚方向に
不均一に含有し、かつ、該光受容層はシヨートレ
ンジ内に少なくとも１対以上の非平行な界面を有
することを特徴とする。以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。第６図は、本発明の基本原理を説明するための
説明図である。第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸
形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の
傾斜面に沿つて、１つ以上の感光層を有する多層
構成の光受容層を、図の一部に拡大して示してあ
る。第６図に示されるように、第２層６０２の層
厚がd₅からd₆と連続的に変化している為に、界面
６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有してい
る。従つて、この微小部分（シヨートレンジ）ｌ
に入射した可干渉性光は、該微小部分ｌに於て干
渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７
０２の界面７０３と第２層７０２の自由表面７０
４とが非平行であると、第７図のＡに示す様に入
射光I₀に対する反射光R₁とに出射光R₃とはその
進行方向が互いに異る為、界面７０３と７０４と
が平行な場合（第７図の「Ｂ」）に較べて干渉の
度合が減少する。従つて、第７図のＣに示す様に、一対の界面が
平行な関係にある場合（「Ｂ」）よりも非平行な場
合（「Ａ」）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が
無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部
分の入射光量は平均化される。このことは、第６図に示す様に、第２層６０２
の層厚がマクロ的に不均一（d₇≠d₈）でも同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる
（第６図の「Ｄ」参照）。また、光受容層が多層構成である場合に於いて
照射側から第２層まで可干渉性光が透過した場合
に就いて本発明の効果を述べれば、第８図に示す
様に、入射光I₀に対して、反射光R₁，R₂，R₃，
R₄，R₅が存在する。その為各々の層で第７図を
似つて前記に説明したことが生ずる。その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリ
ツトとして働き、そこで回折現象を生じる。そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉
と層界面の回折による干渉との積として効果が現
われる。従つて、光受容層全体で考えると干渉は夫々の
層での相乗効果となる為、本発明によれば、光受
容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉効果を防止することが出来る。又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部
分の大きさが照射光スポツト径より小さい為、即
ち、解像度限界より小さい為、画像に現れること
はない。又、仮に画像に現われているとしても眼
の分解能以下なので実質的には何等支障を生じな
い。本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方
向へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが
望ましい。本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状
の一周期分）は、照射光のスポツト径をＬとすれ
ば、ｌ≦Ｌであることが望ましい。この様に設計することにより、微小部分の端の
回折効果を積極的に利用することが出来、干渉縞
の発現をより一層抑制することが出来る。又本発明の目的をより効果的に達成する為には
微小部分ｌに於ける層厚の差（d₅−d₆）は、照射
光の波長をλとすると、 d₅−d₆≧λ／2n（ｎ：第２層６０２の屈折率）であるのが望ましい（第６図参照）。本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部
分ｌの層厚内（以後「微小カラム」と称す）に於
て、少なくともいずれか２つの層界面が非平行な
関係にある様に各層の層厚が各層の形成の際に微
小カラム内に於て制御されるが、この条件を満足
するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界
面が平行な関係にあつても良い。但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２
つの位置に於る層厚の差が λ／2n（ｎ：層の屈折率）以下である様に全領域に均一層厚に形成される
のが望ましい。光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、
電気絶縁性材料からなる障壁層等の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する
為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できるこ
とからプラズマ気相法（PCVD法）、光CVD法、
熱CVD法が採用される。本発明の目的を達するための支持体の加工方法
としては、化学エツチング、電気メツキなどの化
学的方法、蒸着、スパツタリングなどの物理的方
法、施盤加工などの機械的方法などが利用でき
る。しかし、生産管理を容易に行うために、施盤
などの機械的加工方法が好ましいものである。たとえば、支持体を旋盤等で加工する場合、第
２９図に示すようにＶ字形状の切刃を有するバイ
トをダイモンドパウダーで擦り所望の形状とした
切刃を有するバイト１をフライス盤、旋盤等の切
削加工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支
持体を予め所望に従つて設計されたプログラムに
従つて回転させながら規則的に所定方向に移動さ
せることにより、支持体表面を正確に切削加工す
ることで所望の凹凸形状、ピツチ、深さで形成さ
れる。この様な切削加工法によつて形成される凹
凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺線構造を有する。突起部の螺線
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺
線構造とされても差支えない。或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿つた直線
構造を導入しても良い。本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明
の効果を高めるためと、加工管理を容易にするた
めに、一次近似的に同一形状であることが好まし
い。又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために
規則的または、周期的に配列されていることが好
ましい。又、更に、前記凸部は、本発明の効果を
一層高め、光受容層と支持体との密着性を高める
ために、副ピークを複数有することが好ましい。
これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向
に散乱するために、前記凸部が主ピークを中心に
対称（第９図Ａ）または非対称形（第９図Ｂ）に
統一されていることが好ましい。しかし支持体の
加工管理の自由度を高める為には両方が混在して
いるのが良い。本発明に於ては、管理された状態で支持体表面
に設けられる凹凸の各デイメンシヨンは、以下の
点を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成
出来る様に設定される。即ち、第１はＡ―Si層は、層形成される表面の
状態に構造敏感であつて、表面状態に応じて層品
質は大きく変化する。従つて、Ａ―Si層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のデイメンシヨ
ンを設定する必要がある。第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があ
ると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニ
ングを完全に行なうことが出来なくなる。また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレ
ードのいたみが早くなるという問題がある。上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロ
セス上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を
検討した結果、支持体表面の凹部のピツチは、好
ましくは500μｍ〜0.3μｍ、より好ましくは200μｍ
〜1μｍ、最適には50μｍ〜5μｍであるのが望まし
い。又凹部の最大の深さは、好ましくは0.1μｍ〜5μ
ｍ、より好ましくは0.3μｍ〜3μｍ、最適には0.6μ
ｍ〜2μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部のピツチと最大深さが上記の
範囲にある場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜
面の傾きは、好ましくは１度〜20度、より好まし
くは３度〜15度、最適には４度〜10度とされるの
が望ましい。又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚
の不均一性に基く層厚差の最大は、同一ピツチ内
で好ましくは0.1μｍ〜2μｍ、より好ましくは0.1μ
ｍ〜1.5μｍ、最適には0.2μｍ〜1μｍとされるのが
望ましい。次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具
体例を示す。第１０図に示される光受容部材１０００は、本
発明の目的を達成する様に表面切削加工された支
持体１００１上に、光受容層１００２を有し、該
光受容層１００２は支持体１００１側より電荷注
入防止層１００３、感光層１００４が設けられた
構成とされている。支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁
性であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr，ステンレス，Al，Cr，Mo，Au，
Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこれ等
の合金が上げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであればその表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pd，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツ
タリング等でその表面に設け、又は、前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
０図の光受容部材１０００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。しかしながら、この様な場合、支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは10μ以上とされる。電荷注入防止層１００３は、感光層１００４へ
の支持体１００１側からの電荷の注入を防いで見
掛上の高抵抗化を計る目的で設けられる。電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を含有するＡ―Si（以後
「Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）」と記す）で構成されると共に
伝導性を支配する物質(C)が含有される。電荷注入
防止層１００３に含有される伝導性を支配する物
質(C)としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Siに
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導性を与えるｎ型不純物を挙げることができ
る。具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えばＢ（硼
素），Al（アルミニウム），Ga（ガリウム），In（イ
ンジウム），Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Ga，である。ｎ型不純物としては周期律表第族に属する原
子（第族原子）、例えばＰ（燐），As（砒素），Sb
（アンチモン），Bi（ビスマス）等であり、殊に好
適に用いられるのは、Ｐ，As，である。本発明
に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質(C)の含有量は、要求される電
荷注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００
３が支持体１００１上に直に接触して設けられる
場合には、該支持体１００１との接触界面に於け
る特性との関係等、有機的関連性に於いて適宜選
択することが出来る。又、前記電荷注入防止層１
００３に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質(C)
の含有量が適宜選択される。本発明に於て、電荷注入防止層１００３中に含
有される伝導性を制御する物質(C)の含有量として
は、好適には0.001〜５×10⁴atomic ppm，より
好適には0.5〜１×10⁴atomic ppm，最適には１
〜５×10³atomic ppmとされるのが望ましい。本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於け
る物質(C)の含有量は、好ましくは、30atomic
ppm以上、より好適には50atomic ppm以上，最
適には100atomic ppm以上とすることによつて、
以下に述べる効果をより顕著に得ることが出来
る。例えば含有させる物質(C)が前記のｐ型不純物
の場合には、光受容層１００２の自由表面が極
性に帯電処理を受けた際に支持体１００１側から
感光層１００４中へ注入される電子の移動を、よ
り効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質(C)が前記のｎ型不純物の場合には、光受
容層１００２の自由表面が極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から感光層１００４中へ注入さ
れる正孔の移動を、より効果的に阻止することが
出来る。電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましく
は、30Å〜10μ、より好適には40Å〜8μ，最適に
は50Å〜5μとされるのが望ましい。感光層１００４は、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ、レーザー光の照射によつてフオトキヤリアを
発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両機能を有する。感光層１００４の層厚としては、好ましくは、
１〜100μｍ，より好ましくは１〜80μｍ，最適に
は２〜50μｍとされるのが望ましい。感光層１００４には、電荷注入防止層１００３
に含有される伝導特性を支配する物質の極性とは
別の極性の伝導特性を支配する物質を含有させて
も良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する
物質を、電荷注入防止層１００３に含有される実
際の量が多い場合には、該量よりも一段と少ない
量にして含有させても良い。この様な場合、前記感光層１００４中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、電荷注入防止層１００３に含有される前記物
質の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm，より好適には0.05〜
500atomic ppm，最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４に同種の伝導性を支配する物質を含
有させる場合には、感光層１００４に於ける含有
量としては、好ましくは30atomic ppm以下とす
るのが望ましい。本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４中に含有される水素原子(H)の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜
40atomic％，より好適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましい。ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ，Cl，Br，
Ｉが挙げられ、これ等の中でＦ，Clが好ましいも
のとして挙げられる。第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入
防止層１００３の代りに電気絶縁性材料から成
る、所謂、障壁層を設けても良い。或いは、該障
壁層と電荷注入防止層１００３とを併用しても差
支えない。障壁層形成材料としては、Al₂O₃，SiO₂，
Si₃N₄等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を図る目的の為に、光受容層中に
は、酸素原子，炭素原子，窒素原子の中から選択
される少なくとも一種の原子が層厚方向には不均
一な分布状態で含有される。光受容層中に含有さ
れるこの様な原子（OCN）は、光受容層の全層
領域に含有されても良いし、或いは、光受容層の
一部の層領域のみに含有させることで偏在させて
も良い。原子（OCN）の分布状態は分布濃度Ｃ（OCN）
が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於い
ては均一であることが望ましい。本発明に於いて、光受容層に設けられる原子
（OCN）の含有されている層領域（OCN）は、
光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合に
は、光受容層の全層領域を占める様に設けられ、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図るの
を主たる目的とする場合には、光受容層の支持体
側端部層領域を占める様に設けられる。前者の場合、層領域（OCN）中に含有される
原子（OCN）の含有量は、高光感度を維持する
為に比較的少なくされ、後者の場合には、支持体
との密着性の強化を確実に図る為に比較的多くさ
れるのが望ましい。本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域
（OCN）に含有される原子（OCN）の含有量は、
層領域（OCN）自体に要求される特性、或いは
該層領域（OCN）が支持体に直に接触して設け
られる場合には、該支持体との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。又、前記層領域（OCN）に直に接触して他の
層領域が設けられる場合には、該他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、原子（OCN）の含有量が
適宜選択される。層領域（OCN）中に含有される原子（OCN）
の量は、形成される光受容部材に要求される特性
に応じて所望に従つて適宜決められるが、好まし
くは0.001〜50atomic％，より好ましくは、0.002
〜40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とさ
れるのが望ましい。本発明に於いて、層領域（OCN）が光受容層
の全域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占
めなくとも、層領域（OCN）の層厚Toの光受容
層の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層
領域（OCN）に含有される原子（OCN）の含有
量の上限は、前記の値より充分少なくされるのが
望ましい。本発明の場合には、層領域（OCN）の層厚To
が光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の
２以上となる様な場合には、層領域（OCN）中
に含有有される原子（OCN）の上限としては、
好ましくは30atomic％以下、より好ましくは
20atomic％以下、最適には10atomic％以下とさ
れるのが望ましい。本発明の好適な実施態様例によれば、原子
（OCN）は、支持体上に直接設けられる前記の電
荷注入防止層及び障壁層には、少なくとも含有さ
れるのが望ましい。詰り、光受容層の支持体側端
部層領域に原子（OCN）を含有させることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計るこ
とが出来る。更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子
との共存下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の
確保が一層出来るので、感光層に所望量含有され
ることが望ましい。又、これ等の原子（OCN）は、光受容層中に
複数種含有させても良い。即ち、例えば、電荷注
入防止層中には、酸素原子を含有させ、感光層中
には、窒素原子を含有させたり、或いは、同一層
領域中に例えば酸素原子と窒素原子とを共存させ
る形で含有させても良い。第１６図乃至第２４図には、本発明における光
受容部材の層領域（OCN）中に含有される原子
（OCN）の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。第１６図乃至第２４図において、横軸は原子
（OCN）の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域
（OCN）の層厚を示し、t_Bは支持体側の層領域
（OCN）の端面の位置を、t_Tは支持体側とは反対
側の層領域（OCN）の端面の位置を示す。即ち、
原子（OCN）の含有される層領域（OCN）はT_B
側よりt_T側に向つて層形成がなされる。第１６図には、層領域（OCN）中に含有され
る原子（OCN）の層厚方向の分布状態の第１の
典型例が示される。第１６図に示される例では、原子（OCN）の
含有される層領域（OCN）が形成される表面と
該層領域（OCN）の表面とが接する界面位置t_B
よりt₁の位置までは、原子（OCN）の分布濃度
ＣがC₁になる一定の値を取り乍ら原子（OCN）
が形成される層領域（OCN）に含有され、位置
t₁よりは濃度C₂より界面位置t_Tに至るまで徐々に
連続的に減少されている。界面位置t_Tにおいては
原子（OCN）の分布濃度Ｃは濃度C₃とされる。第１７図に示される例においては、含有される
原子（OCN）の分布濃度Ｃは位置T_Bより位置t_T
に至るまで濃度C₄から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。第１８図の場合には、位置t_Bより位置t₂までは
原子（OCN）の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値と
され、位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に連
続的に減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃは
実質的に零とされている（ここで実質的に零とは
検出限界量未満の場合である）。第１９図の場合には、原子（OCN）の分布濃
度Ｃは位置T_Bより位置t_Tに至るまで、濃度C₈よ
り連続的に徐々に減少され、位置t_Tにおいて、実
質的に零とされている。第２０図に示す例においては、原子（OCN）
の分布濃度Ｃは位置T_Bと位置t₃間においては、濃
度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度C₁₀
される。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで減少
されている。第２１図に示される例においては、分布濃度Ｃ
は位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取
り、位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃
までは一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。第２２図に示す例においては、位置T_Bより位
置t_Tに至るまで、原子（OCN）の分布濃度Ｃは
濃度C₁₄より実質的に零に至る様に一次関数的に
減少している。第２３図においては、位置t_Bより位置t₅に至る
までは原子（OCN）の分布濃度Ｃは、濃度C₁₅よ
りC₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅と位置t_T
との間においては、濃度C₁₆の一定値とされた例
が示されている。第２４図に示される例においては、原子
（OCN）の分布濃度Ｃは、位置t_Bにおいては濃度
C₁₇であり、位置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より
初めは緩やかに減少され、t₆の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₆では濃度C₁₈とされ
る。位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間
では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₈
において、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間に
おいては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従つて減少されている。以上、第１６図乃至第２４図により、層領域
（OCN）中に含有される原子（OCN）の層厚方
向の分布状態の典型例の幾くつかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、原子
（OCN）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面t_T
側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べ
て可成り低くされた部分を有する原子（OCN）
の分布状態が層領域（OCN）に設けられている。原子（OCN）の含有される層領域（OCN）
は、上記した様に支持体側の方に原子（OCN）
が比較的高濃度で含有されている局在領域(B)を有
するものとして設けられるのが望ましく、この場
合には、支持体と光受容層との間の密着性をより
一層向上させることが出来る。上記局在領域(B)は、第１６図乃至第２４図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以
内に設けられるのが望ましい。本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全領域（L_T）とされる場合も
あるし、又、層領域（L_T）の一部とされる場合
もある。局在領域(B)を層領域（L_T）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される光受容層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。局在領域(B)はその中に含有される原子（OCN）
の層厚方向の分布状態として原子（OCN）分布
濃度Ｃの最大値Cmaxが、好ましくは500atomic
ppm以上、より好適には800atomic ppm以上、
最適には1000atomic ppm以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。即ち、本発明においては、原子（OCN）の含
有される層領域（OCN）は、支持体側からの層
厚で5μ以内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ
の最大値Cmaxが存在する様に形成されるのが望
ましい。本発明において、層領域（OCN）が光受容層
の一部の層領域を占める様に設けられる場合には
層領域（OCN）と他の層領域との界面において、
屈折率が緩やかに変化する様に、原子（OCN）
の層厚方向の分布状態を形成するのが望ましい。この様にすることで、光受容層に入射される光
が層接触界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模
様の発現をより効果的に防止することが出来る。又、層領域（OCN）中での原子（OCN）の分
布濃度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える
点で、連続して緩やかに変化しているのが望まし
い。この点から、例えば、第１６図乃至第１９図、
第２２図及び第２４図に示される分布状態となる
様に、原子（OCN）を層領域（OCN）中に含有
されるのが望ましい。本発明において、水素原子又は／及びハロゲン
原子を含有するＡ―Si（「Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）」と記
す）で構成される感光層を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイグ法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層を形成
するには、基本的には、シリコン原子（Si）を供
給し得るSi供給用の原料ガスと、必要に応じて水
素原子(H)導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆
積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されてある所定の支持体表面上にａ―Si（Ｈ，
Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパツ
タリング法で形成する場合には、例えばAr，He
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたターゲツト
を使用して、必要に応じてHe，Ar等の稀釈ガス
で稀釈された水素原子(H)又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積室
に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成し
て前記のターゲツトをスパツタリングしてやれば
良い。イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH₄，Si₂H₆，が好ましい
ものとして挙げられる。本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化
合物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更に
は、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素と
するガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発
明においては挙げることが出来る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，SiF₆，SiCl₄，SiBr₄等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出
来る。この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光受
容部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素硅素ガスを使用しなくとも、所
望の支持体上にハロゲン原子を含むａ―Siから成
る感光層を形成する事が出来る。グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む感
光層を作成する場合、基本的には、例えばSi供給
用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とAr，H₂，
He等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによつて、所望の支持体上に感光
層を形成し得るものであるが、水素原子の導入割
合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等の
ガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合
物のガスも所望量混合して層形成しても良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。スパツタリング法、イオンプレーテイング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子
を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良いものである。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類等のガス類をスパツタリング用の堆積室
中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成し
てやれば良い。本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，
SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₂，
SiHBr₃等のハロゲン置換水素化硅素、等のガス
状態の或いはガス化し得る物質も有効な感光層形
成用の出発物質として挙げる事が出来る。これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
合物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に
おいては好適なハロゲン導入用の原料として使用
される。光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層
中に、伝導特性を制御する物質(C)、例えば、第
族原子或いは第族原子を構造的に導入するに
は、各層の形成の際に、第族原子導入用の出発
物質或いは第族原子導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、B₂H₆，
B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄
等の水素化硼素、BF₃，BCl₃，BBr₃等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl₃，
GaCl₃，Ga（CH₃）₃，InCl₃，TlCl₃等も挙げるこ
とが出来る。第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH₃，S₂H₄等の水素化燐、PH₄I，PF₃，
PF₅，PCl₃，PCl₅，PBr₃，PBr₅，PI₃等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他AsH₃，AsF₃，
AsCCl₃，AsBr₃，AsF₅，SbH₃，SbF₃，SbF₅，
SbCl₃，SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。本発明に於いて、光受容層に原子（OCN）の
含有された層領域（OCN）を設けるには、光受
容層の形成の際に原子（OCN）導入用の出発物
質を前記した光受容層形成用の出発物質と共に使
用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやれば良い。層領域（OCN）を形成するのにグロー放電法
を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従つて選択されたものに原
子（OCN）導入用の出発物質が加えられる。そ
の様な原子（OCN）導入用の出発物質としては、
少なくとも原子（OCN）を構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したもの
の中の大概のものが使用される。具体的には、例えば酸素（O₂），オゾン（O₃），
一酸化窒素（NO），二酸化窒素（NO₂），一二酸
化窒素（N₂O），三二酸化窒素（N₂O₃）四二酸化
窒素（N₂O₄），五二酸化窒素（N₂O₅），三四酸化
窒素（NO₃），シリコン原子（Si）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（H₃SiOSiH₃），トリシロキサン
（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シロキサン，メタ
ン（CH₄），エタン（C₂H₆），プロパン（C₃H₈），
ｎ―ブタン（ｎ―C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン
（C₂H₄），プロピレン（C₃H₆），ブテン―１
（C₄H₈），ブテン―２（C₄H₈），イソブチレン
（C₄H₈），ベンテン（C₅H₁₀）等の炭素数２〜５
のエチレン系炭化水素、アセチレン（C₂H₂），メ
チルアセチレン（C₃H₄），ブチン（C₄H₆）等の
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素
（N₂）、アンモニア（NH₃），ヒドラジン
（H₂NNH₂），アジ化水素（HN₃N₃），アジ化ア
ンモニウム（HH₄N₃），三弗化窒素（F₃N），四
弗化窒素（F₄N）等々を挙げることが出来る。スパツタリング法の場合には、原子（OCN）
導入用の出発物質としては、グロー放電法の際に
列挙した前記のガス化可能な出発物質の外に、固
体化出発物質として、SiO₂，Si₃N₄，カーボンブ
ラツク等を挙げることが出来る。これ等は、Si等
のターゲツトと共にスパツタリング用のターゲツ
トとしての形で使用される。本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子
（OCN）の含有される層領域（OCN）を設ける
場合、該層領域（OCN）に含有される原子
（OCN）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化させて所
望の層厚方向の分布状態（depth profile）を有
する層領域（OCN）を形成するには、グロー放
電の場合には、分布濃度Ｃを変化させるべき原子
（OCN）を導入用の出発物質のガスを、そのガス
流量を所望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍
ら、堆積室内に導入することによつて成される。例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流量系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
暫時変化させる操作を行えば良い。このとき、流
量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。層領域（OCN）をスパツタリング法によつて
形成する場合、原子（OCN）の層厚方向の分布
濃度Ｃを層厚方向で変化させて、原子（OCN）
の層厚方向の所望の分布状態（depth profile）
を形成するには、第一には、グロー放電法による
場合と同様に、原子導入用の出発物質をガス状態
で使用し、該ガスを堆積質中へ導入する際のガス
流量を所望に従つて適宜変化させることによつて
成される。第二にはスパツタリング用のターゲツ
トを、例えばSiとSiO₂との混合されたターゲツ
トを使用するのであれば、SiとSiO₂との混合比
をターゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させ
ておくことによつて成される。以下本発明の実施例について説明する。実施例１本実施例ではスポツト径80μｍの半導体レーザ
ー（波長780nm）を使用した。したがつてＡ―
Si：Ｈを堆積させる円筒状のAl支持体（長さ(L)
357mm，径（ｒ）800mm）上に旋盤で溝を作製し
た。このときの溝の形を第１１図Ｂに示す。このAl支持体上に第１２図の装置で電荷注入
防止層，感光層を次の様にして堆積した。まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波
電源、１２０２はマツチングボツクス、１２０３
は拡散ポンプおよびメカニカルブースターポン
プ、１２０４はAl支持体回転用モータ、１２０
５はAl支持体、１２０６はAl支持体加熱用ヒー
タ、１２０７はガス導入管、１２０８は高周波導
入用カソード電極、１２０９はシールド板、１２
１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２６，１２
４１〜２４６はバルブ、１２３１〜１２３６はマ
スフロコントローラー、１２５１〜１２５６はレ
ギユレーター、１２６１は水素（H₂）ボンベ、
１２６２はシラン（SiH₄）ボンベ、１２６３は
ジボラン（B₂H₆）ボンベ、１２６４は酸化窒素
（NO）ボンベ、１２６５はメタン（CH₄）ボン
ベ、１２６６はアンモニア（NH₃）ボンベであ
る。次に作製手順を説明する。ボンベ１２６１〜１
２６６の元栓をすべてしめた後に、すべてのマス
フロコントローラー１２３１〜１２３６およびバ
ルブ１２２１〜１２２６，１２４１〜１２４６を
開け、拡散ポンプ１２０３により堆積装置内を
10^-7Torrまで減圧した。それと同時にヒータ１
２０６によりAl支持体１２０５を250℃まで加熱
し、250℃で一定に保つた。Al支持体１２０５の
温度が250℃で一定になつた後、バルブ１２２１
〜１２２６，１２４１〜１２４６，１２５１〜１
２５６の夫々を閉じ、ボンベ１２６１〜１２６６
の元栓を開け、拡散ポンプ１２０３をメカニカル
ブースターポンプに代えた。レギユレーター付き
バルブ１２５１〜１２５６の二次圧を1.5Kg／cm²
に設定した。マスフロコントローラー１２３１を
300SCCMに設定し、バルブ１２４１とバルブ１
２２１を順に開き堆積装置内にH₂ガスを導入し
た。次にボンベ１２６１のSiH₄ガスを、マスフロ
コントローラー１２３２の設定を150SCCMに設
定して、H₂ガスの導入と同様の操作でSiH₄ガス
を堆積装置に導入しボンベ１２６３のB₂H₆ガス
流量をSiH₄ガス流量に対して、1600Vol ppmに
なるようにマスフローコントローラー１２３３を
設定して、H₂ガスの導入と同様な操作でB₂H₆ガ
スを堆積装置内に導入した。次にボンベ１２６４のNOガス流量をSiH₄ガス
流量に対して、初期値が3.4Vol％になるようにマ
スフロコントローラー１２３４を設定して、H₂
ガスの導入と同様な操作でNOガスを堆積装置内
に導入した。そして堆積装置内の内圧が0.2Torrで安定した
ら、高周波電源１２０１のスイツチを入れマツチ
ングボツクス１２０２を調節して、Al支持体１
２０５とカソード電極１２０８間にグロー放電を
生じさせ、高周波電力を160Wとし5μｍ厚にＡ―
Si：Ｈ：Ｂ：Ｏ層（Ｂ，Ｏを含むＰ型のＡ―Si：
Ｈ層となる）を堆積した（電荷注入防止層）。こ
の際、NOガス流量をSiH₄ガス流量に対して、第
２２図に示す様に変化させ、層作成終了時には
NOガス流量が雰になるようにした。この様にし
て5μｍ厚のＡ―Si：Ｈ：Ｂ：Ｏ（Ｐ型）層を堆積
したのち、放電を切らずに、バルブ１２２３及び
１２２４を閉めB₂H₆，NOの流入を止めた。そして高周波電力160Wで20μｍ厚のＡ―Si：Ｈ
層（non―doped）を堆積した（感光層）。その後
高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Al支持体の温度を室温まで下げ
て、光受容層を形成した支持体を取り出した。この場合、第１１図Ｂ，Ｃのように感光層の表
面と支持体の表面とは非平行であつた。この場合
Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚
差は2μｍであつた。この場合の光受容部材について、波長780nmの
半導体レーザーをスポツト径80μｍで第１４図に
示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写し
て画像を得た。この場合干渉縞模様は、観察されず、実用に十
分な電子写真特性を示すものが得られた。実施例２第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第１表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と
同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光
受容部材について、実施例１と同様な画像露光装
置を用いて、画像露光を行い、現像、転写、定着
して、普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを10万回連続繰返し行つた。この場合、得られた画像の総てに於いて、干渉
縞は見られず、実用上十分な特性であつた。又、
初期の画像と10万回目の画像の間には、何等差違
はなく、高品質の画像であつた。実施例３第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第２表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と
同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であつた。実施例４第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第３表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と
同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であつた。実施例５第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第４表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と
同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であつた。実施例６第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第５表に示す条件と第２５図
に示す、NOとSiH₄のガス流量比の変化率曲線に
従つて、電子写真用光受容部材を形成した。その
他は実施例１と同様の条件と手順に従つた。これらの電子写真用光受容部材について、実施
例１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画
像を得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例７第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第６表に示す条件と第２６図
に示すNOとSiH₄ガスのガス流量の変化曲線に従
つて、電子写真用光受容部材を形成した。その他
は、実施例１と同様の手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画像を
得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例８第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第７表に示す条件と第２７図
に示すNOとSiH₄ガスのガス流量比の変化曲線に
従つて、電子写真用光受容部材を形成した。その
他は、実施例１と同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例９第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第８表に示す条件と第２８図
に示すNOとSiH₄ガスの流量比の変化曲線に従つ
て電子写真用光受容部材を形成した。その他は、
実施例１と同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例 10 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第９表に示す条件と第２８図
に示すNOとSiH₄ガスのガス流量比の変化曲線に
従つて電子写真用光受容部材を形成した。その他
は、実施例１と同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。〔発明の効果〕以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、
可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管
理が容易であり、且つ画像形成時に現出する干渉
縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも
完全に解消することができ、更には、高光感度
性、高SN比特性、及び支持体との間に良好な電
気的接触性を有し、デジタル画像記録に好適な光
受容部材を提供することができる。

【表】

【表】【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第
２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の
発現を説明する為の説明図である。第３図は散乱
光による干渉縞発現を説明する為の説明図であ
る。第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散
乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図であ
る。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な
場合の干渉縞発現を説明する為の説明図である。
第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合
に干渉縞が現われないことの原理を説明する為の
設明図である。第７図は、光受容部材の各層の界
面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度の比較を示す為の説明図である。第８図は、
各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現われ
ないことを２層の場合まで展開して説明する為の
説明図である。第９図Ａ，Ｂはそれぞれ代表的な
支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、
光受容部材の説明図である。第１１図は、実施例
１で用いたAl支持体の表面状態の説明図である。
第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置
の説明図である。第１３図、第１４図は夫々、実
施例で作製した光受容部材用の支持体の表面状態
を示す模式的説明図である。第１５図は、実施例
で使用した画像露光装置を説明する為の模式的説
明図である。第１６図乃至第２４図は夫々層領域
（OCN）中の原子（OCN）の分布状態を説明す
る為の説明図、第２５図乃至第２８図は夫々本発
明の実施例に於けるガス流量比の変化率曲線を示
す説明図である。第２９図は、支持体の加工を説
明するための説明図である。１０００……光受容層、１００１，１３０１，
１４０１……Al支持体、１００２，１３０２，
１４０２……電荷注入防止層、１００３，１３０
３，１４０３……感光層、１００５……光受容部
材、１５０１……電子写真用光受容部材、１５０
２……半導体レーザー、１５０３……fθレンズ、
１５０４……ポリゴンミラー、１５０５……露光
装置の平面図、１５０６……露光装置の側面図。

Claims

【特許請求の範囲】１所定の切断位置での断面形状が0.3μｍ〜500μ
ｍピツチで、0.1μｍ〜5μｍの最大深さの主ピーク
に副ピークが重畳された凸状形状である凸部が多
数表面に形成されている支持体と、シリコン原子と水素原子及び／又はハロゲン原
子を含有する非晶質材料で構成された単一層構成
の自由表面を有する光受容層とからなり、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、及び窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を層厚
方向に不均一に含有し、かつ、該光受容層はシヨートレンジ内に少なくとも１
対以上の非平行な界面を有することを特徴とする
電子写真用光受容部材。２前記凸部が規則的に配列されている特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。３前記凸部が周期的に配列されている特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。４前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を
有する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
光受容部材。５前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。６前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして対称形状である特許請求の範囲第１項に記
載の電子写真用光受容部材。７前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして非対称形状である特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真用光受容部材。８前記凸部は、機械的加工によつて形成された
特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光受容
部材。