JPS62104145A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62104145A JPS62104145A JP60245113A JP24511385A JPS62104145A JP S62104145 A JPS62104145 A JP S62104145A JP 60245113 A JP60245113 A JP 60245113A JP 24511385 A JP24511385 A JP 24511385A JP S62104145 A JPS62104145 A JP S62104145A
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- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、とりわけ樹脂封止形半
導体装置のケースの改良に関するものである。
導体装置のケースの改良に関するものである。
第４図は、従来の半導体モジュールの平面図であり、こ
こでは、ｌ＠子入り電力用半導体モジュールを例にして
示している。図において、１はベース板、２はケース、
３は絶縁基板、４はベース電極、５はエミッタ電極、６
はモリブデン坂、７はシリコンチップ、８はベースアル
ミニウムワイヤ、９はエミッタアルミニウムワイヤであ
る。
こでは、ｌ＠子入り電力用半導体モジュールを例にして
示している。図において、１はベース板、２はケース、
３は絶縁基板、４はベース電極、５はエミッタ電極、６
はモリブデン坂、７はシリコンチップ、８はベースアル
ミニウムワイヤ、９はエミッタアルミニウムワイヤであ
る。
第５図は、第４図の断面図であり、ベース、エミッタア
ルミニウムワイヤ８，９をアルミニウムワイヤボンディ
ングし、ケース２を接着剤でベース板１に接着した後、
シリコーンゲル１０の注入を行い、キュアー後にエポキ
シ樹脂１）を注入し、キュアーを行う。
ルミニウムワイヤ８，９をアルミニウムワイヤボンディ
ングし、ケース２を接着剤でベース板１に接着した後、
シリコーンゲル１０の注入を行い、キュアー後にエポキ
シ樹脂１）を注入し、キュアーを行う。
（発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は、以上のように構成されており、ケ
ース２接着後、シリコンゲル１０を注入すると、表面張
力によってケース４隅からシリコンゲルがはい上がり、
このため次にエポキシ樹脂を注入した時に、ケースの４
隅においてケースとエポキシ樹脂の接着が悪くなるとい
う問題点があった。
ース２接着後、シリコンゲル１０を注入すると、表面張
力によってケース４隅からシリコンゲルがはい上がり、
このため次にエポキシ樹脂を注入した時に、ケースの４
隅においてケースとエポキシ樹脂の接着が悪くなるとい
う問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ゲルのはい上がりを防止できる半導体装置
を提供することを目的とする。
れたもので、ゲルのはい上がりを防止できる半導体装置
を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、ケースの４隅にＲ（アー
ル）部を設けるか、またはケースの４隅の中間高さ位置
にリブを設けるようにしたものである。
ル）部を設けるか、またはケースの４隅の中間高さ位置
にリブを設けるようにしたものである。
この発明においては、ケースの４隅にＲ（アール）部を
設けるか、またはケースの４隅の中間高さ位置にリブを
設けたから、ゲルのはい上がりはほとんど発生しない。
設けるか、またはケースの４隅の中間高さ位置にリブを
設けたから、ゲルのはい上がりはほとんど発生しない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第３図を用い
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明の一実施例による半導体装置を示す平
面図、第２図、第３図は、ケース部分の詳細を示す断面
図である。図中、第４図、第５図と同一符号は同一部分
を示す。第２図において、２０はケースの４隅に上から
下まで同じ形状に形成したＲ（アール）部である。第３
図において、３０はＲ（アール）部２０の中間に設けた
リブである。
面図、第２図、第３図は、ケース部分の詳細を示す断面
図である。図中、第４図、第５図と同一符号は同一部分
を示す。第２図において、２０はケースの４隅に上から
下まで同じ形状に形成したＲ（アール）部である。第３
図において、３０はＲ（アール）部２０の中間に設けた
リブである。
次に作用効果について説明する。
第１図において、ベース板１上に絶縁基板３とエミッタ
電極４、ベース電極５を載せ、それらとは別にベース板
１の上に、あらかじめモリブデン板６の上に高温ハンダ
付けされたシリコンチップ７を載せ、同時に低温ハンダ
によりハンダ付けする。続いてベース、エミッタのアル
ミニウムワイヤ８．９のボンディングを行い、ケース２
を接着剤でベース板Ｉに貼付けた後、チップとアルミニ
ウム保護のためシリコンゲル１０を注入する。このとき
ケース２の４隅の内側をＲ（アール）にしていない場合
は、上記従来装置のようにシリコンゲルの表面張力によ
り、ケース２の上部にまでシリコンゲル１０がはい上が
り、その後のエポキシ樹脂による封止のときにケース２
とエポキシ樹脂１）との接着が悪くなり、耐湿に関して
も悪い結果となることとなるが、このようにＲ部を設け
たことによりこの問題は完全に解消される。
電極４、ベース電極５を載せ、それらとは別にベース板
１の上に、あらかじめモリブデン板６の上に高温ハンダ
付けされたシリコンチップ７を載せ、同時に低温ハンダ
によりハンダ付けする。続いてベース、エミッタのアル
ミニウムワイヤ８．９のボンディングを行い、ケース２
を接着剤でベース板Ｉに貼付けた後、チップとアルミニ
ウム保護のためシリコンゲル１０を注入する。このとき
ケース２の４隅の内側をＲ（アール）にしていない場合
は、上記従来装置のようにシリコンゲルの表面張力によ
り、ケース２の上部にまでシリコンゲル１０がはい上が
り、その後のエポキシ樹脂による封止のときにケース２
とエポキシ樹脂１）との接着が悪くなり、耐湿に関して
も悪い結果となることとなるが、このようにＲ部を設け
たことによりこの問題は完全に解消される。
また第３図の本発明の他の実施例のように、ケース内側
の４隅にＲ（アール）部を設け、さらにこのＲ部の中間
にリブ３０を設けるとシリコンチップ）はい上がりは完
全になくなり、さらに効果は大きくなる。
の４隅にＲ（アール）部を設け、さらにこのＲ部の中間
にリブ３０を設けるとシリコンチップ）はい上がりは完
全になくなり、さらに効果は大きくなる。
なお、上記アール部あるいはリブはケース成形時に同時
に加工すれば、ケースの価格の上昇を招くことはない。
に加工すれば、ケースの価格の上昇を招くことはない。
なお、上記実施例は、１素子入りトランジスタモジュー
ルの場合番７ついて説明したが、本発明は多素子入り電
力用モジコールの樹脂封止形ケースにも適用でき、同様
の効果を奏する。
ルの場合番７ついて説明したが、本発明は多素子入り電
力用モジコールの樹脂封止形ケースにも適用でき、同様
の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、ケースの４隅にＲ（
アール）部を設けるか、またはケースの４隅の中間高さ
位置にリブを設けるようにしたので、ゲルのはい上がり
を防止でき、ケースとエポキシ樹脂との接着が良好とな
る効果がある。
アール）部を設けるか、またはケースの４隅の中間高さ
位置にリブを設けるようにしたので、ゲルのはい上がり
を防止でき、ケースとエポキシ樹脂との接着が良好とな
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例により半導体装置の平面図、
第２図は上記実施例のベース板に貼付けたケースの断面
図、第３図は本発明の他の実施例のケースの断面図、第
４図および第５図は従来の半導体装置の平面図および断
面図である。 １はベース板、２はケース、３は絶縁基板、４は千ミッ
タ電極、５はベース電極、６はモリブデン板、７はシリ
コンチップ、８はベースアルミニウムワイヤ、９はエミ
ッタアルミニウムワイヤ、２０はＲ（アール）部、３０
はリブ。 なお図中同一符号は同・−又は相当部分を示す。
第２図は上記実施例のベース板に貼付けたケースの断面
図、第３図は本発明の他の実施例のケースの断面図、第
４図および第５図は従来の半導体装置の平面図および断
面図である。 １はベース板、２はケース、３は絶縁基板、４は千ミッ
タ電極、５はベース電極、６はモリブデン板、７はシリ
コンチップ、８はベースアルミニウムワイヤ、９はエミ
ッタアルミニウムワイヤ、２０はＲ（アール）部、３０
はリブ。 なお図中同一符号は同・−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）金属ベース板上に絶縁層または絶縁基板を設け、
その上に電極板、半導体チップを順次ハンダ付けしこれ
をケースに収容してシリコーンゲル及び樹脂を用いて樹
脂封止を行う半導体装置において、 上記ケースの一部分に上記シリコーンゲルのはい上がり
防止部を設けたことを特徴とする半導体装置。 - （２）上記はい上がり防止部は、上記ケースの４隅に設
けたアール部であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 - （３）上記はい上がり防止部は、上記ケースの４隅内面
の中間高さ位置にその表面から突出して設けたリブであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245113A JPS62104145A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245113A JPS62104145A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104145A true JPS62104145A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH0418468B2 JPH0418468B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=17128814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60245113A Granted JPS62104145A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104145A (ja) |
Cited By (10)
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| US6001943A (en) * | 1997-01-30 | 1999-12-14 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silicone gel composition and silicone gel for use in sealing and filling of electrical and electronic parts |
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| WO2015111409A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Silicone gel composition |
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| WO2018056298A1 (ja) | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 積層体、その製造方法および電子部品の製造方法 |
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| WO2018079678A1 (ja) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 積層体および電子部品の製造方法 |
| WO2019049950A1 (ja) | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | ラジカル反応性を有するシリコーンエラストマー硬化物およびその用途 |
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| JPS58121652A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-07-20 | Fuji Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP60245113A patent/JPS62104145A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| WO2015111409A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Silicone gel composition |
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| WO2018056297A1 (ja) | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化反応性シリコーンゲルおよびその用途 |
| KR20190046997A (ko) | 2016-09-26 | 2019-05-07 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 적층체, 이의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 방법 |
| WO2018056298A1 (ja) | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 積層体、その製造方法および電子部品の製造方法 |
| US11279827B2 (en) | 2016-09-26 | 2022-03-22 | Dow Toray Co., Ltd. | Curing reactive silicone gel and use thereof |
| WO2018079678A1 (ja) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 積層体および電子部品の製造方法 |
| KR20190080912A (ko) | 2016-10-31 | 2019-07-08 | 다우 도레이 캄파니 리미티드 | 적층체 및 전자 부품 제조 방법 |
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| US11981814B2 (en) | 2017-09-11 | 2024-05-14 | Dow Toray Co., Ltd. | Cured silicone elastomer having radical reactivity and use of same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418468B2 (ja) | 1992-03-27 |
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