JPH0237048B2 - Furatsutokeeburu - Google Patents
FuratsutokeeburuInfo
- Publication number
- JPH0237048B2 JPH0237048B2 JP23227283A JP23227283A JPH0237048B2 JP H0237048 B2 JPH0237048 B2 JP H0237048B2 JP 23227283 A JP23227283 A JP 23227283A JP 23227283 A JP23227283 A JP 23227283A JP H0237048 B2 JPH0237048 B2 JP H0237048B2
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- JP
- Japan
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- flat cable
- end crosstalk
- insulating layer
- far
- crosstalk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はフラツトケーブルの改良に関し、更に
詳細には良好なクロストーク特性を得ることがで
き、且つ圧接コネクタの取付け位置に対する制限
を少ないものとすることができるフラツトケーブ
ルに関するものである。
詳細には良好なクロストーク特性を得ることがで
き、且つ圧接コネクタの取付け位置に対する制限
を少ないものとすることができるフラツトケーブ
ルに関するものである。
従来技術と問題点
複数本の信号線を平型に配列したフラツトケー
ブルに於いては、信号線間のクロストーク量を少
ないものとすることが重要である。
ブルに於いては、信号線間のクロストーク量を少
ないものとすることが重要である。
第１図は従来のフラツトケーブルの一例を示す
構成図であり、信号線が一対ずつ撚合せられた対
撚部ａと６本の信号線が平行に配置された平行部
ｂとが交互に設けられている。このフラツトケー
ブルは対撚部ａを設けることにより、信号線間の
クロストーク特性を改善するようにし、且つ平行
部ｂを設けることにより、圧接コネクタを容易に
取付けられるようにしたものであるが、次のよう
な欠点があつた。即ち、クロストーク特性を高い
ものとするには、対撚部ａの長さを長いもの（通
常は500mm以上）としなければならず、この為、
圧接コネクタを取付けることができる平行部ｂ間
の長さが長くなり、圧接コネクタの取付位置が制
限される欠点があつた。また、更に第１図に示し
たフラツトケーブルは導体上に絶縁層を設けただ
けの信号線を用いて構成したものであるから、外
部ノイズの影響を受けやすい欠点があつた。
構成図であり、信号線が一対ずつ撚合せられた対
撚部ａと６本の信号線が平行に配置された平行部
ｂとが交互に設けられている。このフラツトケー
ブルは対撚部ａを設けることにより、信号線間の
クロストーク特性を改善するようにし、且つ平行
部ｂを設けることにより、圧接コネクタを容易に
取付けられるようにしたものであるが、次のよう
な欠点があつた。即ち、クロストーク特性を高い
ものとするには、対撚部ａの長さを長いもの（通
常は500mm以上）としなければならず、この為、
圧接コネクタを取付けることができる平行部ｂ間
の長さが長くなり、圧接コネクタの取付位置が制
限される欠点があつた。また、更に第１図に示し
たフラツトケーブルは導体上に絶縁層を設けただ
けの信号線を用いて構成したものであるから、外
部ノイズの影響を受けやすい欠点があつた。
また、第２図Ａ，Ｂは他の従来例の断面図であ
り、それぞれフラツトケーブルの短尺、長尺方向
の断面を示している。
り、それぞれフラツトケーブルの短尺、長尺方向
の断面を示している。
同図Ａ，Ｂに示したフラツトケーブルは各金属
導体１の外周に絶縁層２を設け、各絶縁層２の上
半面に半導電層３を長尺方向に沿つて間欠的に且
つ一定のピツチで設け、これらを絶縁層４によつ
て一括被覆したものである。ここで、半導電層３
は固有抵抗の異なる導電性プラスチツクで、たと
えば、大日本インキ株式会社製の導電性プラスチ
ツクのそれぞれ一品種である固有抵抗が104〜105
Ω−cmのTX1036、或いは固有抵抗が102Ω−cm
のL2101等を用いて形成するものである。
導体１の外周に絶縁層２を設け、各絶縁層２の上
半面に半導電層３を長尺方向に沿つて間欠的に且
つ一定のピツチで設け、これらを絶縁層４によつ
て一括被覆したものである。ここで、半導電層３
は固有抵抗の異なる導電性プラスチツクで、たと
えば、大日本インキ株式会社製の導電性プラスチ
ツクのそれぞれ一品種である固有抵抗が104〜105
Ω−cmのTX1036、或いは固有抵抗が102Ω−cm
のL2101等を用いて形成するものである。
このような構成とすることにより、以下に述べ
る理由によりクロストークを少ないものとするこ
とができる。
る理由によりクロストークを少ないものとするこ
とができる。
今、第３図に示すように金属導体１ａ〜１ｅ間
の静電容量を１／２Ｃ、金属導体１ｂ，１ｄ間の静 電容量をCbd、金属導体１ａ，１ｃ，１ｅを接地
線、金属導体１ｂ，１ｄを信号線とすると、等価
回路は第４図に示すものとなる。第４図に於いて
Ｒは終端抵抗であり、特性インピーダンスZ0と等
しいものである。また、Lbdは金属導体１ｂ，１
ｄ間のインダクタンス、Lb，Ldは金属導体１ｂ，
１ｄのインダクタンスであり、フラツトケーブル
は対称回路であるからLb＝Ld＝Ｌである。
の静電容量を１／２Ｃ、金属導体１ｂ，１ｄ間の静 電容量をCbd、金属導体１ａ，１ｃ，１ｅを接地
線、金属導体１ｂ，１ｄを信号線とすると、等価
回路は第４図に示すものとなる。第４図に於いて
Ｒは終端抵抗であり、特性インピーダンスZ0と等
しいものである。また、Lbdは金属導体１ｂ，１
ｄ間のインダクタンス、Lb，Ldは金属導体１ｂ，
１ｄのインダクタンスであり、フラツトケーブル
は対称回路であるからLb＝Ld＝Ｌである。
第２図に於ける遠端クロストーク電圧Vd（ｌ、
ｔ）を入力電圧VIN（ｔ）の関数で表わすと次式
(1)が得られる。
ｔ）を入力電圧VIN（ｔ）の関数で表わすと次式
(1)が得られる。
Vd（ｌ、ｔ）＝１／２VIN（ｔ−ｌ／ｕ）
＋Zp／Zp＋ZeVIN（ｔ−ｌ／ｖ） ……(1)
但し、
通常のフラツトケーブルではＣ＞Cbd、Ｌ＞Lbd
であるので、次式(6)を得ることができる。
であるので、次式(6)を得ることができる。
また、信号源Ｅから立上り時間がT1のパルス
信号が出力されたとすると、式(1)は次式(7)に示す
ものとなる。
信号が出力されたとすると、式(1)は次式(7)に示す
ものとなる。
Vd（ｌ、ｔ）＝１／２Δtｄ／dtVIN（ｔ−ｌ／ｕ）…
…(7) 但し、 Δt＝ｌ／ｕ−ｌ／ｖ≒ｌ（−Lbd／Zp＋CbdZp）…
…(8) また、T1＞Δtのときの式(7)の最大電圧Vd（ｌ、
ｔ）naxは次式(9)に示すものとなる。
…(7) 但し、 Δt＝ｌ／ｕ−ｌ／ｖ≒ｌ（−Lbd／Zp＋CbdZp）…
…(8) また、T1＞Δtのときの式(7)の最大電圧Vd（ｌ、
ｔ）naxは次式(9)に示すものとなる。
Vd（ｌ、ｔ）nax＝Δt／2T1 ……(9)
ここで、遠端クロストークKf（％）は次式(10)で
表わされるものである。
表わされるものである。
Kf＝〔Vd（ｌ、ｔ）／VIN（ｔ）〕nax×100……(10
) 従つて、遠端クロストークKfを減少させるに
は式(9)に示されるVd（ｌ、ｔ）naxを小さくすれば
良いことになる。ここでVd（ｌ、ｔ）naxはケーブ
ル長ｌ及び（−Lbd／Zp＋CbdZp）の項に比例し、
信号の立上り時間T1に反比例するが、ｌ、T1は
定数であるので、遠端クロストークKfは（−
Lbd／Zp＋CbdZp）によつて決まる。
) 従つて、遠端クロストークKfを減少させるに
は式(9)に示されるVd（ｌ、ｔ）naxを小さくすれば
良いことになる。ここでVd（ｌ、ｔ）naxはケーブ
ル長ｌ及び（−Lbd／Zp＋CbdZp）の項に比例し、
信号の立上り時間T1に反比例するが、ｌ、T1は
定数であるので、遠端クロストークKfは（−
Lbd／Zp＋CbdZp）によつて決まる。
通常のフラツトケーブルでは、外側空間に比誘
電率の小さい空気がある為、Cbdが小さくなり、
Lbd／Zp＞CbdZpとなる。従つて、遠端クロストー
クKfを減小させるには金属導体１ｂ，１ｄ間の
静電容量Cbdを大とすれば良い。
電率の小さい空気がある為、Cbdが小さくなり、
Lbd／Zp＞CbdZpとなる。従つて、遠端クロストー
クKfを減小させるには金属導体１ｂ，１ｄ間の
静電容量Cbdを大とすれば良い。
第２図Ａ，Ｂに示したフラツトケーブルは半導
電層３を設けたものであるから、各金属導体１間
の静電容量を大とすることができ、従つて、遠端
クロストークKfを減少させることができる。ま
た、同図Ａ，Ｂに示したフラツトケーブルは、第
１図に示した従来のフラツトケーブルのように対
撚部を設ける必要がないものであるから、圧接コ
ネクタの取付位置の制限がなくなる。
電層３を設けたものであるから、各金属導体１間
の静電容量を大とすることができ、従つて、遠端
クロストークKfを減少させることができる。ま
た、同図Ａ，Ｂに示したフラツトケーブルは、第
１図に示した従来のフラツトケーブルのように対
撚部を設ける必要がないものであるから、圧接コ
ネクタの取付位置の制限がなくなる。
しかし、第２図Ａ，Ｂに示したフラツトケーブ
ルには次のような欠点があつた。即ち、外部ノイ
ズの影響を受けやすい欠点があると共に十分な近
端クロストークを得ることができない欠点があつ
た。
ルには次のような欠点があつた。即ち、外部ノイ
ズの影響を受けやすい欠点があると共に十分な近
端クロストークを得ることができない欠点があつ
た。
発明の目的
本発明は前述の如き欠点を改善したものであ
り、その目的は良好なクロストーク特性を得るこ
とができ、外部ノイズの影響を受けにくく、且つ
圧接コネクタの取付位置の制限を少ないものとす
ることができるフラツトケーブルを提供すること
にある。以下、実施例について詳細に説明する。
り、その目的は良好なクロストーク特性を得るこ
とができ、外部ノイズの影響を受けにくく、且つ
圧接コネクタの取付位置の制限を少ないものとす
ることができるフラツトケーブルを提供すること
にある。以下、実施例について詳細に説明する。
発明の実施例
第５図は本発明の実施例の断面図であり、フラ
ツトケーブルの短尺方向の断面を示したものであ
る。同図に於いて５は金属メツシユテープ、金属
箔、金属箔とプラスチツクフイルムとの複合テー
プ等からなるシールド、６はシースであり、他の
第２図Ａ，Ｂと同一符号は同一部分を表してい
る。
ツトケーブルの短尺方向の断面を示したものであ
る。同図に於いて５は金属メツシユテープ、金属
箔、金属箔とプラスチツクフイルムとの複合テー
プ等からなるシールド、６はシースであり、他の
第２図Ａ，Ｂと同一符号は同一部分を表してい
る。
本実施例に於いても、第２図Ａ，Ｂに示した従
来例と同様に半導電層３を備えたものであるか
ら、遠端クロストークを良好なものとすることが
でき、また第１図に示した従来例のように対撚部
を設ける必要がないものであるから、圧接コネク
タを任意の位置に容易に取付けることができる。
また、更に本実施例に於いてはシールド５を設け
たものであるから、外部ノイズを影響をなくすこ
とができる。
来例と同様に半導電層３を備えたものであるか
ら、遠端クロストークを良好なものとすることが
でき、また第１図に示した従来例のように対撚部
を設ける必要がないものであるから、圧接コネク
タを任意の位置に容易に取付けることができる。
また、更に本実施例に於いてはシールド５を設け
たものであるから、外部ノイズを影響をなくすこ
とができる。
第６図は第２図Ａ，Ｂ及び第５図に示したフラ
ツトケーブルの遠端クロストークKfと占積率と
の関係を示した図であり、縦軸は遠端クロストー
クKfを示し、横軸は占積率を示している。尚、
占積率は第７図に示すように、半導電層３が設け
られていない部分の長尺方向の長さをａ、半導電
層３が設けられている部分の長尺方向の長さをｂ
とするとｂ／ａ＋ｂ×100（％）で表わされるもので ある。また、実線ａ、ｂはそれぞれ半導電層３を
さきに例示した導電性プラスチツクTX1036、
L2101とした第２図Ａ，Ｂのフラツトケーブルの
遠端クロストークKfを示すものであり、点線ｃ、
ｄはそれぞれ半導電層３をTX1036、L2101とし
た第５図のフラツトケーブルの遠端クロストーク
Kfを示すものである。
ツトケーブルの遠端クロストークKfと占積率と
の関係を示した図であり、縦軸は遠端クロストー
クKfを示し、横軸は占積率を示している。尚、
占積率は第７図に示すように、半導電層３が設け
られていない部分の長尺方向の長さをａ、半導電
層３が設けられている部分の長尺方向の長さをｂ
とするとｂ／ａ＋ｂ×100（％）で表わされるもので ある。また、実線ａ、ｂはそれぞれ半導電層３を
さきに例示した導電性プラスチツクTX1036、
L2101とした第２図Ａ，Ｂのフラツトケーブルの
遠端クロストークKfを示すものであり、点線ｃ、
ｄはそれぞれ半導電層３をTX1036、L2101とし
た第５図のフラツトケーブルの遠端クロストーク
Kfを示すものである。
また、第８図は第２図Ａ，Ｂ及び第５図に示し
たフラツトケーブルの近端クロストークKnと占
積率との関係を示した図であり、縦軸は近端クロ
ストークKoを示し、横軸は占積率を示している。
また、実線ａ、ｂはそれぞれ半導電層３をさきに
例示した導電性プラスチツクTX1036、L2101と
した第２図Ａ，Ｂのフラツトケーブルの近端クロ
ストークKoを示すものであり、点線ｃ、ｄはそ
れぞれ半導電層３をTX1036、L2101とした第５
図にフラツトケーブルの近端クロストークKoを
示すものである。
たフラツトケーブルの近端クロストークKnと占
積率との関係を示した図であり、縦軸は近端クロ
ストークKoを示し、横軸は占積率を示している。
また、実線ａ、ｂはそれぞれ半導電層３をさきに
例示した導電性プラスチツクTX1036、L2101と
した第２図Ａ，Ｂのフラツトケーブルの近端クロ
ストークKoを示すものであり、点線ｃ、ｄはそ
れぞれ半導電層３をTX1036、L2101とした第５
図にフラツトケーブルの近端クロストークKoを
示すものである。
遠端クロストークKfは第６図から判るように、
占積率を適当に設定することにより零とすること
ができ、また近端クロストークKoは第８図から
判るようにシールド５を設けることにより、第２
図Ａ，Ｂに示した従来例に比べて減少させること
ができるものである。
占積率を適当に設定することにより零とすること
ができ、また近端クロストークKoは第８図から
判るようにシールド５を設けることにより、第２
図Ａ，Ｂに示した従来例に比べて減少させること
ができるものである。
尚、第５図に示したフラツトケーブルは例えば
以下のようにして製造するものである。即ち、絶
縁層が設けられた金属導体を、第９図に示すよう
に一定のピツチＰで孔７の開けられた半導電フイ
ルム８と絶縁プラスチツクフイルム９とからなる
複合フイルムと、絶縁プラスチツクフイルムとの
間に挾んでこれらを加熱圧着し、この後シール
ド、シースを設けることにより構成するものであ
る。
以下のようにして製造するものである。即ち、絶
縁層が設けられた金属導体を、第９図に示すよう
に一定のピツチＰで孔７の開けられた半導電フイ
ルム８と絶縁プラスチツクフイルム９とからなる
複合フイルムと、絶縁プラスチツクフイルムとの
間に挾んでこれらを加熱圧着し、この後シール
ド、シースを設けることにより構成するものであ
る。
発明の効果
以上説明したように、本発明は第１の絶縁層
（実施例に於いては絶縁層２）の外周に半導電層
を間欠的に設けたものであるから、遠端クロスト
ークを改善することができ、また対撚部を設ける
必要がないものであるから、圧接コネクタの取付
位置の制限がなくなる利点がある。また、更に本
発明はシールドを設けたものであるから、外部ノ
イズの影響を受けにくい利点があると共に、近端
クロストークを改善できる利点もある。
（実施例に於いては絶縁層２）の外周に半導電層
を間欠的に設けたものであるから、遠端クロスト
ークを改善することができ、また対撚部を設ける
必要がないものであるから、圧接コネクタの取付
位置の制限がなくなる利点がある。また、更に本
発明はシールドを設けたものであるから、外部ノ
イズの影響を受けにくい利点があると共に、近端
クロストークを改善できる利点もある。
第１図は従来例の構成図、第２図Ａ，Ｂは他の
従来例の断面図、第３図は金属導体間の静電容量
を示す部、第４図は第３図の等価回路、第５図は
本発明の実施例の断面図、第６図は遠端クロスト
ークと占積率の関係を示す線図、第７図は占積率
の説明図、第８図は近端クロストーク占積率との
関係を示す線図、第９図は第５図に示すフラツト
ケーブルを製造する際に使用する複合フイルムの
斜視図である。 １，１ａ〜１ｅは金属導体、２，４は絶縁層、
５はシールド、６はシースである。
従来例の断面図、第３図は金属導体間の静電容量
を示す部、第４図は第３図の等価回路、第５図は
本発明の実施例の断面図、第６図は遠端クロスト
ークと占積率の関係を示す線図、第７図は占積率
の説明図、第８図は近端クロストーク占積率との
関係を示す線図、第９図は第５図に示すフラツト
ケーブルを製造する際に使用する複合フイルムの
斜視図である。 １，１ａ〜１ｅは金属導体、２，４は絶縁層、
５はシールド、６はシースである。
Claims (1)
- １ 平行に配列された複数の金属導体と、該各金
属導体の外周上に設けられた第１の絶縁層と、該
第１の絶縁層の外周上に長尺方向に沿つて間欠的
に設けられた半導電層と、これらを一括被覆する
第２の絶縁層と、該第２の絶縁層を被覆するシー
ルドを設けたことを特徴とするフラツトケーブ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23227283A JPH0237048B2 (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Furatsutokeeburu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23227283A JPH0237048B2 (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Furatsutokeeburu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124309A JPS60124309A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0237048B2 true JPH0237048B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=16936639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23227283A Expired - Lifetime JPH0237048B2 (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Furatsutokeeburu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237048B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0735228Y2 (ja) * | 1989-06-22 | 1995-08-09 | 日立電線株式会社 | 圧接接続用シールド線 |
| JP2000020583A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Fujitsu Ltd | 営業支援システム |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP23227283A patent/JPH0237048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124309A (ja) | 1985-07-03 |
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