JPH0235455A - レジスト材料およびパターン形成方法 - Google Patents
レジスト材料およびパターン形成方法Info
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- JPH0235455A JPH0235455A JP63187451A JP18745188A JPH0235455A JP H0235455 A JPH0235455 A JP H0235455A JP 63187451 A JP63187451 A JP 63187451A JP 18745188 A JP18745188 A JP 18745188A JP H0235455 A JPH0235455 A JP H0235455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist material
- pattern forming
- line
- forming method
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要］
レジスト材料およびパターン形成方法に関し、ｉ線に対
して高い感度を示すとともに０２ＲＩＥ耐性にも優れた
レジスト材料の提供を目的とし、 一般式 （式中、Ｉｔ、、 Ｒ，はビニル アリルアクリロイル
またはメタクリロイル基、ｎはＩＯ〜１０００の整数を
示す。） で示されるシリコーン樹脂と、７，７．８．８−テトラ
シアノキノジメタンと、アンド化合物との混合物よりな
ることを特徴とするレジスト材料。
して高い感度を示すとともに０２ＲＩＥ耐性にも優れた
レジスト材料の提供を目的とし、 一般式 （式中、Ｉｔ、、 Ｒ，はビニル アリルアクリロイル
またはメタクリロイル基、ｎはＩＯ〜１０００の整数を
示す。） で示されるシリコーン樹脂と、７，７．８．８−テトラ
シアノキノジメタンと、アンド化合物との混合物よりな
ることを特徴とするレジスト材料。
（２）請求項１記載のレジスト材料を、２層構造レジス
トの上層レジストに用いることを特徴とするパターン形
成方法。
トの上層レジストに用いることを特徴とするパターン形
成方法。
（式中、ＲＩ＋ Ｒｚはビニル、アリルアクリロイルま
たはメタクリロイル基、ｎは１０〜ｔｏｏｏの整数を示
す。） で示されるシリコーン樹脂と、７，７，８．８−テトラ
ンアノキノンメタンと、アジド化合物との混合物よりな
り構成する。
たはメタクリロイル基、ｎは１０〜ｔｏｏｏの整数を示
す。） で示されるシリコーン樹脂と、７，７，８．８−テトラ
ンアノキノンメタンと、アジド化合物との混合物よりな
り構成する。
本発明は、レジスト材料およびパターン形成方法に関す
る。さらに詳しく説明すれば、高解像性を達成するため
に露光源にｉ線を用いた場合におけるｉ線用ネガ型レジ
スト材料、および２層レジスト法によるパターン形成方
法に関する。
る。さらに詳しく説明すれば、高解像性を達成するため
に露光源にｉ線を用いた場合におけるｉ線用ネガ型レジ
スト材料、および２層レジスト法によるパターン形成方
法に関する。
近年の集積回路の高集積化に伴い、回路パターンはさら
に微細化する傾向にある。現在、２５６ＫＤＲＡＭ （
タイｔミフク ラシタム アクセス メモリー） にお
ける回路パターンの最小線幅は１．２μｍであり、ポジ
型フォレジストを用いてｇ線（ｇ−１ｉｎｅ、波長４３
６ｒ＋＋ｗ）の小投影露光法により形成している。しか
し、この縮小投影露光法は、レジスト膜中に発生する定
在波や配線側面からの反射、焦点深度が浅いなどの原因
により解像性が低下するため、超微細パターンの形成に
は適さない。
に微細化する傾向にある。現在、２５６ＫＤＲＡＭ （
タイｔミフク ラシタム アクセス メモリー） にお
ける回路パターンの最小線幅は１．２μｍであり、ポジ
型フォレジストを用いてｇ線（ｇ−１ｉｎｅ、波長４３
６ｒ＋＋ｗ）の小投影露光法により形成している。しか
し、この縮小投影露光法は、レジスト膜中に発生する定
在波や配線側面からの反射、焦点深度が浅いなどの原因
により解像性が低下するため、超微細パターンの形成に
は適さない。
そこで、基板上に存機物による平坦化層（下層レジスト
）を設け、該平坦化層の上に感光性高分子の薄膜（上層
レジスト）を形成する２層構造レジストとし、ｇ線を用
いて該薄膜を露光し現像してパターンを形成した後、パ
ターニングされた該薄膜をマスクに酸素ガスによる反応
性イオンエツチング（ＯｚＲＩＥ）を行って下層レジス
トにパターンを転写する方法（２層レジスト法）が採用
されている。
）を設け、該平坦化層の上に感光性高分子の薄膜（上層
レジスト）を形成する２層構造レジストとし、ｇ線を用
いて該薄膜を露光し現像してパターンを形成した後、パ
ターニングされた該薄膜をマスクに酸素ガスによる反応
性イオンエツチング（ＯｚＲＩＥ）を行って下層レジス
トにパターンを転写する方法（２層レジスト法）が採用
されている。
この２層構造レジストにおいて、厚さ２μｍ程度の下層
レジストに対して、上層レジストは、高解像性を達成す
るために０．３〜０．５μｍと非常に薄く形成される。
レジストに対して、上層レジストは、高解像性を達成す
るために０．３〜０．５μｍと非常に薄く形成される。
従って、ト層レジストとしては、０、−ＲＩＥの際に下
層レジストに対して少なくとも２０倍以上の選択比を有
する必要がある。
層レジストに対して少なくとも２０倍以上の選択比を有
する必要がある。
〔発明が解決しようとする課題］
ｇ線でのりソグラフィは、０．６μｍ設計ルールまでの
使用は可能であるが、１６Ｍ ＤＲＡＭの作成で要求さ
れる０、５μｍルールになると、光の干渉効果によりｇ
線でのりソグラフィは難しくなる。この対策として、上
層レジストの露光源にｇ線よりも波長の短いｉ線（ｉ−
目ｎｅ、波長３６５ｎｍ）を用いて、解像性の向上を図
る方法が有望視されている。しかし、従来、このｉ線に
対して高い感度を示し、かつ０□−ＲｒＥ耐性にも優れ
たレジスト材料はない。
使用は可能であるが、１６Ｍ ＤＲＡＭの作成で要求さ
れる０、５μｍルールになると、光の干渉効果によりｇ
線でのりソグラフィは難しくなる。この対策として、上
層レジストの露光源にｇ線よりも波長の短いｉ線（ｉ−
目ｎｅ、波長３６５ｎｍ）を用いて、解像性の向上を図
る方法が有望視されている。しかし、従来、このｉ線に
対して高い感度を示し、かつ０□−ＲｒＥ耐性にも優れ
たレジスト材料はない。
そこで本発明は、ｉ線に対して高い感度を示し、さらに
０□−ＲＩＥ耐性にも優れたレジスト材料の提供、さら
にサブミクロンパターンの形成を可能とするパターン形
成方法の提供を目的とする。
０□−ＲＩＥ耐性にも優れたレジスト材料の提供、さら
にサブミクロンパターンの形成を可能とするパターン形
成方法の提供を目的とする。
（課題を解決するための手段〕
前記目的は、一般式
本発明では、レジストの主成分であるラダー型シリコー
ン樹脂は、一般式にその構造式を示すように、その骨格
構造にＳｉを含存するので、０□ＲＴＥのときにＳｉが
酸素と反応して表面にＳｉＯ□の保ｊ［が形成され、こ
のため優れたｏ２−ＲＩＥ耐性を示す。このラダー型シ
リコーン樹脂に、感光剤としてｉ線付近の光を吸収する
アジド化合物と７．７，８．８−テトラシアキノジメタ
ンを添加することによりｉ線用ステッパで露光する際の
感度が向上する。
ン樹脂は、一般式にその構造式を示すように、その骨格
構造にＳｉを含存するので、０□ＲＴＥのときにＳｉが
酸素と反応して表面にＳｉＯ□の保ｊ［が形成され、こ
のため優れたｏ２−ＲＩＥ耐性を示す。このラダー型シ
リコーン樹脂に、感光剤としてｉ線付近の光を吸収する
アジド化合物と７．７，８．８−テトラシアキノジメタ
ンを添加することによりｉ線用ステッパで露光する際の
感度が向上する。
（式中、Ｒ１＋ Ｒｚはビニル、アリルアクリロイルま
たはメタクリロイル基、ｎは１０〜１０００の整数を示
す。） で示されるシリコーン樹脂と、７．７，８．８−テトラ
シアノキノジメタンと、アジド化合物との混合物よりな
ることを特徴とするレジスト材料により達成される。
たはメタクリロイル基、ｎは１０〜１０００の整数を示
す。） で示されるシリコーン樹脂と、７．７，８．８−テトラ
シアノキノジメタンと、アジド化合物との混合物よりな
ることを特徴とするレジスト材料により達成される。
〔実施例］
次に本発明の実施例について説明する。ラダー型シリコ
ーン樹脂であるシリル化ポリビニルンルセスキオキサン
Ｉｇを旧ＢＫ （メチルイソブチルケトン） ９ｇに溶
解し、感光剤として２，６−ビス−（４−アジドベンザ
ル）−４−メチルシクロヘキサノン（シンコー技研５り
をＯ，ＯＩｇと、さらに構造式がで示される７、７，８
．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＯ）を０．０
０１ｇ添加して、本発明のレジスト溶液を得た。
ーン樹脂であるシリル化ポリビニルンルセスキオキサン
Ｉｇを旧ＢＫ （メチルイソブチルケトン） ９ｇに溶
解し、感光剤として２，６−ビス−（４−アジドベンザ
ル）−４−メチルシクロヘキサノン（シンコー技研５り
をＯ，ＯＩｇと、さらに構造式がで示される７、７，８
．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＯ）を０．０
０１ｇ添加して、本発明のレジスト溶液を得た。
続いて、本発明の実施例に係るパターン形成方法につい
て説明する。Ｓｉ基機上に下層レジストとしてＭＰ−１
３００（シブレー社製）を２μｍの膜厚にスピンコード
した後、２００°Ｃで１時間ハードベイクして下層レジ
ストを形成した。この下層レジスト上に前記レジスト溶
液を０．２μｍの膜厚にスピンコードした後、６０°Ｃ
で２０分間溶剤乾燥して上層レジストを形成した。この
上層レジストにｉ線用ステッパを用いて波長３６５ｎｍ
のｉ線で露光した後、旧ＢＫとＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）を１＝４の割合で混合した溶液に３０秒間浸
漬して現像した。
て説明する。Ｓｉ基機上に下層レジストとしてＭＰ−１
３００（シブレー社製）を２μｍの膜厚にスピンコード
した後、２００°Ｃで１時間ハードベイクして下層レジ
ストを形成した。この下層レジスト上に前記レジスト溶
液を０．２μｍの膜厚にスピンコードした後、６０°Ｃ
で２０分間溶剤乾燥して上層レジストを形成した。この
上層レジストにｉ線用ステッパを用いて波長３６５ｎｍ
のｉ線で露光した後、旧ＢＫとＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）を１＝４の割合で混合した溶液に３０秒間浸
漬して現像した。
このとき、本実施例の上層レジストは５抛Ｊ／ｃＩｌｚ
の感度番示し、０．５μｍのラインアンドスペース（Ｌ
ｉｎｅ ＆ ５ｐａｃｅ ）で解像した。この後、０□
−ＲＩＥにより上層レジストのパターンを下層レジスト
に転写したところ、上層レジストがＩＰｉＭすすること
なく、また、パ゛ターン幅のシフトも起きることなく転
写できた。
の感度番示し、０．５μｍのラインアンドスペース（Ｌ
ｉｎｅ ＆ ５ｐａｃｅ ）で解像した。この後、０□
−ＲＩＥにより上層レジストのパターンを下層レジスト
に転写したところ、上層レジストがＩＰｉＭすすること
なく、また、パ゛ターン幅のシフトも起きることなく転
写できた。
本実施例のレジストの主成分であるシリル化ポリビニル
シルセスキオキサンはＳｉ含有率が高く、このため優れ
た０ｆ−ＲＩＥ耐性を示す。さらに感光剤としてｉ線付
近の光を吸収する２、６−ビス−（４−アジドベンザル
）−４−メチルシクロヘキサノンと７．７，８．８−テ
トラシアキノジメタンを添加することによりｉ線用ステ
ッパで露光する際の感度が向上する。このように本発明
では、レジスト主成分にＳ＋樹脂を用いてＯ，−ＲＩＥ
耐性を高めるとともに、アジド化合物とＴＣＮＱを添加
することにより高感度を達成している。
シルセスキオキサンはＳｉ含有率が高く、このため優れ
た０ｆ−ＲＩＥ耐性を示す。さらに感光剤としてｉ線付
近の光を吸収する２、６−ビス−（４−アジドベンザル
）−４−メチルシクロヘキサノンと７．７，８．８−テ
トラシアキノジメタンを添加することによりｉ線用ステ
ッパで露光する際の感度が向上する。このように本発明
では、レジスト主成分にＳ＋樹脂を用いてＯ，−ＲＩＥ
耐性を高めるとともに、アジド化合物とＴＣＮＱを添加
することにより高感度を達成している。
この結果、ｉ線に対して高感度、かつＯ□ＲＩＢ耐性に
も優れたレジスート材料が堤供されるようになり、この
レジスト材料を２層構造レジストの上層レジスト材料と
し、ｉ線用ステッパで露光することにより、超微細なパ
ターンが解像性良く形成できるようになる。従って、集
積回路のより一層の微細化、高集積化に効果がある。
も優れたレジスート材料が堤供されるようになり、この
レジスト材料を２層構造レジストの上層レジスト材料と
し、ｉ線用ステッパで露光することにより、超微細なパ
ターンが解像性良く形成できるようになる。従って、集
積回路のより一層の微細化、高集積化に効果がある。
なお、添加するアジド化合物としては、２．６−ビス−
（４−アジドヘンザル）−４−メチルシクロヘキサノン
以外を使用してもよい。他のアジド化合物の一例を下記
に示す。
（４−アジドヘンザル）−４−メチルシクロヘキサノン
以外を使用してもよい。他のアジド化合物の一例を下記
に示す。
”’＠−Ｃ００ＣｔｌｚＮＩｌｚ
””＠−Ｃ００ＣＩｈＮＨ，Ｚ
”＠−Ｃ００ＣＨ１ＣＨ！ＮＬ
Ｎ ３ＳＯ２，、□−６゜。Ｃ１（ＺＣＩＺＮ＋（２１
◎−ＣＯＯＣＨｚＮ （ＣＨ３）２ ８°３０′［有］−６゜。。１１□８．。１ｌｈ）ｚ９
゛［有］−ＣＯＯＣＩＩｚＮ（Ｃｚ）ｌ＊）ｚ”””当
−Ｃ００Ｃ）１２Ｎ（。ｚｌｈＬ１◎−ＣＯＯＣＨｚＣ
ＨｚＣＨｚＮ（ＣＨｉ）ｔ””＠ Ｃ００ＣＨｚＣｌｈ
ＣＬＮ（Ｃ１ｈ）ｚ１◎−Ｃ００ＣＨ２ＣＩＩＩＣＩＩ
ＺＮ（。ｄｌｉ）ｚ””’□−Ｃ００ＣＨｚＣＩｈＣＨ
Ｊ（。Ｊ３）！〔発明の効果〕 本発明によれば、ｉ線に対して高感度、かつ０゜ＲＩＥ
耐性にも優れたレジスト材料が提供されるようになり、
このレジスト材料を２層構造レジストの上層レジスト材
料とし、ｉ線用ステッパで露光することにより、超微細
なパターンが解像性良く形成できるようになる。この結
果、集積回路のより一層の微細化、高集積化に効果があ
る。
◎−ＣＯＯＣＨｚＮ （ＣＨ３）２ ８°３０′［有］−６゜。。１１□８．。１ｌｈ）ｚ９
゛［有］−ＣＯＯＣＩＩｚＮ（Ｃｚ）ｌ＊）ｚ”””当
−Ｃ００Ｃ）１２Ｎ（。ｚｌｈＬ１◎−ＣＯＯＣＨｚＣ
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Ｊ（。Ｊ３）！〔発明の効果〕 本発明によれば、ｉ線に対して高感度、かつ０゜ＲＩＥ
耐性にも優れたレジスト材料が提供されるようになり、
このレジスト材料を２層構造レジストの上層レジスト材
料とし、ｉ線用ステッパで露光することにより、超微細
なパターンが解像性良く形成できるようになる。この結
果、集積回路のより一層の微細化、高集積化に効果があ
る。
なお、ｉ線用ステッパとしては、従来のｇ線用ステッパ
が流用できるので、設備投資が少なくて済むことも見逃
せない。
が流用できるので、設備投資が少なくて済むことも見逃
せない。
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２はビニル、アリル、アクリロイ
ルまたはメタクリロイル基、 ｎは１０〜１０００の整数を示す。） で示されるシリコーン樹脂と、７，７，８，８−テトラ
シアノキノジメタンと、アジド化合物との混合物よりな
ることを特徴とするレジスト材料。 - （２）請求項１記載のレジスト材料を、２層構造レジス
トの上層レジストに用いることを特徴とするパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187451A JPH0235455A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | レジスト材料およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187451A JPH0235455A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | レジスト材料およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235455A true JPH0235455A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16206307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63187451A Pending JPH0235455A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | レジスト材料およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319597A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
| KR100760522B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-10-04 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
| JP2009166492A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-30 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63187451A patent/JPH0235455A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319597A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
| KR100760522B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-10-04 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
| WO2008038863A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Cheil Industries Inc. | Novel organosilane polymer, hardmask composition for resist underlayer film comprising the organosilane polymer, and process of producing semiconductor integrated circuit device using the hardmask composition |
| JP2009166492A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-30 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
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