JPH0236137A - アルコキシドの精製方法 - Google Patents
アルコキシドの精製方法Info
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- JPH0236137A JPH0236137A JP18379588A JP18379588A JPH0236137A JP H0236137 A JPH0236137 A JP H0236137A JP 18379588 A JP18379588 A JP 18379588A JP 18379588 A JP18379588 A JP 18379588A JP H0236137 A JPH0236137 A JP H0236137A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アルコキシドの精製方法に関するものでおり
、ざらに詳しくは超伝導体を形成するための原料として
、あるいは種々の無機薄膜や微粒子を合成するための原
料として好適に使用されるアルコキシドの精製方法に関
するものである。
、ざらに詳しくは超伝導体を形成するための原料として
、あるいは種々の無機薄膜や微粒子を合成するための原
料として好適に使用されるアルコキシドの精製方法に関
するものである。
［従来の技術］
従来、超伝導薄膜等の原料として使用されるアルコキシ
ドは、通常金属塩化物とアルカリ金属アルコキシドとを
反応させた後、反応生成物から未反応の原料不純物や副
反応生成物を′ｔ′８媒からの再結晶により精製除去し
、合成されている。
ドは、通常金属塩化物とアルカリ金属アルコキシドとを
反応させた後、反応生成物から未反応の原料不純物や副
反応生成物を′ｔ′８媒からの再結晶により精製除去し
、合成されている。
［発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上述のアルコキシドの精製方法では、超
伝導体用原料として好ましくない不純物、特にアルカリ
金属不純物の除去が困難である場合が多く、より優れた
精製方法に開発が望まれていた。
伝導体用原料として好ましくない不純物、特にアルカリ
金属不純物の除去が困難である場合が多く、より優れた
精製方法に開発が望まれていた。
従って、本発明の目的は、高純度のアルコキシドを簡単
かつ確実に得ることのできるアルコキシドの精製方法を
提供することにある。
かつ確実に得ることのできるアルコキシドの精製方法を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
かかる本発明の目的は、次の構成により達成される。
１ アルコキシドを溶媒中で炭酸ガスと反応させて有機
カーボネートに変換した俊、該反応生成物中から有機カ
ーボネートを分離し、次いで該有機カーボネートを脱炭
酸ガス処理してアルコキシドに再変換することを特徴と
するアルコキシドの精製方法。
カーボネートに変換した俊、該反応生成物中から有機カ
ーボネートを分離し、次いで該有機カーボネートを脱炭
酸ガス処理してアルコキシドに再変換することを特徴と
するアルコキシドの精製方法。
２ アルコキシドを実質的に溶解しない液体に懸濁した
後、該懸濁液に炭酸ガスを反応させてアルコキシドを溶
媒に可溶性の有機カーボネート化合物に変換し、次いで
該反応生成物中から有機カーボネートを分離した後、得
られた有機カーボネートを脱炭酸ガス処理することによ
り有機カーボネートを分解することを特徴とするアルコ
キシドの精製方法。
後、該懸濁液に炭酸ガスを反応させてアルコキシドを溶
媒に可溶性の有機カーボネート化合物に変換し、次いで
該反応生成物中から有機カーボネートを分離した後、得
られた有機カーボネートを脱炭酸ガス処理することによ
り有機カーボネートを分解することを特徴とするアルコ
キシドの精製方法。
３ アルコキシドを溶媒に溶解し、これに炭酸ガスを反
応させて溶媒に不溶の有機カーボネートに変換し、次い
で該反応生成物中から有機カーボネートを分離した後、
１ｑられた有機カーボネートを液体に懸濁し、次いで脱
炭酸ガス処理することにより有機カーボネートを分解す
ることを特徴とするアルコキシドの精製方法。
応させて溶媒に不溶の有機カーボネートに変換し、次い
で該反応生成物中から有機カーボネートを分離した後、
１ｑられた有機カーボネートを液体に懸濁し、次いで脱
炭酸ガス処理することにより有機カーボネートを分解す
ることを特徴とするアルコキシドの精製方法。
本発明において精製されるアルコキシドは、般式、
Ｍ（ＯＲ＞。
（（口し、ＭはＢａ、Ｙ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ ＋ 、Ｇａ、Ｓｒ、Ｗ、Ｍｎ。
ｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｓ ＋ 、Ｇａ、Ｓｒ、Ｗ、Ｍｎ。
Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、ＡＩ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｂ＋、Ｂ、ｃｓ
、 Ｇｄ、Ｇｅ、＋−ｕ、ＨＱ、ＨＯ，に、Ｌ ｒ、Ｍ
ｇ、ＭＯｌＮａ、Ｎｂ、Ｒｂ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、ｏｙ、ＨａＳ Ｅｒ
、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、ｐａ、ｕ、Ｐｕ、Ｐｂ、Ｃ
ａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、ＣｄおよびＴ１の群から選ばれた
少なくとも１種の金属である。
、 Ｇｄ、Ｇｅ、＋−ｕ、ＨＱ、ＨＯ，に、Ｌ ｒ、Ｍ
ｇ、ＭＯｌＮａ、Ｎｂ、Ｒｂ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、ｏｙ、ＨａＳ Ｅｒ
、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、ｐａ、ｕ、Ｐｕ、Ｐｂ、Ｃ
ａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、ＣｄおよびＴ１の群から選ばれた
少なくとも１種の金属である。
Ｒはアルキル基、アリル基、アリール基、アラルキル基
およびアルコキシアルキル基から選ばれた基である。
およびアルコキシアルキル基から選ばれた基である。
ＳはＭの原子価でおる。）
で表わされるアルコキシドである。
Ｒとして炭素数１〜８のアルキル基、アリル基、炭素数
６〜８のアリール基、炭素数７〜８のアラルキル基また
は炭素数２〜８のアルコキシアルキル基が好ましく、特
に、Ｒがメチル、エチル、プロピル、ブチル、等の低級
アルコキシドが好適に用いられる。また、金属に結合す
るすべての基がアルコキシドであることが好ましいが、
アルコキシド結合以外の残基を有していてもよい。アル
コキシド結合以外の残基としては特に制限はないが、ア
セチルアセトンおよびその誘導体等が挙げられる。
６〜８のアリール基、炭素数７〜８のアラルキル基また
は炭素数２〜８のアルコキシアルキル基が好ましく、特
に、Ｒがメチル、エチル、プロピル、ブチル、等の低級
アルコキシドが好適に用いられる。また、金属に結合す
るすべての基がアルコキシドであることが好ましいが、
アルコキシド結合以外の残基を有していてもよい。アル
コキシド結合以外の残基としては特に制限はないが、ア
セチルアセトンおよびその誘導体等が挙げられる。
本発明においては、先ずアルコキシドを溶媒中で炭酸カ
スと反応させて有機カーボネートに変換する。
スと反応させて有機カーボネートに変換する。
ここでアルコキシドを有機カーボネートに変換する方法
として１よ、使用する原料のアルコキシドは溶解しない
が、変換された有機カーボネートは溶解可能な液体にア
ルコキシドを懸濁した俊、該懸濁液に炭酸ガスを通して
アルコキシドと炭酸ガスとを反応させ、溶媒に可溶性の
有機カーボネートに変換、合成する方法が挙げられる。
として１よ、使用する原料のアルコキシドは溶解しない
が、変換された有機カーボネートは溶解可能な液体にア
ルコキシドを懸濁した俊、該懸濁液に炭酸ガスを通して
アルコキシドと炭酸ガスとを反応させ、溶媒に可溶性の
有機カーボネートに変換、合成する方法が挙げられる。
ここで有機カーボネーとは、一般式、
Ｍ （ＯＣＯＯＲ＞７１ Ｘｉ
（但し、ＭはＢａ、Ｙ、Ｃｕ、Ｚｒ、ＮｂＸＴａ、Ｉ
ｎＸ３ｎ、 Ｆｅ、３ ｉ 、Ｇａ、Ｓｒ、Ｗ、Ｍｎ、
（：、ｏ、、７ｎ、Ｎ ｉ 、Δ＋、ｔ−ａ、Ｔｉ、Ｂ
ｉｓ Ｂ、Ｃ５，Ｇｄ、Ｇｅ、Ｈｆ、ＨＱ、Ｈｏ５Ｋ、
Ｌ ｉ、ＭＣＩ、ＭＯ，Ｎａ、Ｎｂ、Ｒｂ、３ｂ、Ｂｅ
、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、−ｒｂ、［）
ｙ、ＨＯｌＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ。
ｎＸ３ｎ、 Ｆｅ、３ ｉ 、Ｇａ、Ｓｒ、Ｗ、Ｍｎ、
（：、ｏ、、７ｎ、Ｎ ｉ 、Δ＋、ｔ−ａ、Ｔｉ、Ｂ
ｉｓ Ｂ、Ｃ５，Ｇｄ、Ｇｅ、Ｈｆ、ＨＱ、Ｈｏ５Ｋ、
Ｌ ｉ、ＭＣＩ、ＭＯ，Ｎａ、Ｎｂ、Ｒｂ、３ｂ、Ｂｅ
、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、−ｒｂ、［）
ｙ、ＨＯｌＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ。
Ｐｕ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｄおよび丁１の
群から選ばれた少なくとも１種の金属である。
群から選ばれた少なくとも１種の金属である。
Ｒはアルキル基、アリル基、アリール基、アラルキル基
およびアルコキシアルキル基から選ばれた基である。
およびアルコキシアルキル基から選ばれた基である。
Ｘはアルコキシ、アルコキシアルコキシまたはアセチル
アセトナトである。
アセトナトである。
ｎは１以上の整数、ｍはＯまたは整数、（ｎ 十ｍ ）
はＭの原子価である。）で表わされる金属有機カーボネ
ート結合を有する有機金属化合物でおり、Ｒとしては炭
素数１〜８のアルキル基、アリル基、炭素数６〜８のア
リール基、炭素数７〜８の７ラルキル基または炭素数２
〜８のアルコキシアルキル基が好ましいが、特に、Ｒが
メチル、エチル、プロピル、ブチル、等の低級アルキル
カーボネートが好適である。またＸとしては炭素数１〜
８のアルコキシ、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ
またはアセチルアセトナトが好ましい。金属に結合する
すべての基がカーボネート結合である化合物が特に好適
であるが、カーボネート結合以外の残塁を有していても
よい。このような残塁としては特に制限はないが、アセ
チルアセトンおよびその誘導体等が挙げられる。
はＭの原子価である。）で表わされる金属有機カーボネ
ート結合を有する有機金属化合物でおり、Ｒとしては炭
素数１〜８のアルキル基、アリル基、炭素数６〜８のア
リール基、炭素数７〜８の７ラルキル基または炭素数２
〜８のアルコキシアルキル基が好ましいが、特に、Ｒが
メチル、エチル、プロピル、ブチル、等の低級アルキル
カーボネートが好適である。またＸとしては炭素数１〜
８のアルコキシ、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ
またはアセチルアセトナトが好ましい。金属に結合する
すべての基がカーボネート結合である化合物が特に好適
であるが、カーボネート結合以外の残塁を有していても
よい。このような残塁としては特に制限はないが、アセ
チルアセトンおよびその誘導体等が挙げられる。
なおこの反応においては、目的とするアルコキシドのみ
が炭酸ガスと反応し溶解する場合、目的とするアルコキ
シドも、不純物として含まれているアルコキシドもとも
に炭酸ガスと反応するが、溶解度の異なる化合物、すな
わち有機カーボネートに変換することにより、精製が可
能となる。
が炭酸ガスと反応し溶解する場合、目的とするアルコキ
シドも、不純物として含まれているアルコキシドもとも
に炭酸ガスと反応するが、溶解度の異なる化合物、すな
わち有機カーボネートに変換することにより、精製が可
能となる。
次いで得られた反応生成物から有機カーボネートを；濾
過等の手段により不溶性の不純物から分離し、最後に脱
炭酸ガスにより有機カーボネートを分解し、高純度の目
的とするアルコキシドを１ｑる。
過等の手段により不溶性の不純物から分離し、最後に脱
炭酸ガスにより有機カーボネートを分解し、高純度の目
的とするアルコキシドを１ｑる。
炭酸ガスとアルコキシドとの反応は通常至温で行なわれ
る。溶媒としてはアルコキシドおよびカーボネートが分
解せず、かつアルコキシドおよびカーボネートに対して
適当な溶解度を有する液体が使用され、これらはアルコ
キシドの種類に応じて選択するのがよい。使用できる溶
媒の例とじては、各種炭化水素；アルコール；エチルセ
ロンルブ、メヂルセロソルブ等のアルコキシアルコール
；ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド等の
含窒素溶媒；ジメチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒；
ピリジン、キノリン、ブチルアミン、アニリン、エタノ
ールアミン等のアミン溶媒；およびこれらの混合物等が
挙げられる。また反応性を向上させるためこれらの溶媒
に添加剤として、ピリジン、キノリン、ブチルアミン、
アニリン、エタノールアミン等のアミンを少量加えるこ
ともできる。
る。溶媒としてはアルコキシドおよびカーボネートが分
解せず、かつアルコキシドおよびカーボネートに対して
適当な溶解度を有する液体が使用され、これらはアルコ
キシドの種類に応じて選択するのがよい。使用できる溶
媒の例とじては、各種炭化水素；アルコール；エチルセ
ロンルブ、メヂルセロソルブ等のアルコキシアルコール
；ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド等の
含窒素溶媒；ジメチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒；
ピリジン、キノリン、ブチルアミン、アニリン、エタノ
ールアミン等のアミン溶媒；およびこれらの混合物等が
挙げられる。また反応性を向上させるためこれらの溶媒
に添加剤として、ピリジン、キノリン、ブチルアミン、
アニリン、エタノールアミン等のアミンを少量加えるこ
ともできる。
反応はこれらの液体に原料アルコキシドを適当な濃度で
懸濁させて行なうことができる。懸濁液の濃度は液体の
種類および原料であるアルコキシドの種類により選択さ
れるが、通常０．０１〜１ｍｏｌ／１程度の範囲とする
ことかできる。
懸濁させて行なうことができる。懸濁液の濃度は液体の
種類および原料であるアルコキシドの種類により選択さ
れるが、通常０．０１〜１ｍｏｌ／１程度の範囲とする
ことかできる。
反応時間も原料および溶媒の種類により適切に選択する
のがよく、通常１時間〜十数時間の範囲が使用される。
のがよく、通常１時間〜十数時間の範囲が使用される。
反応は金属元素に結合するアルコキシ基のすべてをカー
ボネートとするまで継続することもできるが、アルコキ
シ基の一部だけを置換するような条件で行なうこともで
きる。
ボネートとするまで継続することもできるが、アルコキ
シ基の一部だけを置換するような条件で行なうこともで
きる。
このようにしてアルコキシドを所定のカーボネートに変
換した後、；濾過、遠心分離等の適当な分離手段で不純
物である不溶性成分から、目的とする可溶性のアルコキ
シドのカーボネートを分離する。分離はカーボネートが
分解しないように、水等の活性水素を含まない雰囲気中
で行なうことが好ましい。
換した後、；濾過、遠心分離等の適当な分離手段で不純
物である不溶性成分から、目的とする可溶性のアルコキ
シドのカーボネートを分離する。分離はカーボネートが
分解しないように、水等の活性水素を含まない雰囲気中
で行なうことが好ましい。
次いで有機カーボネートを分解し、目的とするアルコキ
シドを得る。分解は通常、乾燥空気、窒素等のガスを溶
液中に吹き込むか、または温度を上げるか、あるいは両
者を併用することにより溶液中に溶存する炭酸ガスを除
去し、平衡をずらすことで達成される。
シドを得る。分解は通常、乾燥空気、窒素等のガスを溶
液中に吹き込むか、または温度を上げるか、あるいは両
者を併用することにより溶液中に溶存する炭酸ガスを除
去し、平衡をずらすことで達成される。
なお上述の説明は目的とするアルコキシドのカーボネー
トか溶媒に可溶で、不純物が溶媒に不溶の場合について
説明したが、これとは逆に目的とするアルコキシドのカ
ーボネートが溶媒に不溶で、不純物が溶媒に可溶である
ような方法で行なうこともできる。
トか溶媒に可溶で、不純物が溶媒に不溶の場合について
説明したが、これとは逆に目的とするアルコキシドのカ
ーボネートが溶媒に不溶で、不純物が溶媒に可溶である
ような方法で行なうこともできる。
すなわち、原お１のアルコキシドを実質的に溶解しない
液体に懸濁した俊、該懸濁液に炭酸ガスを反応させるこ
とによりアルコキシドを溶媒に不溶の有機カーボネート
に変換した後、該反応生成物中から、濾過、遠心分離等
の分離手段で不純物である可溶性成分から、目的とする
不溶性のアルコキシドのカーボネートを分離する。
液体に懸濁した俊、該懸濁液に炭酸ガスを反応させるこ
とによりアルコキシドを溶媒に不溶の有機カーボネート
に変換した後、該反応生成物中から、濾過、遠心分離等
の分離手段で不純物である可溶性成分から、目的とする
不溶性のアルコキシドのカーボネートを分離する。
次いで、該反応生成物中から有機カーボネートを分離し
た後、得られた有４５７フーボネートを液体に懸濁し、
次いで脱炭酸ガス処理することにより有機カーボネート
を分解して精製されたアルコキシドを得る方法でもよい
。
た後、得られた有４５７フーボネートを液体に懸濁し、
次いで脱炭酸ガス処理することにより有機カーボネート
を分解して精製されたアルコキシドを得る方法でもよい
。
ここで分解は、前記と同様、乾燥空気、窒素等のガスを
溶液中に吹き込むか、または温度を上げるか、おるいは
両者を併用することにより溶液中に溶存する炭酸ガスを
除去し、平衡をずらすことで達成される。
溶液中に吹き込むか、または温度を上げるか、おるいは
両者を併用することにより溶液中に溶存する炭酸ガスを
除去し、平衡をずらすことで達成される。
本発明の金属有機カーボネートは超伝導体、たとえばＹ
／Ｂａ／Ｃｕ１０系ヤＢｉ／Ｓｒ、ｃａ。
／Ｂａ／Ｃｕ１０系ヤＢｉ／Ｓｒ、ｃａ。
Ｃｕ／Ｐｂ／１０系等の超伝導薄膜の合成に有効に１分
用することができる。また超伝導以外の用途としては、
たとえば高温材料であるムライト、３Ａ２０３２ＳｉＯ
２、薄膜、微粒子の合成：］−ヂエライ１へ、２ＭＱＯ
２Ａ Ｉ ２０３５３ ｉ ０２、薄膜、微粒子の合成
；圧電薄膜、Ｐｂ （Ｚｒ、Ｔｉ＞０３、の合成；ガラ
ス、３ｉ０２、の合成：光スィッチ、ＰｂＯ／Ｌａ２Ｏ
３／ＺｒＯ２／ＴｉＯ２の薄膜の合成：Ａｌ２Ｏ２の薄
膜、微粒子の合成：ＺｒＯ２の薄膜および微粒子の合成
；Ｙ２Ｏ３その他を含む安定化ジルコニアの薄膜および
微粒子の合成；ジルコン、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２の薄膜お
よび微粒子の合成；ベリリア、ＢｅＯの薄膜、微粒子の
合成：ＭＱＯ、マグネシアの薄膜、微粒子の合成：Ｍｇ
Ａｌ２Ｏ３、スピネルの薄膜および微粒子の合成：ＭＣ
］Ｏ−３ｉ ０２ 、ステアタイト薄膜、微粒子の合成
： ２Ｍｇ０−３ ｉ ０２、フォルステライト薄膜、
微粒子の合成；およびその他の種々の酸化物源ＩＩＩお
よび微粒子の合成などが挙げられる。
用することができる。また超伝導以外の用途としては、
たとえば高温材料であるムライト、３Ａ２０３２ＳｉＯ
２、薄膜、微粒子の合成：］−ヂエライ１へ、２ＭＱＯ
２Ａ Ｉ ２０３５３ ｉ ０２、薄膜、微粒子の合成
；圧電薄膜、Ｐｂ （Ｚｒ、Ｔｉ＞０３、の合成；ガラ
ス、３ｉ０２、の合成：光スィッチ、ＰｂＯ／Ｌａ２Ｏ
３／ＺｒＯ２／ＴｉＯ２の薄膜の合成：Ａｌ２Ｏ２の薄
膜、微粒子の合成：ＺｒＯ２の薄膜および微粒子の合成
；Ｙ２Ｏ３その他を含む安定化ジルコニアの薄膜および
微粒子の合成；ジルコン、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２の薄膜お
よび微粒子の合成；ベリリア、ＢｅＯの薄膜、微粒子の
合成：ＭＱＯ、マグネシアの薄膜、微粒子の合成：Ｍｇ
Ａｌ２Ｏ３、スピネルの薄膜および微粒子の合成：ＭＣ
］Ｏ−３ｉ ０２ 、ステアタイト薄膜、微粒子の合成
： ２Ｍｇ０−３ ｉ ０２、フォルステライト薄膜、
微粒子の合成；およびその他の種々の酸化物源ＩＩＩお
よび微粒子の合成などが挙げられる。
［実施例］
以下実施例を挙げて本発明を奥体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
実施例１
１００ｍｌの丸底フラスコ中に不純物としてＮａを１Ｗ
↑％含む３ｒ （ｎＯｃ４ ＋−１９＞２ ４゜２６Ｑ
（０，０１８１ｍｏ Ｉ ＞をｌ取し、コｔＬ ニジ
メチルフォルムアミドを５５ｍ１を加えた。ここで使用
したＳｒ （ｎＯｃ４Ｈ９）２はジメチルフォルムアミ
ドに溶解しないものである。次に前記フラスコ中にガラ
ス製バブラーを使用して炭酸ガスを３時間吹き込んだ。
↑％含む３ｒ （ｎＯｃ４ ＋−１９＞２ ４゜２６Ｑ
（０，０１８１ｍｏ Ｉ ＞をｌ取し、コｔＬ ニジ
メチルフォルムアミドを５５ｍ１を加えた。ここで使用
したＳｒ （ｎＯｃ４Ｈ９）２はジメチルフォルムアミ
ドに溶解しないものである。次に前記フラスコ中にガラ
ス製バブラーを使用して炭酸ガスを３時間吹き込んだ。
溶質は一部の残渣を残し溶解し、無色透明な粘度の高い
溶液となった。
溶液となった。
−夜放置後上澄液を注射器で取り、窒素を吹き込みなが
ら、１００℃まで昇温し、３時間かけ力−ボネーｉ〜を
分解した。分解生成物を窒素中で；濾過、乾燥し、４．
００ｇの精’ｎｓｒ （ｎＯ０４Ｈ９）２′Ｇ：得た。
ら、１００℃まで昇温し、３時間かけ力−ボネーｉ〜を
分解した。分解生成物を窒素中で；濾過、乾燥し、４．
００ｇの精’ｎｓｒ （ｎＯ０４Ｈ９）２′Ｇ：得た。
この中に含まれるＮａは０．００１ｗ℃％であった。
実施例２
実施例１と同様にして、不純物としてｌ−ｉを０゜５ｗ
ｔ％含むＣｕ （ＯＣ２１−１ｓ ）２ ６．ＯＯＱに
ｉ−プロパツールを５５ｍ１とピリジンを２ｍ１加えた
。ここで使用したＣｕ（ＯＣ２Ｈｓ ）２はこの混合溶
媒にほとんど溶解しないものである。
ｔ％含むＣｕ （ＯＣ２１−１ｓ ）２ ６．ＯＯＱに
ｉ−プロパツールを５５ｍ１とピリジンを２ｍ１加えた
。ここで使用したＣｕ（ＯＣ２Ｈｓ ）２はこの混合溶
媒にほとんど溶解しないものである。
次に実施＠］と同様にして室温で炭酸ガスを１０時間吹
き込みカーボネー１へとした。溶質は一部の残渣を残し
）ｄ解し、濃い青色の溶液となった。
き込みカーボネー１へとした。溶質は一部の残渣を残し
）ｄ解し、濃い青色の溶液となった。
夜放置後−Ｌ澄液を注射器で取り、窒素を吹き込みなが
ら、ｉ−プロパツールの沸点まで加熱し、３時間かけカ
ーボネートを分解した。分解生成物を窒素中で濾過、乾
燥し、５．８０ｇの精製Ｃｕ（ＯＣ２）−１５＞２を得
た。この中に含まれるｌ−ｉは０．００４Ｗ↑％であ・
つた。
ら、ｉ−プロパツールの沸点まで加熱し、３時間かけカ
ーボネートを分解した。分解生成物を窒素中で濾過、乾
燥し、５．８０ｇの精製Ｃｕ（ＯＣ２）−１５＞２を得
た。この中に含まれるｌ−ｉは０．００４Ｗ↑％であ・
つた。
実施例３
実施例１と同様にして、不純物としてＬｉを０゜５ ｗ
ｔ％含むＢａ （ＯＣ２ｆ−１ｓ ＞２ ４．ＯＯｇ
にジメチルフォルムアミドを５５ｍ１加えた。ここで使
用したＢａ （ＯＣ２Ｈ５）２はジメチルフォルムアミ
ドにほとんど溶解しないものである。
ｔ％含むＢａ （ＯＣ２ｆ−１ｓ ＞２ ４．ＯＯｇ
にジメチルフォルムアミドを５５ｍ１加えた。ここで使
用したＢａ （ＯＣ２Ｈ５）２はジメチルフォルムアミ
ドにほとんど溶解しないものである。
次に実施例１と同様にして室温で炭酸ガスを１１時間吹
き込みカーボネートとした。溶質は一部の残渣を残し溶
解し、透明な溶液が得られた。−夜放置後上）ａ液を注
射器で取り、窒素を吹き込みながら、１００℃まで加熱
し、３時間かけカーボネー１〜を分解した。分解生成物
を窒素中で；濾過、乾燥し、３．９０ｇの精製Ｂａ （
ＯＣ２Ｈｓ＞２を１９だ。この中に含まれるｌ−ｉは０
．００２ｗｔ％であった。
き込みカーボネートとした。溶質は一部の残渣を残し溶
解し、透明な溶液が得られた。−夜放置後上）ａ液を注
射器で取り、窒素を吹き込みながら、１００℃まで加熱
し、３時間かけカーボネー１〜を分解した。分解生成物
を窒素中で；濾過、乾燥し、３．９０ｇの精製Ｂａ （
ＯＣ２Ｈｓ＞２を１９だ。この中に含まれるｌ−ｉは０
．００２ｗｔ％であった。
実施例４
実施例１と同様にして、不純物としてＬｌを０゜５Ｗ↑
％含むＹ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７＞３ ４．０００にジメチル
フォルムアミドを５５ｍ１加えた。
％含むＹ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７＞３ ４．０００にジメチル
フォルムアミドを５５ｍ１加えた。
ここで使用したＹ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７＞３はジメチルフォ
ルムアミドにほとんど溶解しないものでおる。次に実施
例１と同様にして室温で炭酸ガスを１１時間吹き込みカ
ーボネートとした。溶質は一部の残漬を残し溶解し、透
明な溶液が得られた。
ルムアミドにほとんど溶解しないものでおる。次に実施
例１と同様にして室温で炭酸ガスを１１時間吹き込みカ
ーボネートとした。溶質は一部の残漬を残し溶解し、透
明な溶液が得られた。
−夜放置後上澄液を注射器で採り、窒素を吹き込みなが
ら、１００’Ｃまで加熱し、３時間かけカーボネートを
分解した。分解生成物を窒素中で濾過、乾燥し、３．８
０ｇの精製Ｙ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）３を１９だ。この中に
含まれるｌ−ｉは０．００６ｗｔ％であった。
ら、１００’Ｃまで加熱し、３時間かけカーボネートを
分解した。分解生成物を窒素中で濾過、乾燥し、３．８
０ｇの精製Ｙ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）３を１９だ。この中に
含まれるｌ−ｉは０．００６ｗｔ％であった。
実施例８
本発明の方法により精製したＮａ含量が０．０５ｗｔ％
以下のＹ、Ｂａ、およびＣＵのエトキシエトキシドをエ
チルセロソルブを溶媒として、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕが１／２
／３ｒ、かつ全体の濃度が０．１ｍｏｌ／ｌである溶液
を作製した。この溶液をＭＣｌ０基板に塗布し、７００
’Ｃで２０分焼成した。この工程を１０回繰り返し、最
後に９３０℃、酸素雰囲気中で６０分焼成し、次いで５
００℃で３時間処理し、最１卦に炉の中で６時間かけ室
温まで冷却した。
以下のＹ、Ｂａ、およびＣＵのエトキシエトキシドをエ
チルセロソルブを溶媒として、Ｙ／Ｂａ／Ｃｕが１／２
／３ｒ、かつ全体の濃度が０．１ｍｏｌ／ｌである溶液
を作製した。この溶液をＭＣｌ０基板に塗布し、７００
’Ｃで２０分焼成した。この工程を１０回繰り返し、最
後に９３０℃、酸素雰囲気中で６０分焼成し、次いで５
００℃で３時間処理し、最１卦に炉の中で６時間かけ室
温まで冷却した。
このようにして得た超伝導薄膜はＹ１Ｂａ２Ｃｕ ３０
−ｔの構造を有し、超伝導転移温度は８９にで、転移幅
は１にでおり、優れた超伝導薄膜が得られた。
−ｔの構造を有し、超伝導転移温度は８９にで、転移幅
は１にでおり、優れた超伝導薄膜が得られた。
精製しない原料（Ｎａ含量が０．１〜０．２ｗｔ％のも
の）を用い上述の方法と同じ要領で試料を作製した。こ
の試料の超伝導転移温度は７９Ｋ、転移幅は５にであっ
た。
の）を用い上述の方法と同じ要領で試料を作製した。こ
の試料の超伝導転移温度は７９Ｋ、転移幅は５にであっ
た。
［発明の効果］
本発明は、上述のごとく構成したので純度の高いアルコ
キシドを簡単かつ確実に１ｑることができる。
キシドを簡単かつ確実に１ｑることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルコキシドを溶媒中で炭酸ガスと反応させて有機
カーボネートに変換した後、該反応生成物中から有機カ
ーボネートを分離し、次いで該有機カーボネートを脱炭
酸ガス処理してアルコキシドに再変換することを特徴と
するアルコキシドの精製方法。 ２ アルコキシドを実質的に溶解しない液体に懸濁した
後、該懸濁液に炭酸ガスを反応させてアルコキシドを溶
媒に可溶性の有機カーボネートに変換し、次いで該反応
生成物中から有機カーボネートを分離した後、得られた
有機カーボネートを脱炭酸ガス処理することにより有機
カーボネートを分解することを特徴とするアルコキシド
の精製方法。 ３ アルコキシドを溶媒に溶解し、これに炭酸ガスを反
応させて溶媒に不溶の有機カーボネートに変換し、次い
で該反応生成物中から有機カーボネートを分離した後、
得られた有機カーボネートを液体に懸濁し、次いで脱炭
酸ガス処理することにより有機カーボネートを分解する
ことを特徴とするアルコキシドの精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18379588A JPH0236137A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルコキシドの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18379588A JPH0236137A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルコキシドの精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236137A true JPH0236137A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16142054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18379588A Pending JPH0236137A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | アルコキシドの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0236137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118089A (en) * | 1989-09-05 | 1992-06-02 | Konica Corporation | Automatic document feeding apparatus |
| US5203554A (en) * | 1990-09-07 | 1993-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plurality document feeding apparatus and method for copying machines |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP18379588A patent/JPH0236137A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118089A (en) * | 1989-09-05 | 1992-06-02 | Konica Corporation | Automatic document feeding apparatus |
| US5203554A (en) * | 1990-09-07 | 1993-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plurality document feeding apparatus and method for copying machines |
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