JPH0234151B2 - - Google Patents
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- JPH0234151B2 JPH0234151B2 JP56015018A JP1501881A JPH0234151B2 JP H0234151 B2 JPH0234151 B2 JP H0234151B2 JP 56015018 A JP56015018 A JP 56015018A JP 1501881 A JP1501881 A JP 1501881A JP H0234151 B2 JPH0234151 B2 JP H0234151B2
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- Japan
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- ion
- section
- computer
- ion source
- current
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSI等半導体装置の製造ラインの自動
化に必要な全自動イオン注入装置に関するもので
ある。
化に必要な全自動イオン注入装置に関するもので
ある。
イオン注入法は半導体装置の製造ラインの不純
物導入工程において広く用いられている。しか
し、従来のイオン注入装置では、イオンビーム引
出をはじめその操作は作業者が手動で行うように
なつていた。この為、熟練作業者の確保が重要な
問題であつた。更に、半導体装置製造ラインを構
成するリングラフイ装置、電気炉、洗浄装置、ド
ライエツチング装置、スパツタリング装置等は自
動化され、その製造条件の設定及び装置のモニタ
リングについては製造ラインの集中管理を行う計
算機により自動化されつつあり、装置間のウエハ
移送も移送装置に連結され自動化される。このよ
うな半導体装置製造ラインの自動化は半導体装置
の微細化、高密度化及び需要の増大に対処するた
め不可欠である。
物導入工程において広く用いられている。しか
し、従来のイオン注入装置では、イオンビーム引
出をはじめその操作は作業者が手動で行うように
なつていた。この為、熟練作業者の確保が重要な
問題であつた。更に、半導体装置製造ラインを構
成するリングラフイ装置、電気炉、洗浄装置、ド
ライエツチング装置、スパツタリング装置等は自
動化され、その製造条件の設定及び装置のモニタ
リングについては製造ラインの集中管理を行う計
算機により自動化されつつあり、装置間のウエハ
移送も移送装置に連結され自動化される。このよ
うな半導体装置製造ラインの自動化は半導体装置
の微細化、高密度化及び需要の増大に対処するた
め不可欠である。
このため、計算機により製造条件の設定とモニ
タリングの行える自動イオン注入装置の出現が待
たれるところであつたが、イオン注入装置は高電
圧装置であるため、例えばイオンソース部等は
25kV〜200kVと云つた高電圧になりアース電位
にある計算機でこのような高電圧部にある機器を
制御する有効な手段がなかつた。
タリングの行える自動イオン注入装置の出現が待
たれるところであつたが、イオン注入装置は高電
圧装置であるため、例えばイオンソース部等は
25kV〜200kVと云つた高電圧になりアース電位
にある計算機でこのような高電圧部にある機器を
制御する有効な手段がなかつた。
本発明は、上記問題点を解消し、プラズマの発
生、イオンビームの引出し、イオンの質量分析お
よび加速、ビーム電流の調整、試料へのイオン注
入等が全て計算機により自動的に行える全自動イ
オン注入装置を提供することを目的とするもので
ある。さらに詳しくは、 高電圧が印加されるイオンソース部電源とそ
のガス系および質量分析磁石電源等の制御値設
定およびその動作状態のモニタを、アース電位
に設置された計算機により安定に行わせる。
生、イオンビームの引出し、イオンの質量分析お
よび加速、ビーム電流の調整、試料へのイオン注
入等が全て計算機により自動的に行える全自動イ
オン注入装置を提供することを目的とするもので
ある。さらに詳しくは、 高電圧が印加されるイオンソース部電源とそ
のガス系および質量分析磁石電源等の制御値設
定およびその動作状態のモニタを、アース電位
に設置された計算機により安定に行わせる。
イオンソース部の真空度を計算機制御で一定
に保つことにより常に安定なプラズマを発生さ
せる。
に保つことにより常に安定なプラズマを発生さ
せる。
計算機に、ビーム電流読取り手段からの信号
を入力し、その読み取り値に応じビーム電流を
一定に保つ制御機能を持たせる。
を入力し、その読み取り値に応じビーム電流を
一定に保つ制御機能を持たせる。
このような機能を有する全自動イオン注入装置
を提供することを目的とするものである。
を提供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するために、本発明の装置で
は、イオン注入装置にアース電位に設置した計算
機を付加し、イオンソース部電源とそのガス系及
び質量分析磁石電源の各動作状態を示す信号、イ
オンソース部の真空度、イオンビーム電源をそれ
ぞれ一定時間ごとにモニタする手段を有し、この
モニタ結果に応じて、イオンソース部の真空度を
一定値に帰還制御することによりプラズマを安定
発生させる機能と、イオン加速電圧を一定値に帰
還制御する機能と、引出されたイオンビームの電
流を一定値に帰還制御する機能とを上記計算機に
持たせ、上記各手段が出力する動作状態を示す信
号を入力し上記各帰還制御用信号を出力する上記
計算機の信号入出力伝達手段を具備せしめる構成
とする。
は、イオン注入装置にアース電位に設置した計算
機を付加し、イオンソース部電源とそのガス系及
び質量分析磁石電源の各動作状態を示す信号、イ
オンソース部の真空度、イオンビーム電源をそれ
ぞれ一定時間ごとにモニタする手段を有し、この
モニタ結果に応じて、イオンソース部の真空度を
一定値に帰還制御することによりプラズマを安定
発生させる機能と、イオン加速電圧を一定値に帰
還制御する機能と、引出されたイオンビームの電
流を一定値に帰還制御する機能とを上記計算機に
持たせ、上記各手段が出力する動作状態を示す信
号を入力し上記各帰還制御用信号を出力する上記
計算機の信号入出力伝達手段を具備せしめる構成
とする。
さらに、本発明の装置では、イオン注入装置の
高電圧部機器とアース電位にある計算機間の信号
伝送手段として、例えば光フアイバを用い電気的
に絶縁するように構成した。
高電圧部機器とアース電位にある計算機間の信号
伝送手段として、例えば光フアイバを用い電気的
に絶縁するように構成した。
以下、本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の自動制御機能を備えたホツ
トフイラメント型イオンソース部の一実施例を示
す要部構成図である。図において、１はシールド
ケース、２は高電圧ケース、３はイオンソースガ
スボンベ（例えば、３-1はAs用、３-2はＰ用、
３-3はＢ用イオンソースガスボンベ）、４（４-1，
４-2，４-3）はイオンソースガスのリークバルブ
（バリアブルリークバルブ）、５はアークチエン
バ、６はイオンソースレンズ電極、７はイオン引
出し電極、８はフイラメント、９はガス導入管、
１０はプラズマ発生用のソレノイド磁極、１１は
フイラメントの電流切替リレー、１２はフイラメ
ント電源、１３はソレノイド用電源、１４は電圧
または電流の設定手段（例えば回転抵抗）で１４
-1はフイラメント電流設定用回転抵抗、１４-2は
フイラメント電圧設定用回転抵抗、１４-3はソレ
ノイド電流設定用回転抵抗、１５はアクチユエー
タ（例えばモータ）で１５-1，１５-2，１５-3は
それぞれリークバルブ設定モータ、１５-4はフイ
ラメント電流設定モータ、１５-5はフイラメント
電圧設定モータ、１５-6はソレノイド電流設定モ
ータ、１６（１６-1，１６-2）はデコーダ、１７
（１７-1，１７-2）は光−電変換器、１８は光フ
アイバ、１９（１９-1，１９-2）は電−光変換
器、２０は計算機（制御計算機）である。
トフイラメント型イオンソース部の一実施例を示
す要部構成図である。図において、１はシールド
ケース、２は高電圧ケース、３はイオンソースガ
スボンベ（例えば、３-1はAs用、３-2はＰ用、
３-3はＢ用イオンソースガスボンベ）、４（４-1，
４-2，４-3）はイオンソースガスのリークバルブ
（バリアブルリークバルブ）、５はアークチエン
バ、６はイオンソースレンズ電極、７はイオン引
出し電極、８はフイラメント、９はガス導入管、
１０はプラズマ発生用のソレノイド磁極、１１は
フイラメントの電流切替リレー、１２はフイラメ
ント電源、１３はソレノイド用電源、１４は電圧
または電流の設定手段（例えば回転抵抗）で１４
-1はフイラメント電流設定用回転抵抗、１４-2は
フイラメント電圧設定用回転抵抗、１４-3はソレ
ノイド電流設定用回転抵抗、１５はアクチユエー
タ（例えばモータ）で１５-1，１５-2，１５-3は
それぞれリークバルブ設定モータ、１５-4はフイ
ラメント電流設定モータ、１５-5はフイラメント
電圧設定モータ、１５-6はソレノイド電流設定モ
ータ、１６（１６-1，１６-2）はデコーダ、１７
（１７-1，１７-2）は光−電変換器、１８は光フ
アイバ、１９（１９-1，１９-2）は電−光変換
器、２０は計算機（制御計算機）である。
高電圧ケース２はイオンビーム加速のため高電
圧が印加されるが、制御計算機２０からの制御信
号は電−光変換器１９、光フアイバ１８、光−電
変換器１７により、電気的に絶縁され信号だけが
デコーダ１６に伝えられる。デコーダ１６にはモ
ータの選択、回転及び停止、回転方向、回転速度
及びリレー切替方向がシリアル信号として伝えら
れ、これに基づいて目的のモータ又はリレーが制
御計算機２０の命令通りに動くようになつてい
る。
圧が印加されるが、制御計算機２０からの制御信
号は電−光変換器１９、光フアイバ１８、光−電
変換器１７により、電気的に絶縁され信号だけが
デコーダ１６に伝えられる。デコーダ１６にはモ
ータの選択、回転及び停止、回転方向、回転速度
及びリレー切替方向がシリアル信号として伝えら
れ、これに基づいて目的のモータ又はリレーが制
御計算機２０の命令通りに動くようになつてい
る。
第２図は、第１図に示した本発明のイオンソー
ス部の自動モニタの一実施例を示す構成図であ
る。図において、前出のものと同一符号のものは
同一または均等部分を示すものとする。２１は電
圧−周波数変換器（以下、Ｖ／Ｆ変換器と記す）
で、２１-1はソレノイド電流モニタ用、２１-2は
アーク電圧モニタ用、２１-3はアーク電流モニタ
用、２１-4はフイラメント電流モニタ用、２１-5
はレンズ電極電圧モニタ用、２１-6は引出し電極
電圧モニタ用、２１-7は引出し電極電流モニタ用
のＶ／Ｆ変換器である。２２はマルチプレクサ、
２３は周波数計、２４は真空計、２５は真空球、
２６は真空ポンプ、２７はイオン引出電源、２８
はレンズ電源、２９はアーク電源、３０はイオン
ソースハウジングである。イオンソースガス系の
設定は真空ポンプ２６に取付けた真空球２５と真
空計２６により一定時間ごとに、例えば30秒ごと
に測定し、その測定値情報を制御計算機２０で読
みとり、リークバルブの設定を調節する。ソレノ
イド電流、アーク電圧、アーク電流、フイラメン
ト電流、レンズ電圧、引出電圧、引出電流は各々
電圧信号として取り出し、個々に設けられたＶ／
Ｆ変換機２１-1〜２-7により、周波数信号に変換
し、電−光変換機１９、光フアイバ１８、光−電
変換機１７によりマルチプレクサ２２に伝えら
れ、制御計算機２０で選ばれた信号が周波数計２
３に入り制御計算機２０で読みとられる。このよ
うにしてソレノイド電流、アーク電流、電圧等イ
オンソース部の制御に必要な値を全てモニタでき
る。従つて、イオンソース部でのプラズマ発生お
よびイオンビームの引出し等を、計算機により全
て自動的に行うことができ、自動的に常に最適条
件に保つことが可能となる。
ス部の自動モニタの一実施例を示す構成図であ
る。図において、前出のものと同一符号のものは
同一または均等部分を示すものとする。２１は電
圧−周波数変換器（以下、Ｖ／Ｆ変換器と記す）
で、２１-1はソレノイド電流モニタ用、２１-2は
アーク電圧モニタ用、２１-3はアーク電流モニタ
用、２１-4はフイラメント電流モニタ用、２１-5
はレンズ電極電圧モニタ用、２１-6は引出し電極
電圧モニタ用、２１-7は引出し電極電流モニタ用
のＶ／Ｆ変換器である。２２はマルチプレクサ、
２３は周波数計、２４は真空計、２５は真空球、
２６は真空ポンプ、２７はイオン引出電源、２８
はレンズ電源、２９はアーク電源、３０はイオン
ソースハウジングである。イオンソースガス系の
設定は真空ポンプ２６に取付けた真空球２５と真
空計２６により一定時間ごとに、例えば30秒ごと
に測定し、その測定値情報を制御計算機２０で読
みとり、リークバルブの設定を調節する。ソレノ
イド電流、アーク電圧、アーク電流、フイラメン
ト電流、レンズ電圧、引出電圧、引出電流は各々
電圧信号として取り出し、個々に設けられたＶ／
Ｆ変換機２１-1〜２-7により、周波数信号に変換
し、電−光変換機１９、光フアイバ１８、光−電
変換機１７によりマルチプレクサ２２に伝えら
れ、制御計算機２０で選ばれた信号が周波数計２
３に入り制御計算機２０で読みとられる。このよ
うにしてソレノイド電流、アーク電流、電圧等イ
オンソース部の制御に必要な値を全てモニタでき
る。従つて、イオンソース部でのプラズマ発生お
よびイオンビームの引出し等を、計算機により全
て自動的に行うことができ、自動的に常に最適条
件に保つことが可能となる。
第３図は、同じく本発明の装置における質量分
析およびスリツトの設定とモニタの一実施例を示
す説明図であり、１５-7はスリツト設定モータ、
１５-8は質量分析磁場電流粗調設定モータ、１５
-9は同じく微調設定モータ、１６-3，１６-4はデ
コーダ、２１-8はスリツト開度モニタ用Ｖ／Ｆ変
換器、２１-9は磁場モニタ用Ｖ／Ｆ変換器、３１
は例えばホール効果素子を用いた磁場測定器、３
２はスリツト開度計、３３はスリツト、３４は質
量分析磁石、３５は磁石電源、３６は磁石電流設
定回転抵抗である。磁石電流設定回転抵抗３６
は、二つの回転抵抗の直列回路であり一方は粗
調、他方は微調である。これまでの説明と同じく
制御計算機２０からの設定信号は光フアイバを通
つて、デコーダ１６-3又は１６-4に伝えられ各モ
ータを動かして設定する。その設定値は磁場測定
器３１又はスリツト開度計３２のモニタ信号を
Ｖ／Ｆ変換し、周波数計で制御計算機に読みと
る。
析およびスリツトの設定とモニタの一実施例を示
す説明図であり、１５-7はスリツト設定モータ、
１５-8は質量分析磁場電流粗調設定モータ、１５
-9は同じく微調設定モータ、１６-3，１６-4はデ
コーダ、２１-8はスリツト開度モニタ用Ｖ／Ｆ変
換器、２１-9は磁場モニタ用Ｖ／Ｆ変換器、３１
は例えばホール効果素子を用いた磁場測定器、３
２はスリツト開度計、３３はスリツト、３４は質
量分析磁石、３５は磁石電源、３６は磁石電流設
定回転抵抗である。磁石電流設定回転抵抗３６
は、二つの回転抵抗の直列回路であり一方は粗
調、他方は微調である。これまでの説明と同じく
制御計算機２０からの設定信号は光フアイバを通
つて、デコーダ１６-3又は１６-4に伝えられ各モ
ータを動かして設定する。その設定値は磁場測定
器３１又はスリツト開度計３２のモニタ信号を
Ｖ／Ｆ変換し、周波数計で制御計算機に読みと
る。
このようにして、イオンソース部から引出され
たイオンビームの内から、所定のイオンを自動的
に選択することができ、かつ、スリツトを計算機
で制御できるので、ビーム電流値の自動制御に用
いることができる。
たイオンビームの内から、所定のイオンを自動的
に選択することができ、かつ、スリツトを計算機
で制御できるので、ビーム電流値の自動制御に用
いることができる。
第４図は、本発明の自動イオン注入の一実施例
を示す説明図で、４０はビームライン部、４１は
レンズ電極、４２はスキヤナ、４３はビームライ
ン制御器、４４は試料（イオン注入加工するウエ
ハ）設置部（以下、エンドステーシヨンと言う）、
４５はフアラデーカツプ、４６は試料、４７はエ
ンドステーシヨン制御器、４８はドーズメータ、
４９は加速管、５０は加速電源である。
を示す説明図で、４０はビームライン部、４１は
レンズ電極、４２はスキヤナ、４３はビームライ
ン制御器、４４は試料（イオン注入加工するウエ
ハ）設置部（以下、エンドステーシヨンと言う）、
４５はフアラデーカツプ、４６は試料、４７はエ
ンドステーシヨン制御器、４８はドーズメータ、
４９は加速管、５０は加速電源である。
ビームライン制御器４３を通して制御計算機２
０により加速電源５０を所定の値に設定する。質
量分析されたイオンビームは加速管４９により所
定の値に加速されビームライン部４０に入射す
る。所定のエネルギーでビームライン部に入射し
たイオンビームは、ビームライン制御器４３を通
して制御計算機２０により制御されたレンズ電極
４１により最適な状態に絞られる。そして、ビー
ムライン制御器４３を通して制御計算機２０によ
り制御されたスキヤナ４２によりイオンビームは
静電的にスキヤンされる。エンドステーシヨン４
４に入射したイオンビームは注入試料４６に照射
され、フアラデーカツプ４５を通してドーズメー
タ４８でビーム電流値を測定すると同時に電流値
の積分を行い、所定の注入量になるまでイオン注
入が行われる。ドーズメータ４８は制御計算機２
０により制御されており、注入量の設定、ビーム
電流値のモニタが制御計算機２０により可能とな
る。イオン注入時に、一定時間例えば１秒ごとに
ビーム電流をモニタし、その値に応じてアーク電
流およびスリツトを制御計算機２０により調節す
ることにより、常に所定のビーム電流値でイオン
注入が可能となる。
０により加速電源５０を所定の値に設定する。質
量分析されたイオンビームは加速管４９により所
定の値に加速されビームライン部４０に入射す
る。所定のエネルギーでビームライン部に入射し
たイオンビームは、ビームライン制御器４３を通
して制御計算機２０により制御されたレンズ電極
４１により最適な状態に絞られる。そして、ビー
ムライン制御器４３を通して制御計算機２０によ
り制御されたスキヤナ４２によりイオンビームは
静電的にスキヤンされる。エンドステーシヨン４
４に入射したイオンビームは注入試料４６に照射
され、フアラデーカツプ４５を通してドーズメー
タ４８でビーム電流値を測定すると同時に電流値
の積分を行い、所定の注入量になるまでイオン注
入が行われる。ドーズメータ４８は制御計算機２
０により制御されており、注入量の設定、ビーム
電流値のモニタが制御計算機２０により可能とな
る。イオン注入時に、一定時間例えば１秒ごとに
ビーム電流をモニタし、その値に応じてアーク電
流およびスリツトを制御計算機２０により調節す
ることにより、常に所定のビーム電流値でイオン
注入が可能となる。
イオンソース部の真空度、イオン加速電圧を一
定時間ごとにモニタしたモニタ結果に応じて、ア
ース電位にある制御計算機で設定値に一致するよ
う帰還制御する構成であるので安定したプラズマ
発生の自動化が可能となり、またイオンビーム電
流読取り手段で一定時間ごとにモニタされるビー
ム電流も上記制御計算機に入力されて所定のビー
ム電流値となるよう帰還制御する構成であること
から、常に所定のビーム電流値でのイオン注入が
加能となり、これにより、イオン注入装置の安定
した全自動化が実現できる。半導体製造の自動化
ラインに本発明装置を用いれば、イオン注入ビー
ムが安定し、打込み所要時間が一定し、ルーチン
ワークが容易となり、熟練作業者が不要である
等、多くの利点がある。さらに、制御計算機の信
号入出力伝達手段の一部に光信号を用いる構成と
すれば、イオン注入装置の高電圧機器部と、アー
ス電位にある制御計算機間を光信号部で電気的に
絶縁することができ、信号伝達が安定に行われる
利点がある。
定時間ごとにモニタしたモニタ結果に応じて、ア
ース電位にある制御計算機で設定値に一致するよ
う帰還制御する構成であるので安定したプラズマ
発生の自動化が可能となり、またイオンビーム電
流読取り手段で一定時間ごとにモニタされるビー
ム電流も上記制御計算機に入力されて所定のビー
ム電流値となるよう帰還制御する構成であること
から、常に所定のビーム電流値でのイオン注入が
加能となり、これにより、イオン注入装置の安定
した全自動化が実現できる。半導体製造の自動化
ラインに本発明装置を用いれば、イオン注入ビー
ムが安定し、打込み所要時間が一定し、ルーチン
ワークが容易となり、熟練作業者が不要である
等、多くの利点がある。さらに、制御計算機の信
号入出力伝達手段の一部に光信号を用いる構成と
すれば、イオン注入装置の高電圧機器部と、アー
ス電位にある制御計算機間を光信号部で電気的に
絶縁することができ、信号伝達が安定に行われる
利点がある。
図はいずれも本発明の実施例を示すもので、第
１図はホツトフイラメント型イオンソース部の要
部構成図、第２図は第１図に示したイオンソース
部の自動モニタの構成図、第３図は本発明の装置
における質量分析およびスリツトの設定とモニタ
の説明図、第４図は本発明の自動イオン注入の説
明図である。 １……シールドケース、２……高電圧ケース、
３……イオンソースガスボンベ、４……リークバ
ルブ、５……アークチエンバ、６……イオンソー
スレンズ電極、７……イオン引出し電極、８……
フイラメント、９……ガス導入管、１０……ソレ
ノイド磁極、１１……電流切替リレー、１２……
フイラメント電源、１３……ソレノイド用電源、
１４……電圧または電流の設定手段（回転抵抗）、
１５……アクチユエータ（モータ）、１６……デ
コーダ、１７……光−電変換器、１８……光フア
イバ、１９……電−光変換器、２０……計算機
（制御計算機）、２１……電圧−周波数変換器
（Ｖ／Ｆ変換器）、２２……マルチプレクサ、２３
……周波数計、２７……イオン引出電源、２８…
…レンズ電源、２９……アーク電源、３０……イ
オンソースハウジング、３１……磁場測定器、３
２……スリツト開度計、３３……スリツト、３４
……質量分析磁石、３５……磁石電源、３６……
磁石電流設定回転抵抗、４０……ビームライン
部、４２……スキヤナ、４３……ビームライン制
御器、４４……試料設置部（エンドステーシヨ
ン）、４５……フアラデーカツプ、４６……試料、
４７……エンドステーシヨン制御器、４８……ド
ーズメータ、４９……加速管、５０……加速電
源。
１図はホツトフイラメント型イオンソース部の要
部構成図、第２図は第１図に示したイオンソース
部の自動モニタの構成図、第３図は本発明の装置
における質量分析およびスリツトの設定とモニタ
の説明図、第４図は本発明の自動イオン注入の説
明図である。 １……シールドケース、２……高電圧ケース、
３……イオンソースガスボンベ、４……リークバ
ルブ、５……アークチエンバ、６……イオンソー
スレンズ電極、７……イオン引出し電極、８……
フイラメント、９……ガス導入管、１０……ソレ
ノイド磁極、１１……電流切替リレー、１２……
フイラメント電源、１３……ソレノイド用電源、
１４……電圧または電流の設定手段（回転抵抗）、
１５……アクチユエータ（モータ）、１６……デ
コーダ、１７……光−電変換器、１８……光フア
イバ、１９……電−光変換器、２０……計算機
（制御計算機）、２１……電圧−周波数変換器
（Ｖ／Ｆ変換器）、２２……マルチプレクサ、２３
……周波数計、２７……イオン引出電源、２８…
…レンズ電源、２９……アーク電源、３０……イ
オンソースハウジング、３１……磁場測定器、３
２……スリツト開度計、３３……スリツト、３４
……質量分析磁石、３５……磁石電源、３６……
磁石電流設定回転抵抗、４０……ビームライン
部、４２……スキヤナ、４３……ビームライン制
御器、４４……試料設置部（エンドステーシヨ
ン）、４５……フアラデーカツプ、４６……試料、
４７……エンドステーシヨン制御器、４８……ド
ーズメータ、４９……加速管、５０……加速電
源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオンソース部と、イオンビーム引出し部
と、質量分析部と、イオン加速部と、試料設置部
と、上記各部への電源を供給する電源部を備えて
なるイオン注入装置において、アース電位に設置
した計算機を設け、イオンソース部電源とそのガ
ス系及び質量分析磁石電源の各動作状態を示す信
号、イオンソース部の真空度、イオンビーム電流
をそれぞれ一定時間ごとにモニタする手段を有
し、このモニタ結果に応じて、イオンソース部の
真空度を一定値に帰還制御することによりプラズ
マを安定発生させる機能と、イオン加速電圧を一
定値に帰還制御する機能と、引出されたイオンビ
ームの電流を一定値に帰還制御する機能とを上記
計算機に持たせ、上記各手段が出力する動作状態
を示す信号を入力し上記各帰還制御用信号を出力
する上記計算機の信号入出力伝達手段を具備せし
めて構成したことを特徴とする全自動イオン注入
装置。 ２ 前記計算機の信号入出力伝達手段として、ア
ース電位に設置した計算機からの制御用電気信号
を光信号に変換して伝える手段と、前記各手段の
動作状態を示す電気信号を光信号に変換して伝え
る手段とを備えたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の全自動イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56015018A JPS57130358A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | Full automatic ion implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56015018A JPS57130358A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | Full automatic ion implantation device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130358A JPS57130358A (en) | 1982-08-12 |
| JPH0234151B2 true JPH0234151B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11877118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56015018A Granted JPS57130358A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | Full automatic ion implantation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57130358A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3478775D1 (en) * | 1983-08-15 | 1989-07-27 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for ion implantation |
| JPS60232656A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-19 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| JPH0652651B2 (ja) * | 1985-11-06 | 1994-07-06 | 株式会社日立製作所 | 微細加工装置 |
| JPH0740479B2 (ja) * | 1985-11-18 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入方法 |
| JPH0731497Y2 (ja) * | 1986-03-03 | 1995-07-19 | 日新電機株式会社 | イオン質量分析装置 |
| JPS63146337A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | イオンビ−ム装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507797U (ja) * | 1973-05-21 | 1975-01-27 | ||
| DE2326279A1 (de) * | 1973-05-23 | 1974-12-19 | Siemens Ag | Ionenstrahlschnellschaltung zur erzielung definierter festkoerperdotierungen durch ionenimplantation |
| JPS5569370U (ja) * | 1978-11-08 | 1980-05-13 | ||
| JPS5945174B2 (ja) * | 1978-11-20 | 1984-11-05 | 三菱電機株式会社 | 分析マグネットの制御装置 |
-
1981
- 1981-02-05 JP JP56015018A patent/JPS57130358A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130358A (en) | 1982-08-12 |
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