JPS6199331A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
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- JPS6199331A JPS6199331A JP59220664A JP22066484A JPS6199331A JP S6199331 A JPS6199331 A JP S6199331A JP 59220664 A JP59220664 A JP 59220664A JP 22066484 A JP22066484 A JP 22066484A JP S6199331 A JPS6199331 A JP S6199331A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ，Ｌ、９Ｉ等の半導体装置を実現するた
めの微細パターン形成法に関する。
めの微細パターン形成法に関する。
近年、ＬＳＩおよび超ＬＳＩなどの半導体装置において
１チツプの中に数十〜数百万までの半導体素子を含むも
のが出現し、そのため当然上記装置中の素子の実装密度
は極めて大きくなり、半導体基板上に形成する素子パタ
ーンの微少化が要求されることになる。
１チツプの中に数十〜数百万までの半導体素子を含むも
のが出現し、そのため当然上記装置中の素子の実装密度
は極めて大きくなり、半導体基板上に形成する素子パタ
ーンの微少化が要求されることになる。
素子パターンの微細化の一つの方法として塗布するレジ
スト膜を従来より薄くする方法が考えられるが、この方
法では基板表面段差に対して、レジスト膜の被覆性によ
り、段部でのレジスト膜厚が不充分になりやすいため、
ピンホー ！ルの発生および、レジストパターン
形成後のエツチング処理時のレジスト膜厚が確保されな
い問題が起り、実用上約１μｍ以上のレジスト膜厚が必
要となる。
スト膜を従来より薄くする方法が考えられるが、この方
法では基板表面段差に対して、レジスト膜の被覆性によ
り、段部でのレジスト膜厚が不充分になりやすいため、
ピンホー ！ルの発生および、レジストパターン
形成後のエツチング処理時のレジスト膜厚が確保されな
い問題が起り、実用上約１μｍ以上のレジスト膜厚が必
要となる。
これらの要因により近年大規模集積回路を実現する微細
パターン形成のため３層レジスト法が提唱されている。
パターン形成のため３層レジスト法が提唱されている。
この３層レジスト法では、通常基板上に有機物質膜とし
てレジスト膜がこの有機物質膜のエツチングのマスクと
なる中間層としての無機材質層及び上層のフォトレジス
ト膜層の３層構造とな゛っているので３層レジスト法と
呼ばれている。
てレジスト膜がこの有機物質膜のエツチングのマスクと
なる中間層としての無機材質層及び上層のフォトレジス
ト膜層の３層構造とな゛っているので３層レジスト法と
呼ばれている。
この３層レジスト法は以下の用に微細パターンを形成す
る。即ち、第２−１図に示す様に、まず、約０．５μｍ
の表面段差２を有する半導体基板１上に、例えば、住友
化学工業株式会社製のスミレシストＤ Ｆ２２００ポジ
型フォトレジスト或いはシソプレー（Ｓｈｉｐｌｅｙ）
社製ＡＺ １３５０ Ｊの様なフェノールノボラック系
ポジレジストをスピンコード法により約１．８μｍの厚
さに塗布した後、約１５０℃のホットプレート上で８０
秒間加熱処理して下層レジスト層１１を形成する。
る。即ち、第２−１図に示す様に、まず、約０．５μｍ
の表面段差２を有する半導体基板１上に、例えば、住友
化学工業株式会社製のスミレシストＤ Ｆ２２００ポジ
型フォトレジスト或いはシソプレー（Ｓｈｉｐｌｅｙ）
社製ＡＺ １３５０ Ｊの様なフェノールノボラック系
ポジレジストをスピンコード法により約１．８μｍの厚
さに塗布した後、約１５０℃のホットプレート上で８０
秒間加熱処理して下層レジスト層１１を形成する。
次に、下層レジスト層１１上に住友化学工業株式会社社
製のアキュグラスＮＰ−５Ｒのようなスピンオングラス
（ＳＯＯ）材を同じくスピンコード法により塗布し、２
００’Ｃ，６０秒間のホットプレート上の加熱処理によ
り厚さ０．１２μｍのシリカ材質による中間層１２を形
成する（第２−２図）。
製のアキュグラスＮＰ−５Ｒのようなスピンオングラス
（ＳＯＯ）材を同じくスピンコード法により塗布し、２
００’Ｃ，６０秒間のホットプレート上の加熱処理によ
り厚さ０．１２μｍのシリカ材質による中間層１２を形
成する（第２−２図）。
次いで中間層１２上にシラプレー社製のポジレジストＡ
Ｚ１４７０Ｊを前記２層と同様にスピンコード法により
０．６μｍの厚さに塗布し、１００°Ｃ４５秒間のホッ
トプレート加熱処理を行って上層レジスト層１３を形成
する（第２−８図）。
Ｚ１４７０Ｊを前記２層と同様にスピンコード法により
０．６μｍの厚さに塗布し、１００°Ｃ４５秒間のホッ
トプレート加熱処理を行って上層レジスト層１３を形成
する（第２−８図）。
次にＧＯＡ社製のＤＳＷ４８００の様な縮少投影型露光
装置による選択的露光および水酸化テトラメチルアンモ
ニウムを主成分とする現像液による現像処理により１．
Ｉ：層レジスト層１８の所定の部分３を除去して、上層
レジストパターン１８Ａを形成する（第２−４図）。
装置による選択的露光および水酸化テトラメチルアンモ
ニウムを主成分とする現像液による現像処理により１．
Ｉ：層レジスト層１８の所定の部分３を除去して、上層
レジストパターン１８Ａを形成する（第２−４図）。
次いで上層レジストパターン１８Ａをマスクにして、平
行平板型反応性イオンエツチング装置において、フロン
ガス（ＯＦ４）と水素（Ｈ２）の混合ガスプラズマで、
シリカ中間層１２の所定部分を除去してシリカ中間層パ
ターン１２Ａを形成する（第２−５図）。
行平板型反応性イオンエツチング装置において、フロン
ガス（ＯＦ４）と水素（Ｈ２）の混合ガスプラズマで、
シリカ中間層１２の所定部分を除去してシリカ中間層パ
ターン１２Ａを形成する（第２−５図）。
続いて前記の反応性イオンエツチング装置のエツチング
ガスを０２ に変更してさらにエツチング処理を所定
時間加えると、下層レジスト層１１の所定部分３は除去
されて下層レジストパターン１１Ａが形成され、現行の
８層レジスト法による８層レジストが完成する（第２−
６図）以上の方法による３層レジスト法は、上層レジス
ト層１３の単層レジストの場合より飛躍的に薄くするこ
とが可能となり、また下層の有機膜層１１により基板表
面の段差が平担化されるため、パターンの解像性および
寸法制御性が著しく向上する。
ガスを０２ に変更してさらにエツチング処理を所定
時間加えると、下層レジスト層１１の所定部分３は除去
されて下層レジストパターン１１Ａが形成され、現行の
８層レジスト法による８層レジストが完成する（第２−
６図）以上の方法による３層レジスト法は、上層レジス
ト層１３の単層レジストの場合より飛躍的に薄くするこ
とが可能となり、また下層の有機膜層１１により基板表
面の段差が平担化されるため、パターンの解像性および
寸法制御性が著しく向上する。
しかしながら現行の３Ｆ４レジスト法には下記の問題点
があり必ずしも理論値に近い解像性と寸法安定性が得ら
れていない。
があり必ずしも理論値に近い解像性と寸法安定性が得ら
れていない。
即ち、上層レジストの露光時に、基板表面からの複反対
を生じ、そのため解像度の低下や寸法の変動が起りうる
。
を生じ、そのため解像度の低下や寸法の変動が起りうる
。
特に、表面反射率の高いアルミニウムや多結晶シリコン
暦でかつ表面段差が大きい場合、顕著となり露光装置に
より与えられた空中解像性よりはるかに低いレジスト解
像性しか得られないことになり、段差部分でのレジスト
パターン寸法の変動も深刻な問題となっている。
暦でかつ表面段差が大きい場合、顕著となり露光装置に
より与えられた空中解像性よりはるかに低いレジスト解
像性しか得られないことになり、段差部分でのレジスト
パターン寸法の変動も深刻な問題となっている。
本発明の目的は、多層レジスト法における以上の問題点
を克服するためになされたものであり、基板表面での紫
外光反射による解像度低下およびレジスト寸法の変動を
防ぐ新規なＷｉ細パターン形成法を提供するものである
。
を克服するためになされたものであり、基板表面での紫
外光反射による解像度低下およびレジスト寸法の変動を
防ぐ新規なＷｉ細パターン形成法を提供するものである
。
本発明の概要は、下層レジスト層に所定波長の光をほと
んど完全に吸収し、かつ工程中の加熱処理により光吸収
特性の劣化を来たすことのない色素材を含む樹脂を下層
レジスト層として付着する所にある。即ち本願発明は、 （１）半導体基板表面に、反射防止樹脂組成物の薄層を
付着する第１の工程と、該樹脂層上にシリカ薄層を積層
する第２の工程と該シリカ博層上にフォトレジスト膜を
塗布する第３の工程と、該フォトレジスト膜を選択的露
光と現像処理により所定部分を除去して、上層レジスト
パターンを形成する第４の工程と、該レジストパターン
をマスクにしてフロンガスを含むガスプラズマによるエ
ツチングにより該シリカ薄層の所定部分を除去する第５
の工程と、酸素を含むガスプラズマによるエツチングに
より該樹脂層の所定部分を除去する第６の工程とを含み
、該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に下記一般式
で表わされる吸光剤を含有させることを特徴とする微細
パターン形成法並びに （２）該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に前記一
般式で表わされる吸光剤と感光剤とを含有することを特
徴とする微細パターン形成法に他ならない。
んど完全に吸収し、かつ工程中の加熱処理により光吸収
特性の劣化を来たすことのない色素材を含む樹脂を下層
レジスト層として付着する所にある。即ち本願発明は、 （１）半導体基板表面に、反射防止樹脂組成物の薄層を
付着する第１の工程と、該樹脂層上にシリカ薄層を積層
する第２の工程と該シリカ博層上にフォトレジスト膜を
塗布する第３の工程と、該フォトレジスト膜を選択的露
光と現像処理により所定部分を除去して、上層レジスト
パターンを形成する第４の工程と、該レジストパターン
をマスクにしてフロンガスを含むガスプラズマによるエ
ツチングにより該シリカ薄層の所定部分を除去する第５
の工程と、酸素を含むガスプラズマによるエツチングに
より該樹脂層の所定部分を除去する第６の工程とを含み
、該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に下記一般式
で表わされる吸光剤を含有させることを特徴とする微細
パターン形成法並びに （２）該反射防止樹脂組成物がノボラック樹脂に前記一
般式で表わされる吸光剤と感光剤とを含有することを特
徴とする微細パターン形成法に他ならない。
本発明に使用されるノボラック樹脂としてはフェノール
−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール−ホル
ムアルデヒドノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール−ホル
ムアルデヒドノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
本発明に於て使用される前記一般式で示される吸光剤の
具体例としては、次の様な化合物が挙げられる。
具体例としては、次の様な化合物が挙げられる。
４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−アニリノーメチリ
デンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−３−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ペンチル）−２−メチルアニリノ−メチリデンマロノ
ニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メ
チルアニリノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、
Ｎ−ジ−ローヘキシル）−８−メチルアニリノ−メチリ
デンマロノニトリル曳４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ローヘプチル
）−アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘプチル）−２−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ヘキシル）−アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメ
ート、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メ１
チルアニリノ−ジメチルマロメート、 。
デンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−３−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ペンチル）−２−メチルアニリノ−メチリデンマロノ
ニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メ
チルアニリノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、
Ｎ−ジ−ローヘキシル）−８−メチルアニリノ−メチリ
デンマロノニトリル曳４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ローヘプチル
）−アニリノ−メチリデンマロノニトリル、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘプチル）−２−メチルアニリ
ノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ヘキシル）−アニリノ−メチリデン−ジメチルマロメ
ート、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メ１
チルアニリノ−ジメチルマロメート、 。
４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペンチル）−３−メチルアニリ
ノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メトキシアニ
リノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−
ｎ−ヘキシル）−２−クロロアニリノ−メチリデンマロ
ノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−
メトキシアニリノ−メチリデンマロノニトリル、４−（
Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メトキシアニリノ−
メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペ
ンチル）−２−クロロアニリノ−メチリデン−ジメチル
マロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ベンジル）−アニリノ−メチリデン
マロノニトリル。
ノ−メチリデン−ジメチルマロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−２−メトキシアニ
リノ−メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−
ｎ−ヘキシル）−２−クロロアニリノ−メチリデンマロ
ノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−
メトキシアニリノ−メチリデンマロノニトリル、４−（
Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ヘキシル）−３−メトキシアニリノ−
メチリデンマロノニトリル、４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ペ
ンチル）−２−クロロアニリノ−メチリデン−ジメチル
マロメート、 ４−（Ｎ、Ｎ−ジ−ベンジル）−アニリノ−メチリデン
マロノニトリル。
より好ましくは使用される吸光剤としては第１表に示す
化合物が挙げられる。
化合物が挙げられる。
＠１表
吸光剤の使用量は、過剰であると感度の低下を招き、又
゛少量では反射防止能が低下するため、ノボラック樹脂
に対し２〜６０重ｊ！憾が好まし 、く、より好適には
、８〜４０重量％である。
゛少量では反射防止能が低下するため、ノボラック樹脂
に対し２〜６０重ｊ！憾が好まし 、く、より好適には
、８〜４０重量％である。
これらの吸光剤は、ノボラック樹脂にきわめて溶解性が
良いため、ブリベーキング後の塗膜中においても、長時
間完全に溶解し、安定した塗膜が形成される。特に前記
した吸光剤の一般式において、Ｒ５，Ｒ６の炭素数が４
以上の吸光剤は、ノボラック樹脂に対する溶解性がきわ
めて良好であり、Ｒａ、Ｒ６の炭素数は４〜７が望まし
い。又、これらの吸光剤は、紫外線、特に紫外線のＧ線
（４８６ｎｍ）部分に強い吸収をもち目合せ等に必要な
可視領域の光は大部分透過する結果、正確なマスクの位
置合せが可能でかつ充分な反射防止効果を発揮する。
良いため、ブリベーキング後の塗膜中においても、長時
間完全に溶解し、安定した塗膜が形成される。特に前記
した吸光剤の一般式において、Ｒ５，Ｒ６の炭素数が４
以上の吸光剤は、ノボラック樹脂に対する溶解性がきわ
めて良好であり、Ｒａ、Ｒ６の炭素数は４〜７が望まし
い。又、これらの吸光剤は、紫外線、特に紫外線のＧ線
（４８６ｎｍ）部分に強い吸収をもち目合せ等に必要な
可視領域の光は大部分透過する結果、正確なマスクの位
置合せが可能でかつ充分な反射防止効果を発揮する。
本発明の反射防止樹脂組成物は、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテートアルいは、シクロヘキサノ
ン等の溶媒に溶解させた状態で通常のホトレジストを塗
布するのと同様の方法で用いる。
ノエチルエーテルアセテートアルいは、シクロヘキサノ
ン等の溶媒に溶解させた状態で通常のホトレジストを塗
布するのと同様の方法で用いる。
又、この反射防止樹脂組成物の中に通常のポジ型レジス
トに用いるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル又
はベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル等の感光剤
を添加して用いても良い。この感光剤の添加量はノボラ
ック樹脂に対して５〜５０重量％が好適である。反射防
止樹脂組成物に感光剤を含有させた場合は、現像時の反
射防止樹脂組成物と基板との密着性が向上するとともに
解像度をより高めることができる。
トに用いるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル又
はベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル等の感光剤
を添加して用いても良い。この感光剤の添加量はノボラ
ック樹脂に対して５〜５０重量％が好適である。反射防
止樹脂組成物に感光剤を含有させた場合は、現像時の反
射防止樹脂組成物と基板との密着性が向上するとともに
解像度をより高めることができる。
本発明の反射防止樹脂組成物を用いると、反射率の高い
基板上で感度低下はなく、反射による解像度の低下を防
止する事ができる。又、本発明の反射防止樹脂組成物に
含有する吸光剤は、８０°Ｃ〜１００°Ｃでのプリベー
ク時の安定性にすぐれており、再現性良いパターン形成
が可能となる。更に又、本吸光剤はノボラック樹脂に対
する溶解性にすぐれており、プリベーク後長時間放置し
てもその性能を維持する事ができる。
基板上で感度低下はなく、反射による解像度の低下を防
止する事ができる。又、本発明の反射防止樹脂組成物に
含有する吸光剤は、８０°Ｃ〜１００°Ｃでのプリベー
ク時の安定性にすぐれており、再現性良いパターン形成
が可能となる。更に又、本吸光剤はノボラック樹脂に対
する溶解性にすぐれており、プリベーク後長時間放置し
てもその性能を維持する事ができる。
かくして下層レジスト層に含まれた吸光剤により基板表
面からの反射光をほぼ完全に防止できるので１反射光に
よるレジストパターンの解像度および寸法安定性の劣化
を格段に低減し、露光装置の空中解像度を忠実にレジス
トパターンに再現可能となつた。即ち、半導体基板上に
現行の８周レジスト法より大巾に優れたレジストパター
ンと寸法安定性を実更、することが可能となった。
面からの反射光をほぼ完全に防止できるので１反射光に
よるレジストパターンの解像度および寸法安定性の劣化
を格段に低減し、露光装置の空中解像度を忠実にレジス
トパターンに再現可能となつた。即ち、半導体基板上に
現行の８周レジスト法より大巾に優れたレジストパター
ンと寸法安定性を実更、することが可能となった。
これによりＬＳＩ上の素子パターンの微細化による該装
置のチップサイズの縮少化が可能となりＬＳＩの電気的
特性の向上と該装置の製造コストの低減に少なからぬ寄
与をすることができる。
置のチップサイズの縮少化が可能となりＬＳＩの電気的
特性の向上と該装置の製造コストの低減に少なからぬ寄
与をすることができる。
以下、図面を参照しながら実施例で本発明の微細パ奸フ
形成工程を詳細に説明する。
形成工程を詳細に説明する。
実施例１
ノボラック樹脂アルノボルＰＮ４８０ （ヘキスト社製
）１０ｙを含むエチレングリコールモ〉エチルエーテル
アセテート溶ａｃノボラック樹脂含有量１０重ｔ％）に
１４８６１ｍに主吸収波長を示す吸光剤（第１表記載の
吸 Ｉ光剤４１）６．Ｑりを添加し、反射防止樹
脂組成物を調製した。この反射防止樹脂組成物を約０．
５μｍの表面段差２を有する半導体基板１上にスピンコ
ード法で約１．８μｍの厚さに塗布し、１２０°Ｃ・９
０秒のホットプレート加熱処理を加えて下層レジスト層
１４を形成する（＠ｌ１図）。
）１０ｙを含むエチレングリコールモ〉エチルエーテル
アセテート溶ａｃノボラック樹脂含有量１０重ｔ％）に
１４８６１ｍに主吸収波長を示す吸光剤（第１表記載の
吸 Ｉ光剤４１）６．Ｑりを添加し、反射防止樹
脂組成物を調製した。この反射防止樹脂組成物を約０．
５μｍの表面段差２を有する半導体基板１上にスピンコ
ード法で約１．８μｍの厚さに塗布し、１２０°Ｃ・９
０秒のホットプレート加熱処理を加えて下層レジスト層
１４を形成する（＠ｌ１図）。
これ以降の工程は周知の３層レジスト法とほぼ同じで、
レジスト層１４上にシリカ中間層１２を形成しく第１−
２図）、さらに上層レジスト層１８を形成する（第１−
８図）。
レジスト層１４上にシリカ中間層１２を形成しく第１−
２図）、さらに上層レジスト層１８を形成する（第１−
８図）。
続いて縮小露光装置による選択露光と現像処理により上
層レジスト層１８の所定部分４を除去して上層レジスト
パターン１８Ｂを形成する（第１−４図）。
層レジスト層１８の所定部分４を除去して上層レジスト
パターン１８Ｂを形成する（第１−４図）。
次いでフロンガス（ＯＦ４）と水素（■２）との混合ガ
スプラズマによるエツチングにより上層レジストパター
ン１８Ｂをマスクにしてシリカ中間層１２所定部分４を
除去してシリカ中間層パターン１２Ｂを形成する（第１
−５図）。
スプラズマによるエツチングにより上層レジストパター
ン１８Ｂをマスクにしてシリカ中間層１２所定部分４を
除去してシリカ中間層パターン１２Ｂを形成する（第１
−５図）。
最後に酸素（０２）プラズマガスのエツチングにより下
層レジスト層１４の所定部分４および上層レジストパタ
ーン１８Ｂを除去して下層レジストパターン１４Ａを形
成し、本発明による３層レジスト法によるレジストパタ
ーンが完成する（第１−６図）。
層レジスト層１４の所定部分４および上層レジストパタ
ーン１８Ｂを除去して下層レジストパターン１４Ａを形
成し、本発明による３層レジスト法によるレジストパタ
ーンが完成する（第１−６図）。
実施例２
ノボラック樹脂アルノボルＰＮ４８０ （ヘキスト社製
）１５りと、２．８．４−トリハイドロキシベンゾフェ
ノン−ナフトキノシー１．２−ジアジド−５−スルホン
酸−（モノ、ジ、トリ）エステル混合物１．５２を含む
エチレングリフールモノエチルエーテルアセテート溶液
（ノボラック樹脂含有量１０３Ｆｔ量％）に４８６０ｍ
に主吸収波長を示す吸光剤（第１表記載の吸光剤Ａ Ｉ
） ９．０ ｙを添加し、反射防止組成物を調製した
。これを用いて実施例１と同様のパｆブ形成を行った所
、現行の三層レジスト法に比べてパとの解像度及び寸法
安定性は格段に向上した。
）１５りと、２．８．４−トリハイドロキシベンゾフェ
ノン−ナフトキノシー１．２−ジアジド−５−スルホン
酸−（モノ、ジ、トリ）エステル混合物１．５２を含む
エチレングリフールモノエチルエーテルアセテート溶液
（ノボラック樹脂含有量１０３Ｆｔ量％）に４８６０ｍ
に主吸収波長を示す吸光剤（第１表記載の吸光剤Ａ Ｉ
） ９．０ ｙを添加し、反射防止組成物を調製した
。これを用いて実施例１と同様のパｆブ形成を行った所
、現行の三層レジスト法に比べてパとの解像度及び寸法
安定性は格段に向上した。
第１−１図乃至第１−６図は、本頓発明の微細パターン
形成法を示す断面図であり、第２−１図乃至第２−６図
は、従来技術の工程を工程順に示した断面図である。 尚、図中の番号は以下のものを示す。 １・・・シリコン基板、２・・・断差、１１．１４・・
・下層レジスト層、１２・・・シリカ中間層、１３・・
・上層レジスト層、ＩＩＡ、１４Ａ・・・下ｒＮレジス
トパターン、１２Ａ、１２Ｂ・・・中間層パターン、１
８Ａ 、 １８Ｂ・・・上層レジストパターン、３，４
・・・所定露光部分
形成法を示す断面図であり、第２−１図乃至第２−６図
は、従来技術の工程を工程順に示した断面図である。 尚、図中の番号は以下のものを示す。 １・・・シリコン基板、２・・・断差、１１．１４・・
・下層レジスト層、１２・・・シリカ中間層、１３・・
・上層レジスト層、ＩＩＡ、１４Ａ・・・下ｒＮレジス
トパターン、１２Ａ、１２Ｂ・・・中間層パターン、１
８Ａ 、 １８Ｂ・・・上層レジストパターン、３，４
・・・所定露光部分
Claims (2)
- （１）半導体基板表面に、反射防止樹脂組成物の薄層を
付着する第１の工程と、該樹脂層上にシリカ薄層を積層
する第２の工程と該シリカ薄層上にフォトレジスト膜を
塗布する第３の工程と、該フォトレジスト膜を選択的露
光と現像処理により所定部分を除去して上層レジストパ
ターンを形成する第４の工程と、該レジストパターンを
マスクにしてガスプラズマによるエッチングにより該シ
リカ薄層の所定部分を除去する第５の工程と、酸素を含
むガスプラズマによるエッチングにより該樹脂層の所定
部分を除去する第６の工程とを含み、該反射防止樹脂組
成物がノボラック樹脂に下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿１、Ｒ＿２：それぞれシアノ基又は、ＣＯＯＲ＿
７基（Ｒ＿７；低級アルキル基） Ｒ＿３、Ｒ＿４：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシルアミノ又はハロゲンから選ば
れた基 Ｒ＿５、Ｒ＿：それぞれアルキル、アラルキルから選ば
れた基〕 で表わされる吸光剤を含有させることを特徴とする微細
パターン形成法。 - （２）半導体基板表面に、反射防止樹脂組成物の薄層を
付着する第１の工程と、該樹脂層上にシリカ薄層を積層
する第２の工程と、該シリカ薄層上にフォトレジスト膜
を塗布する第３の工程と、該フォトレジスト膜を選択的
露光と現像処理により所定部分を除去して上層レジスト
パターンを形成する第４の工程と該レジストパターンを
マスクにしてガスプラズマによるエッチングにより該シ
リカ薄層の所定部分を除去する第５の工程と、酸素を含
むガスプラズマによるエッチングにより該樹脂層の所定
部分を除去する第６の工程とを含み、該反射防止樹脂組
成物がノボラック樹脂に下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿１、Ｒ＿２：それぞれシアノ基又はＣＯＯＲ＿７
基（Ｒ＿７：低級アルキル基） Ｒ＿３、Ｒ＿４：それぞれ水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシ、低級アシルアミノ又はハロゲンから選ば
れた基 Ｒ＿５、Ｒ＿６：それぞれアルキル、アラルキルから選
ばれた基〕 で表わされる吸光剤と感光剤とを含有させることを特徴
とする微細パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220664A JPS6199331A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220664A JPS6199331A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199331A true JPS6199331A (ja) | 1986-05-17 |
| JPH0564338B2 JPH0564338B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16754514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59220664A Granted JPS6199331A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199331A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH02275453A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
| US5963841A (en) * | 1997-08-01 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Gate pattern formation using a bottom anti-reflective coating |
| KR100433462B1 (ko) * | 2001-03-02 | 2004-05-31 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 패턴형성방법 및 이 패턴형성방법을 이용한액정표시장치의 제조방법 |
| JPWO2020255985A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59220664A patent/JPS6199331A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH02275453A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
| US5963841A (en) * | 1997-08-01 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Gate pattern formation using a bottom anti-reflective coating |
| KR100433462B1 (ko) * | 2001-03-02 | 2004-05-31 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 패턴형성방법 및 이 패턴형성방법을 이용한액정표시장치의 제조방법 |
| JPWO2020255985A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | ||
| WO2020255985A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 日産化学株式会社 | ジシアノスチリル基を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物 |
| US11977331B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-05-07 | Nissan Chemical Corporation | Composition containing a dicyanostyryl group, for forming a resist underlayer film capable of being wet etched |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564338B2 (ja) | 1993-09-14 |
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