JPH02344A - 面実装型樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
面実装型樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH02344A JPH02344A JP31715288A JP31715288A JPH02344A JP H02344 A JPH02344 A JP H02344A JP 31715288 A JP31715288 A JP 31715288A JP 31715288 A JP31715288 A JP 31715288A JP H02344 A JPH02344 A JP H02344A
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- JP
- Japan
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- resin
- lead frame
- semiconductor device
- film
- package
- Prior art date
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯ
Ｐ）、或いはクワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ
）等の面実装型樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
Ｐ）、或いはクワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ
）等の面実装型樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
〈従来の技術〉
従来の面実装型樹脂封止型パッケージの断面図を第２図
に示す。４２アロイやＣｕ糸等の材質から成るリードフ
レーム４のアイランド部２主面上に半導体チップ１をマ
ウントし、金属細線５で前記半導体チップ１表面の電極
とリードフレーム４のイナーリードを接続し、トランス
ファーモールド方式によりエポキシ系樹脂３にて少なく
とも半導体チップｌ及び該チップｌとリードフレーム４
との接続部とを樹脂封止し、外部リードの表面処理や成
形を行なった後、電気テストを行なって完成品となる。
に示す。４２アロイやＣｕ糸等の材質から成るリードフ
レーム４のアイランド部２主面上に半導体チップ１をマ
ウントし、金属細線５で前記半導体チップ１表面の電極
とリードフレーム４のイナーリードを接続し、トランス
ファーモールド方式によりエポキシ系樹脂３にて少なく
とも半導体チップｌ及び該チップｌとリードフレーム４
との接続部とを樹脂封止し、外部リードの表面処理や成
形を行なった後、電気テストを行なって完成品となる。
面実装型パッケージの外形は高密度実装を目的としてい
ることから、通常のＤＩＰ型パッケージとは異なり、小
型・薄型であり、半導体チップ１上或いはアイランド部
２下の樹脂厚は各々１（ｍｍ）以下である。
ることから、通常のＤＩＰ型パッケージとは異なり、小
型・薄型であり、半導体チップ１上或いはアイランド部
２下の樹脂厚は各々１（ｍｍ）以下である。
〈発明が解決しようとする課題〉
面実装型＃脂封止型パッケージは上記のように小型・薄
型であるにもかかわらず、基板への実装法として自動化
の要求から、ハンダ付けされるリド部だけでなく、パッ
ケージ全体が急激に加熱される赤外線リフロー、ペーパ
ーフェイズソルダリング、ウェーブソルダリングが多く
採用され、パッケージに大きな熱的衝撃が加わる。この
時のハンダ付は温度は一般的に２６０℃以下が多い。
型であるにもかかわらず、基板への実装法として自動化
の要求から、ハンダ付けされるリド部だけでなく、パッ
ケージ全体が急激に加熱される赤外線リフロー、ペーパ
ーフェイズソルダリング、ウェーブソルダリングが多く
採用され、パッケージに大きな熱的衝撃が加わる。この
時のハンダ付は温度は一般的に２６０℃以下が多い。
従来技術では金型炉で封止されるエポキシ系樹脂とリー
ドフレームとの接着性が弱いために、半導体メーカーで
の半導体装置生産後からユーザーでの実装までの保管時
等にパッケージに吸湿された水分がリードフレームのア
イランドと封止樹脂界面に凝集するという欠点があり、
実装時の高温により水蒸気化して、その圧力で第３図（
ａ）の如くパッケージフクレ８、或いは第３図（ｂ）の
如くパッケージクラック７が発生して間隙９が生じたり
、チップ表面と封止樹脂界面での剥離により耐湿性が劣
化するという問題点がある。これらの現象は半導体チッ
プ上及びアイランド下の樹脂厚が薄くなる程、或いはチ
ップサイズが大きくなる程発生しやすいが、上記パッケ
ージの吸湿量に対して最も顕著な影響を受ける。
ドフレームとの接着性が弱いために、半導体メーカーで
の半導体装置生産後からユーザーでの実装までの保管時
等にパッケージに吸湿された水分がリードフレームのア
イランドと封止樹脂界面に凝集するという欠点があり、
実装時の高温により水蒸気化して、その圧力で第３図（
ａ）の如くパッケージフクレ８、或いは第３図（ｂ）の
如くパッケージクラック７が発生して間隙９が生じたり
、チップ表面と封止樹脂界面での剥離により耐湿性が劣
化するという問題点がある。これらの現象は半導体チッ
プ上及びアイランド下の樹脂厚が薄くなる程、或いはチ
ップサイズが大きくなる程発生しやすいが、上記パッケ
ージの吸湿量に対して最も顕著な影響を受ける。
チップ上及びアイランド下の樹脂厚が各々０．４５（ｍ
ｍ） という薄型パッケージでも乾燥処理後のハンダ
付は実装ではパッケージフクレ・クラックの発生や大き
な耐湿性劣化は見られないが、保管状態・期間によって
はパッケージは容易に吸湿し、上記の問題を引き起こす
。
ｍ） という薄型パッケージでも乾燥処理後のハンダ
付は実装ではパッケージフクレ・クラックの発生や大き
な耐湿性劣化は見られないが、保管状態・期間によって
はパッケージは容易に吸湿し、上記の問題を引き起こす
。
そのため半導体メーカーではパッケージ厚の厚肉化、パ
ッケージの乾燥処理後の防湿梱包出荷等、ユーザーでは
実装前のパッケージの乾燥処理、ハンダ付は温度の低温
化等の対策を実施しているが、小型・薄型化ユーザーニ
ーズとの不一致、コストアップ、実装マージンの低下及
び製品管理上のトラブル発生の懸念等の諸問題を抱えて
いるのが現状である。
ッケージの乾燥処理後の防湿梱包出荷等、ユーザーでは
実装前のパッケージの乾燥処理、ハンダ付は温度の低温
化等の対策を実施しているが、小型・薄型化ユーザーニ
ーズとの不一致、コストアップ、実装マージンの低下及
び製品管理上のトラブル発生の懸念等の諸問題を抱えて
いるのが現状である。
本発明は上記問題点を根本的に解決するためになされた
ものであり、パッケージに吸湿された水分がリードフレ
ームのアイランドと封止樹脂界面に凝集するという欠点
を解消し、パッケージが吸湿状態にあっても赤外線リフ
ロー、ハンダディッピング法等の実装時の熱ストレスに
よってパッケージフクレ・クラックの発生や耐湿性劣化
を引き起さない面実装型樹脂封止型半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ものであり、パッケージに吸湿された水分がリードフレ
ームのアイランドと封止樹脂界面に凝集するという欠点
を解消し、パッケージが吸湿状態にあっても赤外線リフ
ロー、ハンダディッピング法等の実装時の熱ストレスに
よってパッケージフクレ・クラックの発生や耐湿性劣化
を引き起さない面実装型樹脂封止型半導体装置を提供す
ることを目的とする。
〈課題を解決するだめの手段〉
本発明は、半導体チップがリードフレームのアイランド
部主面上にマウントされ、第１の樹脂にて封止された半
導体装置において、上記リードフレームのアイランド部
裏面に第２の樹脂による膜が被着されてなる面実装型樹
脂封止型半導体装置を提供してなるもので、第２の樹脂
膜としてリードフレーム及び封止樹脂の双方と高い接着
性を有し、吸湿率が小さく、且つ、２５０℃以上のガラ
ス転移点を有するポリイミド系樹脂膜を用いることを問
題点解決の技術的手段とする。
部主面上にマウントされ、第１の樹脂にて封止された半
導体装置において、上記リードフレームのアイランド部
裏面に第２の樹脂による膜が被着されてなる面実装型樹
脂封止型半導体装置を提供してなるもので、第２の樹脂
膜としてリードフレーム及び封止樹脂の双方と高い接着
性を有し、吸湿率が小さく、且つ、２５０℃以上のガラ
ス転移点を有するポリイミド系樹脂膜を用いることを問
題点解決の技術的手段とする。
く作 用〉
リードフレーム及び封止樹脂の双方と接着性の高い樹脂
膜をアイランド部裏面に形成しているために、パッケー
ジが吸湿しても、その水分がりドフレームのアイランド
部と樹脂膜の界面及び樹脂膜と封止樹脂の界面に凝集す
ることがなく、ハンダ付は実装時の高温下での水蒸気化
圧力が従来品に比べて非常に小さくなる。
膜をアイランド部裏面に形成しているために、パッケー
ジが吸湿しても、その水分がりドフレームのアイランド
部と樹脂膜の界面及び樹脂膜と封止樹脂の界面に凝集す
ることがなく、ハンダ付は実装時の高温下での水蒸気化
圧力が従来品に比べて非常に小さくなる。
また、樹脂ｊｙＸの吸湿率が小さいので樹脂膜自体の吸
湿の影響による膨張ストレスの増大を抑えることができ
る。
湿の影響による膨張ストレスの増大を抑えることができ
る。
更に、樹脂膜のガラス転移点が２５０’Ｃ以上であって
、実装時に半導体装置の封止樹脂部に加わる温度と同程
度であるので、実装時の高温下で樹脂膜の熱膨張係数及
び弾性率が急激に変化せず、樹脂膜自体の膨張ストレス
を抑えることができる。
、実装時に半導体装置の封止樹脂部に加わる温度と同程
度であるので、実装時の高温下で樹脂膜の熱膨張係数及
び弾性率が急激に変化せず、樹脂膜自体の膨張ストレス
を抑えることができる。
これらの結果、実装時の高温下で樹脂膜自体の吸湿の影
響も含めた膨張ストレスによりパッケージクラックを発
生させることがない。
響も含めた膨張ストレスによりパッケージクラックを発
生させることがない。
この発明におけるポリイミド系樹脂膜としては、ガラス
転移温度が２５０℃以上で、且つ、高接着性、低吸湿性
のものが用いられる。ここで、高接着性とは、リードフ
レームと封止樹脂双方に対して高い接着性を示すことを
意味し、よシ具体的には、後述する剥離試験法で剥離強
度２． Ｏｋｇ／４．５Ｘ ５． Ｏｍｍ以上の接着強
度を有することを意味する。また、低吸湿性とは、例え
ば、後述する吸湿率測定結果において少なくとも吸湿率
が１．５％以下、好ましくは１．０％以・下を示すこと
を意味する。
転移温度が２５０℃以上で、且つ、高接着性、低吸湿性
のものが用いられる。ここで、高接着性とは、リードフ
レームと封止樹脂双方に対して高い接着性を示すことを
意味し、よシ具体的には、後述する剥離試験法で剥離強
度２． Ｏｋｇ／４．５Ｘ ５． Ｏｍｍ以上の接着強
度を有することを意味する。また、低吸湿性とは、例え
ば、後述する吸湿率測定結果において少なくとも吸湿率
が１．５％以下、好ましくは１．０％以・下を示すこと
を意味する。
ガラス転移温度が２５０℃未満であると、他の条件が具
備されても、実装時のハンダ付は温度により、該ポリイ
ミド系樹脂膜自体の膨張が大きくなり、パッケージクラ
ック発生の危険性があり。
備されても、実装時のハンダ付は温度により、該ポリイ
ミド系樹脂膜自体の膨張が大きくなり、パッケージクラ
ック発生の危険性があり。
適さない。また、接着性が低いと、他の条件が備わって
も、アイランド裏面や封止樹脂との界面で剥離が生じ、
クラック発生を防止できない。さらに、吸湿率が高いと
、ポリイミド系樹脂膜自体の膨張に基づくクラック発生
の危険性がある。
も、アイランド裏面や封止樹脂との界面で剥離が生じ、
クラック発生を防止できない。さらに、吸湿率が高いと
、ポリイミド系樹脂膜自体の膨張に基づくクラック発生
の危険性がある。
このポリイミド系樹脂膜の形成は、アイランド部主面上
にマウントされた半導体チップの電極とリードフレーム
のイナーリードを金属細線で接続した後に実施するのが
好ましい。
にマウントされた半導体チップの電極とリードフレーム
のイナーリードを金属細線で接続した後に実施するのが
好ましい。
アイランド裏面へのポリイミド系樹脂膜形成工程として
は、 （ａ） リードフレームの状態（部分メツキ前）ら）
リードフレーム状態（部分メツキ後）〜金属細線での接
続前 （ｃ） 金属細線での接続後（樹脂封止前）が考えら
れる。
は、 （ａ） リードフレームの状態（部分メツキ前）ら）
リードフレーム状態（部分メツキ後）〜金属細線での接
続前 （ｃ） 金属細線での接続後（樹脂封止前）が考えら
れる。
各々の問題点について述べると、
（ａ）・チップマウント、配線接続時のアイランド部の
平担性が悪くなる。
平担性が悪くなる。
・リードフレーム部分メツキ工程でのポリイミドの耐薬
品性が懸念される。（接着力の低下）（ｂ）・チップマ
ウント、配線接続時のアイランド部の平担性が悪くなる
。
品性が懸念される。（接着力の低下）（ｂ）・チップマ
ウント、配線接続時のアイランド部の平担性が悪くなる
。
・リードフレーム・イナーリード部の部分メツキ（Ａｇ
メツキが多い）がポリイミドの硬化温度で酸化し、配
線接続性が劣化する。
メツキが多い）がポリイミドの硬化温度で酸化し、配
線接続性が劣化する。
（ｃ）・チップ電極のＡＩ！と金属細線のＡｕ の接合
部が高温（３００℃以上）にさらされると、ＡｕとＡ７
？の合金層が成長しやすく、接合強度が低下する恐れが
あるので、３００℃以上の硬化温度を必要とするポリイ
ミド系樹脂は使用に適していない。
部が高温（３００℃以上）にさらされると、ＡｕとＡ７
？の合金層が成長しやすく、接合強度が低下する恐れが
あるので、３００℃以上の硬化温度を必要とするポリイ
ミド系樹脂は使用に適していない。
以上のことから、３００℃以下の温度でキュアーできる
、いわゆる低温キュアータイプのポリイミド系樹脂を配
線接続後（（Ｃ）工程）に形成することが最も好ましい
。
、いわゆる低温キュアータイプのポリイミド系樹脂を配
線接続後（（Ｃ）工程）に形成することが最も好ましい
。
〈実施例〉
次に本発明の一実施例を図面を用いて説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。第１図にお
いて、リードフレーム４のアイランド部２の裏面に、リ
ードフレーム及び封止樹脂の双方と高い接着性を有し、
吸湿率が小さく、且つ、２５０℃以上のガラス転移点を
有するポリイミド系樹脂膜６が形成され、トランスファ
ーモールド方式によジェポキシ系樹脂３で樹脂封止され
ている。かかる半導体装置は、例えば半導体チップｌを
リードフレーム４のアイランド部２の主面上にマウント
し、金属細線５で接続した後、リードフＶ−Ａ４（７）
アイランド部裏面に低粘度のポリイミド系樹脂をドロッ
ピングしてコーティングし、硬化させて１０〜５０（μ
ｍ）の厚みの樹脂膜６を形成し、次いでエポキシ系封止
樹脂にょシトランスファーモールドすることによシ製造
できる。
いて、リードフレーム４のアイランド部２の裏面に、リ
ードフレーム及び封止樹脂の双方と高い接着性を有し、
吸湿率が小さく、且つ、２５０℃以上のガラス転移点を
有するポリイミド系樹脂膜６が形成され、トランスファ
ーモールド方式によジェポキシ系樹脂３で樹脂封止され
ている。かかる半導体装置は、例えば半導体チップｌを
リードフレーム４のアイランド部２の主面上にマウント
し、金属細線５で接続した後、リードフＶ−Ａ４（７）
アイランド部裏面に低粘度のポリイミド系樹脂をドロッ
ピングしてコーティングし、硬化させて１０〜５０（μ
ｍ）の厚みの樹脂膜６を形成し、次いでエポキシ系封止
樹脂にょシトランスファーモールドすることによシ製造
できる。
アイランド部裏面に形成させるポリイミド系樹脂膜につ
いて検討した結果を以下に述べる。
いて検討した結果を以下に述べる。
アイランド部裏面に形成するポリイミド系樹脂膜の接着
性、吸湿率、ガラス転移点と、吸湿処理し、ハンダデイ
ツプした後のパッケージクラック発生率との関連を表１
に示す。なお、接着性、吸湿率、ガラス転移温度の測定
条件は以下の通りである。
性、吸湿率、ガラス転移点と、吸湿処理し、ハンダデイ
ツプした後のパッケージクラック発生率との関連を表１
に示す。なお、接着性、吸湿率、ガラス転移温度の測定
条件は以下の通りである。
（１）接着性
得られたパッケージ（半導体装置）の上面を研摩除去し
てリードフレームを露出させ、リードをアイランド部に
対して６０°の位置に折曲げ、このリードの方向に引張
り応力をかけて、アイランド部が剥離するに要する強度
を測定した。なお、評価は２．０ ｋｇ／４．５ Ｘ
５． Ｏｍｍ以上をＯとし、１．５ ｋｇ／４．５ Ｘ
５． Ｏｍｍ以下をＸとした。ポリイミドＡ、Ｂ、Ｃ
及びＤについては２．４〜２．６ｋｇ、ポリイミドＥに
ついては１．０〜１．２ｋｇ であった。なお、ポリイ
ミド系樹脂膜を介在させない場合は、０．７〜０．８ｋ
ｇであった。
てリードフレームを露出させ、リードをアイランド部に
対して６０°の位置に折曲げ、このリードの方向に引張
り応力をかけて、アイランド部が剥離するに要する強度
を測定した。なお、評価は２．０ ｋｇ／４．５ Ｘ
５． Ｏｍｍ以上をＯとし、１．５ ｋｇ／４．５ Ｘ
５． Ｏｍｍ以下をＸとした。ポリイミドＡ、Ｂ、Ｃ
及びＤについては２．４〜２．６ｋｇ、ポリイミドＥに
ついては１．０〜１．２ｋｇ であった。なお、ポリイ
ミド系樹脂膜を介在させない場合は、０．７〜０．８ｋ
ｇであった。
（２）吸湿率
■ フィルム作成
基板ニガラス
硬化温度：１００℃×６０分
＋２００℃×３０分
＋２６０℃×６０分
上記条件で硬化後、ＰＣＴ（１２１’Ｃ１Ｃ１２ａｔで
約３０分処理し、基板から剥離し、１５０℃×３０分乾
燥させた（吸着した水分除去の為）。
約３０分処理し、基板から剥離し、１５０℃×３０分乾
燥させた（吸着した水分除去の為）。
その後、８０ｍｇ秤量し、測定用試料とする（ ＋嘔約
１ｃｍ、長さ約７〜８ｃｍ、厚み４０〜５０μｍ）。
１ｃｍ、長さ約７〜８ｃｍ、厚み４０〜５０μｍ）。
■ 放置条件
４０℃／８０％ＲＨの恒湿槽に入れ、１２Ｈｒ＋３５Ｈ
ｒ放置した。
ｒ放置した。
■ 測定方法
装置名：サーモレックスＲ−ＴＧ−ＤＴＡ（理学電機製
） 測定条件：ＲＴから２００℃まで３００℃／ｍｉｎで昇
温。その後、５分ホ ールドさせ、重量変化を求め、 初期重量８０ｍｇ に対する変化 率を吸湿率とする。
） 測定条件：ＲＴから２００℃まで３００℃／ｍｉｎで昇
温。その後、５分ホ ールドさせ、重量変化を求め、 初期重量８０ｍｇ に対する変化 率を吸湿率とする。
３枚測定し、平均値を算出する。
（３）ガラス転移点
装置：デュポン社製９８２型ＤＭＡ
表１
サンプ／Ｌ／：幅４．５履、長さ約９■、厚み〜４０μ
ｍ ＤＭＡ ：ダイナミック熱機械分析装置、動的粘弾性測
定装置 ポリイミド系樹脂特性とパッケージクラック発生率パッ
ケージ：４４ピンＱＦＰ（１０Ｘ１０Ｘ１．４５鱈）チ
ップサイズ：６Ｘ６１− 吸湿条件−８５℃／８５％ＲＨ−１６８ＨＲ（矧Ｗ唾）
ハンダデイラフ条件＝２６０℃・１０ｓｅｃ全体浸漬吸
湿率 ：ポリイミド皮膜の４０℃／８０１−Ｉ出Ｈ・３
０ＨＲ放置後の値 ６）従来品についてはパッケージクラック発生率１００
％である。
ｍ ＤＭＡ ：ダイナミック熱機械分析装置、動的粘弾性測
定装置 ポリイミド系樹脂特性とパッケージクラック発生率パッ
ケージ：４４ピンＱＦＰ（１０Ｘ１０Ｘ１．４５鱈）チ
ップサイズ：６Ｘ６１− 吸湿条件−８５℃／８５％ＲＨ−１６８ＨＲ（矧Ｗ唾）
ハンダデイラフ条件＝２６０℃・１０ｓｅｃ全体浸漬吸
湿率 ：ポリイミド皮膜の４０℃／８０１−Ｉ出Ｈ・３
０ＨＲ放置後の値 ６）従来品についてはパッケージクラック発生率１００
％である。
表１の結果より、パッケージクラックの発生は、リード
フレームのアイランド裏面に形成するポリイミド系樹脂
皮膜の接着性、吸湿率、ガラス転移点に大きく依存し、
どの特性についても重要であす、上記ハンダデイツプ条
件（２６０℃）では、材料として接着性が良好で、吸湿
率０．９％、ガラス転移点２９０℃のポリイミドＡ或い
は接着性が良好で、吸湿率０．９％、ガラス転移点２５
５℃のポリイミドＢが適していることがわかる。
フレームのアイランド裏面に形成するポリイミド系樹脂
皮膜の接着性、吸湿率、ガラス転移点に大きく依存し、
どの特性についても重要であす、上記ハンダデイツプ条
件（２６０℃）では、材料として接着性が良好で、吸湿
率０．９％、ガラス転移点２９０℃のポリイミドＡ或い
は接着性が良好で、吸湿率０．９％、ガラス転移点２５
５℃のポリイミドＢが適していることがわかる。
表２は、上記本実施例（ポリイミドＡまたはポリイミド
Ｂ）及び従来例とに吸湿処理、ハンダデイツプを行なっ
た後、夫々プレッシャー・クツカー・ラス） （ＰＣＴ
）を行なって不良の発生率を調査したものである。
Ｂ）及び従来例とに吸湿処理、ハンダデイツプを行なっ
た後、夫々プレッシャー・クツカー・ラス） （ＰＣＴ
）を行なって不良の発生率を調査したものである。
表 ２
（注）１）パッケージ＝４４ピンＱＦＰ（ＩＯＸＩ Ｏ
Ｘｌ、４５鵡）２）チップサイズ二６ ×６鱈 ３）吸湿条件：８５℃／８５％ＲＨ−１６８ＨＲ（飽和
状態） ４）ハンダデイラフ条件：２６０℃弓０ｓｅｃ全体浸漬
５）ＰＣＴ結果：吸湿−ハンダデイツプ−ＰＣＴ２ＱＱ
）（Ｒ ６）ＰＣＴ条件 ：１２１℃／１００％ＲＨ同表から明
らかなように本実施例により不良が大幅に減少したこと
がわかる。
Ｘｌ、４５鵡）２）チップサイズ二６ ×６鱈 ３）吸湿条件：８５℃／８５％ＲＨ−１６８ＨＲ（飽和
状態） ４）ハンダデイラフ条件：２６０℃弓０ｓｅｃ全体浸漬
５）ＰＣＴ結果：吸湿−ハンダデイツプ−ＰＣＴ２ＱＱ
）（Ｒ ６）ＰＣＴ条件 ：１２１℃／１００％ＲＨ同表から明
らかなように本実施例により不良が大幅に減少したこと
がわかる。
また、第１図と同様な構造のＱＦＰ型パッケージの半導
体装置について、アイランド部サイズ４．２ Ｘ ４．
２〜６．６ Ｘ ６．８−、チップサイズ３．２×３．
０〜６．ＩＸ６．５−、アイランド部下方の樹脂厚み０
．４５〜０．８０■、パッケージ厚み１．４５〜２．１
５ｆｉの種々の装置を製造したところ、何れもハンダ付
は時（２６０℃、１０秒）のクラックの発生が防止され
ることが確認された。さらに、４５０ｍ１ｌＳＯＰ型パ
ツケージについても同様な効果が確認された。（表３） 置を提供することが可能になる。
体装置について、アイランド部サイズ４．２ Ｘ ４．
２〜６．６ Ｘ ６．８−、チップサイズ３．２×３．
０〜６．ＩＸ６．５−、アイランド部下方の樹脂厚み０
．４５〜０．８０■、パッケージ厚み１．４５〜２．１
５ｆｉの種々の装置を製造したところ、何れもハンダ付
は時（２６０℃、１０秒）のクラックの発生が防止され
ることが確認された。さらに、４５０ｍ１ｌＳＯＰ型パ
ツケージについても同様な効果が確認された。（表３） 置を提供することが可能になる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例を示す断面図、第３図（ａ）、 ｅｂ）は従来例の問
題点を示す断面図である。 １：半導体チップ、 ２：アイランド部、 ３：封止樹
脂、 ４：リードフレーム、 ５：金属細線、 ６：ポ
リイミド系樹脂膜。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）○：クラッ
ク全２９７ ×：クラック発生あり ハンダ実装条件：８５℃／８５％ＲＨ飽和加湿−ハンダ
ディップ（全体浸漬） ２６０℃Ｘ１０ｓｅｃ 〈発明の効果〉 本発明により、樹脂封止型半導体装置にパッケージツク
Ｖ或いはパッケージクラックによる間隙が生じることが
ないため、信頼性の高い半導体装置ｌ 図 纂２図 −３３（Ｇ） 第３ｂ（ｂ）
例を示す断面図、第３図（ａ）、 ｅｂ）は従来例の問
題点を示す断面図である。 １：半導体チップ、 ２：アイランド部、 ３：封止樹
脂、 ４：リードフレーム、 ５：金属細線、 ６：ポ
リイミド系樹脂膜。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）○：クラッ
ク全２９７ ×：クラック発生あり ハンダ実装条件：８５℃／８５％ＲＨ飽和加湿−ハンダ
ディップ（全体浸漬） ２６０℃Ｘ１０ｓｅｃ 〈発明の効果〉 本発明により、樹脂封止型半導体装置にパッケージツク
Ｖ或いはパッケージクラックによる間隙が生じることが
ないため、信頼性の高い半導体装置ｌ 図 纂２図 −３３（Ｇ） 第３ｂ（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップがリードフレームのアイランド部主面
上にマウントされ、第１の樹脂にて封止された半導体装
置において、 上記リードフレームのアイランド部裏面に第２の樹脂に
よる膜が被着されてなることを特徴とする面実装型樹脂
封止型半導体装置。 ２、上記樹脂膜はポリイミド系樹脂膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の面実装型樹脂封止型
半導体装置。 ３、上記ポリイミド系樹脂膜は、リードフレームと第１
の樹脂の双方と高い接着性を有し、ガラス転移温度が２
５０℃以上で、吸湿率の小さいことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の面実装型樹脂封止型半導体装置。 ４、リードフレームのアイランド部主面上に半導体チッ
プをマウントし、金属細線で半導体チップの電極とリー
ドフレームのインナーリードとを接続した後に、上記ポ
リイミド系樹脂膜を被着することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の面実装型樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31715288A JPH02344A (ja) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | 面実装型樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19102587 | 1987-12-15 | ||
| JP62-191025 | 1987-12-15 | ||
| JP31715288A JPH02344A (ja) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | 面実装型樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02344A true JPH02344A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=26506439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31715288A Pending JPH02344A (ja) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | 面実装型樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072243A (en) * | 1996-11-26 | 2000-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device capable of surely electrically insulating two semiconductor chips from each other and fabricating method thereof |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31715288A patent/JPH02344A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072243A (en) * | 1996-11-26 | 2000-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device capable of surely electrically insulating two semiconductor chips from each other and fabricating method thereof |
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