JPH0236281Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0236281Y2 JPH0236281Y2 JP9664683U JP9664683U JPH0236281Y2 JP H0236281 Y2 JPH0236281 Y2 JP H0236281Y2 JP 9664683 U JP9664683 U JP 9664683U JP 9664683 U JP9664683 U JP 9664683U JP H0236281 Y2 JPH0236281 Y2 JP H0236281Y2
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- Japan
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- case
- holding plate
- terminal holding
- resin
- epoxy resin
- Prior art date
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- Expired
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は半導体モジユールに関し、特にその
外囲器の構造を改良する。
外囲器の構造を改良する。
パワー回路の構成に用いられる半導体モジユー
ルの従来の構造の一例を第1図および第2図に示
す。図において、1は銅板で形成された放熱板
で、樹脂モールド形成されたわく形の樹脂側壁部
2を上面に結合させてケース3を形成する。この
ケース内の底部の放熱板上にはセラミツクの電気
絶縁板4を介して複数のボンデイングパツド5,
5…が多くの能動素子、受動素子(いずれも図示
省略)に配線されて取着されている。次に6,6
…は端子板で、1端を上記ボンデイングパツド
5,5…にはんだ接合して垂直に立上がり、他端
はケース上端の開口部を閉塞する端子保持板7を
貫通してねじ6a,6a…を備えた端子になつて
いる。また、ケース内の底部にはゲル状のシリコ
ン樹脂層8が、また、これに接して上部には封止
用のエポキシ樹脂層9が夫々充填されており、上
記端子保持板7はその底面と側面がエポキシ樹脂
層9に接着されてその上面がケースの樹脂側壁部
2の上端と一平面をなすように組み合わされ封止
が達成される。なお、端子保持板7に設けられた
開口は樹脂注入口10である。
ルの従来の構造の一例を第1図および第2図に示
す。図において、1は銅板で形成された放熱板
で、樹脂モールド形成されたわく形の樹脂側壁部
2を上面に結合させてケース3を形成する。この
ケース内の底部の放熱板上にはセラミツクの電気
絶縁板4を介して複数のボンデイングパツド5,
5…が多くの能動素子、受動素子(いずれも図示
省略)に配線されて取着されている。次に6,6
…は端子板で、1端を上記ボンデイングパツド
5,5…にはんだ接合して垂直に立上がり、他端
はケース上端の開口部を閉塞する端子保持板7を
貫通してねじ6a,6a…を備えた端子になつて
いる。また、ケース内の底部にはゲル状のシリコ
ン樹脂層8が、また、これに接して上部には封止
用のエポキシ樹脂層9が夫々充填されており、上
記端子保持板7はその底面と側面がエポキシ樹脂
層9に接着されてその上面がケースの樹脂側壁部
2の上端と一平面をなすように組み合わされ封止
が達成される。なお、端子保持板7に設けられた
開口は樹脂注入口10である。
叙上の封止に際し、エポキシ樹脂注入の場合、
すでに注入してあるシリコン樹脂の表面温度を
115〜125℃に保ち、シリコン樹脂に比して大きい
エポキシ樹脂との膨張係数差による剥離の発生を
防止している。ついで注入の完了したエポキシ樹
脂を硬化させるための加熱処理を130℃にて8時
間施すが、注入完了時には端子保持板7とケース
の樹脂側壁部2上面とはエポキシ樹脂層でほぼ平
面に連接されたものが、加熱処理後には隅部に陥
没を生じたものが5〜10%発生する重大な欠点が
ある。
すでに注入してあるシリコン樹脂の表面温度を
115〜125℃に保ち、シリコン樹脂に比して大きい
エポキシ樹脂との膨張係数差による剥離の発生を
防止している。ついで注入の完了したエポキシ樹
脂を硬化させるための加熱処理を130℃にて8時
間施すが、注入完了時には端子保持板7とケース
の樹脂側壁部2上面とはエポキシ樹脂層でほぼ平
面に連接されたものが、加熱処理後には隅部に陥
没を生じたものが5〜10%発生する重大な欠点が
ある。
この原因として、注入中にもエポキシ樹脂の硬
化が進行して流れが悪くなるのでケースの上面ま
で這い上らなくなること、複数の端子板によつて
エポキシ樹脂の流れがケースの隅部まで到達する
のに時間がかかり、この間に近い部分に這い上つ
たエポキシ樹脂が例えば上記隅部の上部へ回わり
こんで見掛け上で充填されたように見え加熱処理
によつて陥没になること、などが判明した。
化が進行して流れが悪くなるのでケースの上面ま
で這い上らなくなること、複数の端子板によつて
エポキシ樹脂の流れがケースの隅部まで到達する
のに時間がかかり、この間に近い部分に這い上つ
たエポキシ樹脂が例えば上記隅部の上部へ回わり
こんで見掛け上で充填されたように見え加熱処理
によつて陥没になること、などが判明した。
この考案は上記従来の技術の問題点を改良した
半導体モジユールの構造を提供する。
半導体モジユールの構造を提供する。
この考案の半導体モジユールは端子板の一端を
底部が放熱板で形成されたケース内のボンデイン
グパツドにろう着させ、他端を予め端子保持板を
貫通させてこれと一体に構成し、前記端子保持板
を上端開放のケースの開孔部にてこのケースに充
填された樹脂により接着されてなる半導体モジユ
ールにおいて、端子保持板が封止樹脂に接着する
側の主面とその周側面との角に丸みをつけたこと
を特徴とするもので、注入されるエポキシ樹脂の
ケース上面までの這い上がりを良好にし、注入時
間の短縮と、エポキシ樹脂の陥没を低減する。
底部が放熱板で形成されたケース内のボンデイン
グパツドにろう着させ、他端を予め端子保持板を
貫通させてこれと一体に構成し、前記端子保持板
を上端開放のケースの開孔部にてこのケースに充
填された樹脂により接着されてなる半導体モジユ
ールにおいて、端子保持板が封止樹脂に接着する
側の主面とその周側面との角に丸みをつけたこと
を特徴とするもので、注入されるエポキシ樹脂の
ケース上面までの這い上がりを良好にし、注入時
間の短縮と、エポキシ樹脂の陥没を低減する。
次にこの考案を1実施例につき改良部を第3図
によつて詳述する。なお、従来のものと変わらな
い部分については図面に同じ符号を付して示し説
明も省略する。
によつて詳述する。なお、従来のものと変わらな
い部分については図面に同じ符号を付して示し説
明も省略する。
第3図に示される端子保持板11は一例のポリ
フエニレンサルフアイド樹脂で形成し、これが放
熱板1と対向する主面(製品における封止樹脂に
接着する側の主面)とその周側面との角(かど)
にR11aがつけられる。このRは半径が2mm以
上あれば有効で、端子保持板の厚さ、および角部
から端子板までの距離等に応じて適宜設定してよ
い。
フエニレンサルフアイド樹脂で形成し、これが放
熱板1と対向する主面(製品における封止樹脂に
接着する側の主面)とその周側面との角(かど)
にR11aがつけられる。このRは半径が2mm以
上あれば有効で、端子保持板の厚さ、および角部
から端子板までの距離等に応じて適宜設定してよ
い。
次に、この端子保持板を構成する上記樹脂の材
質はこれが端子板と一体成型するとき、成型に用
いる金型にRを設けておけばよいので、加工は容
易で従来と同じに達成できる。なお、構成材は上
記例示した樹脂に限られることなく、強じん性、
耐熱性、電気絶縁性等の他モールド加工の容易な
ものから選んでよく、例えばガラスエポキシ樹脂
もよく適する。
質はこれが端子板と一体成型するとき、成型に用
いる金型にRを設けておけばよいので、加工は容
易で従来と同じに達成できる。なお、構成材は上
記例示した樹脂に限られることなく、強じん性、
耐熱性、電気絶縁性等の他モールド加工の容易な
ものから選んでよく、例えばガラスエポキシ樹脂
もよく適する。
この考案によれば、エポキシ樹脂注入の際に端
子保持板とケースとの間に這い上がりが良好で、
硬化を施すための加熱処理後に陥没を生じない。
なお、ここで陥没不良を生じたものは樹脂硬化後
であるため修理が不能である。これにより外観が
向上して歩留も向上し、かつ、耐湿性の良に外囲
器形成が達成できる顕著な効果がある。
子保持板とケースとの間に這い上がりが良好で、
硬化を施すための加熱処理後に陥没を生じない。
なお、ここで陥没不良を生じたものは樹脂硬化後
であるため修理が不能である。これにより外観が
向上して歩留も向上し、かつ、耐湿性の良に外囲
器形成が達成できる顕著な効果がある。
また、この考案は実施がきわめて容易に廉価に
達成できる上に端子保持板の装入も容易になり、
組立工程の能率の向上も得られる。
達成できる上に端子保持板の装入も容易になり、
組立工程の能率の向上も得られる。
第1図は従来の半導体モジユールの一部を断面
で示す斜視図、第2図は従来の半導体モジユール
の断面図、第3図は1実施例の半導体モジユール
の断面図である。 1……放熱板、2……樹脂側壁部、3……ケー
ス、5,5……ボンデイングパツド、6,6……
端子板、11……端子保持板、11a……端子保
持板のR部。
で示す斜視図、第2図は従来の半導体モジユール
の断面図、第3図は1実施例の半導体モジユール
の断面図である。 1……放熱板、2……樹脂側壁部、3……ケー
ス、5,5……ボンデイングパツド、6,6……
端子板、11……端子保持板、11a……端子保
持板のR部。
Claims (1)
- 端子板の一端を底部が放熱板でなるケース内の
ボンデイングパツドにろう着させ、他端を予め端
子保持板を貫通させてこれと一体に構成し、前記
端子保持板を上端開放のケースの開口部にてこの
ケースに充填された樹脂により接着されてなる半
導体モジユールにおいて、端子保持板が封止樹脂
に接着する側の主面とその周側面との角に丸みを
つけたことを特徴とする半導体モジユール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9664683U JPS605152U (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9664683U JPS605152U (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体モジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605152U JPS605152U (ja) | 1985-01-14 |
| JPH0236281Y2 true JPH0236281Y2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=30230239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9664683U Granted JPS605152U (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605152U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611536Y2 (ja) * | 1989-03-03 | 1994-03-23 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型電子回路装置 |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP9664683U patent/JPS605152U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS605152U (ja) | 1985-01-14 |
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