JPH0652651B2 - 微細加工装置 - Google Patents

微細加工装置

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JPH0652651B2
JPH0652651B2 JP60247088A JP24708885A JPH0652651B2 JP H0652651 B2 JPH0652651 B2 JP H0652651B2 JP 60247088 A JP60247088 A JP 60247088A JP 24708885 A JP24708885 A JP 24708885A JP H0652651 B2 JPH0652651 B2 JP H0652651B2
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constant
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忠 佐藤
巴 黒沢
康則 大野
橋本  勲
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は微細加工装置に係り、特に、イオンビームを利
用した高精度の加工に好適な微細加工装置に関する。
〔発明の背景〕
イオンビームを利用した従来の微細加工装置は、矢板:
アイオニクス,p6(1981年8月号)に示すように、ガ
ス圧の精密な制御で加工精度を維持しているが、真空容
器の圧力は、スパツタされてできた薄膜のポンプ作用や
反応性ガスを使用した時の化学反応等で変動しやすく、
また、プラズマ部分の圧力がイオンビームの出力に直接
影響を与える点、真空計の測定精度の経時変化等、誤差
となる要因を多く含んでおり問題がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、イオン源内のガス圧力等が変動して
も、イオンビームの発散角を最小に維持でき、これによ
り加工精度が維持できる微細加工装置を提供するにあ
る。
〔発明の概要〕
本発明者はイオンビームの最小の発散角が、イオン源の
ガス圧が変化しても、加速電流を一定に維持することで
保たれることを実験により確認し、イオン源の加速電流
を検出する手段と、この加速電流の検出信号によりイオ
ン源のアーク電力を制御し、加速電流が一定になるよう
にする手段とを備えていることを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図と第2図により説明す
る。該図において、フイラメント電源より、タングステ
ンフイラメント1を必要な熱電子が出る温度に加熱し、
アークのカソードとして使用する。プラズマ発生容器2
をアノードとして、アーク電源によりアルゴン等の中性
ガス5を、ガス口4より導入し、10-1Pa程度のガス
圧で放電させ、多数の永久磁石3により、発生したプラ
ズマを閉じ込めている。ビーム引き出し電極系6はイオ
ンビームをプラズマより引き出す直径100mmの範囲に
直径4mmの穴が400個程度の穴のあいた板厚1mmの3
枚の電極でできており、プラズマに近い順に、加速電
極、電子抑制電極、接地電極と呼び電極間隔はそれぞれ
0.5mmと1mmである。加速電極は加速電源より一定の加
速電圧を印加する。加速電極に流れる加速電流を検出す
る手段として、シヤント抵抗7を設ける。電子抑制電極
は電子抑制電源に接続され、上記のイオンビームに逆流
する電子を抑制する。シヤント抵抗7の信号と、基準電
圧を比較し、アーク電力を制御するための制御器8は第
2図に示すように、演算増巾器を利用した比較回路によ
り、基準電圧との誤差信号を制御信号として使用し、フ
イラメント電源の出力電流を制御することで、フイラメ
ントの温度を制御し、アーク電源のアーク電流を制御す
ることにより、加速電流を一定になるように制御する。
微細加工装置として、2〜3時間程度の運転を考える
と、最も困難な制御は、プラズマ発生容器2の部分での
圧力の制御である。従来は、中性ガス5の流量を一定に
コントロールしていたが、イオンビームのスパッタによ
りできる薄膜の真空排気作用等により、真空排気能力が
違うため、中性ガス5の流量を一定に保持しても、プラ
ズマ発生容器2でのガス圧力が変動する。アーク電力を
一定に制御しても、プラズマ密度が変動するので、加速
電極を通過するイオンビームの量である加速電流が変動
する。イオンビームの発散角とは、イオンビームの方向
のばらつきの程度を示す量で、大きいと加工精度が低下
する。第3図は、イオンビームの発散角が最小となる加
速電流を、引き出し電圧(加速電極と電子抑制電極の電
位差)との関係でまとめたもので、一定の引き出し電圧
のもとでは、プラズマ発生容器2のガス圧が2倍程度変
化してもガス圧によらず、加速電流を一定に保つこと
で、発散角最小の条件を保持できることを示している。
すなわち、最も加工精度の良い状態を長時間ガス圧等の
変動に左右されないで維持できる。また、イオンビーム
の量も正確に制御されているので、薄膜の加工に必要な
時間も正確である。
〔発明の効果〕
以上説明した本発明によれば、イオン源内のガス圧力が
変動しても、加速電流を一定に制御することでビームの
発散角を最小に維持するとともに、ビーム量を一定に維
持できるので、加工形状、加工時間が正確になり、イオ
ンビームによる高精度の微細加工を行う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す全体構成図、第2図は
本発明の一部結線図、第3図は引き出し電圧とイオンビ
ームの発散角が最小となる時の加速電流との関係を示す
特性図である。 1…タングステンフイラメント、2…プラズマ発生容
器、3…永久磁石、4…ガス口、5…中性ガス、6…ビ
ーム引き出し電極系、7…シヤント抵抗、8…制御器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 勲 茨城県日立市国分町1丁目1番1号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 門岡 英志 茨城県日立市国分町1丁目1番1号 株式 会社日立製作所国分工場内 (56)参考文献 特開 昭57−130358(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】シャワービームを発生するイオン源を備え
    た微細加工装置において、前記イオン源の加速電流を検
    出する手段と、前記イオン源の加速電流の検出信号によ
    りイオン源のアーク電力を制御し、前記加速電流が一定
    になるようにする手段とを備えていることを特徴とする
    微細加工装置。
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JPH0668827A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Hitachi Ltd イオンビーム発生装置及びその制御方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57130358A (en) * 1981-02-05 1982-08-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Full automatic ion implantation device

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